(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記光源は、レーザダイオード、発光ダイオード(LED)、端面発光レーザ(EEL)、垂直共振器面発光レーザ(VCSEL)、および表面発光ダイオードの中から選択される、請求項11に記載のヘッド。
【発明を実施するための形態】
【0010】
図は拡大縮小される必要はない。図面において用いられる同様の符号は、同様の要素を指す。しかしながら、ある特定の図における要素を指すための符号の使用は、同じ符号が付された別の図の要素に制限することを意図するものではない。
【0011】
詳細な説明
以下の説明において、説明の一部を形成する添付の図面の組が参照され、図面においては、図示によって、いくつかの特定の実施形態が示される。他の実施形態が意図されるとともに本開示の範囲または精神から逸脱することなくなされ得る、ということが理解されるべきである。したがって、以下の詳細な説明は限定する意味で解釈されるべきではない。
【0012】
それ以外が示されていなければ、明細書および請求項で用いられる形状、量および物理特性を表わすすべての数は、「約(about)」との用語によって、すべての例において変更されるということが理解されるべきである。したがって、逆に示されていなければ、上述の明細書および添付の請求項において説明される数値パラメータは、近似であって、その近似は、本明細書に開示された教示を利用する当業者によって取得されることが目指される、所望の特性に依存して変化し得る。
【0013】
端点による数値範囲の記載は、その範囲内に包含されるすべての数を含む(たとえば1から5は、1,1.5,2,2.75,3,3.80,4および5を含む)とともに、その範囲内の任意の範囲を含む。
【0014】
この明細書および添付の請求項において用いられるように、単数形「a」、「an」、「the」は、その内容が明らかにそれ以外を示さない限りは、複数の対象を有する実施形態を包含する。この明細書および添付の請求項において用いられるように、「または(or)」との用語は、その内容が明らかにそれ以外を示さない限りは、概して「および/または(and/or)」を含む意味において用いられる。
【0015】
「含む(include)」、「含んでいる(including)」等の用語は、網羅するものであり、限定するものではない。つまり、上記の用語は、包含するものであり、排他的なものではない。なお、「上(top)」および「下(bottom)」(あるいは「上(upper)」、「下方(lower)」のような他の用語)は、相対的な記載として厳密に用いられるものであり、記載された要素が配置される対象の、あらゆる全体的な方向を含むものではない。
【0016】
図1は、例示的なディスクドライブ100の平面図である。ディスクドライブ100は、ディスクドライブ100のさまざまな要素が実装されるベース102を含む。上部カバー104は、部分的に切断されて示されているが、ベース102とともに、従来の方法で、ディスクドライブのための内部の清浄な環境を形成する。構成要素は、1以上の記録媒体ディスク108を一定の高速度で回転させるスピンドルモータ106を含む。情報は、アクチュエータアセンブリ110の使用によって、ディスク108のトラックに書込まれるとともにトラックから読出されるが、アクチュエータアセンブリ110はシーク動作の間にディスク108に隣接して位置するベアリングシャフトアセンブリ112の周りを回転する。アクチュエータアセンブリ110は、ディスク108に向かって延びる複数のアクチュエータアーム114を含み、複数のアクチュエータアーム114は、各々のアクチュエータアーム114から延びる1以上の湾曲部116を有する。各々の湾曲部116の遠位端にはヘッド118が実装され、ヘッド118は空気ベアリングスライダを含み、空気ベアリングスライダは、関連するディスク108の対応の表面に接近した状態でヘッド118が浮上することを可能にする。浮上する間のヘッド118と記録媒体表面との間の距離は、浮上高さと呼ばれる。
【0017】
