特許第5775551号(P5775551)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許5775551イオン注入プロセスにおいて同位体的に富化されたレベルのドーパントガス組成物を用いる方法
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  • 特許5775551-イオン注入プロセスにおいて同位体的に富化されたレベルのドーパントガス組成物を用いる方法 図000002
  • 特許5775551-イオン注入プロセスにおいて同位体的に富化されたレベルのドーパントガス組成物を用いる方法 図000003
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