特許 5796568 セラミック電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5796568

(24)【登録日】2015年8月28日

(45)【発行日】2015年10月21日

(54)【発明の名称】セラミック電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20151001BHJP

   H01G 4/232 20060101ALI20151001BHJP

   H01F 27/29 20060101ALI20151001BHJP

【ＦＩ】

   H01G4/30 301B

   H01G4/12 352

   H01G4/12 361

   H01F15/10 C

【請求項の数】11

【全頁数】18

(21)【出願番号】特願2012-284452(P2012-284452)

(22)【出願日】2012年12月27日

(65)【公開番号】特開2013-179267(P2013-179267A)

(43)【公開日】2013年9月9日

【審査請求日】2014年6月3日

(31)【優先権主張番号】特願2012-22322(P2012-22322)

(32)【優先日】2012年2月3日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】110001232

【氏名又は名称】特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】西坂 康弘

(72)【発明者】

【氏名】眞田 幸雄

(72)【発明者】

【氏名】喜住 哲也

(72)【発明者】

【氏名】石塚 明

【審査官】 柴垣 俊男

(56)【参考文献】

【文献】 特開平０９−２８３３６５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−０４９３５１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平１１−２４３０２９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−２２８６１０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｇ ４／３０

Ｈ０１Ｆ ２７／２９

Ｈ０１Ｇ ４／２３２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

セラミック素体と、
前記セラミック素体内に設けられており、端部が前記セラミック素体の表面に露出している内部電極と、
前記セラミック素体の表面の前記内部電極が露出した部分の上を覆うガラスコート層と、
前記ガラスコート層の直上に設けられており、めっき膜により構成された電極端子と、
を備え、
前記ガラスコート層は、前記金属粉と前記ガラス媒質が固着されて一体化した複合膜であり、
前記ガラスコート層は、金属粉が分散したガラス媒質からなり、
前記内部電極は、前記ガラスコート層を貫通しない範囲で前記セラミック素体の表面から前記ガラスコート層中に突出しており、
前記金属粉は、前記内部電極と前記電極端子とを電気的に接続している導通パスを形成しており、
前記金属粉は、すべてが一体に焼結されておらず、前記ガラス媒質が前記金属粉の間を繋ぐように連続して存在している、セラミック電子部品。

【請求項2】

前記内部電極の前記セラミック素体の表面からの突出部の長さが、前記ガラスコート層の厚みの５０％以下である、請求項１に記載のセラミック電子部品。

【請求項3】

前記内部電極の前記セラミック素体の表面からの突出部の長さが、前記ガラスコート層の厚みの３４％以下である、請求項２に記載のセラミック電子部品。

【請求項4】

前記導通パスの少なくとも一つは、前記ガラスコート層の厚み方向に沿って配された複数の前記金属粉が互いに接触することで形成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。

【請求項5】

前記金属粉の主成分は、前記内部電極に主成分として含まれる金属とは異なる、請求項１〜４のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。

【請求項6】

前記金属粉のコア部はＣｕからなる、請求項１〜５のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。

【請求項7】

前記ガラスコート層の厚みが１μｍ〜１０μｍである、請求項１〜６のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。

【請求項8】

前記ガラスコート層の厚み方向に沿った断面において、前記導通パスを構成している前記金属粉の表面の断面形状が非直線状である、請求項１〜７のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。

【請求項9】

前記導通パスは、相対的に細い部分と、相対的に太い部分とを、それぞれ複数有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。

【請求項10】

前記めっき膜の前記ガラスコート層に接した部分がＣｕめっき膜またはＮｉめっき膜により構成されている、請求項１〜９のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。

【請求項11】

前記ガラスコート層におけるガラスの割合が、３５体積％以上である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、セラミック電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、携帯電話機、携帯音楽プレーヤーなどの電子機器には、セラミックコンデンサに代表されるセラミック電子部品が使用されている。セラミック電子部品は、一般的に、内部電極の端部が表面に露出したセラミック素体と、セラミック素体の内部電極が露出した部分を覆うように配された外部電極とを備える。外部電極は、例えば、特許文献１のように、導電性ペーストを塗布して焼き付けた焼結金属膜にめっきを施したものや、特許文献２に記載のように、めっき膜のみで形成されたもの等がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００２−２０３７３７号公報

【特許文献2】特開２００４−３２７９８３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、焼結金属膜を形成する際に用いる導電性ペーストは粘度が高いため、焼結金属膜の厚みが厚くなる。例えば、特許文献１では、第１および第２の電極層（焼結金属膜）の厚みが約５０μｍ〜９０μｍとなることが記載されている。

【0005】

また、外部電極を焼結金属膜で形成した場合には、導電性ペーストを焼き付ける際の焼付け温度が高い。このため、セラミック素体に含まれるセラミック成分と導電性ペースト中のガラス成分とが相互拡散し、セラミック素体と焼結金属膜との界面に反応層が形成されてしまうことがある。この反応層が形成された部分からめっき液が侵入し、セラミック素体の機械的強度が低下するといった問題や耐湿信頼性が劣化するという問題がある。さらに、焼付け温度が高いと、焼結金属膜の表面にガラス成分が析出されてガラス浮きが発生し、焼結金属膜の表面にめっき膜を形成しにくくなるという問題点もある。