シーク動作の間、アクチュエータアセンブリ110は、ベアリングシャフトアセンブリ112の周りで旋回し、トランスデューサヘッド118はディスク108の表面を横断するように動かされる。フレックスアセンブリ130は、動作の間にアクチュエータアセンブリ110の旋回動作を可能にしながら、アクチュエータアセンブリ110のための必要な電気的接続経路を提供する。フレックスアセンブリ130は、また、スライダ実装レーザ光源(on-slider laser light source)のための電力を供給する。
【0018】
1つの実現例において、レーザ光源119(たとえばレーザダイオード)または他の光源(たとえば発光ダイオード(LED))は、ヘッド118スライダの後部表面に実装される。レーザ光源119からの光は、同じくヘッド118スライダの後部表面上にある、導波路に方向付けられる。光は次に、ミラーによって、再度方向付けられる、および/または、ヘッド118の書込磁極に近接するディスク108の点に焦点を合わせられる。近接場トランスデューサ(NFT)をヘッド118スライダに実装して、光をさらに、ディスク108上の点に集中させてもよい。別の実現例において、1以上のレーザ光源119、導波路、ミラーおよび/またはNFTが、スライダから離れたヘッド118の領域、または、後部表面とは異なるヘッド118スライダ表面上に実装される。
【0019】
図2は、光源(たとえばレーザダイオード)214と、導波路216と、ミラー218,220とが実装された、磁気媒体ディスク204に接近して浮上するように構成された、トランスデューサヘッドスライダ202の後部表面の例示的部分等角図である。レーザダイオード214と、導波路216と、ミラー218,220とは、集合的に、スライダ内レーザ光伝達システム200の1つの実現例を形成する。本明細書で開示される導波路は、例示的な、スライダ内レーザ(laser-in-slider)光伝達システム200における導波路216として利用可能である。
【0020】
スライダ202はアクチュエータアームの一方の端に位置するとともに、サスペンション222で磁気媒体ディスク204上に吊下げられるが、サスペンション222は、湾曲部と呼ばれることもある。サスペンション222は、ディスク204が動作中に回転するのに伴って、スライダ202がディスク204に接近して浮上することを可能にする。スライダ内レーザ光伝達システム200は、スライダ202の後部表面に取付けられるように示されているが、他の実現例では、システム200は、スライダ202の他の表面および/またはトランスデューサヘッドに取付けられてもよい。
【0021】
レーザ光源(たとえばレーザダイオード214)または他の光源(たとえば発光ダイオード(LED))が、スライダ202の後部表面に実装されるように示される。導波路216は、レーザダイオード214のすぐそばに配置される。
【0022】
光線234(
図2においては小さな矢印で示されている)は、レーザダイオード214(いくつかの実現例においては端面発光レーザダイオード214である)から発せられて、概して、Z方向において導波路と結合される。導波路216は、本明細書で説明されるような、さまざまな層を含むことができる。
【0023】
実施の形態において、導波路はテーパ部分217を有し得る。導波路216のテーパ部分217は、より縮められたモードプロファイルへと光を閉じ込める機能を有することができる。光の強度に関する、導波路平面(
図2においてはX方向)に垂直な寸法および形状を、光のモードプロファイルと呼ぶ。
図2に示される実現例において、導波路216の一部分は、ミラー218,220によって占有される領域内において損傷を受けない。導波路216の別の部分は、エッチングにより取除かれてテーパ部分217を形成する。
図2の導波路216のテーパ部分217は、Z方向に直線状のテーパを有し、光が導波路216に入る部分であるレーザダイオード214の近くの狭い開口部(すなわち導波路入口)と、導波路216のテーパ部分217から光が出る部分である広い開口部とを有する。しかしながら、他の実現例において、テーパ部分217は非線形であってもよく、導波路216の一方の部分から他方の部分へと高速のモード伝送を実現するために最適化されたさまざまな形状も採用し得る。
【0024】
