特許 5797612 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5797612

(24)【登録日】2015年8月28日

(45)【発行日】2015年10月21日

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/12 20060101AFI20151001BHJP

   H05K 3/18 20060101ALI20151001BHJP

【ＦＩ】

   H01L23/12 F

   H05K3/18 K

【請求項の数】1

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2012-167571(P2012-167571)

(22)【出願日】2012年7月27日

(65)【公開番号】特開2014-27173(P2014-27173A)

(43)【公開日】2014年2月6日

【審査請求日】2015年2月26日

(73)【特許権者】

【識別番号】304024898

【氏名又は名称】京セラサーキットソリューションズ株式会社

(72)【発明者】

【氏名】細井 義博

(72)【発明者】

【氏名】田口 貴之

(72)【発明者】

【氏名】湯川 英敏

【審査官】 多賀 和宏

(56)【参考文献】

【文献】 特開昭５４−０７３５６４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平１０−３２６９６５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−０３８９９１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−１４００８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−００４３９９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２３／１２

Ｈ０５Ｋ ３／１８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の絶縁層上に第２の絶縁層が積層されて成る絶縁基板の上面に、半導体素子が搭載される半導体素子搭載部とリード端子が接続されるリード接続部とが形成されており、前記半導体素子搭載部の直下における前記第１の絶縁層上に、前記半導体素子の電極がフリップチップ接続される複数の半導体素子接続パッドが形成されているとともに該半導体素子接続パッドを露出させる開口部が前記第２の絶縁層に形成されており、該第２の絶縁層における前記リード接続部に、前記リード端子が半田接続されるリード接続パッドが形成されて成る配線基板であって、前記第２の絶縁層の上面は、その算術平均粗さが前記半導体素子搭載部において５０〜８０ｎｍであり、前記リード接続部において１００〜１５０ｎｍであることを特徴とする配線基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体素子を搭載するための配線基板に関するものである。

【背景技術】

【0002】

従来、半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するための配線基板として、複数の絶縁層を積層して成る絶縁基板の上面に、半導体素子が搭載される半導体素子搭載部と、外部の電気回路に接続するためのリード端子が接続されるリード接続部とを備えた配線基板がある。

【0003】

このような配線基板の従来例を図５に示す。図５に示すように、従来の配線基板２０は、絶縁層１１と１２とが積層されて成る絶縁基板の上面側に半導体素子Ｅが搭載される半導体素子搭載部Ａ１および外部の電気回路に接続するためのリード端子Ｌが接続されるリード接続部Ａ２を有している。半導体素子搭載部Ａ１には、半導体素子Ｅの電極Ｔがフリップチップ接続される半導体素子接続パッド１３が配設されている。またリード接続部Ａ２には、リード端子Ｌが接続されるリード接続パッド１４が配設されている。

【0004】

絶縁層１１、１２は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させたガラス強化樹脂材料や、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に酸化ケイ素粉末等の無機絶縁フィラーを分散させたフィラー強化樹脂材料、ポリイミド系樹脂とエポキシ樹脂系の接着剤からなる２層構造の樹脂材料等から成る。

【0005】

半導体素子接続パッド１３は、絶縁層１１の上面に形成されており、絶縁層１２に設けた開口部１５から露出している。また、リード接続パッド１４は、絶縁層１２の上面に形成されており、絶縁層１２に設けたビアホール１６を介して絶縁層１１上の導体パターンに接続されている。これらの半導体素子接続パッド１３およびリード接続パッド１４は、例えば銅めっき層から成り、その表面に図示しないニッケルめっき層および金めっき層が順次被着されている。

【0006】

そして、図６に示すように、半導体素子接続パッド１３には、半導体素子Ｅの電極Ｔが半田Ｓ１を介して接続され、リード接続パッド１４には、外部の電気回路と接続するためのリード端子Ｌが半田Ｓ２を介して接続される。さらに、半導体素子Ｅと絶縁層１２との間には、封止樹脂１７が充填され、リード接続パッド１４とリード端子Ｌとの接続部は、補強樹脂１８により被覆される。なお、半導体素子Ｅと絶縁層１２との間に封止樹脂を充填するには、未硬化の熱硬化性樹脂を含む樹脂ペーストを半導体素子Ｅと絶縁層１２との間に注入した後、熱硬化させる方法が採用される。また、リード接続パッド１４とリード端子Ｌとの接続部を補強樹脂１８で被覆するには、未硬化の熱硬化性樹脂を含む樹脂ペーストをリード接続パッド１４とリード端子Ｌとの接続部に滴下した後、熱硬化させる方法が採用される。なお、封止樹脂１７用の樹脂ペーストや補強樹脂１８用の樹脂ペースト中には、封止樹脂１７や補強樹脂１８の熱膨張係数を下げるため等に酸化ケイ素粉末等の無機絶縁フィラーが含有されている。