【0006】

そこで、特許文献２のように、外部電極をめっき膜のみで形成する方法が提案されている。外部電極をめっき膜のみで形成した場合は、例えば導電性ペーストの焼付けにより形成された外部電極を設けた場合と比較して、外部電極厚みを薄く形成することができる。

【0007】

また、めっき液にはガラス成分が含まれないため、セラミック素体とめっき膜との界面に反応層は形成されない。よって、反応層が形成されることによる機械的強度の低下や耐湿信頼性の劣化といった問題が生じにくい。さらに、ガラス浮きの問題も生じず、めっき膜を形成し難いという問題が生じない。

【0008】

しかし、外部電極をめっきにより形成する場合、セラミック素体を直接めっき液に浸漬する必要があるため、めっき液が内部電極の露出部からセラミック素体内に浸入するという問題がある。その結果、耐湿性が低下する場合がある。

【0009】

また、外部電極をめっき膜のみで形成した場合、めっき膜とセラミック素体とは化学的に結合しておらず、物理的な結合しかしていないため、めっき膜とセラミック素体との密着性が低下するという問題がある。その結果、セラミック電子部品の使用時において、めっき膜とセラミック素体との間から水分等が進入し易くなり耐湿性が低下するという場合がある。

【0010】

本発明は、外部電極の厚みを薄く保ちつつ耐湿性に優れたセラミック電子部品を提供することを主な目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0011】

本発明に係るセラミック電子部品は、セラミック素体と、内部電極と、ガラスコート層と、電極端子とを備える。内部電極は、セラミック素体内に設けられており、端部がセラミック素体の表面に露出している。ガラスコート層は、セラミック素体の表面の内部電極が露出した部分の上を覆う。電極端子は、ガラスコート層の直上に設けられている。電極端子は、めっき膜により構成されている。ガラスコート層は、金属粉が分散したガラス媒質からなる。内部電極は、ガラスコート層を貫通しない範囲でセラミック素体の表面からガラスコート中に突出している。金属粉は、内部電極と電極端子とを電気的に接続している導通パスを形成している。

【0012】

本発明に係るセラミック電子部品のある特定の局面では、内部電極のセラミック素体の表面からの突出部の長さが、ガラスコート層の厚みの５０％以下である。

【0013】

本発明に係るセラミック電子部品の別の特定の局面では、内部電極のセラミック素体の表面からの突出部の長さが、ガラスコート層の厚みの３４％以下である。

【0014】

本発明に係るセラミック電子部品の他の特定の局面では、導通パスの少なくとも一つは、ガラスコート層の厚み方向に沿って配された複数の金属粉が互いに接触することで形成されている。

【0015】

本発明に係るセラミック電子部品のさらに他の特定の局面では、金属粉の主成分は、内部電極に主成分として含まれる金属とは異なる。

【0016】

本発明に係るセラミック電子部品のさらに別の特定の局面では、金属粉のコア部はＣｕからなる。

【0017】

本発明に係るセラミック電子部品のまた他の特定の局面では、ガラスコート層の厚みが１μｍ〜１０μｍである。

【0018】

本発明に係るセラミック電子部品のまた別の特定の局面では、ガラスコート層の厚み方向に沿った断面において、導通パスを構成している金属粉の表面の断面形状が非直線状である。

【0019】

本発明に係るセラミック電子部品のさらにまた他の特定の局面では、導通パスは、相対的に細い部分と、相対的に太い部分とを、それぞれ複数有する。

【0020】

本発明に係るセラミック電子部品のさらにまた別の特定の局面では、めっき膜のガラスコート層に接した部分がＣｕめっき膜またはＮｉめっき膜により構成されている。

【0021】

本発明に係るセラミック電子部品のまたさらに他の特定の局面では、ガラスコート層におけるガラスの割合が、３５体積％以上である。

【発明の効果】

【0022】

本発明によれば、電極端子の厚みを薄く保ちつつ、耐湿性に優れたセラミック電子部品を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】第１の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。

【図2】第１の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的側面図である。

【図3】図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける模式的断面図である。

【図4】図３の線ＩＶで固まれた部分を拡大した略図的断面図である。

【図5】図３の線Ｖで固まれた部分を拡大した略図的断面図である。

【図6】第１の実施形態において作製したセラミック電子部品のガラスコート層と第１の電極端子の模式的断面図である。

【図7】第１の実施形態において作製したセラミック電子部品の端面におけるガラスコート層の断面の走査型電子顕微鏡写真である。

【図8】図３の線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩにおける略図的断面図である。

【図9】本発明における金属粉のアスペクト比を測定する方法を説明するための模式的斜視図である。

【図10】図９の線Ｘ−Ｘにおける模式的断面図である。

【図11】導電パターンが形成されたセラミックグリーンシートの略図的平面図である。

【図12】第２の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。

【図13】第２の実施形態に係るセラミック電子部品の製造方法を説明するための模式的平面図である。

【図14】第３の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的断面図である。

【図15】第４の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。

【図16】導電性ペースト層が焼成されてなる焼結金属膜の断面写真である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

