特許第5796642号(P5796642)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許5796642III族窒化物結晶半導体基板の製造方法、及びIII族窒化物結晶半導体基板
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  • 特許5796642-III族窒化物結晶半導体基板の製造方法、及びIII族窒化物結晶半導体基板 図000003
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