特許 5778165 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および情報記録媒体の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5778165

(24)【登録日】2015年7月17日

(45)【発行日】2015年9月16日

(54)【発明の名称】情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および情報記録媒体の製造方法

(51)【国際特許分類】

   G11B 5/84 20060101AFI20150827BHJP

   C03C 19/00 20060101ALI20150827BHJP

【ＦＩ】

   G11B5/84 A

   C03C19/00 Z

【請求項の数】4

【全頁数】14

(21)【出願番号】特願2012-536342(P2012-536342)

(86)(22)【出願日】2011年9月15日

(86)【国際出願番号】JP2011071100

(87)【国際公開番号】WO2012043253

(87)【国際公開日】20120405

【審査請求日】2014年8月19日

(31)【優先権主張番号】特願2010-221544(P2010-221544)

(32)【優先日】2010年9月30日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000113263

【氏名又は名称】ＨＯＹＡ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001195

【氏名又は名称】特許業務法人深見特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】島津 典子

【審査官】 斎藤 眞

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１０−１９２０４１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−１２０９１２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−３０６９２４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ１１Ｂ ５／６２−５／８５８

Ｂ２４Ｂ １／００−１／０４

Ｂ２４Ｂ ５／００−７／３０

Ｂ２４Ｂ ２１／００−３９／０６

Ｂ２４Ｂ ５３／００−５７／０４

Ｃ０３Ｃ １５／００−２３／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ガラス基板（１）の主表面に磁気薄膜層（２）が形成される情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、
前記ガラス基板（１）の製造工程中に、研磨装置（１０００）を用いて、前記ガラス基板（１）を前記研磨装置（１０００）のキャリア（５００）に保持した状態で、コロイダルシリカを用いて研磨する工程を含み、
前記ガラス基板（１）を研磨する工程は、
前記コロイダルシリカの粒子表面のゼータ電位と前記キャリア（５００）の表面のゼータ電位との電位関係により、前記コロイダルシリカを前記キャリア（５００）に対して反発させるとともに、前記コロイダルシリカの粒子表面のゼータ電位と前記ガラス基板（１）の表面のゼータ電位との電位関係により、前記コロイダルシリカを前記ガラス基板（１）に対して反発させて、前記ガラス基板（１）を研磨する工程を含み、
前記コロイダルシリカの粒子表面のゼータ電位をζｓｉ[ｍＶ]と表し、前記キャリア（５００）の表面のゼータ電位をζｃ[ｍＶ]と表し、前記ガラス基板（１）の表面のゼータ電位をζｓ[ｍＶ]と表すとき、ζｓｉ[ｍＶ]＜０[ｍＶ]、ζｃ[ｍＶ]＜０[ｍＶ]、ζｓ[ｍＶ]＜０[ｍＶ]の条件を満たす各ゼータ電位で前記ガラス基板（１）の研磨を行ない、
前記各ゼータ電位の調整剤として、水溶性ポリマーまたは界面活性剤を用い、
前記ガラス基板（１）の研磨を行なう前に、前記キャリア（５００）の表面のゼータ電位ζｃ[ｍＶ]が調整され、
前記コロイダルシリカの粒子表面のゼータ電位ζｓｉ[ｍＶ]、前記キャリア（５００）の表面のゼータ電位ζｃ[ｍＶ]、および、前記ガラス基板（１）の表面のゼータ電位ζｓ[ｍＶ]が、下記の式１から式３の関係を満足する、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
｜ζｓｉ−ζｃ｜≦２０[ｍＶ]・・・式１
｜ζｓｉ−ζｓ｜≦２０[ｍＶ]・・・式２
｜ζｃ−ζｓ｜≦２０[ｍＶ]・・・式３

【請求項2】

前記研磨工程におけるｐＨは、３〜１３である、請求項１に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。

【請求項3】

前記ガラス基板（１）に化学強化処理を施す工程を含み、
前記ガラス基板（１）を研磨する工程は、前記化学強化処理を施した前記ガラス基板（１）に対して行なう、請求項１または２のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。

【請求項4】

請求項１から３のいずれか１項に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法により情報記録媒体用ガラス基板を製造する工程と、
前記情報記録媒体用ガラス基板の製造工程によって得られた情報記録媒体用ガラス基板の主表面上に磁気薄膜層を形成する工程と、
を備える、情報記録媒体の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および情報記録媒体に関し、特に、情報記録媒体の製造に用いられる情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、および、情報記録媒体の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年のメモリーハードディスクドライブ等の情報記録媒体においては、記録密度を上げるためにガラス基板の清浄性、平滑性への要求が高まっている。近年では、ガラス基板の最外端部まで高清浄に仕上げることが求められている。