導波路216のテーパ部分217の出口における、テーパ部分217の幅は、テーパ部分217から出る光線234の発散量が最小であるものの、その光線234が、なおもシングルモードであるように選択され得る。いくつかの実現例において、テーパ部分217から出る光線234は、基本モードである。テーパ部分217の出口の幅は、光線234が、平面内の低い開口数を有するコリメートミラー218によってコリメートされて製造許容度を達成できるように、できるだけ広く選ばれてもよい。チャネル導波路を利用して、テーパ部分217から近接場トランスデューサが配置され得る空気ベアリング表面、またはその空気ベアリング表面の近くへと光線234を導く実現例において、テーパ部分217の出口および導波路テーパの幅は、チャネル導波路を伝搬する光線234が縮まって閉じ込められるように最適化され得る。
【0025】
テーパ部分217を出る光線234は、コリメートミラー218に向けて方向付けられる。コリメートミラー218は、軸ずれした、単一の側壁を持つ放物面ミラーとすることができる。コリメートミラー218は、導波路216のテーパ部分217から出た、発散した光線234を、平行またはほぼ平行にして、コリメートされた光線234を集束ミラー220に再度方向付ける。コリメートされた光線234は−Y方向に、集束ミラー220に向けて進み、導波路コアによってX方向に閉じ込められる。集束ミラー220は、二重側壁の放物面ミラーであってもよく、コリメートされた光線234を、回折制限された光スポット224へと集束する。いくつかの実現例において、回折制限された光スポット224を、磁気媒体ディスク204上の位置に合焦させることができる。別の実現例において、回折制限された光スポット224は、近接場トランスデューサに焦点を合わせられる。近接場トランスデューサは、磁気媒体ディスク204上の位置に光線234をさらに集めるように機能する。
【0026】
図2は、コリメートミラー218および集束ミラー220の一方向を示している。しかしながら、他の実現例では、コリメートミラー218および集束ミラー220のサイズ、形状および/または方向を変更させてもよい。さらに、いくつかの実現例では、光線234を再度方向付ける、および/または、光のモードプロファイルに位相シフトをもたらすために、平面ミラーが用いられてもよい。他の実施形態が説明されている、同じく出願番号が付された米国特許出願番号12/613458の全体を本明細書に援用する。
【0027】
図3は、例示的な導波路300を示す。導波路300は、第1のクラッディング層310と、屈折率勾配(本明細書では、「GRIN」とも呼ぶ)層315と、アシスト層320と、コア層325と、第2のクラッディング層330とを含むことができる。
図3に示されるように、第1のクラッディング層310と第2のクラッディング層330とは残りの層の両側に位置する。コア層325はアシスト層320に隣接して位置し、任意選択的に、この実施形態では、コア層325は第2のクラッディング層330にも隣接して位置する。アシスト層320は、概してGRIN層315とコア層325との間に位置する。アシスト層320は、また、GRIN層315に隣接して位置するように記載され得る。GRIN層315は、第1のクラッディング層310と隣接して位置するように記載され得る。導波路300の全体は、基板305上に位置するか、あるいは、基板305上またはその中に形成され得る。その代わりに、導波路は基板を含むものとして記載されてもよい。
【0028】
導波路300のさまざまな層は、さまざまな材料から作成可能であるともに、さまざまな屈折率を有し得る。実施の形態において、導波路300は、第1の屈折率n
1を有するコア層325と、第2の屈折率n
2を有するアシスト層320と、第3の屈折率n
3を有する第1のクラッディング層310と、第4の屈折率n
4を有する第2のクラッディング層330とによって説明することができる。第1、第2、第3および第4の屈折率は、さまざまな方法で関連付けることができる。
【0029】
ある実施の形態において、n
1はn
2,n
3,n
4よりも大きい。ある実施の形態において、n
1は実質的にn
2,n
3,n
4よりも大きい。ある実施の形態において、n
2はn
3およびn
4よりも大きい。ある実施の形態において、n
2は実質的にn
3およびn
