(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【背景技術】
【0002】
近年のエレクトロニクスの発展に伴い、メモリや集積回路といった半導体の需要が急激に増大している。
これらの半導体は、きわめて純度の高い半導体基板に不純物をドープして電気的性質を与えたり、エッチングにより半導体基板上に微細な回路を形成したりなどして製造される。
【0003】
そして、これらの作業は空気中の塵等による影響を避けるため高真空状態のチャンバ内で行われる必要がある。このチャンバの排気には、一般に真空ポンプが用いられているが、特に残留ガスが少なく、保守が容易等の点から真空ポンプの中の一つであるターボ分子ポンプが多用されている。
【0004】
また、半導体の製造工程では、さまざまなプロセスガスを半導体の基板に作用させる工程が数多くあり、ターボ分子ポンプはチャンバ内を真空にするのみならず、これらのプロセスガスをチャンバ内から排気するのにも使用される。
【0005】
このターボ分子ポンプは、ポンプ本体とそのポンプ本体を制御する制御装置とからなる。ポンプ本体と制御装置との間は、通常、ケーブルとコネクタプラグ機構とで接続される。このポンプ本体と制御装置の接続コネクタプラグのピン数を減らし、基板配線を簡略化する方法として、特許文献1のようなモータ及び磁気軸受の制御基板を真空側に配置する方法が知られている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、このように制御基板を真空側に配置した場合、制御に必要な電子素子の一つである電解コンデンサは、中の電解液が破裂してしまう恐れがあった。
【0008】
また、発熱する電子素子などは、真空中に設置した場合、真空中における熱伝導が熱輻射のみとなり蓄熱が起こり易く、故障につながる可能性があった。更に、ポンプ使用条件によっては、腐食性ガスなどに晒されるため、基板はモールドなどの耐腐食対策をする必要があり、それも蓄熱を引き起こし、電子素子の異常過熱につながる恐れがあった。
【0009】
また、同様に基板配線を簡略化する別方法として、
図4のように、ポンプ本体310の下部に雄コネクタ1を配設し、一方、制御装置320の上部に雌コネクタ3を配設し、コネクタ同士を接続することで、ポンプ本体310と制御装置320とを一体化させる構造が存在する。但し、このとき、ポンプ側と制御装置側のコネクタの雌雄は逆であってもよい。
【0010】
しかしながら、この場合、コネクタ1、3は機密性が高い真空シール構造で、防滴仕様とされる必要があり、また、ポンプ本体310と制御装置320とをそれぞれ冷却させる必要があった。更に、ポンプ本体310と制御装置320とをそれぞれ仕切るためのプレートもポンプ本体310側の底板プレート5と制御装置320側の上板プレート7の2枚が必要であった。更に、コネクタ1、3の裏側端子ピン9、11はそれぞれ
図5に示すようなケーブルとのハンダ付けに必要なソルダカップ13を有していた。このため、コスト高になっていた。
【0011】
本発明はこのような従来の課題に鑑みてなされたもので、基板配線が簡単で、基板の冷却が容易な真空ポンプを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
このため本発明(請求項1)は、底面にプレートを有する真空ポンプ本体と、該プレートを筐体の一部とする制御ユニットと、前記プレートを貫通して両面に露出部分を残しつつ取り付けられた複数のピンと、該ピンの前記真空ポンプ本体側の露出部分に取り付けられ前記真空ポンプ本体内部の真空雰囲気中に配設される第1の基板と、前記ピンの前記制御ユニット側の露出部分に取り付けられ前記制御ユニット内部の大気雰囲気中に配設される第2の基板とを備えて構成した。
【0013】
プレート、第1の基板及び第2の基板とをピンを介して一体化した。このため、真空ポンプの構成を簡素化できる。例えば、プレートはポンプ本体と制御ユニットとの間に一枚のみ配設とされることも可能である。一体化された一つの構造体とされているため、改めて基板同士の間で配線作業を行う必要はない。
【0014】
第1の基板を真空側に配置し、真空中に置くことが難しい電子素子を大気側の第2の基板に設けることが可能である。第1の基板を真空側に配置したことで、電磁石とセンサの配線を外部に出す必要がなくなり、第1の基板と第2の基板間に渡る配線を極力少なくできる。また、ピンの胴回りと基板間にハンダを付けることが可能なので、ピンにはソルダカップなしのものを選定できる。このため、製造コストを抑えることができる。
【0015】