【0003】

特開２００６−３０６９２４号公報（特許文献１）においては、ガラス基板の製造過程における研磨工程において、コロイダルシリカの基板への付着を抑制する工程が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００６−３０６９２４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかし、発明者らの鋭意研究の結果、コロイダルシリカの粒子表面のゼータ電位とガラス基板の表面のゼータ電位とをそれぞれ制御し、それぞれのゼータ電位関係により、コロイダルシリカをガラス基板に対して反発させた場合であっても、コロイダルシリカの基板への付着が十分に抑制されていないことを知見した。特に、研磨工程において、ガラス基板を保持するキャリアからのガラス基板の端部へのコロイダルシリカの付着が抑制されていないことを知見した。

【0006】

本発明は、上記の実情に鑑みて為されたものであって、ガラス基板の製造工程において、コロイダルシリカのガラス基板への再付着を十分に抑制することが可能な情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および情報記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

この発明に基づいた情報記録媒体用ガラス基板の製造方法においては、ガラス基板の主表面に磁気記録層が形成される情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、上記ガラス基板の製造工程中に、研磨装置を用いて、上記ガラス基板を上記研磨装置のキャリアに保持した状態で、コロイダルシリカを用いて研磨する工程を含み、上記ガラス基板を研磨する工程は、上記コロイダルシリカの粒子表面のゼータ電位と上記キャリアの表面のゼータ電位との電位関係により、上記コロイダルシリカを上記キャリアに対して反発させるとともに、上記コロイダルシリカの粒子表面のゼータ電位と上記ガラス基板の表面のゼータ電位との電位関係により、上記コロイダルシリカを上記ガラス基板に対して反発させて、上記ガラス基板を研磨する工程を含み、上記コロイダルシリカの粒子表面のゼータ電位をζｓｉ[ｍＶ]と表し、上記キャリアの表面のゼータ電位をζｃ[ｍＶ]と表し、ガラス基板の表面のゼータ電位をζｓ[ｍＶ]と表すとき、ζｓｉ[ｍＶ]＜０[ｍＶ]、ζｃ[ｍＶ]＜０[ｍＶ]、ζｓ[ｍＶ]＜０[ｍＶ]の条件を満たす各ゼータ電位でガラス基板の研磨を行なう。上記各ゼータ電位の調整剤として、水溶性ポリマーまたは界面活性剤を用い、上記ガラス基板の研磨を行なう前に、上記キャリアの表面のゼータ電位ζｃ[ｍＶ]が調整される。

【0008】

上記コロイダルシリカの粒子表面のゼータ電位ζｓｉ[ｍＶ]、上記キャリアの表面のゼータ電位ζｃ[ｍＶ]、および、上記ガラス基板の表面のゼータ電位ζｓ[ｍＶ]が、下記の式１から式３の関係を満足する。｜ζｓｉ−ζｃ｜≦２０[ｍＶ]・・・式１、｜ζｓｉ−ζｓ｜≦２０[ｍＶ]・・・式２、｜ζｃ−ζｓ｜≦２０[ｍＶ]・・・式３。

【0009】

他の形態においては、上記研磨工程におけるｐＨは、３〜１３である。更に好ましいｐＨは、１０〜１３である。

【0010】

他の形態においては、上記ガラス基板に化学強化処理を施す工程を含み、上記ガラス基板を研磨する工程は、上記化学強化処理を施した上記ガラス基板に対して行なう。

【0011】

この発明に基づいた情報記録媒体の製造方法においては、上述のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法により情報記録媒体用ガラス基板を製造する工程と、上記情報記録媒体用ガラス基板の製造工程によって得られた情報記録媒体用ガラス基板の主表面上に磁気薄膜層を形成する工程とを備える。

【発明の効果】

【0012】

本発明によれば、ガラス基板の製造工程において、コロイダルシリカのガラス基板への再付着を十分に抑制することが可能な情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および情報記録媒体の製造方法を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】実施の形態におけるガラス基板の製造方法によって得られるガラス基板を示す斜視図である。

【図2】実施の形態におけるガラス基板の製造方法によって得られるガラス基板を備えた磁気ディスクを示す斜視図である。

【図3】実施の形態におけるガラス基板の製造方法を示すフローチャート図である。

【図4】研磨工程に用いられる両面研磨装置の部分断面図である。

【図5】図４中のＶ−Ｖ線矢視断面図である。

【図6】「工程Ｉ」でガラス基板を製造した評価結果を示す図である。

【図7】「工程ＩＩ」でガラス基板を製造した評価結果を示す図である。

【図8】「工程ＩＩＩ」でガラス基板を製造した評価結果を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

本発明に基づいた実施の形態について、以下、図面を参照しながら説明する。実施の形態の説明において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。実施の形態の説明において、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。

【0015】

［ガラス基板１・磁気ディスク１０］
図１および図２を参照して、まず、本実施の形態に基づく情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって得られるガラス基板１、およびガラス基板１を備えた磁気ディスク１０について説明する。図１は、磁気ディスク１０（図２参照）に用いられるガラス基板１を示す斜視図である。図２は、情報記録媒体として、ガラス基板１を備えた磁気ディスク１０を示す斜視図である。

