特許 5798932 電子部品パッケージの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5798932

(24)【登録日】2015年8月28日

(45)【発行日】2015年10月21日

(54)【発明の名称】電子部品パッケージの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/02 20060101AFI20151001BHJP

   H01L 41/18 20060101ALI20151001BHJP

   H01L 41/22 20130101ALI20151001BHJP

【ＦＩ】

   H01L23/02 D

   H01L41/18 101A

   H01L41/22

【請求項の数】5

【全頁数】13

(21)【出願番号】特願2012-2369(P2012-2369)

(22)【出願日】2012年1月10日

(65)【公開番号】特開2013-143444(P2013-143444A)

(43)【公開日】2013年7月22日

【審査請求日】2014年11月14日

(73)【特許権者】

【識別番号】000002325

【氏名又は名称】セイコーインスツル株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100154863

【弁理士】

【氏名又は名称】久原 健太郎

(74)【代理人】

【識別番号】100142837

【弁理士】

【氏名又は名称】内野 則彰

(74)【代理人】

【識別番号】100123685

【弁理士】

【氏名又は名称】木村 信行

(72)【発明者】

【氏名】中村 敬彦

(72)【発明者】

【氏名】竹内 均

(72)【発明者】

【氏名】上月 敦詞

(72)【発明者】

【氏名】荒武 潔

(72)【発明者】

【氏名】沼田 理志

【審査官】 木下 直哉

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１０−０５６２３２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−１０３４７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２００９／１０４３０９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 国際公開第２００３／００７３７０（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２３／０２−２３／１０

Ｈ０１Ｌ ２３／１２−２３／１５

Ｈ０１Ｌ ４１／１８

Ｈ０１Ｌ ４１／２２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ガラス製のベース材を上下に貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔に前記ベース材よりも融点の低い低融点ガラスを塗布して、前記貫通孔に挿入した際に当該貫通孔より一部が突出する突出部を備えた導電部材を挿入し、当該導電部材を前記低融点ガラスで周囲を覆うように溶着する工程と、
前記ベース材を上下方向から研磨して前記突出部を除去する工程と、
前記導電部材の前記突出部が除去された側の端部に電子部品を搭載する工程と、
前記導電部材の前記突出部が除去された側の端部と反対側の端部近傍の周面を覆う低融点ガラスをエッチング加工し、当該エッチング加工した部分に絶縁樹脂を形成する工程と、
前記導電部材の前記反対側の端部の端面に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜を介して前記導電部材と外部電極とを電気的に接続する工程と、
を含むことを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。

【請求項2】

前記電子部品を搭載する工程は、
前記導電部材の前記突出部が除去された側の端部に内部配線を形成する工程と、
前記内部配線の上面に配置された接続部材で前記電子部品を下面より支持する工程と、
前記ベース材と対向する面に凹部を有したカバー材を当該ベース材に接合して前記電子部品を前記凹部内に封止する工程と、
を含んでなることを特徴とする請求項１に記載の電子部品パッケージの製造方法。

【請求項3】

前記金属膜を形成する工程において、前記金属膜を形成した後に前記絶縁樹脂を除去することを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品パッケージの製造方法。

【請求項4】

前記絶縁樹脂は溶剤によって溶解することで除去されることを特徴とする請求項３に記載の電子部品パッケージの製造方法。

【請求項5】

１つの前記ベース材上に複数の電子部品を一括形成した後、前記電子部品単位で個片化する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の電子部品パッケージの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は水晶振動子や圧電素子に代表される電子部品を収納する電子部品パッケージの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

水晶振動子は周波数特性に優れているため、デバイス、具体的にプリント基板実装部品の一つとして多用されている。ただし、水晶振動子の特性を安定させるには、外気の影響を遮断するため密封容器に入れることが望ましい。この様なパッケージ構造の例は、「ガラス−セラミック複合体およびそれを用いたフラットパッケージ型圧電部品」（特許文献１）などで提案されている。

【0003】

上記構造例によれば、ベース部材に水晶片を納め、キャップ部材を被せてなるパッケージにおいて、水晶片とほぼ同じ熱膨張率の材料でパッケージを構成することを特徴とし、セラミックスにガラス粉末を混合したものでパッケージを構成するというものである。

【0004】

しかし、当該パッケージはガラス−セラミック複合体であるため、１個のベース部材に水晶片を載せ、キャップ部材を被せるところの単品生産によって生成されるので、生産性が著しく低い。加えて、ガラス−セラミック複合体は加工が難しく、生産コストが嵩む。