（第１の実施形態）
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。

【0025】

また、実施形態などにおいて参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率などが異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率などは、以下の説明を参酌して判断されるべきである。

【0026】

図１は、本実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。図２は、本実施形態に係るセラミック電子部品の略図的側面図である。図３は、図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける模式的断面図である。図４は、図３の線ＩＶで固まれた部分を拡大した略図的断面図である。図５は、図３の線Ｖで固まれた部分を拡大した略図的断面図である。図６は、本実施形態において作製したセラミック電子部品のガラスコート層と第１の電極端子の模式的断面図である。図７は、本実施形態において作製したセラミック電子部品のガラスコート層と第１の電極端子との界面部分の断面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。なお、図７は、ガラスコート層の状態をわかりやすくするために、ガラスコート層のみを形成した際の写真である。図８は、図３の線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩにおける略図的断面図である。

【0027】

まず、図１〜図８を参照しながら、セラミック電子部品１の構成について説明する。

【0028】

図１〜図３及び図８に示すように、セラミック電子部品１は、セラミック素体１０を備えている。セラミック素体１０は、セラミック電子部品１の機能に応じた適宜のセラミック材料からなる。具体的には、セラミック電子部品１がコンデンサである場合は、セラミック素体１０を誘電体セラミック材料により形成することができる。誘電体セラミック材料の具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、ＣａＺｒＯ_３などが挙げられる。なお、セラミック素体１０が誘電体セラミック材料を含む場合、セラミック素体１０には、所望するセラミック電子部品１の特性に応じて、上記セラミック材料を主成分として、例えば、Ｍｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分を適宜添加してもよい。

【0029】

セラミック素体１０の形状は特に限定されない。本実施形態では、セラミック素体１０は、直方体状に形成されている。図１〜図３に示すように、セラミック素体１０は、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びる第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂを有する。セラミック素体１０は、図１、図２及び図８に示すように、厚み方向Ｔ及び長さ方向Ｌに沿って延びる第１及び第２の側面１０ｃ，１０ｄを有する。また、図２、図３及び図８に示すように、セラミック素体１０は、厚み方向Ｔ及び幅方向Ｗに沿って延びる第１及び第２の端面１０ｅ，１０ｆを備えている。

【0030】

なお、本明細書において、「直方体状」には、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。すなわち、「直方体状」の部材とは、第１及び第２の主面、第１及び第２の側面並びに第１及び第２の端面とを有する部材全般を意味する。また、主面、側面、端面の一部または全部に凹凸などを有していてもよい。

【0031】

セラミック素体１０の寸法は、特に限定されないが、セラミック素体１０は、セラミック素体１０の厚み寸法をＤ_Ｔ、長さ寸法をＤ_Ｌ、幅寸法をＤ_Ｗとしたときに、Ｄ_Ｔ＜Ｄ_Ｗ＜Ｄ_Ｌ、（１／５）Ｄ_Ｗ≦Ｄ_Ｔ≦（１／２）Ｄ_Ｗ、または、Ｄ_Ｔ＜０．３ｍｍが満たされるような薄型のものであってもよい。具体的には、０．０５ｍｍ≦Ｄ_Ｔ＜０．３ｍｍ、０．４ｍｍ≦Ｄ_Ｌ≦１ｍｍ、０．３ｍｍ≦Ｄ_Ｗ≦０．５ｍｍであってもよい。

【0032】

図３及び図８に示すように、セラミック素体１０の内部には、略矩形状の複数の第１及び第２の内部電極１１，１２が厚み方向Ｔに沿って等間隔に交互に配置されている。第１及び第２の内部電極１１，１２の端部１１ａ，１２ａは、セラミック素体１０の表面に露出している。具体的には、第１の内部電極１１の一方側の端部１１ａは、セラミック素体１０の第１の端面１０ｅに露出している。第２の内部電極１２の一方側の端部１２ａは、セラミック素体１０の第２の端面１０ｆに露出している。

【0033】

第１及び第２の内部電極１１，１２のそれぞれは、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂとほぼ平行である。第１及び第２の内部電極１１，１２は、厚み方向Ｔにおいて、セラミック層１０ｇを介して、互いに対向している。

【0034】

なお、セラミック層１０ｇの厚さは、特に限定されない。セラミック層１０ｇの厚さは、例えば、０．５μｍ〜１０μｍとすることができる。第１及び第２の内部電極１１，１２のそれぞれの厚さも、特に限定されない。第１及び第２の内部電極１１，１２のそれぞれの厚さは、例えば、０．２μｍ〜２μｍとすることができる。

【0035】

第１及び第２の内部電極１１，１２は、適宜の導電材料により構成することができる。第１及び第２の内部電極１１，１２は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の一種を含む例えばＡｇ−Ｐｄ合金などの合金により構成することができる。