4よりも大きい。いくつかの実施の形態において、n
1およびn
2は独立に、n
3およびn
4の両方よりも大きい。いくつかの実施の形態において、n
3およびn
4は実質的に同じであってもよい。いくつかの実施の形態において、n
3およびn
4は同じであってもよい。いくつかの実施の形態において、第1のクラッディング層310と第2のクラッディング層330とは同じ材料から形成され、したがって同じ屈折率を有していてもよい。
【0030】
第1のクラッディング層310と第2のクラッディング層330とは、独立に、所望の屈折率を有する材料から形成される。それらのクラッディング層は、概して誘電体である材料から形成可能であり、低い屈折率を有することができる。例示的な材料は、たとえばAl
2O
3(アルミナ),SiO
2およびMgF
2を含むことができる。第1のクラッディング層310と第2のクラッディング層330とは、同じ材料から形成されてもよく、異なる材料から形成されてもよい。いくつかの実施形態において、第1のクラッディング層310と第2のクラッディング層330とは同じ材料から形成される。第1のクラッディング層および第2のクラッディング層は、概して十分に厚く、したがって、その構成は導波路として機能する。
【0031】
アシスト層320は、概して誘電体である材料からなるとともに第1のクラッディング層310と第2のクラッディング層330との屈折率よりも高い屈折率を有し得る。アシスト層320は、概して光源(たとえば
図2のレーザダイオード214)からコア層325への光結合効率を高めるように機能することができる材料により形成可能である。例示的な材料は、たとえばSiON
x,ZnS−SiO
2を含み得る。アシスト層325の厚みは、導波路300の入口での導波路のモードプロファイルが、光源(たとえば
図2のレーザダイオード214)のモードプロファイルに実質的に一致するように選択可能である。
【0032】
コア層325は、概して誘電体であり、第1のクラッディング層310と、第2のクラッディング層330と、アシスト層320との屈折率よりも高い、あるいは実質的に高い屈折率を有する材料から形成可能である。コア層325の特性と、導波路300内のコア層325の周囲の材料とのため、コア層325は、コア層325内で光を閉じ込めるように機能することができる材料から形成可能である。したがってコア層325は、
図2に見られるように、光が導波路300の外にのみ出ていくことを可能にする。例示的な材料は、たとえばTa
2O
5,TiO
x,SiN
x,SiC,ZnS,Nb
2O
5を含むことができる。コア層325の厚みは、導波路300のモードプロファイルが、光源(たとえば
図2のレーザダイオード214)のモードプロファイルに実質的に一致するように選択可能である。
【0033】
GRIN層315は、概して、局部屈折率が、たとえばX軸(
図2に示される)のような軸に沿って変化するように作成可能である。可変の屈折率は、概して、第1のクラッディング層310の近くよりも、アシスト層320の近くにおいて大きい。光の性質により、GRIN層315は、光をアシスト層320へと屈折させるであろう。GRIN層315を形成する1つの例示的な方法は、2つの異なる材料を一緒に蒸着することである。GRIN層315を形成するさらに別の例示的な方法は、複数の二重層を蒸着することである。
【0034】
図4Aは、GRIN層415の例示的な実施の形態を示す。このGRIN層415は、4組の二重層416a,416b,416c,416dを含む。いくつかの実施の形態において、GRIN層は、たとえば、複数の二重層、少なくとも3組の二重層、少なくとも4組の二重層、少なくとも5組の二重層、あるいは任意の数の二重層を含み得る。個々の組の二重層、たとえば二重層416aは、第1の層417aと第2の層418aとの2つの層を含む。個々の組の二重層の全体厚みは、任意の他の組の二重層の全体の厚みと同じであってもよく、異なっていてもよい。ある実施の形態において、GRIN層において各組の二重層は、他の組の二重層と同じ厚みを有する。各組の二重層は、光源からの光の波長よりも小さい、全体厚みを有していてもよい。いくつかの実施の形態において、各組の二重層は、光源からの光の波長の1/2よりも小さい、全体厚みを有し得る。
