特許第5792209号(P5792209)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許5792209有機金属化学気相成長法による、高品質のＮ面ＧａＮ、ＩｎＮおよびＡｌＮならびにそれらの合金のヘテロエピタキシャル成長の方法
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