【0016】

図１に示すように、磁気ディスク１０に用いられるガラス基板１（情報記録媒体用ガラス基板）は、中心に孔１Ｈが形成された環状の円板形状を呈している。ガラス基板１は、表主表面１Ａ、裏主表面１Ｂ、内周端面１Ｃ、および外周端面１Ｄを有している。

【0017】

ガラス基板１の大きさは、たとえば０．８インチ、１．０インチ、１．８インチ、２．５インチ、または３．５インチである。ガラス基板の厚さは、破損防止の観点から、たとえば０．３０〜２．２ｍｍである。本実施の形態におけるガラス基板の大きさは、外径が約６４ｍｍ、内径が約２０ｍｍ、厚さが約０．８ｍｍである。ガラス基板の厚さとは、ガラス基板上の点対象となる任意の複数の点で測定した値の平均によって算出される値である。

【0018】

図２に示すように、磁気ディスク１０は、上記したガラス基板１の表主表面１Ａ上に磁気薄膜層２が形成されることによって構成される。図２中では、表主表面１Ａ上にのみ磁気薄膜層２が形成されているが、裏主表面１Ｂ上にも磁気薄膜層２が形成されていてもよい。

【0019】

磁気薄膜層２は、磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂をガラス基板１の表主表面１Ａ上にスピンコートすることによって形成される（スピンコート法）。磁気薄膜層２は、ガラス基板１の表主表面１Ａに対してスパッタリング法、または無電解めっき法等により形成されてもよい。

【0020】

ガラス基板１の表主表面１Ａに形成される磁気薄膜層２の膜厚は、スピンコート法の場合は約０．３μｍ〜１．２μｍ、スパッタリング法の場合は約０．０４μｍ〜０．０８μｍ、無電解めっき法の場合は約０．０５μｍ〜０．１μｍである。薄膜化および高密度化の観点からは、磁気薄膜層２はスパッタリング法または無電解めっき法によって形成されるとよい。

【0021】

磁気薄膜層２に用いる磁性材料としては、特に限定はなく従来公知のものが使用できるが、高い保持力を得るために結晶異方性の高いＣｏを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でＮｉやＣｒを加えたＣｏ系合金などが好適である。また、熱アシスト記録用に好適な磁性層材料として、ＦｅＰｔ系の材料が用いられてもよい。

【0022】

また、磁気記録ヘッドの滑りをよくするために磁気薄膜層２の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。潤滑剤としては、たとえば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。

【0023】

さらに、必要により下地層や保護層を設けてもよい。磁気ディスク１０における下地層は磁性膜に応じて選択される。下地層の材料としては、たとえば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、またはＮｉなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。

【0024】

また、下地層は単層とは限らず、同一または異種の層を積層した複数層構造としても構わない。たとえば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等の多層下地層としてもよい。

【0025】

磁気薄膜層２の摩耗や腐食を防止する保護層としては、たとえば、Ｃｒ層、Ｃｒ合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層などが挙げられる。これらの保護層は、下地層、磁性膜など共にインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。また、これらの保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一または異種の層からなる多層構成としてもよい。

【0026】

上記保護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。たとえば、上記保護層に替えて、Ｃｒ層の上にテトラアルコキシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して酸化ケイ素（ＳｉＯ２)層を形成してもよい。

【0027】

［ガラス基板の製造方法］
次に、図３に示すフローチャート図を用いて、本実施の形態におけるガラス基板（情報記録媒体用ガラス基板）の製造方法について説明する。

【0028】

本実施の形態におけるガラス基板の製造方法は、ガラスブランク材準備工程（ステップＳ１０）、ガラス基板形成工程（ステップＳ２０）、研磨工程（ステップＳ３０）、化学強化工程（ステップＳ４０）、および洗浄工程（ステップＳ５０）を備えている。化学強化処理工程（ステップＳ４０）を経ることによって得られたガラス基板（図１におけるガラス基板１に相当）に対して、磁気薄膜形成工程（ステップＳ６０）が実施されてもよい。磁気薄膜形成工程（ステップＳ６０）によって、磁気ディスク１０が得られる。

【0029】

以下、これらの各ステップＳ１０〜Ｓ６０の詳細について順に説明する、以下には、各ステップＳ１０〜Ｓ６０間に適宜行なわれる簡易的な洗浄については記載していない。

【0030】

（ガラスブランク材準備工程）
ガラスブランク材準備工程（ステップＳ１０）においては、ガラス基板を構成するガラス素材が溶融される（ステップＳ１１）。ガラス素材は、たとえばアルミノシリケートガラスである。溶融したガラス素材は、下型上に流し込まれた後、上型および下型によってプレス成形される（ステップＳ１２）。プレス成形によって、円盤状のガラスブランク材（ガラス母材）が形成される。ガラスブランク材は、ダウンドロー法またはフロート法によって形成されたシートガラス（板ガラス）を、研削砥石で切り出すことによって形成されてもよい。