【0035】
明確さのため、図示された実施の形態における各々の二重層での「第1の層」とは、底部または第1のクラッディング層310により近い層である。いくつかの実施の形態において、第1の層417aは、第2の層418aと異なる屈折率、異なる材料、異なる厚み、あるいはそれらのいくつかの組合せを有することができる。いくつかの実施の形態において、第1の層417a,417b,417c,417dは、それらの対応する第2の層418a,418b,418c,418dよりも高い屈折率を有することができる。いくつかの実施の形態において、第1の層417a,417b,417c,417dは、それらの対応する第2の層418a,418b,418c,418dと異なる厚みを有することができる。いくつかの実施の形態において、第1の層417a,417b,417c,417dは、それらの対応する第2の層418a,418b,418c,418dと異なる材料から形成されることができる。いくつかの実施の形態において、第1の層417a,417b,417c,417dは、同じ屈折率を有する同じ材料から形成可能であるが、異なる厚みを有していてもよい。第2の層418a,418b,418c,418dは同じ屈折率を有する、同じ材料(ただし第1の層417a,417b,417c,417dの材料とは異なる)から形成可能であるが、異なる厚みを有していてもよい。各組の二重層416a,416b,416c,418dは同じ全体厚みを有していてもよい。
【0036】
図4Bは、例示的なGRIN層415bを含む導波路の一部の具体的な実施の形態を示す。導波路のこの部分は、SiON
xからなり、約500nmの厚みを有するアシスト層420と、Al
2O
3からなる第1のクラッディング層410とを含む。GRIN層415bは、5つの二重層466a,466b,466c,466d,466eを含む。各々の二重層は、約350nmの全体厚みを有する。各々の二重層は、Al
2O
3の層と、SiON
xの層とを含む。
図4に見られるように、各々の二重層の個々の層の厚みは、二重層毎に異なっている。
【0037】
いくつかの実施の形態において、横電場(TE)モードの場合のGRIN層の材料の屈折率および各々の層の厚みは、以下の式に従って表わすことができる。ここで、n
effは、二重層の有効屈折率であり、n
1は第1の層の屈折率であり、n
2は、第2の層の屈折率であり、t
1は、第1の層の厚みであり、t
2は第2の層の厚みである。
【0039】
横磁場(TM)モードの場合、n
effは次のように表わされる。
【0041】
材料が決定され、それによってその材料の屈折率が決定される(材料の選択は、少なくとも一部において、導波路の他の材料、製造条件、材料の耐久性、本明細書では記載されていない他の条件、およびこれらの組合せに基づくことができる)と、この式は、二重層における個々の層の厚みを決定するために用いることができる。したがって、第1のクラッディング層310の近くよりもアシスト層320の近くにおいて概して大きくなる可変の屈折率を有するという、GRIN層全体の機能が達成される。いくつかの実施の形態において、GRIN層のX方向に沿った屈折率は、双曲線正割関数に従って変化する。
【0042】
図5は、垂直方向配置(
図2に示されるように、X方向)の場合の光の伝達を示す。光源340から出てGRIN層315に入る光は、光の性質により、アシスト層320に向けて方向づけられて、最終的に、コア層325に入る(その後で、任意選択的に、さらにミラーで方向付けられることができるが、これについては、同時係属の、出願番号が付された米国特許出願番号12/613458に示されている)。
【0043】
図6は、導波路500の別の実施形態を示す。この例示的な実施形態は、これまでに説明されるように、第1のクラッディング層510と、第2のクラッディング層530と、コア層525とを含む。導波路500は、また、第1のGRIN層515を含み、GRIN層515は、これまでと同様に第1のクラッディング層510に隣接する。導波路500は、また、第2のGRIN層540を含み、GRIN層540は、第2のクラッディング層530に隣接する。第1のGRIN層515と第2のGRIN層540とは、同じでも異なっていてもよく、上記のように形成可能である。導波路500は、また、これまでと同様に、第1のGRIN層515とコア層525とに隣接する第1のアシスト層520と、第2のGRIN層540とコア層525とに隣接する第2のアシスト層535とを含む。第1のアシスト層520と第2のアシスト層535とは、同じであっても異なっていてもよく、上記のように形成可能である。第2のアシスト層535の屈折率は、第1のアシスト層520の屈折率n