【0036】

図４に示すように、セラミック素体１０の表面の上には、ガラスコート層１５が設けられている。ガラスコート層１５は、セラミック素体１０の表面の第１及び第２の内部電極１１，１２が露出した部分の上を覆っている。具体的には、ガラスコート層１５は、セラミック素体１０の第１及び第２の端面１０ｅ，１０ｆの上と、第１及び第２の主面１０ａ及び１０ｂの長さ方向Ｌにおける両端部分の上と、第１及び第２の側面１０ｃ，１０ｄの長さ方向Ｌにおける両端部分の上とに設けられている。

【0037】

図５に示すように、内部電極１１，１２は、ガラスコート層１５を貫通しない範囲で、セラミック素体１０の表面からガラスコート層１５中に突出している。内部電極１１，１２のセラミック素体１０の表面からの突出部１１ｂ、１２ｂの長さは、ガラスコート層１５の厚みの５０％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましく、３５％以下であることがさらに好ましく、３４％以下であることがなお好ましい。突出部１１ｂ、１２ｂの長さは、１．７μｍ以下であることが好ましい。

【0038】

第１及び第２の内部電極１１，１２がセラミック素体１０の表面から突出するメカニズムとしては、以下のメカニズムが考えられる。すなわち、第１及び第２の内部電極１１，１２の先端にガラスコート層１５に含まれる金属が集まってくることによって、第１及び第２の内部電極１１，１２に含まれる金属とガラスコート層１５に含まれる金属粉１５ａが拡散し始め、第１及び第２の内部電極１１，１２の先端が合金化することで先端が結晶成長することにより第１及び第２の内部電極１１，１２がセラミック素体１０の表面から突出するものと考えられる。

【0039】

図６及び図７に示すように、ガラスコート層１５は、金属粉１５ａが分散したガラス媒質１５ｂからなる。ガラスコート層１５は、ガラス媒質１５ｂと金属粉１５ａが固着されて一体化した複合膜である。ガラス媒質１５ｂは、ガラス粉が軟化点以上で熱処理されて溶融した後、凝固して一体化されたものである。よって、ガラス媒質１５ｂは、金属粉１５ａ間の隙間を埋めるように存在している。ガラス媒質１５ｂは、セラミック素体１０の表面を覆っている。このガラス媒質１５ｂにより、セラミック電子部品１の耐湿性が向上されている。なお、図６及び図７は、ある一断面を示す図面であり、他の断面においてはガラス媒質１５ｂや金属粉１５ａの見え方が異なる。

【0040】

ガラスコート層１５において、ガラス媒質１５ｂの体積含有量は、金属粉１５ａの体積含有量よりも低くてもよい。ガラスコート層１５におけるガラス媒質１５ｂの割合は、３５体積％以上であることが好ましく、３５体積％〜７５体積％であることがより好ましく、４０体積％〜５７．５体積％であることがさらに好ましい。ガラスコート層１５におけるガラス媒質１５ｂの割合が、３５体積％未満である場合、ガラスコート層１５が存在することによるセラミック電子部品１の耐湿性の向上効果が小さくなる場合がある。また、ガラスコート層１５におけるガラス媒質１５ｂの割合が、７５体積％を超える場合、ガラスコート層１５の直上に第１及び第２の電極端子１３，１４を形成することが難しくなる場合がある。ガラス媒質１５ｂを構成するガラスは、例えば、Ｂ_２Ｏ_３及びＳｉＯ_２からなる群より選択される１種以上の網目形成酸化物と、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＺｒＯ_２及びＴｉＯ_２からなる群より選択される１種以上の網目修飾酸化物とを含むことが好ましい。

【0041】

ガラス媒質１５ｂは、網目修飾酸化物として、ガラスコート層１５の金属粉１５ａと同じ金属の酸化物を含むことが好ましい。これにより、ガラスコート層１５中のガラス粉がガラスコート層１５中の金属粉１５ａに濡れやすくなる。

【0042】

ガラス媒質１５ｂは、ＳｉＯ_２が最も多く含まれていることが好ましい。ガラス全体に占めるＳｉＯ_２の割合は３５ｍｏｌ％以上であることが好ましい。

【0043】

ガラスコート層１５において、金属粉１５ａは、ガラス媒質１５ｂ中に分散している。ガラスコート層１５における金属粉１５ａの割合は、２５体積％〜６５体積％であることが好ましく、５０体積％〜６０体積％であることがより好ましい。金属粉１５ａは、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどの金属や、これらの金属を少なくとも１種含む合金などにより構成される。金属粉１５ａは、第１及び第２の内部電極１１，１２に主成分として含まれる金属を主成分として含まないことが好ましい。すなわち、金属粉１５ａの主成分が、第１及び第２の内部電極１１，１２の主成分と異なることが好ましい。なお、金属粉１５ａが、第１及び第２の内部電極１１，１２の主成分として含まれる金属を含む場合、その金属の割合は、金属粉１５ａの全体の１０体積％以下であることが好ましい。また、金属粉１５ａのコア部はＣｕからなることが好ましい。