【0007】

ところで、このような従来の配線基板２０は、以下のようにして製造されている。先ず、図７（ａ）に示すように、絶縁層１１の上面に半導体素子接続パッド１３を含む導体パターンを形成するとともにその上に絶縁層１２を積層する。
次に、図７（ｂ）に示すように、絶縁層１２にビアホール１６を形成する。ビアホール１６の形成には、例えばパルス状のレーザ光をビアホール６の形成位置に複数回照射して絶縁層２を部分的に除去するレーザ加工法を用いる。
次に図７（ｃ）に示すように、絶縁層１２の上面側からプラズマを照射してビアホール１６内およびその周辺の絶縁層１２上面に付着したスミアを除去する。このとき、絶縁層１２の表面は、プラズマ処理により粗化されて、その表面粗さが算術平均粗さＲａで５０〜８０ｎｍ程度の粗化面となる。
次に、図８（ｄ）に示すように、絶縁層１２の表面にリード接続パッド１４を形成するとともにリード接続パッド１４と一体化されたビア導体によりビアホール１６内を充填する。
次に、図８（ｅ）に示すように、絶縁層１２に開口部１５を形成する。開口部１５の形成にはビアホール１６の形成と同様のレーザ加工法を用いる。
最後に、図８（ｆ）に示すように、絶縁層１２の上面側からプラズマを照射して開口部１５内およびその周辺の絶縁層１２上面に付着したスミアを除去するためにプラズマ処理を行なう。このとき、絶縁層１２の表面は、プラズマ処理により再度粗化されてその表面粗さが算術平均粗さＲａで１００〜１５０ｎｍ程度の粗化面となる。

【0008】

しかしながら、この従来の配線基板２０によると、絶縁層１２の上面は、上述したように２回のプラズマ処理によりその表面粗さが算術平均粗さＲａで１００〜１５０ｎｍ程度の粗化面となっている。そのため、半導体素子Ｅと絶縁層１２との間に封止樹脂１７用の樹脂ペーストを注入する際に、粗化面を構成する凹凸の間に気泡が残留して封止樹脂１７中にボイドを発生させやすい。このようなボイドは、封止樹脂１７に熱応力が加えられた場合等に封止樹脂におけるクラックの起点となるので、封止樹脂１７による封止の信頼性が低下してしまう。また、封止樹脂１７用の樹脂ペーストが粗化面を構成する凹凸により発生する毛細管現象により絶縁層１２の上面に大きく広がりやすく、樹脂ペースト中の樹脂成分のみが大きく流動してしまい、半導体素子Ｅと絶縁層１２との間の封止樹脂１７中に無機フィラー成分が取り残されることから、半導体素子を封止する封止樹脂がポーラスで脆い樹脂となってしまい、それによっても封止の信頼性が低下してしまう。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0009】

【特許文献1】特開２０１１−８２３０５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0010】

本発明は、配線基板と半導体素子との間に封止樹脂を充填した場合に、封止樹脂にボイドが形成されること、および封止樹脂が配線基板の絶縁層上に大きく広がることを有効に防止して、封止樹脂による封止の信頼性が高い配線基板を提供することを課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0011】

本発明は、第１の絶縁層上に第２の絶縁層が積層されて成る絶縁基板の上面に、半導体素子が搭載される半導体素子搭載部とリード端子が接続されるリード接続部とが形成されており、前記半導体素子搭載部の直下における前記第１の絶縁層上に、前記半導体素子の電極がフリップチップ接続される複数の半導体素子接続パッドが形成されているとともに該半導体素子接続パッドを露出させる開口部が前記第２の絶縁層に形成されており、該第２の絶縁層における前記リード接続部に、前記リード端子が半田接続されるリード接続パッドが形成されて成る配線基板であって、前記第２の絶縁層の上面は、その算術平均粗さＲａが前記半導体素子搭載部において５０〜８０ｎｍであり、前記リード接続部において１００〜１５０ｎｍであることを特徴とするものである。