2と同じであってもよく、異なる屈折率(n
5)であってもよい。第2のアシスト層535が異なる屈折率(n
5)を有するいくつかの実施の形態において、屈折率n
5は、n
1よりも小さく、n
3およびn
4よりも大きくてもよい(ここでn
1,n
3,n
4は上記のとおりである)。
【0044】
導波路の1以上の部分または層は、Z方向にテーパが付けられる(
図2に示す)。
図7は、導波路のコア層のみにテーパが付けられた例示的な実施形態を示す。
図7に見られるように、コア層325は直線的なテーパを有するが、コア層のテーパは、直線的である必要はなく、相対的に高い効率で、アシスト層320(
図7に示されず)からコア層325への高速なモード変換を実現できる任意の形状とすることができる。
図7に示されたテーパは、入口(光源340に最も近い場所)の方が、その出口よりも狭い。テーパの出口の幅は、導波路がシングルモード導波路となるように設定可能である。チャネル導波路による光伝達が望まれる場合、出口の幅、すなわち後ろの方のチャネル導波路の幅は、強い閉じ込めモードを実現するように選択されてもよい。(たとえばミラー218および220のような)ミラーが光を集束させるために用いられるならば、出口の幅は、できるだけ広くなるように選ばれて、導波路のテーパから出る光が、低いf値を有するミラーでコリメートされてもよい。
【0045】
別の実施形態において、コア層、アシスト層、およびGRIN層のすべてにテーパを付けることができる。例示的な実施形態では、
図8Aおよび
図8Bに見られるように、コア層825は、アシスト層820およびGRIN層815とは異なるようにテーパが付けられることができる。
図8Aに見られるように、第1のクラッディング層810は、基板805上または基板805に隣接して位置する。GRIN層815は、第1のクラッディング層810上または第1のクラッディング層810に隣接して位置する。アシスト層820は、GRIN層815上、またはGRIN層815に隣接して位置する。コア層825は、アシスト層820上、またはアシスト層820に隣接して位置する。すべての層は、上記のように、それぞれの特性および材料を有することができる。
図8Aおよび
図8Bに示された実施の形態は、図示されていない別の層、たとえば、第2のクラッディング層、あるいは、第2のクラッディング層と、第2のアシスト層と、第2のGRIN層とを有してもよい。
【0046】
図8Bに示されるように、コア層825は、パターン付けられて、レーザダイオードに対向する幅(w
2)が、導波路の出口の幅(w
3)よりも狭い導波路テーパを形成することができる。レーザダイオードから出た光は、まずアシスト層820に結合されて、次に導波路テーパに沿ったモード変換を通じてコア層825に結合される。導波路テーパは、直線的であってもよく、高い効率でアシスト層からコア層825への高速モード変換を実現できる任意の他の形状であってもよい。GRIN層815とアシスト層820とは、幅W
1のチャネル導波路となるようにパターン付けられて、追加のクラッディング材料850によって閉じ込められる。追加のクラッディング材料850は、第1のクラッディング層810および第2のクラッディング層(図示せず)と同じであってもよく、異なっていてもよい。チャネル幅W
1は、伝達方向に沿って一定であってもよく、最適化された光効率のためにテーパが付けられていてもよい。コア層825のテーパは、また、平均幅w
avgによって記述することができる。いくつかの実施の形態において、w
avgは、約0.05μmから約50μmまでの範囲を取り得る。その中のいくつかの実施の形態において、w
avgの範囲は、約0.1μmから約0.5μmまでの範囲を取り得る。
【0047】