【0044】

ガラスコート層１５は、導電性ペースト層が焼成されてなる、焼結金属及びガラスにより構成された焼結金属膜とは異なるものである。すなわち、ガラスコート層１５では、金属粉１５ａの間を縫って連続したガラス媒質１５ｂが形成されているのに対し、焼結金属膜では金属のマトリクスが形成されている。ガラスコート層１５では、金属粉１５ａのすべてが一体に焼結されている訳ではなく、ガラス媒質１５ｂが金属粉１５ａの間を繋ぐように存在しているのに対し、図１６の写真に示されるように、焼結金属膜では、ガラスは、金属粉が焼結することにより、焼結金属膜中から、焼結金属膜とセラミック素体との界面にガラス成分が押し出され、焼結金属膜とセラミック素体との界面存在する。また、図１６では確認できないが、金属粉が焼結することにより、焼結金属膜中から焼結金属膜の表面にガラスが押し出され、焼結金属膜の表面にガラスが存在する場合もある。導電性ペースト層が焼成されてなる焼結金属膜では、実質的にすべての金属粉が焼結しており、もはや焼結されていない金属粉は実質的に残存していない。

【0045】

金属粉１５ａは、ガラスコート層１５の厚み方向Ｔに沿った断面において、球形ではなく、細長形状であることが好ましい。金属粉１５ａは、ガラスコート層１５の厚み方向Ｔに沿った断面において、鱗片状、扁平状、針状などのフレーク状であることが好ましい。なお、細長形状とは、アスペクト比が３以上であることをいう。

【0046】

金属粉１５ａのアスペクト比は、３．６以上であることが好ましい。まず、セラミック電子部品１の稜線部から、図９に示される第１の電極端子１３の第３の部分１３ｃの表面の対角を結ぶ線Ｘ−Ｘに向かって研磨し、図１０に示されるようにガラスコート層１５の断面を露出させる。次に、図１０に示すようにこの断面を線Ｘ−Ｘの方向に沿って４等分し、その境界の３箇所において、ガラスコート層１５を倍率５０００倍、加速電圧１５ｋＶでＳＥＭ観察する。次に、それぞれの箇所におけるＳＥＭ観察において、視野３０μｍ×３０μｍ内に含まれる金属粉１５ａのすべてについて、それぞれの径を露出した断面上で測定し、その中の最大値を長径として選択する。次に、選択した金属粉１５ａの長径の軸と直交する軸に沿った厚みの最大値を短径として選択する。得られた長径を短径で除して、金属粉１５ａのアスペクト比を算出する。同様にして、図１０の矢印で示されるように、第２の電極端子１４の第３の部分１４ｃ側のガラスコート層１５においても、金属粉１５ａのアスペクト比を算出する。第１及び第２の電極端子１３，１４側の両方のガラスコート層１５において算出した合計６つの金属粉１５ａのアスペクト比の平均値を本発明における金属粉１５ａのアスペクト比とする。なお、ＳＥＭ観察において、複数の金属粉１５ａが、それぞれの長径の方向において接触して、１つの一体的な金属粉１５ａのように観察される場合、そのような複数の金属粉１５ａの一体化物全体の長径を１つの金属粉１５ａの長径とする。

【0047】

金属粉１５ａの平均粒子径は、０．５μｍ〜１０μｍであることが好ましい。なお、本発明において、金属粉１５ａの平均粒子径は、前述の方法により６つの金属粉のそれぞれの長径及び短径を測定し、それら６つの金属粉の長径と短径とをすべて合計して得られる値の平均値（１２で除して得られる値）をいう。

【0048】

金属粉１５ａは、第１及び第２の内部電極１１，１２と第１及び第２の電極端子１３，１４とをそれぞれ電気的に接続している導通パスを形成している。導通パスの少なくとも一つは、ガラスコート層１５の厚み方向Ｔに沿って配された複数の金属粉１５ａが互いに接触することで形成されている。

【0049】

ガラスコート層１５の厚み方向Ｔの断面において、導通パスを構成している金属粉１５ａの表面の断面形状は、非直線状であってもよい。導通パスは、相対的に細い部分と、相対的に太い部分とを、それぞれ複数有していてもよい。

【0050】

導通パスを形成している金属粉１５ａの長径は、ガラスコート層１５の厚み以上であることが好ましい。導通パスを形成している金属粉１５ａの長径は、ガラスコート層１５の厚みの１．５倍以上であることがより好ましい。

【0051】

ガラスコート層１５の厚みは、１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。ガラスコート層１５の厚みが１μｍ未満である場合、ガラスコート層１５が存在することによるセラミック電子部品１の耐湿性の向上効果が小さくなる場合がある。ガラスコート層１５の厚みが１０μｍを超える場合、ガラスコート層１５に含まれるガラスの絶対量が多くなる。そうすると、第１及び第２の内部電極１１，１２を構成する成分が、ガラスコート層１５の溶融したガラスに液相拡散しやすくなる。このような場合、第１及び第２の内部電極１１，１２の先端が細くなり、第１及び第２の内部電極１１，１２とセラミック層１０ｇとの間に隙間が生じて、セラミック電子部品１の耐湿性が低下する場合がある。

【0052】

ガラスコート層１５の厚みは、セラミック電子部品１の側面を長さ方向Ｌに沿って、セラミック電子部品１の中央まで断面研磨し、その断面における片側の電極端子の端面中央部に位置するガラスコート層１５の厚みを光学顕微鏡を用いて観察することによって測定することができる。