また、本発明(請求項2)は、前記第2の基板に電解コンデンサが取り付けられたことを特徴とする。
【0016】
電解コンデンサは、破裂等の問題から真空中には置けない。そのため第2の基板に取り付けることにした。なお、この電解コンデンサは基板上のピンに近い位置に取り付けられるのが望ましい。その結果、真空側に設置したときと同様に供給電圧を安定化させることができる。
【0017】
更に、本発明(請求項3)は、前記真空ポンプ本体のベース部に水冷管を備えて構成した。
【0018】
水冷管によりプレートの冷却を通して真空側の第1の基板と大気側の第2の基板を一度に冷却できる。従って、構造を簡素化できる。
【0019】
更に、本発明(請求項4)は、前記プレートと前記
真空ポンプ本体との間及び該プレートと前記制御ユニットの筐体の壁との間にシール部材を備えて構成した。
【0020】
ポンプ本体と制御ユニットとは一体化しシール部材を備えたので、従来のようにそれぞれ独立したケーシングとシール構造とする必要はなくなる。このため、ケーシング部分及びシール構造を簡素に構成できる。また、従来のように、高価な防滴コネクタを必要とせず、安価なコネクタを使用することができる。
【発明の効果】
【0021】
以上説明したように本発明(請求項1)によれば、プレート、第1の基板及び第2の基板をピンを介して一体化したので、真空ポンプの構成を簡素化できる。第1の基板を真空側に配置し、真空中に置くことが難しい電子素子を大気側の第2の基板に設けることが可能である。第1の基板を真空側に配置したことで、第1の基板と第2の基板間に渡る配線を極力少なくできる。
【発明を実施するための形態】
【0023】
以下、本発明の実施形態について説明する。本発明の実施形態の構成図を
図1に示す。
図1において、ターボ分子ポンプ10は、ポンプ本体100と制御ユニット200とが一枚のアルミ製のプレート201を挟んで一体化されている。
このプレート201は、ポンプ本体100の底面と制御ユニット200の上面とを兼ねている。但し、プレート201は2枚で構成等されることも可能である。
【0024】
ポンプ本体100の円筒状の外筒127の上端には吸気口101が形成されている。外筒127の内方には、ガスを吸引排気するためのタービンブレードによる複数の回転翼102a、102b、102c・・・を周部に放射状かつ多段に形成した回転体103を備える。
【0025】
この回転体103の中心にはロータ軸113が取り付けられており、このロータ軸113は、例えば、いわゆる5軸制御の磁気軸受により空中に浮上支持かつ位置制御されている。
【0026】
上側径方向電磁石104は、4個の電磁石が、ロータ軸113の径方向の座標軸であって互いに直交するX軸とY軸とに対をなして配置されている。この上側径方向電磁石104に近接かつ対応されて4個の電磁石からなる上側径方向センサ107が備えられている。この上側径方向センサ107は回転体103の径方向変位を検出し、後述する制御装置300に送るように構成されている。
【0027】
制御装置300においては、上側径方向センサ107が検出した変位信号に基づき、PID調節機能を有する補償回路を介して上側径方向電磁石104の励磁を制御し、ロータ軸113の上側の径方向位置を調整する。
【0028】
ロータ軸113は、高透磁率材(鉄など)などにより形成され、上側径方向電磁石104の磁力により吸引されるようになっている。かかる調整は、X軸方向とY軸方向とにそれぞれ独立して行われる。
【0029】
また、下側径方向電磁石105及び下側径方向センサ108が、上側径方向電磁石104及び上側径方向センサ107と同様に配置され、ロータ軸113の下側の径方向位置を上側の径方向位置と同様に調整している。
【0030】
更に、軸方向電磁石106A、106Bが、ロータ軸113の下部に備えた円板状の金属ディスク111を上下に挟んで配置されている。金属ディスク111は、鉄などの高透磁率材で構成されている。ロータ軸113の軸方向変位を検出するために軸方向センサ109が備えられ、その軸方向変位信号が制御装置300に送られるように構成されている。
【0031】
そして、軸方向電磁石106A、106Bは、この軸方向変位信号に基づき制御装置300のPID調節機能を有する補償回路を介して励磁制御されるようになっている。軸方向電磁石106Aと軸方向電磁石106Bは、磁力により金属ディスク111をそれぞれ上方と下方とに吸引する。
【0032】
このように、制御装置300は、この軸方向電磁石106A、106Bが金属ディスク111に及ぼす磁力を適当に調節し、ロータ軸113を軸方向に磁気浮上させ、空間に非接触で保持するようになっている。
【0033】