図8Aに示されるように、いくつかの実施の形態において、それぞれの層のさまざまな特性がさまざまな効果をもたらし得る。たとえば、アシスト層820の厚みは、x軸における光源の出力のモードプロファイルと一致するように設定可能である。w
1は、y軸における光源のモードプロファイルに一致するように設定可能である。w
avgは、コア層825の有効モード指数がアシスト層820の有効モード指数と等しくなるように設定可能である。
【0048】
図1で示されるように、本明細書ではヘッドが開示され、ヘッドは本明細書で開示される導波路を含むことができる。そのような例示的なヘッドは、光源も含むことができる。例示的な光源は、たとえば、レーザダイオード、発光ダイオード(LED)、端面発光レーザダイオード(EEL)、垂直共振器面発光レーザ(VCSEL)、および表面発光ダイオードを含むことができる。
【0049】
本明細書では、ディスクドライブもまた開示される。そのようなディスクドライブは、本明細書で説明されるような光導波路を含む。
図1には、例示的なディスクドライブが示される。ディスクドライブは、湾曲部を有する少なくとも1つのアクチュエータアームと、少なくとも1つのヘッドとを含むことができるが、各々の湾曲部は、その遠位端ヘッドを有し、各々のヘッドは、光源と、磁気リーダと、磁気ライタとを含むことができる。
【0050】
本明細書で開示された導波路の実現例は、具体的には、熱アシスト磁気記録技術の適用に関して説明されているが、ここに開示される技術は、非常に低い損失で正確に光を伝達することが望まれる任意の光学系(たとえばフォトニック集積回路)も同様に適用可能である。たとえば、ここに開示される技術は、光ファイバ通信システム、生物医学装置、およびフォトニック演算装置等に適用されてもよい。
【0051】
本明細書に開示されるような導波路は、一般的に利用可能な技術を用いて作製可能であり、そのような技術は、たとえば、物理気相成長(PVD)、化学気相成長(CVD)および原子層蒸着(ALD)のような蒸着技術、反応性イオンエッチング(RIE)、化学エッチング、化学機械研磨(CMP)のようなエッチング技術を含む。
【0052】
実施例
この開示は特に限定されるものではないが、以下に与えられる実施例の説明を通じて、本開示のさまざまな態様の理解が得られるであろう。
【0053】
実施例1:テーパの付いたコア層を有する光導波路
図4Bに記載され、
図7と同様にテーパが付けられた(コア層のみにテーパが付けられた)のと同じ導波路が、GRIN層を含むことの利点を示すためにモデルにされた。モデリングにおいて、コア層(
図3に示すコア層325)は、屈折率n=2.10を有する、厚み120nmのTa
2O
5とし、クラッディング層(
図3における第1のクラッディング層310および第2のクラッディング層330)は、屈折率n=1.65を有するAl
2O
3とし、アシスト層(
図3におけるアシスト層320)は、屈折率n=1.70を有するSiON
xであるとした。GRIN層は、5つの二重層を含み、各々の二重層は、
図4Bに示されるように、Al
2O
3の層およびSiON
xの層を有した。各々の二重層は、350nmの厚みと、それらの間で直線的に変化する厚みの比(
図4Bに示すとおり)を有し、その結果、横電場(TE)導波路モードの場合に有効屈折率における直線的な変化を生じさせた。GRIN層において切断はないものとした。コア層は、Al
2O
3によって囲まれたTa
2O
5の導波路テーパにより構成された。テーパは直線的であり、開始幅w
2=100nmであり、終了幅w
3=600nmであり、長さL=100μmであった(w
2,w
3,Lについては
図8Bを参照)。レーザダイオードは、導波路平面(YZ平面)に対して平行な接合を有する端面発光素子であった。出力端面における半値全幅ビームサイズは、接合に対して直交する方向に0.487μmであり、接合に対して平行な方向に2.43μmであった。
【0054】
図9は、ダイオードの垂直方向の位置Xに対する、計算された光伝達効率を示す。効率<70%となるに従い、GRIN層が垂直方向の位置を改善していることが明らかである。たとえば、効率=50%におけるXの幅は、1μmから1.4μmに増大する。
【0055】