【0053】

第１の電極端子１３は、ガラスコート層１５の直上に設けられている。第１の電極端子１３は、ガラスコート層１５に形成された導通パスによって、第１の内部電極１１に電気的に接続されている。第１の電極端子１３は、第１の主面１０ａの上に形成されている第１の部分１３ａと、第２の主面１０ｂの上に形成されている第２の部分１３ｂと、第１の端面１０ｅの上に形成されている第３の部分１３ｃと、第１の側面１０ｃの上に形成されている第４の部分１３ｄと、第２の側面１０ｄの上に形成されている第５の部分１３ｅとを備えている。

【0054】

第２の電極端子１４は、ガラスコート層１５の直上に設けられている。第２の電極端子１４は、ガラスコート層１５に形成された導通パスによって、第２の内部電極１２に電気的に接続されている。第２の電極端子１４は、第１の主面１０ａの上に形成されている第１の部分１４ａと、第２の主面１０ｂの上に形成されている第２の部分１４ｂと、第２の端面１０ｆの上に形成されている第３の部分１４ｃと、第１の側面１０ｃの上に形成されている第４の部分１４ｄと、第２の側面１０ｄの上に形成されている第５の部分１４ｅとを備えている。

【0055】

第１及び第２の電極端子１３，１４は、めっき膜により構成される。めっき膜は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｂｉ及びＺｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属、またはこれら金属のうち少なくとも１種の金属を含む合金により構成されていることが好ましい。第１及び第２の電極端子１３，１４は、それぞれ１層のめっき膜のみにより構成されていてもよいし、２層以上のめっき膜により構成されていてもよい。例えば、Ｎｉ−Ｓｎの２層構造や、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎの３層構造であってもよい。なお、図６に示すように、本実施形態において、第１及び第２の電極端子１３，１４は、Ｃｕからなる第１層１３ｐ、Ｎｉからなる第２層１３ｑ、及びＳｎからなる第３層１３ｒにより構成されている。

【0056】

ガラスコート層１５と第１の電極端子１３の合計厚みは、１５μｍ〜２５μｍであることが好ましい。ガラスコート層１５と第２の電極端子１４との合計厚みは、１５μｍ〜２５μｍであることが好ましい。

【0057】

次に、本実施形態のセラミック電子部品１の製造方法の一例について説明する。

【0058】

まず、セラミック素体１０を構成するためのセラミック材料を含むセラミックグリーンシート２０（図１１を参照）を用意する。次に、図１１に示すように、そのセラミックグリーンシート２０の上に、導電性ペーストを塗布することにより、導電パターン２１を形成する。なお、導電性ペーストの塗布は、例えば、スクリーン印刷法などの各種印刷法により行うことができる。導電性ペーストは、導電性微粒子の他に、公知のバインダーや溶剤を含んでいてもよい。

【0059】

次に、導電パターン２１が形成されていない複数枚のセラミックグリーンシート２０、第１または第２の内部電極１１，１２に対応した形状の導電パターン２１が形成されているセラミックグリーンシート２０、及び導電パターン２１が形成されていない複数枚のセラミックグリーンシート２０をこの順番で積層し、積層方向に静水圧プレスすることにより、マザー積層体を作製する。

【0060】

次に、マザー積層体の上に、仮想のカットラインに沿ってマザー積層体をカッティングすることにより、マザー積層体から複数の生のセラミック積層体を作製する。

【0061】

なお、マザー積層体のカッティングは、ダイシングや押切により行うことができる。生のセラミック積層体に対してバレル研磨などを施し、稜線部や角部を丸めてもよい。

【0062】

次に、生のセラミック積層体の焼成を行う。この焼成工程において、第１及び第２の内部電極１１，１２が焼成される。焼成温度は、使用するセラミック材料や導電性ペーストの種類により適宜設定することができる。焼成温度は、例えば、９００℃〜１３００℃とすることができる。

【0063】

次に、ディッピングなどの方法により、焼成後のセラミック積層体の上にガラスペーストを塗布する。次に、ガラスペーストを熱処理することでガラス粉を溶融して一体化させ、それを冷却することでガラス媒質１５ｂを形成し、金属粉１５ａを固着させることにより、ガラスコート層１５を形成する。ガラスコート層１５の形成に用いるガラスペーストは、ガラス粉、金属粉１５ａ、バインダー、溶剤などを含んでいる。ここで、ガラス粉は粒径が金属粉１５ａよりも小さいものを使用することが好ましい。熱処理温度は、ガラス粉が軟化する温度以上の温度で、かつ、金属粉が焼結しない温度であることが好ましい。熱処理温度は、例えば、６００℃〜７５０℃であることが好ましい。熱処理温度を６００℃〜７５０℃とすることにより、ガラスコート層１５における第１及び第２の内部電極１１，１２の突出部１１ｂ，１２ｂの長さが２μｍを超えることを抑制することができる。熱処理温度が６００℃未満である場合、ガラスが軟化しないため、セラミック素体１０との接着性が低くなる場合がある。熱処理温度が７５０℃を超える場合、第１及び第２の内部電極１１，１２の突出部１１ｂ，１２ｂの長さがガラスコート層１５の厚みの３５％を超えやすくなる。また、熱処理温度が７５０℃を超える場合、セラミック素体１０とガラスコート層１５との反応が始まり、ガラスコート層１５がなくなる恐れがある。