【0031】

（ガラス基板形成工程）
次に、ガラス基板形成工程（ステップＳ２０）においては、プレス成形されたガラスブランク材の両方の主表面に対して、ラップ研磨処理が施される（ステップＳ２１）。ガラスブランク材の両方の主表面とは、後述する各処理を経ることによって、図１における表主表面１Ａとなる主表面および裏主表面１Ｂとなる主表面のことである（以下、両主表面ともいう）。ラップ研磨処理は、遊星歯車機構を利用した両面ラッピング装置などのラップ定盤を、両主表面に押圧することによって行なわれる。ラップ研磨処理によって、ガラス基板としてのおおよその平行度、平坦度、および厚みなどが予備調整される。

【0032】

ラップ研磨処理の後、円筒状のダイヤモンドドリルなどを用いてガラスブランク材の中心部に対してコアリング（内周カット）処理が施される（ステップＳ２２）。コアリング処理によって、中心部に孔の開いた円環状のガラス基板が得られる。中心部の孔に対しては、所定の面取り加工が施されてもよい。

【0033】

（研磨工程）
次に、研磨工程（ステップＳ３０）においては、上述のステップＳ２１と同様に、ガラス基板の両主表面に対してラップ研磨処理が施される（ステップＳ３１）。コアリング工程（ステップＳ２２）においてガラス基板の両主表面に形成された微細なキズや突起物などが除去される。ラップ研磨処理の後、ガラス基板の外周端面がブラシによって鏡面状に研磨される（ステップＳ３２）。研磨砥粒としては、酸化セリウム砥粒を含むスラリーが用いられる。

【0034】

次に、第１ポリッシュ研磨工程（粗研磨）として、ラップ研磨工程（ステップＳ３１）においてガラス基板の両主表面に残留したキズを除去しつつ、ガラス基板の反りを矯正する（ステップＳ３２）。第１ポリッシュ研磨工程においては、遊星歯車機構を利用した両面研磨装置などが使用される。

【0035】

第２ポリッシュ研磨工程（精密研磨）においては、ガラス基板に研磨加工が再度実施され、ガラス基板の両主表面上に残留した微小欠陥等が解消される（ステップＳ３４）。ガラス基板の両主表面は鏡面状に仕上げられることによって所望の平坦度に形成され、ガラス基板の反りも解消される。第２ポリッシュ研磨工程においては、遊星歯車機構を利用した両面研磨装置などが使用される。研磨剤としては、コロイダルシリカが使用される。

【0036】

ここで、図４および図５を参照して、両面研磨装置１０００の構成について簡単に説明する。図４は、研磨工程に用いられる両面研磨装置１０００の部分断面図、図５は、図４中のＶ−Ｖ線矢視断面図である。

【0037】

図４を参照して、両面研磨装置１０００は、多数の研削用ペレット１００を保持したペレット保持板３００ａ，４００ａを取り付けた上定盤（上側砥石保持定盤）３００および下定盤（下側砥石保持定盤）４００の間にキャリア５００で保持したディスク状のガラス基板１が配置される。上定盤３００と下定盤４００とは互いに反対方向に回転するようになっている。

【0038】

また、図５に示すように、上定盤３００と下定盤４００との間には、太陽歯車６００とインターナル歯車７００とが設けられ、キャリア５００がこれらの間に配置されている。キャリア５００の外周には太陽歯車６００とインターナル歯車７００とに噛み合う歯車が形成されている。これにより、上下定盤の回転とともに太陽歯車６００およびインターナル歯車７００も回転してキャリア５００が自転及び公転するようになっている。

【0039】

キャリア５００の回転方向については、太陽歯車６００の回転数と、インターナル歯車７００の回転数を変化させることで、時計回りか、反時計回りかを選択できる。この加工装置においては、キャリア５００が太陽歯車６００のまわりを自転・公転しながら回ると共に、上下定盤３００，４００もそれぞれ反対方向に回転する。加工装置の上方から見た場合、上定盤３００は時計方向に回転し、太陽歯車６００，インターナル歯車７００，および下定盤４００はいずれも反時計方向に回転する。

【0040】

また、この研磨工程においては、コロイダルシリカの粒子表面のゼータ電位とガラス基板１を載置するキャリア５００の表面のゼータ電位との電位関係により、コロイダルシリカをキャリア５００に対して反発させるとともに、コロイダルシリカの粒子表面のゼータ電位とガラス基板１の表面のゼータ電位との電位関係により、コロイダルシリカをガラス基板１に対して反発させている。

【0041】

コロイダルシリカの粒子表面のゼータ電位をζｓｉ[ｍＶ]と表し、キャリア５００の表面のゼータ電位をζｃ[ｍＶ]と表し、ガラス基板１の表面のゼータ電位をζｓ[ｍＶ]と表すとき、ζｓｉ[ｍＶ]＜０[ｍＶ]、ζｃ[ｍＶ]＜０[ｍＶ]、ζｓ[ｍＶ]＜０[ｍＶ]の条件を満たす各ゼータ電位でガラス基板１の研磨を行なう。