【発明の効果】

【0012】

本発明の配線基板によれば、前記第２の絶縁層の上面は、その算術平均粗さＲａが前記半導体素子搭載部において５０〜８０ｎｍと小さいことから、半導体素子と配線基板との間に封止樹脂用の樹脂ペーストを注入した際に、半導体素子搭載部における第２の絶縁層の表面の粗化面を構成する凹凸の間に気泡が残留しにくい。したがって、封止樹脂中にボイドが発生しにくい。また、第２の絶縁層の上面は、半導体素子搭載部における算術表面粗さＲａが５０〜８０ｎｍと小さいことから、この部分で発生する毛細管現象の力が小さくなる。したがって、封止樹脂用のペーストが第２の絶縁層の表面に大きく広がることがない。その結果、封止樹脂による封止の信頼性が高い配線基板を提供することができる。
さらに、第２の絶縁層の上面は、前記リード接続部における算術平均粗さＲａが１００〜１５０ｎｍであることから、補強樹脂とリード接続部とをアンカー効果により強固に密着させることができる。したがって、リード接続パッドとリード端子とを補強樹脂により強固に接続することができる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】図１は、本発明の配線基板の実施形態の一例を説明するための概略断面図である。

【図2】図２は、本発明の配線基板の実施形態の一例を説明するための概略断面図である。

【図3】図３は、図１に示す配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。

【図4】図４は、図１に示す配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。

【図5】図５は、従来配線基板を示す概略断面図である。

【図6】図６は、従来配線基板を示す概略断面図である。

【図7】図７は、図５に示す配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。

【図8】図８は、図５に示す配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

次に、本発明の実施形態の一例を図１〜４を基に説明する。図１に示すように、本例の配線基板１０は、絶縁層１と２とが積層されて成る絶縁基板の上面側に半導体素子Ｅが搭載される半導体素子搭載部Ａ１および外部の電気回路に接続するためのリード端子Ｌが接続されるリード接続部Ａ２を有している。半導体素子搭載部Ａ１には、半導体素子Ｅの電極Ｔがフリップチップ接続される半導体素子接続パッド３が配設されている。また、リード接続部Ａ２には、リード端子Ｌが接続されるリード接続パッド４が配設されている。

【0015】

絶縁層１、２は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させたガラス強化樹脂材料や、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に酸化ケイ素粉末等の無機絶縁フィラーを分散させたフィラー強化樹脂材料、ポリイミド系樹脂とエポキシ樹脂系の接着剤からなる２層構造の樹脂材料等から成る。絶縁層１、２の厚みは、それぞれ１０〜３０μｍ程度である。

【0016】

絶縁層１の上面には、半導体素子接続パッド３を含む導体パターンが形成されている。これら半導体素子接続パッド３を含む導体パターンは、主として厚みが５〜１５μｍ程度の銅めっき層から成り、周知のセミアディティブ法により形成されている。

【0017】

絶縁層２には、その上面にリード接続パッド４が形成されているとともに、半導体素子接続パッド３の上に開口部５とリード接続パッド４の下にビアホール６が形成されている。リード接続パッド４は、半導体素子接続パッド３と同様に主として厚みが５〜1５μｍ程度の銅めっき層から成り、周知のセミアディティブ法により形成されている。リード接続パッド４は、例えば短辺が５０〜２００μｍ、長辺が５００〜２０００μｍの長方形である。また、開口部５およびビアホール６は直径が１５〜４０μｍ程度の円形であり、レーザ加工により形成されている。なお、開口部５から露出する半導体素子接続パッド３の表面および絶縁層２上のリード端子４の表面には、図示しないニッケルめっき層および金めっき層が被着されている

【0018】

そして、図２に示すように、半導体素子接続パッド３には、半導体素子Ｅの電極Ｔが半田Ｓ１を介して接続され、リード接続パッド４には、外部の電気回路と接続するためのリード端子Ｌが半田Ｓ２を介して接続される。さらに、半導体素子Ｅと絶縁層２との間には、封止樹脂７が充填され、リード接続パッド４とリード端子Ｌとの接続部は、補強樹脂８により被覆される。なお、半導体素子Ｅと絶縁層２との間に封止樹脂７を充填するには、未硬化の熱硬化性樹脂を含む樹脂ペーストを半導体素子Ｅと絶縁層２との間に注入した後、熱硬化させる方法が採用される。また、リード接続パッド４とリード端子Ｌとの接続部を補強樹脂８で被覆するには、未硬化の熱硬化性樹脂を含む樹脂ペーストをリード接続パッド４とリード端子Ｌとの接続部に滴下した後、熱硬化させる方法が採用される。なお、封止樹脂７用の樹脂ペーストや補強樹脂８用の樹脂ペースト中には、封止樹脂７や補強樹脂８の熱膨張係数を下げるため等に酸化ケイ素粉末等の無機絶縁フィラーが含有されている。