モータ121は、ロータ軸113を取り囲むように周状に配置された複数の磁極を備えている。各磁極は、ロータ軸113との間に作用する電磁力を介してロータ軸113を回転駆動するように、制御装置300によって制御されている。
【0034】
回転翼102a、102b、102c・・・とわずかの空隙を隔てて複数枚の固定翼123a、123b、123c・・・が配設されている。回転翼102a、102b、102c・・・は、それぞれ排気ガスの分子を衝突により下方向に移送するため、ロータ軸113の軸線に垂直な平面から所定の角度だけ傾斜して形成されている。
【0035】
また、固定翼123も、同様にロータ軸113の軸線に垂直な平面から所定の角度だけ傾斜して形成され、かつ外筒127の内方に向けて回転翼102の段と互い違いに配設されている。
そして、固定翼123の一端は、複数の段積みされた固定翼スペーサ125a、125b、125c・・・の間に嵌挿された状態で支持されている。
【0036】
固定翼スペーサ125はリング状の部材であり、例えばアルミニウム、鉄、ステンレス、銅などの金属、又はこれらの金属を成分として含む合金などの金属によって構成されている。
【0037】
固定翼スペーサ125の外周には、わずかの空隙を隔てて外筒127が固定されている。外筒127の底部にはベース部129が配設され、固定翼スペーサ125の下部とベース部129の間にはネジ付きスペーサ131が配設されている。そして、ベース部129中のネジ付きスペーサ131の下部には排気口133が形成され、外部に連通されている。
【0038】
ネジ付きスペーサ131は、アルミニウム、銅、ステンレス、鉄、又はこれらの金属を成分とする合金などの金属によって構成された円筒状の部材であり、その内周面に螺旋状のネジ溝131aが複数条刻設されている。
ネジ溝131aの螺旋の方向は、回転体103の回転方向に排気ガスの分子が移動したときに、この分子が排気口133の方へ移送される方向である。
【0039】
回転体103の回転翼102a、102b、102c・・・に続く最下部には回転翼102dが垂下されている。この回転翼102dの外周面は、円筒状で、かつネジ付きスペーサ131の内周面に向かって張り出されており、このネジ付きスペーサ131の内周面と所定の隙間を隔てて近接されている。
【0040】
ベース部129は、ターボ分子ポンプ10の基底部を構成する円盤状の部材であり、一般には鉄、アルミニウム、ステンレスなどの金属によって構成されている。
【0041】
ベース部129はターボ分子ポンプ10を物理的に保持すると共に、熱の伝導路の機能も兼ね備えているので、鉄、アルミニウムや銅などの剛性があり、熱伝導率も高い金属が使用されるのが望ましい。
【0042】
かかる構成において、回転翼102がモータ121により駆動されてロータ軸113と共に回転すると、回転翼102と固定翼123の作用により、吸気口101を通じてチャンバからの排気ガスが吸気される。
【0043】
吸気口101から吸気された排気ガスは、回転翼102と固定翼123の間を通り、ベース部129へ移送される。このとき、排気ガスが回転翼102に接触又は衝突する際に生ずる摩擦熱や、モータ121で発生した熱の伝導や輻射などにより、回転翼102の温度は上昇するが、この熱は、輻射又は排気ガスの気体分子等による伝導により固定翼123側に伝達される。
【0044】
固定翼スペーサ125は、外周部で互いに接合しており、固定翼123が回転翼102から受け取った熱や排気ガスが固定翼123に接触又は衝突する際に生ずる摩擦熱などを外筒127やネジ付きスペーサ131へと伝達する。
ネジ付きスペーサ131に移送されてきた排気ガスは、ネジ溝131aに案内されつつ排気口133へと送られる。
【0045】
また、吸気口101から吸引されたガスがモータ121、下側径方向電磁石105、下側径方向センサ108、上側径方向電磁石104、上側径方向センサ107などで構成される電装部側に侵入することのないよう、電装部は周囲をステータコラム122で覆われ、この電装部内はパージガスにて所定圧に保たれている。
【0046】
次に制御装置300の構成について説明する。制御装置300を構成する電子部品は、プレート201とベース129の間に形成されたポンプ本体100側の底部空間301と制御ユニット200とに分離して格納されている。底部空間301内は真空雰囲気であり、制御ユニット200内は大気雰囲気である。
【0047】
そして、このプレート201の一部には穴が配設されており、この穴には
図2に示すような端子210の胴部205が貫通固定されている。端子210は、略四角形の板状底面部203の上面に円柱状の胴部205が突設されており、この略四角形の板状底面部203及び胴部205を貫通して多数のピン207が取り付けられている。