【0042】

より好ましくは、コロイダルシリカの粒子表面のゼータ電位ζｓｉ[ｍＶ]、キャリア５００の表面のゼータ電位ζｃ[ｍＶ]、および、ガラス基板１の表面のゼータ電位ζｓ[ｍＶ]が、下記の式１から式３の関係を満足すると良い。

【0043】

｜ζｓｉ−ζｃ｜≦２０[ｍＶ]・・・式１
｜ζｓｉ−ζｓ｜≦２０[ｍＶ]・・・式２
｜ζｃ−ζｓ｜≦２０[ｍＶ]・・・式３
また、コロイダルシリカの粒子表面のゼータ電位ζｓｉ[ｍＶ]、キャリア５００の表面のゼータ電位ζｃ[ｍＶ]、および、ガラス基板１の表面のゼータ電位ζｓ[ｍＶ]の各ゼータ電位の調整剤として、水溶性ポリマーまたは界面活性剤を用いることができる。水溶性ポリマーとしては、ポリビニルアルコール、変性ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、（メタ）アクリル酸（共）重合体、ポリ（メタ）アクリルアミド（共）重合体、またはエチレングリコールなどが挙げられる。界面活性剤としては、リン酸系界面活性剤、スルホン酸系界面活性剤、または非イオン界面活性剤などが挙げられる。

【0044】

キャリア５００の表面のゼータ電位を調整する場合には、研磨液のｐＨを変更することに加えて、上記水溶性ポリマーまたは界面活性剤により処理時間や処理に用いる水溶性ポリマーや界面活性剤の濃度を調整することでゼータ電位の値を上昇させたり、下降させることが可能である。例えば、水溶性ポリマーとの接触時間を長くして、ガラス基板やキャリア表面におけるＯＨ基やＣＯＯＨ基の導入量を増加させた場合には、ゼータ電位の値は減少し、ＯＨ基やＣＯＯＨ基の導入量を低下させた場合にはゼータ電位の値は増加する傾向を示す。

【0045】

コロイダルシリカの表面のゼータ電位は研磨液のｐＨを調整することで調整可能であり、研磨液のｐＨを大きくすると、即ちアルカリ性側に調整するとゼータ電位は低下し（マイナス側に調整可能）、研磨液のｐＨを小さくすると、即ち酸性側に調整すると、ゼータ電位は増加する（プラス側に調整可能）。更に、上記の水溶性ポリマーや界面活性剤により同様に調整が可能である。

【0046】

また、好ましくは、本研磨工程におけるコロイダルシリカのｐＨは、３〜１３であると良い。更に好ましくはｐＨ１０-１３である。

【0047】

（化学強化工程）
図３を再び参照して、ガラス基板が洗浄された後、化学強化処理液にガラス基板を浸漬することによって、ガラス基板の両主表面に化学強化層を形成する（ステップＳ４０）。

【0048】

ガラス基板に含まれるリチウムイオン、ナトリウムイオン等のアルカリ金属イオンは、これらのイオンに比べてイオン半径の大きなカリウムイオン等のアルカリ金属イオンによって置換される（イオン交換法）。イオン半径の違いによって生じる歪みより、イオン交換された領域に圧縮応力が発生し、ガラス基板の両主表面が強化される。以上のようにして、図１に示すガラス基板１に相当するガラス基板が得られる。

【0049】

ガラス基板１に対しては、両主表面上における取り代が０．１μｍ以上０．５μｍ以下のポリッシュ研磨処理がさらに施されてもよい。化学強化工程を経た後にガラス基板の主表面上に残留している付着物が除去されることによって、ガラス基板１を用いて製造される磁気ディスクにヘッドクラッシュが発生することが低減される。また、ポリッシュ研磨処理における両主表面上の取り代を０．１μｍ以上０．５μｍ以下とすることによって、化学強化処理によって発生した応力の不均一性が表面に現れることもなくなる。本実施の形態におけるガラス基板の製造方法としては、以上のように構成される。

【0050】

なお、第１ポリッシュ研磨工程（粗研磨）と第２ポリッシュ研磨工程（精密研磨）との間に、化学強化工程を施してもかまわない。

【0051】

（洗浄工程）
次に、ガラス基板は洗浄される（ステップＳ５０）。ガラス基板の両主表面が洗剤、純水、オゾン、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、またはＵＶ（ultraviolet）オゾンなどによって洗浄されることによって、ガラス基板の両主表面に付着した付着物が除去される。

【0052】

その後、ガラス基板表面上の付着物の数が、光学式欠陥検査装置等を用いて検査される。

【0053】

（磁気薄膜形成工程）
化学強化処理が完了したガラス基板（図１に示すガラス基板１に相当）の両主表面（またはいずれか一方の主表面）に対し、磁気薄膜層が形成される。磁気薄膜層は、Ｃｒ合金からなる密着層、ＣｏＦｅＺｒ合金からなる軟磁性層、Ｒｕからなる配向制御下地層、ＣｏＣｒＰｔ合金からなる垂直磁気記録層、Ｃ系からなる保護層、およびＦ系からなる潤滑層が順次成膜されることによって形成される。磁気薄膜層の形成によって、図２に示す磁気ディスク１０に相当する垂直磁気記録ディスクを得ることができる。

