特許5783298ＳｉＣ半導体素子の製造方法およびＳｉＣ半導体素子

発明の名称　ＳｉＣ半導体素子の製造方法およびＳｉＣ半導体素子

出願人　三菱電機株式会社　（識別番号 6013）

　　　　特許公開件数ランキング 16 位（272件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 4 位（569件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-5783298

公報発行日　2015年9月24

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5783298

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