図10は、上記の導波路とダイオード光源との結合効率を示す。
図10に示されるように、GRIN層を追加することによって、結合効率が高くなるところで、より幅広いピークを得ることができる。これは、光源と導波路との位置合わせにおいて許容度を低くすることができる点において有利である。
【0056】
実施例2:テーパの付いたコア層と、アシスト層と、チャネルを有するコア層とを有する光導波路
この実施例では、屈折率n
1=2.10を有する、厚み120nmのTa
2O
5のコア層と、パターン化されたGRIN層およびアシスト層に対するクラッディング材料と同様であり、屈折率n
3,n
4=1.65である、Al
2O
3の第1および第2のクラッディング層とがモデルとされた。アシスト層は、屈折率n
2=1.70である、厚み500nmのSiO
xN
yであった。GRIN層は、n(x)=n
0sech[α(h−x)]という双曲線正割屈折率プロファイルを有するものであった。なお、n
0=1.69であり、α=0.12(μm)
-1であった。hは、アシスト層と、GRIN層との界面において、n=n
0となるように定められた。GRIN層の全体厚みは1.75μmであり、GRIN層は、5つの[Al
2O
3(t
1)/SiO
xN
y(t
2)]二重層構造を有していた。各々の二重層の厚みは固定されて、波長以下であり、t
1+t
2=350nmであった。TE(横電場)モードの場合、1つの二重層における各々の層の局部厚みは、以下の式に従って決定される。
【0058】
ここで、n
1はAl
2O
3の屈折率を示し、n
2はSiO
xN
yの屈折率を示す。コア層における導波路テーパは、開始幅W
2=100nmであり、終了幅W
3=700nmであり、長さL=100μmであった。レーザダイオードは、導波路平面(YZ平面)に対して平行な接合を有する、TEモードの端面発光素子であった。出力端面における半値全幅ビームサイズは、接合に対して直交する方向に0.487μmであり、接合に対して平行な方向に2.43μmであった。
【0059】
図11に示されるように、GRIN層およびアシスト層の幅W
1が変化した。
図11は、さまざまなチャネル幅W
1における、ダイオードの垂直方向位置Xに対する、計算された入力結合効率を示す。W
1が無限大であるとは、GRIN層とアシスト層とがパターン化されていないことを意味する。
図12は、チャネル幅w=4μmでのパターニングが、パターニングのない場合(wが無限大)に比較して、ピーク効率を20%高めていることを示し、これは、GRIN層がない場合と同程度にピーク効率を高めている。効率が64%の場合、パターン化された構造は、また、レーザダイオードと導波路との間の垂直方向の位置の許容範囲を、60%改善している。
【0060】
繰り返すが、位置の許容度を改善することによって、製造方法におけるより大きな許容度が可能となる。
【0061】
実施例3:2つのGRIN層を有する光導波路
この実施例でモデル化された導波路は、屈折率n=1.65のアルミナ(Al
2O
3)の第1のクラッディング層と、上記の実施例2で説明されたGRIN層と、屈折率n
2=1.70の、300nmの厚みを有するSiO
xN
yと、屈折率n
1=2.10の厚み120nmのTa
2O
5と、屈折率n
2=1.70の厚み300nmのSiO
xN
yと、上記の実施例2で説明されたGRIN層と、屈折率n=1.65のアルミナ(Al
2O
3)の第2のクラッディング層とを含むものであった。コア層(Ta
2O
5)は、開始幅w
2=20nmおよび100nm(
図12を参照)、および終了幅w
3=700nmのテーパを有し、テーパは、L=100μmの長さを有する。
図12に示されるように、64%あるいはそれ以上の効率において、ピーク効率は87%から80%まで低下するが、位置合わせの許容度は0.72μmから1.356μmまで増大する。
【0062】
このように、光伝達導波路の実施の形態が開示される。上記の実現例および他の実現例は、以下に続く特許請求の範囲の範囲内である。当業者は、この開示がそれら開示以外の実施形態によって実施可能であることを理解するであろう。開示された実施形態は、図示の目的で提示されるものであって制限することを目的とするものではない。