【0054】

本実施の形態における磁気ディスクは、磁気薄膜層から構成される垂直磁気ディスクの一例である。磁気ディスクは、いわゆる面内磁気ディスクとして磁性層等から構成されてもよい。

【0055】

（作用・効果）
以上、本実施の形態においては、研磨工程において、コロイダルシリカの粒子表面のゼータ電位とガラス基板１の表面のゼータ電位との電位関係により、コロイダルシリカをガラス基板１に対して反発させるだけでなく、コロイダルシリカの粒子表面のゼータ電位とガラス基板１を載置するキャリア５００の表面のゼータ電位との電位関係により、コロイダルシリカをキャリア５００に対しても反発させている。これにより、キャリア５００へのコロイダルシリカの付着が抑制されることで、キャリア５００からガラス基板１へのコロイダルシリカの再付着を防止することができる。

【0056】

[実施例・比較例]
次に、図６から図８を参照して、実施例１〜３、実施例Ａ〜Ｃ、実施例ａ〜ｃ、比較例１〜５、比較例Ａ〜Ｅ、および比較例ａ〜ｅについて説明する。なお、図３で説明した製造工程を「工程Ｉ」と称し、第１ポリッシュ研磨工程（粗研磨）と第２ポリッシュ研磨工程（精密研磨）との間に、化学強化工程を採用した製造工程を「工程ＩＩ」と称し、化学強化工程を採用しない製造工程を「工程ＩＩＩ」と称する。

【0057】

図６に示す、実施例１〜３および比較例１〜５は、「工程Ｉ」により製造されたガラス基板であり、図７に示す実施例Ａ〜Ｃおよび比較例Ａ〜Ｅは、「工程ＩＩ」により製造されたガラス基板であり、図８に示す実施例ａ〜ｃおよび比較例ａ〜ｅは、「工程ＩＩＩ」により製造されたガラス基板である。

【0058】

また、ガラス基板の組成は、質量％で、ＳｉＯ２：５０％〜７０％、Ａｌ２Ｏ３：０％〜２０％、Ｂ２Ｏ３：０％〜５％である。

【0059】

ただし、ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３＝５０％〜８０％
Ｌｉ２＋Ｎａ２＋Ｋ２Ｏ＝０％〜２０％
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＢａＯ＋ＳｒＯ＋ＺｎＯ＝２％〜２０％
である。

【0060】

（実施例１〜３および比較例１〜５）
図６を参照して、「工程Ｉ」でガラス基板を製造した評価結果を、実施例１〜３および比較例１〜５として示す。実施例１〜３および比較例１〜５は、図６に示す各ｐＨで研磨した結果を示す。

【0061】

コロイダルシリカは、フジミインコーポレッド社製のＣｏｍｐｏｌ２０を用い、スウェード製の研磨パッドを用いて、研磨工程を実施した。

【0062】

ゼーダ電位は、大塚電子製のＥＬＳＺ−２を用いて測定した。キャリアおよびガラス基板は、所定のサイズ（３７ｍｍ×１６ｍｍ×５ｍｍ）のサンプルを作成し、キャリアおよびガラス基板の平板セルを用いて各表面のゼータ電位[ｍＶ]を測定した。コロイダルシリカは、フローセルユニットを用いて、コロイダルシリカの粒子表面のゼータ電位[ｍＶ]を測定した。印加電圧は、６０ｍＶ／ｃｍである。欠陥（Ｄｅｆｅｃｔ）数は、ガラス基板の端面の欠陥（Ｄｅｆｅｃｔ）数を評価した。

【0063】

また、本実施例においては、コロイダルシリカの粒子表面、キャリアの表面及びガラス基板の表面のゼータ電位[ｍＶ]は、研磨液のｐＨを図６に記載のように調整したことに加え、研磨処理前に界面活性剤としてリン酸系界面活性剤溶液と接触させる時間を調整することで、調整した。具体的には、リン酸系界面活性剤（モノアルキルリン酸塩溶液）の濃度を変更することで調整した（通常１％溶液）。濃度を高くした場合には、ゼータ電位は減少し、低くした場合には増加(するか未処理と変化なし)する傾向を示す。

【0064】

実施例１の欠陥数は「６」、実施例２の欠陥数は「８」、実施例３の欠陥数は「９」と、評価結果はいずれも優（Ａ）であった。比較例５の欠陥数は「１７」で、評価結果は良（Ｂ）であった。実施例１〜実施例３および比較例５はいずれも、コロイダルシリカの粒子表面のゼータ電位をζｓｉ[ｍＶ]と表し、キャリアの表面のゼータ電位をζｃ[ｍＶ]と表し、ガラス基板の表面のゼータ電位をζｓ[ｍＶ]と表すとき、ζｓｉ[ｍＶ]＜０[ｍＶ]、ζｃ[ｍＶ]＜０[ｍＶ]、ζｓ[ｍＶ]＜０[ｍＶ]の条件を満たしていた。