【0019】

ところで、本発明においては、絶縁層２の上面の算術平均粗さＲａが、半導体素子搭載部Ａ１では５０〜８０ｎｍとなっており、前記リード接続部Ａ２では１００〜１５０ｎｍとなっている。このように、半導体素子搭載部Ａ１における絶縁層２の上面の算術平均粗さＲａが５０〜８０ｎｍと小さなものとなっていることから、半導体素子Ｅと配線基板１０との間に封止樹脂７用の樹脂ペーストを注入した際に、半導体素子搭載部Ａ１における絶縁層２の表面の粗化面を構成する凹凸の間に気泡が残留しにくい。したがって、封止樹脂７中にボイドが発生しにくい。また、絶縁層２の上面は、半導体素子搭載部Ａ１における算術表面粗さＲａが５０〜８０ｎｍと小さいことから、この部分で発生する毛細管現象の力が小さくなる。したがって、封止樹脂７用のペーストが絶縁層２の表面に大きく広がることがない。その結果、封止樹脂７による封止の信頼性が高い配線基板１０を提供することができる。
さらに、絶縁層２の上面は、リード接続部Ａ２における算術平均粗さＲａが１００〜１５０ｎｍであることから、補強樹脂８とリード接続部Ａ２とをアンカー効果により強固に密着させることができる。したがって、リード接続パッド４とリードド端子Ｌとを補強樹脂８により強固に接続することができる。

【0020】

ここで、本例の配線基板１０の製造方法について説明する。先ず、図３（ａ）に示すように、絶縁層１の上面に半導体素子接続パッド３を含む導体パターンを形成するとともにその上に絶縁層２を積層する。半導体素子接続パッド３を含む導体パターンは、セミアディティブ法により形成する。具体的には、例えばニッケル−クロム合金から成る厚みが３０〜１００ｎｍの密着金属層及び銅からなる厚みが０．１〜１．０μｍの下地金属層を絶縁層１の上面にスパッタ法等の薄膜形成技術を採用して被着させた後、その下地金属層上に半導体素子接続パッド３を含む導体パターンに対応する開口パターンを有するめっきレジスト層を形成し、しかる後、めっきレジスト層の開口パターン内に露出する下地金属層上に電解銅めっき層を５〜１５μｍの厚みに析出させ、最後に下地金属層上からめっきレジスト層を除去するとともに電解銅めっき層から露出する下地金属層をエッチング除去することにより形成される。

【0021】

次に、図３（ｂ）に示すように、絶縁層２にビアホール６を形成する。ビアホール６の形成には、例えばパルス状のレーザ光をビアホール６の形成位置に複数回照射して絶縁層２を部分的に除去するレーザ加工法を用いる。

【0022】

次に図３（ｃ）に示すように、半導体素子搭載部Ａ１に対応する絶縁層２の上面に保護シートＭを被着するとともに、上面側からプラズマ照射し、ビアホール６内およびその周辺に付着したスミアを除去する。このとき、プラズマの照射により、リード接続部Ａ２における絶縁層２の上面が粗化されて算術平均粗さＲａで５０〜８０ｎｍの粗化面となる。そして、半導体素子搭載部Ａ１における絶縁層２の上面は、プラズマで粗化されずに１５〜３５ｎｍの平滑な面を保つ。保護シートＭとしては、厚みが３０〜４０μｍ程度のポリプロピレンから成るフィルムを用いる。保護シートＭと絶縁層２との間は、例えばアクリル樹脂系の粘着材により剥離可能に密着させる。なお、粘着材は、保護シートＭの一方の主面に予め塗布しておくことが好ましい。

【0023】

次に、図４（ｄ）に示すように、保護シートＭを除去した後、絶縁層２の表面にリード接続パッド４を形成するとともにリード接続パッド４と一体化されたビア導体によりビアホール６内を充填する。これらのリード接続パッド４およびビア導体は、半導体素子接続パッド３と同様のセミアディティブ法により形成される。