【0064】

ガラスコート層１５における第１及び第２の内部電極１１，１２の突出部１１ｂ，１２ｂの長さが２μｍを超えることを抑制する観点から、熱処理の時間（最高温度の保持時間）は５分間〜３０分間とすることが好ましい。

【0065】

次に、ガラスコート層１５の上にめっきを施すことにより、第１及び第２の電極端子１３，１４を形成する。以上のようにして、セラミック電子部品１を製造することができる。

【0066】

（実験例１）
次に、本実施形態において、実際にセラミック電子部品１のサンプルを作製した例を以下に示す。

【0067】

焼き後のセラミック素体の寸法（設計値）：１．０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．１５ｍｍ
セラミック材料：ＢａＴｉＯ_３
焼き後のセラミック層の厚み（設計値）：５μｍ
内部電極の材料：Ｎｉ
焼き後の内部電極の厚み（設計値）：０．６μｍ
内部電極の合計枚数：４５
焼成条件：１２００℃で２時間保持
セラミック電子部品の容量：０．４７μＦ
ガラスコート層１５の厚み：５μｍ
セラミック電子部品の定格電圧：４Ｖ
ガラスコート層１５に含まれる金属粉：Ｃｕ粉
Ｃｕ粉の平均粒子径：３μｍ
ガラスペースト中のガラス粉の主成分：ホウケイ酸ガラス
ガラスペースト中のガラスの軟化点：６００℃
ガラス粉の平均粒子径：１μｍ
ガラスペーストの固形分中のＣｕ粉末とガラス粉の比：５０体積％／５０体積％
熱処理の条件：６８０℃
めっき膜：ガラスコート層１５の上に、Ｃｕ膜（厚み６μｍ）、Ｎｉ膜（厚み３μｍ）、Ｓｎ膜（厚み３μｍ）をこの順に形成。

【0068】

（耐湿負荷試験）
ガラスペーストの熱処理を、６８０℃で、それぞれ５分間、１５分間、３０分間、６０分間、１２０分間保持して行い、セラミック電子部品１のサンプルを２０個ずつ作製した。各サンプルについて、耐湿負荷試験を次のようにして行った。各サンプルを、共晶半田を用いてガラスエポキシ基板に実装した。その後、各サンプルを、１２５℃、相対湿度９５％ＲＨの高温高湿槽内にて、２Ｖ、７２時間の条件で耐湿加速試験を行い、絶縁抵抗値（ＩＲ値）が、２桁以上低下したものを、耐湿性が劣化したと判断した。

【0069】

また、各サンプルのＬＴ面をＷ寸の中央部まで断面研磨し、その断面における片側の端面中央部におけるセラミック素体とガラスコート層の界面部分をＳＥＭで観察（倍率５０００倍、加速電圧１５ｋＶ、視野３０μｍ×３０μｍ）して、セラミック素体表面から突出している内部電極１０枚の突出部の長さをそれぞれ測定し、平均値を算出した。このようにして、５個のサンプルについて突出部の平均値をそれぞれ求め、各平均値の平均値を算出した。耐湿負荷試験の結果を表１に示す。

【0070】

【表1】

【0071】

（実験例２）
ガラスコート層１５の厚みを１０μｍにしたこと以外は、実験例１と同様にしてサンプルを作製し、実験例１と同様にして耐湿負荷試験を行った。結果を、下記の表２に示す。

【0072】

【表2】

【0073】

以上説明したように、本実施形態では、セラミック素体１０の第１及び第２の内部電極１１，１２が露出した部分の上をガラスコート層１５が覆っている。内部電極１１，１２は、ガラスコート層１５を貫通しない範囲でセラミック素体１０の表面からガラスコート層１５中に突出している。このため、第１及び第２の内部電極１１，１２の露出部からセラミック素体１０内に水分が浸入しにくい。従って、本実施形態に係るセラミック電子部品１は、耐湿性に優れる。表１及び表２に示す結果から、より優れた耐湿性を実現する観点からは、突出部１１ｂ、１２ｂの長さのガラスコート層１５の厚みに対する比（（突出部１１ｂ、１２ｂの長さ）／（ガラスコート層１５の厚み））が５０％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましく、３５％以下であることがさらに好ましく、３４％以下であることがなお好ましいことが分かる。

【0074】

以下、本発明の好ましい実施形態の他の例について説明する。但し、以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。

【0075】

（第２の実施形態）
図１２は、第２の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。

【0076】

上記第１の実施形態では、第１及び第２の側面１０ｃ，１０ｄ上に、第１及び第２の電極端子１３，１４及びガラスコート層１５が形成されている例について説明した。但し、図１２に示すように、第１及び第２の電極端子１３，１４及びガラスコート層１５が、第１及び第２の側面１０ｃ，１０ｄ上に実質的に形成されていなくてもよい。