【0065】

また、評価結果が優（Ａ）の実施例１〜実施例３は、下記式１から式３の条件式を具備している。

【0066】

｜ζｓｉ−ζｃ｜≦２０[ｍＶ]・・・式１
｜ζｓｉ−ζｓ｜≦２０[ｍＶ]・・・式２
｜ζｃ−ζｓ｜≦２０[ｍＶ]・・・式３
一方、比較例１は、ζｓｉ＝０[ｍＶ]、ζｃ＝−２０（＜０）[ｍＶ]、ζｓ＝−４５（＜０）[ｍＶ]の条件で、また、上記式１から式３の条件式を具備していないことから、欠陥数が「２５」で評価は可（Ｃ）であった。また、比較例２は、ζｓｉ＝５（＞０）[ｍＶ]、ζｃ＝−１０（＜０）[ｍＶ]、ζｓ＝−１５（＜０）[ｍＶ]の条件で、また、上記式１から式３の条件式を具備していないことから、欠陥数が「２８」で評価は可（Ｃ）であった。また、比較例３は、ζｓｉ＝５（＞０）[ｍＶ]、ζｃ＝３（＞０）[ｍＶ]、ζｓ＝−２０（＜０）[ｍＶ]の条件で、また、上記式１から式３の条件式を具備していないことから、欠陥数が「６０」で評価は不（Ｄ）であった。また、比較例４は、ｐＨが１４かつ式３を満たさないため、であることから、欠陥数が「５５」で評価は不（Ｄ）であった。

【0067】

（実施例Ａ〜Ｃおよび比較例Ａ〜Ｅ）
図７を参照して、「工程ＩＩ」でガラス基板を製造した評価結果を、実施例Ａ〜Ｃおよび比較例Ａ〜Ｅとして示す。実施例Ａ〜Ｃおよび比較例Ａ〜Ｅは、図７に示す各ｐＨで研磨した結果を示す。

【0068】

コロイダルシリカは、フジミインコーポレッド社製のＣｏｍｐｏｌ２０を用い、スウェード製の研磨パッドを用いて、研磨工程を実施した。

【0069】

ゼーダ電位は、大塚電子製のＥＬＳＺ−２を用いて測定した。キャリアおよびガラス基板は、所定のサイズ（３７ｍｍ×１６ｍｍ×５ｍｍ）のサンプルを作成し、キャリアおよびガラス基板の平セルを用いてゼータ電位を測定した。コロイダルシリカは、フローセルユニットを用いて、ゼータ電位を測定した。印加電圧は、６０ｍＶ／ｃｍである。欠陥（Ｄｅｆｅｃｔ）数は、ガラス基板の端面の欠陥（Ｄｅｆｅｃｔ）数を評価した。

【0070】

実施例Ａの欠陥数は「７」、実施例Ｂの欠陥数は「６」、実施例Ｃの欠陥数は「１０」と、評価結果はいずれも優（Ａ）であった。比較例Ｅの欠陥数は「１８」で、評価結果は良（Ｂ）であった。実施例Ａ〜実施例Ｃおよび比較例Ｅはいずれも、コロイダルシリカのゼータ電位をζｓｉ[ｍＶ]と表し、キャリアのゼータ電位をζｃ[ｍＶ]と表し、ガラス基板のゼータ電位をζｓ[ｍＶ]と表すとき、ζｓｉ＜０[ｍＶ]、ζｃ＜０[ｍＶ]、ζｓ＜０[ｍＶ]の条件を満たしていた。

【0071】

また、評価結果が優（Ａ）の実施例Ａ〜実施例Ｃは、下記式１から式３の条件式を具備している。

【0072】

｜ζｓｉ−ζｃ｜≦２０[ｍＶ]・・・式１
｜ζｓｉ−ζｓ｜≦２０[ｍＶ]・・・式２
｜ζｃ−ζｓ｜≦２０[ｍＶ]・・・式３
一方、比較例Ａは、ζｓｉ＝０[ｍＶ]、ζｃ＝−２０（＜０）[ｍＶ]、ζｓ＝−４５（＜０）[ｍＶ]の条件で、また、上記式１から式３の条件式を具備していないことから、欠陥数が「２７」で評価は可（Ｃ）であった。また、比較例Ｂは、ζｓｉ＝５（＞０）[ｍＶ]、ζｃ＝−１０（＜０）[ｍＶ]、ζｓ＝−１３（＜０）[ｍＶ]の条件で、また、上記式１から式３の条件式を具備していないことから、欠陥数が「２９」で評価は可（Ｃ）であった。また、比較例Ｃは、ζｓｉ＝５（＞０）[ｍＶ]、ζｃ＝３（＞０）[ｍＶ]、ζｓ＝−２０（＜０）[ｍＶ]の条件で、また、上記式１から式３の条件式を具備していないことから、欠陥数が「５７」で評価は不（Ｄ）であった。また、比較例Ｄは、ｐＨが１４かつ式３を満たさないため、欠陥数が「５７」で評価は不（Ｄ）であった。

