特許5792209有機金属化学気相成長法による、高品質のＮ面ＧａＮ、ＩｎＮおよびＡｌＮならびにそれらの合金のヘテロエピタキシャル成長の方法

発明の名称　有機金属化学気相成長法による、高品質のＮ面ＧａＮ、ＩｎＮおよびＡｌＮならびにそれらの合金のヘテロエピタキシャル成長の方法

出願人　ザ　リージェンツ　オブ　ザ　ユニバーシティ　オブ　カリフォルニア　（識別番号 506115514）

　　　　特許公開件数ランキング 248 位（2件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 142 位（2件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-5792209

公報発行日　2015年10月7

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5792209

知財ポータルサイト IP Force にログインすれば、特許-5792209「有機金属化学気相成長法による、高品質のＮ面ＧａＮ、ＩｎＮおよびＡｌＮならびにそれらの合金のヘテロエピタキシャル成長の方法」の公報全文を閲覧することができます。

ログインはこちら　ログイン・ユーザー登録