【0077】

第２の実施形態に係るセラミック電子部品は、例えば、次のようにして製造することができる。上述の第１の実施形態に係るセラミック電子部品１の製造方法と同様にして、マザー積層体２２（図１３を参照）を得る。次に、本実施形態においては、図１３に示すように、マザー積層体２２の上に、第１及び第２の電極端子１３，１４の第１及び第２の部分１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂを構成している部分に対応した形状の導電パターン２３を、スクリーン印刷法などの適宜の印刷法により形成する。次に、マザー積層体２２の上に、仮想のカットラインＣＬに沿ってマザー積層体２２をカッティングすることにより、マザー積層体２２から複数の生のセラミック積層体を作製する。

【0078】

次に、生のセラミック積層体の焼成を行う。次に、セラミック積層体の両端面にガラスペーストを塗布する。次に、ガラスペーストを熱処理することにより、第１及び第２の電極端子１３，１４の第３の部分１３ｃ，１４ｃを構成している部分に対応した形状のガラスコート層１５を形成する。次に、ガラスコート層１５の上にめっきを施すことにより、第１及び第２の電極端子１３，１４を形成する。このようにして、第２の実施形態に係るセラミック電子部品を製造することができる。

【0079】

なお、第１及び第２の電極端子１３，１４の第１及び第２の部分１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂに形成される導電パターン２３と、第１及び第２の電極端子１３，１４の第３の部分１３ｃ，１４ｃに塗布されるガラスペーストは、金属の種類が異なっていたり、無機フィラーの種類が異なっている。例えば、導電パターン２３はＮｉとセラミック素体１０に含まれるセラミック材料と同じ種類のセラミックからなる共材を含む。

【0080】

（第３の実施形態）
図１４は、第３の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的断面図である。

【0081】

上記第１の実施形態では、第１及び第２の電極端子１３，１４及びガラスコート層１５のそれぞれが、第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂの両方の上に形成されている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。第１及び第２の電極端子１３，１４及びガラスコート層１５のそれぞれは、セラミック素体１０の表面のいずれかの部分の上に形成されていればよい。

【0082】

例えば、図１４に示すように、第１及び第２の電極端子１３，１４及びガラスコート層１５のそれぞれを、第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂのうちの第２の主面１０ｂの上にのみ形成してもよい。

【0083】

（第４の実施形態）
図１５は、第４の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。

【0084】

上記第１の実施形態では、セラミック素体１０の厚み寸法をＤＴ、長さ寸法をＤＬ、幅寸法をＤＷとしたときに、ＤＴ＜ＤＷ＜ＤＬである例について説明した。但し、図１５に示すように、ＤＷ≦ＤＴ＜ＤＬであってもよい。

【産業上の利用可能性】

【0085】

上述のように、本発明によれば、耐湿性に優れたセラミック電子部品を提供することができる。このような構造を有していれば、本発明は種々の積層電子部品に広く適用することができる。

【0086】

例えば、セラミック電子部品がセラミック圧電素子である場合は、セラミック素体を圧電セラミック材料により形成することができる。圧電セラミック材料の具体例としては、例えば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミック材料などが挙げられる。

【0087】

また、セラミック電子部品１がサーミスタ素子である場合は、セラミック素体を半導体セラミック材料により形成することができる。半導体セラミック材料の具体例としては、例えば、スピネル系セラミック材料などが挙げられる。

【0088】

さらに、セラミック電子部品１が、インダクタ素子である場合は、セラミック素体を磁性体セラミック材料により形成することができる。磁性体セラミック材料の具体例としては、例えば、フェライトセラミック材料などが挙げられる。

【符号の説明】

【0089】

１…セラミック電子部品
１０…セラミック素体
１０ａ…セラミック素体の第１の主面
１０ｂ…セラミック素体の第２の主面
１０ｃ…セラミック素体の第１の側面
１０ｄ…セラミック素体の第２の側面
１０ｅ…セラミック素体の第１の端面
１０ｆ…セラミック素体の第２の端面
１０ｇ…セラミック層
１１…第１の内部電極
１１ａ…第１の内部電極の端部
１１ｂ…第１の内部電極の突出部
１２…第２の内部電極
１２ａ…第２の内部電極の端部
１２ｂ…第２の内部電極の突出部
１３…第１の電極端子
１３ａ…第１の電極端子の第１の部分
１３ｂ…第１の電極端子の第２の部分
１３ｃ…第１の電極端子の第３の部分
１３ｄ…第１の電極端子の第４の部分
１３ｅ…第１の電極端子の第５の部分
１３ｐ…第１層
１３ｑ…第２層
１３ｒ…第３層
１４…第２の電極端子
１４ａ…第２の電極端子の第１の部分
１４ｂ…第２の電極端子の第２の部分
１４ｃ…第２の電極端子の第３の部分
１４ｄ…第２の電極端子の第４の部分
１４ｅ…第２の電極端子の第５の部分
１５…ガラスコート層
１５ａ…金属粉
１５ｂ…ガラス媒質
２０…セラミックグリーンシート
２１…導電パターン
２２…マザー積層体
２３…導電パターン

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図7】

【図16】