【0073】

（実施例ａ〜ｃおよび比較例ａ〜ｅ）
図８を参照して、「工程ＩＩＩ」でガラス基板を製造した評価結果を、実施例ａ〜ｃおよび比較例ａ〜ｅとして示す。実施例ａ〜ｃおよび比較例ａ〜ｅは、図８に示す各ｐＨで研磨した結果を示す。

【0074】

コロイダルシリカは、フジミインコーポレッド社製のＣｏｍｐｏｌ２０を用い、スウェード製の研磨パッドを用いて、研磨工程を実施した。

【0075】

ゼーダ電位は、大塚電子製のＥＬＳＺ−２を用いて測定した。キャリアおよびガラス基板は、所定のサイズ（３７ｍｍ×１６ｍｍ×５ｍｍ）のサンプルを作成し、キャリアおよびガラス基板の平セルを用いてゼータ電位を測定した。コロイダルシリカは、フローセルユニットを用いて、ゼータ電位を測定した。印加電圧は、６０ｍＶ／ｃｍである。欠陥（Ｄｅｆｅｃｔ）数は、ガラス基板の端面の欠陥（Ｄｅｆｅｃｔ）数を評価した。

【0076】

実施例ａの欠陥数は「１４」、実施例ｂの欠陥数は「１６」、実施例ｃの欠陥数は「１８」と、評価結果はいずれも良（Ｂ）であった。比較例ｅの欠陥数は「２３」で、評価結果は可（Ｃ）であった。実施例ａ〜ｃはいずれも、コロイダルシリカのゼータ電位をζｓｉ[ｍＶ]と表し、キャリアのゼータ電位をζｃ[ｍＶ]と表し、ガラス基板のゼータ電位をζｓ[ｍＶ]と表すとき、ζｓｉ＜０[ｍＶ]、ζｃ＜０[ｍＶ]、ζｓ＜０[ｍＶ]の条件を満たしていた。しかし、比較例ｅは、下記式１から式３の条件式を具備していない。

【0077】

また、評価結果が良（Ｂ）の実施例ａ〜実施例ｃは、下記式１から式３の条件式を具備している。

【0078】

｜ζｓｉ−ζｃ｜≦２０[ｍＶ]・・・式１
｜ζｓｉ−ζｓ｜≦２０[ｍＶ]・・・式２
｜ζｃ−ζｓ｜≦２０[ｍＶ]・・・式３
この実施例ａ〜ｃの評価結果が、実施例１〜３および実施例Ａ〜Ｃに対して評価結果が劣るのは、「工程ＩＩＩ」では、「工程Ｉ」および「工程ＩＩ」で実施している「化学強化工程」を採用していないからである。

【0079】

比較例ａは、ζｓｉ＝０[ｍＶ]、ζｃ＝−２０（＜０）[ｍＶ]、ζｓ＝−４５（＜０）[ｍＶ]の条件で、また、上記式１から式３の条件式を具備していないことから、欠陥数が「３０」で評価は可（Ｃ）であった。また、比較例ｂは、ζｓｉ＝５（＞０）[ｍＶ]、ζｃ＝−１０（＜０）[ｍＶ]、ζｓ＝−１５（＜０）[ｍＶ]の条件で、また、上記式１から式３の条件式を具備していないことから、欠陥数が「３８」で評価は不（Ｄ）であった。また、比較例ｃは、ζｓｉ＝５（＞０）[ｍＶ]、ζｃ＝３（＞０）[ｍＶ]、ζｓ＝−２０（＜０）[ｍＶ]の条件で、また、上記式１から式３の条件式を具備していないことから、欠陥数が「７０」で評価は不（Ｄ）であった。また、比較例ｄは、ｐＨが１４かつ式３を満たさないため、欠陥数が「６８」で評価は不（Ｄ）であった。

【0080】

この比較例ａ〜ｅの評価結果が、比較例１〜５および比較例Ａ〜Ｅに対して評価結果が劣るのは、「工程ＩＩＩ」では、「工程Ｉ」および「工程ＩＩ」で実施している「化学強化工程」を採用していないからである。

【0081】

以上、本発明に基づいた実施の形態および各実施例について説明したが、今回開示された実施の形態および各実施例はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の技術的範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

【符号の説明】

【0082】

１ ガラス基板、１Ａ 表主表面、１Ｂ 裏主表面、１Ｃ 内周端面、１Ｄ 外周端面、１Ｈ 孔、２ 磁気薄膜層、１０ 磁気ディスク、１００ 研削用ペレット、３００ａ，４００ａ ペレット保持板、３００ 上定盤（上側砥石保持定盤）、４００ 下定盤（下側砥石保持定盤）、５００ キャリア、６００ 太陽歯車、７００ インターナル歯車、１０００ 両面研磨装置。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】