【0024】

次に、図４（ｅ）に示すように、絶縁層２に開口部５を形成する。開口部５の形成にはビアホール６の形成と同様のレーザ加工法を用いる。

【0025】

最後に図４（ｆ）に示すように、絶縁層２の上面側からプラズマ照射し、開口部５内およびその周辺に付着したスミアを除去する。このとき、プラズマの照射により、半導体素子搭載部Ａ１における絶縁層２の上面が粗化されて算術平均粗さＲａで５０〜８０ｎｍの粗化面となる。また、リード接続部Ａ２における絶縁層２の露出する上面は、２度目のプラズマ照射を受けてその算術平均粗さＲａが１００〜１５０ｎｍの粗化面となる。このようにして、絶縁層２の上面の算術平均粗さＲａが、半導体素子搭載部Ａ１では５０〜８０ｎｍであり、前記リード接続部Ａ２では１００〜１５０ｎｍである本発明の配線基板１０が完成する。

【実施例1】

【0026】

次に、本発明の実施例１について説明する。先ず、縦横がそれぞれ１５０ｍｍで厚みが１５μｍの第１の絶縁層の上面中央部に直径が５０μｍの半導体素子接続パッドを７０μｍのピッチで１０００個含む導体パターン形成した。絶縁層としては、厚みが５μｍのエポキシ系の接着剤層と厚みが５μｍのポリイミド系樹脂を貼り合わせたものを用いた。導体パターンの形成には、セミアディティブ法を用いた。セミアディティブ法における下地金属としては、厚みが３０〜８０ｎｍのニッケル−クロム合金から成る密着金属層に厚みが０．２５〜０．５μｍの銅薄膜をスパッタにより形成した。また、セミアディティブ法における電解銅めっき層としては５〜８μｍの厚みを被着させた。電解銅めっき液としては、荏原ユージライト社製のＶＦ−IVを用い、３０℃の温度で１．０Ａ／ｄｍ^２の電流密度で３０分間めっきを行なった。
次に、導体パターンの露出表面を低粗化タイプのナノ黒化処理液でエッチング処理した。このエッチング処理により半導体素子接続パッドの露出面の表面粗さは、１５０〜１０００ｎｍとなった。
次に、半導体素子接続パッドが形成された第１の絶縁層の上面に第２の絶縁層を積層した。第２の絶縁層としては、第１の絶縁層と実質的に同様のものを用いた。積層には、第２の絶縁層用の接着剤層を含む樹脂シートを絶縁層１の上に真空プレスにより貼り付けた後、１５０〜１８０℃の温度で１００分間加熱して熱硬化させる方法を採用した。
次に、第２の絶縁層にレーザ加工法を用いてビアホールを形成した。ビアホールは、その下に導体パターンが位置するように、リード接続パッドに対応する位置にそれぞれ１〜３個ずつ形成した。レーザとしては、３５５ｎｍＹＡＧレーザを用い、出力が０．５Ｗ、周波数４０ＫＨｚのレーザパルスを１２０ショット照射することにより各ビアホールを穿孔した。ビアホールの直径は、底面側で２３〜２７μｍ、開口部側で３０〜３５μｍであった。
続いて、第２の絶縁層の上面中央部に縦横がそれぞれ１５０ｍｍで、厚みが３０〜４０μｍのポリプロピレンから成る保護シートをアクリル樹脂系の粘着層を介して被着するとともに、上面側からプラズマを照射し、デスミア処理を行なった。プラズマ照射の条件はプロセスガスが酸素で、出力２００W、時間５分で行なった。このとき、第２の絶縁層の上面外周部は、算術平均粗さＲａで５０〜８０ｎｍに粗化された。なお、第２の絶縁層の上面中央部は保護シートにより保護されて粗化されなかった。
次に、保護シートを除去した後、第２の絶縁層の表面に幅が１００μｍで長さが１０００μｍのリード接続パッドを１５０μｍのピッチで１００個形成した。また、これと同時に各リード接続パッドの下のビアホール内をビア導体で充填した。リード接続パッドの形成には、上述した半導体素子接続パッドの場合と実質的に同様のセミアディティブ法を実質的に同様の条件で用いた。
次に、第２の絶縁層における各半導体素子接続パッドに対応する位置にレーザ加工法を用いて開口部を形成した。レーザとしては、３５５ｎｍＹＡＧレーザを用い、出力が０．５Ｗ、周波数４０ＫＨｚのレーザパルスを１２０ショット照射することにより各開口部を穿孔した。開口部の直径は、底面側で２３〜２７μｍ、開口部側で３０〜３５μｍであった。
続いて、上面側から開口部内および第２の絶縁層の表面にプラズマを照射し、デスミア処理を行なった。プラズマ照射の条件は、プロセスガスが酸素、出力２００W、時間５分で行なった。このとき、第２の絶縁層の上面中央部では、プラズマ照射により粗化されて算術平均粗さＲａが５０〜８０ｎｍの粗化面となった。また、第２の絶縁層の上面外周部の露出面では、２度目のプラズマ照射を受けてその算術平均粗さＲａが１００〜１５０ｎｍの粗化面となった。
最後に、開口部内に露出する半導体素子接続パッドの表面および第２の絶縁層上のリード接続パッドの表面に厚みが６〜８μｍの無電解ニッケルめっき層を被着させた。無電解ニッケルめっき液としては、上村工業社製のＮＰＲ４を用い、８５℃の温度でエア攪拌を行ないながら３５分間めっきを行い、実施例１の試料を作成した。