【0048】
ピン207の上部はプレート201より上側に露出され、AMB制御基板209の小穴212を貫通している。AMB制御基板209に対してピン207の上部はAMB制御基板209の小穴212部分で
図3に示すようにハンダ付けされている。AMB制御基板209上には磁気軸受を制御する電子部品が搭載されている。
【0049】
そして、このハンダ付けされた箇所を介してピン207とAMB制御基板209上の各電子部品とは電気的に接続されている。
【0050】
一方、ピン207の下部はプレート201より下側に露出され、大気側接続基板211を貫通している。大気側接続基板211に対してピン207の下部は大気側接続基板211の小穴212部分で
図3に示すようにハンダ付けされている。大気側接続基板211上には主にモータ121を制御する電子部品が搭載されている。そして、このハンダ付けされた箇所を介してピン207と大気側接続基板211上の各電子部品とは電気的に接続されている。
【0051】
また、大気側接続基板211上のピン207の近くには電解コンデンサ213が素子をプレート201側に向けて配設されている。大気側接続基板211とプレート201の間にはヒートシンク215が配設されている。この結果、AMB制御基板209、プレート201及び大気側接続基板211は一体化された一つの構造体とされている。
【0052】
そして、更に、一部の磁気軸受制御用以外及びモータ制御用以外の電子部品は底部制御基板217、219に搭載されている。但し、用途によって厳格に基板を配置するのではなく、電解コンデンサ213を除く各電子部品を適宜真空中のAMB制御基板209上に搭載する等してもよい。
【0053】
プレート201とベース129の間には底部空間301回りにOリング221が埋めこまれ、プレート201と制御ユニット200の筐体を形成する壁225の間にはOリング223が埋めこまれて防滴仕様構造となっている。
【0054】
また、水冷管をベース部129におけるプレート201の近くに配設(
図1中の水冷管149)することで、ベース部129を介してこのプレート201を冷却できる。
【0055】
次に、制御装置300の作用を説明する。
ポンプ本体100側のケーシングの開口を塞ぐようにプレート201を配設し、このプレート201が制御ユニット200側のケーシングをも兼ねる基板ユニット構造とした。プレート201に貫通固定された端子210のピン207に対しAMB制御基板209と大気側接続基板211とを直接ハンダ付けして一体化している。従って、プレート201はポンプ本体100と制御ユニット200との間に一枚の配設で済む。
【0056】
また、ポンプ本体100と制御ユニット200とは一体化したので、従来のようにそれぞれ独立したケーシングとシール構造とするのとは違い、ケーシング部分及びシール構造を簡素に構成できる。このため、従来の
図4のように、高価な防滴コネクタ1、3を必要とせず、安価な端子210で構成することができる。
【0057】
そして、水冷管149によるプレート201の冷却を通して、真空側のAMB制御基板209と大気側の大気側接続基板211上にそれぞれ搭載された電子部品を一度に冷却できる。従って、同一の水冷管149を複数の冷却対象に使え冷却構造を簡素化できる。
【0058】
また、ピン207には
図3に示すように基板209、211に対しピン207の胴回りにハンダ231を付けるので、ソルダカップなしのものを選定できる。このため、高価なソルダカップ付きのピンを使用することがなくなり、製造コストを抑えることができる。
【0059】
更に、AMB制御基板209を真空側である底部空間301に配置し、真空中に置くことが難しい電子素子を大気側接続基板211上に設けた。AMB制御基板209、プレート201及び大気側接続基板211はピン207を介して一体化された一つの構造体とされているため、改めて基板同士の間で配線作業を行う必要はない。
【0060】
そして、磁気軸受を制御する電子部品は、真空側である底部空間301に配設したため、電磁石とセンサの配線を外部に出す必要がなくなり、AMB制御基板209と大気側接続基板211間に渡る配線やピン207の本数を極力少なくできる。
【0061】
更に、磁気軸受の供給電圧を安定化させるための電解コンデンサ213は、なるべくAMB制御基板209上の制御用電子部品の近くに設置した方がよい。しかしながら、上述した破裂等の問題から真空中には置けない。そのため、電解コンデンサ213は大気側接続基板211のピン207の近くに置くこととした。その結果、真空側に設置したときと同様に供給電圧を安定化させることができた。