【0027】

また、比較例として、上述の実施例１と同様にして第２の絶縁層にビアホールを形成した後、第２の絶縁層の上面中央部に保護シートを被着しないでプラズマ照射した以外は上述の実施例１と同様にして比較のための試料を作成した。この比較のための試料では、第２の絶縁層の露出面の算術平均粗さは、１００〜１５０ｎｍであった。

【0028】

次に、実施例１の試料および比較のための試料について、半導体素子接続パッドに半導体素子をフリップチップ接続した。半導体素子としては、縦横がそれぞれ３ｍｍで厚みが０．３ｍｍのシリコンチップを用いた。半導体素子の下面には直径が５０μｍで高さが１０μｍの銅から成る端子が７０μｍのピッチで１０００個形成されものを用いた。半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとは、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金から成る半田を用いて接続した。半導体素子をフリップチップ接続した後の半導体素子と第２の絶縁層との隙間は６０〜８０μｍであった。さらに、各試料のリード接続パッドの各々に、銅系の合金よりなる、幅が５０μｍで厚みが５０μｍの平板型タイプのリード端子をＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金からなる半田で接続した。

【0029】

次に、各試料の半導体素子と第２の絶縁層との間に、エポキシから成る粘度が４０Ｐａｓの樹脂ペーストをディスペンサーにより２ｍｇ注入した後、７０〜１２０℃の温度で１時間加熱して樹脂ペーストを硬化させて封止樹脂を形成した。さらに、各試料のリード端子とリード接続パッドとの接続部にエポキシから成る粘度が４０Ｐａｓの樹脂ペーストをディスペンサーにより８００〜１５００ｍｇ滴下した後、７０〜１２０℃の温度で１時間加熱して樹脂ペーストを硬化させて補強樹脂を形成した。

【0030】

しかる後、封止樹脂が半導体素子から外側にはみ出した幅の最大値を測定した。また、リード端子を基板の上面に対して９０度の角度で引っ張り、リード端子がリード接続パッドから剥がれたときの力を測定し、それをリード端子の接続強度とした。さらに、クロスセクションを行い第２の絶縁層と封止樹脂との間におけるボイドの有無を確認した。その結果を表１に示す。

【0031】

【表1】

【0032】

表１から分かるように、本発明の実施例１の試料では封止樹脂のはみ出し幅は、４１０μｍであり、大きな広がりは認められなかった。これらに対し、比較のための試料では、封止樹脂のはみ出し幅は、１５６０μｍであり、大幅に樹脂上で広がり、またブリードアウトも発生した。また、本発明の実施例１の試料では、第２の絶縁層と封止樹脂との間にボイドの発生はなかった。これに対し、比較のための試料では、第２の絶縁層と封止樹脂との間に微小なボイドが観察された。なお、本発明の実施例１の試料および比較のための試料ではリード接続強度が０．４０〜０．５２ｋＮ／ｍであり十分に大きな強度を有していた。したがって、本発明による配線基板は、第２の絶縁層と封止樹脂との間にボイドが発生することがないとともに、封止用の樹脂ペーストが第２の絶縁層間表面に大きく広がることがなく、封止樹脂による封止の信頼性を高いものとすることができる。また、リード接続パッドとリード端子とを補強樹脂により強固に接続することができる。

【符号の説明】

【0033】

１ 第１の絶縁層
２ 第２の絶縁層
３ 半導体素子接続パッド
４ リード接続パッド
Ａ１ 半導体素子搭載部
Ａ２ リード接続部
Ｅ 半導体素子
Ｌ リード端子

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】