【0005】

これらの欠点を解消するべく、パッケージを加工容易なガラスで製造する方法が提案されており、「電子部品パッケージ」（特許文献２）などが提案されている。

【0006】

図７を用いて特許文献２に記載の従来技術の概要を説明する。特許文献２によれば、ベース部材１１０に貫通孔を作製する工程（ａ）、貫通孔に低融点ガラスを流し込み、金属ピン１２０をはめ込む工程（ｂ）、金属ピン１２０を押し込むと共に、ガラス板を凹状に加工する工程（ｃ）、電極１３０を印刷によって形成する工程（ｄ）、水晶振動子等の部品１４０を金属ピンに搭載する工程（ｅ）、封止材１５０を介してキャップ部材１６０とベース部材１１０を封止接合する工程（ｆ）を経て、電子部品パッケージ１００を製造する方法が提案されている。この中で（ｃ）の工程において、加熱温度をガラスの軟化点温度（約１０００℃）以上にしてガラスを溶着させることで、ベース部材１１０に密着固定した金属ピン１２０を得ることができるため、工程（ｆ）で確実に機密性を保つことができ、低コストで製造できる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】特開平１１−３０２０３４号公報

【特許文献2】特開２００３−２０９１９８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

しかしながら、上述の電子部品パッケージ１００の製造方法の工程（ｃ）において、図８に示す課題がある。即ち、（ｃ−１）に示すように金属ピン１２０がベース部材１１０の厚みに比べて短い、あるいは、金属ピン１２０の押し込み量が少ないと、金属ピン１２０の周面が低融点ガラス１７０に包まれてしまうため、工程（ｄ）で形成する電極１３０との導通性が確保できない。また、（ｃ−２）に示すように、設計通りに金属ピン１２０を押し込めても、ベース部材１１０がガラスの軟化点以上の温度にさらされているため、ガラスが金属ピン１２０の先端をカバーすることが懸念される。さらには、（ｃ−３）に示すように、金属ピン１２０が約１０００℃の温度にさらされ、金属ピン１２０の周囲に酸化膜１８０が成長し、電極１３０と電子部品１４０とが、導通しなくなるという課題がある。

【0009】

そこで、本発明の目的は、生産性が良く、しかも電子部品と外部電極との導通性を確保した電子部品パッケージの製造方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0010】

上述した課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。
請求項１に記載の発明は、電子部品パッケージの製造方法であって、ガラス製のベース材を上下に貫通する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に前記ベース材よりも融点の低い低融点ガラスを塗布して、前記貫通孔に挿入した際に当該貫通孔より一部が突出する突出部を備えた導電部材を挿入し、当該導電部材を前記低融点ガラスで周囲を覆うように溶着する工程と、前記ベース材を上下方向から研磨して前記突出部を除去する工程と、前記導電部材の前記突出部が除去された側の端部に電子部品を搭載する工程と、前記導電部材の前記突出部が除去された側の端部と反対側の端部近傍の周面を覆う低融点ガラスをエッチング加工し、当該エッチング加工した部分に絶縁樹脂を形成する工程と、前記導電部材の前記反対側の端部の端面に金属膜を形成する工程と、前記金属膜を介して前記導電部材と外部電極とを電気的に接続する工程と、を含むことを特徴とする。
このようにすることで、溶着時に生成した酸化膜を取り除いた後に、導電部材表面に酸化膜の成長を防ぐことができるため、電子部品と外部電極との導通を確保できる。

【0011】

また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の電子部品パッケージの製造方法であって、前記電子部品を搭載する工程は、前記導電部材の前記突出部が除去された側の端部に内部配線を形成する工程と、前記内部配線の上面に配置された接続部材で前記電子部品を下面より支持する工程と、前記ベース材と対向する面に凹部を有したカバー材を当該ベース材に接合して前記電子部品を前記凹部内に封止する工程と、を含んでなることを特徴とする。

【0012】

また、請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の電子部品パッケージの製造方法であって、前記金属膜を形成する工程において、前記金属膜を形成した後に前記絶縁樹脂を除去することを特徴とする。
このようにすることで、絶縁樹脂による導通不良を回避し、確実に導電部材と外部電極の電気的接続箇所を確保できる。

【0013】

また、請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の電子部品パッケージの製造方法であって、前記絶縁樹脂は溶剤によって溶解することで除去されることを特徴とする。
このようにすることで、フォトリソグラフィの工程を設けることなく、また、マスク等を用いずに導電部材端面のみに金属膜を形成できる。

【0014】

また、請求項５に記載の発明は、請求項１〜４の何れか一項に記載の電子部品パッケージの製造方法であって、１つの前記ベース材上に複数の電子部品を一括形成した後、前記電子部品単位で個片化する工程をさらに備えることを特徴とする。
このようにすることで、一括して製造することにより、低コストな製造方法を提供できる。

【0015】

また、導電部材表面の金属膜は、最表面の物質が金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウムの貴金属である電子部品パッケージを提供する。このようにすることで、イオン化傾向の小さい金属膜で覆うことで、より安定して外部電極が形成でき、電子部品と外部電極との導通を確保できる。

【0016】

また、導電部材は、鉄−ニッケル合金、コバール合金、鉄−ニッケル−クロム合金のいずれかであり、金属膜はニッケル置換型の無電解めっきを用いて製造することを提供する。このとき、低融点ガラスの成分がめっきの触媒毒となるため、絶縁樹脂で覆うことにより、触媒毒作用を消失でき、直接密着性良く貴金属膜を形成することができるため、電子部品パッケージを構成する、低融点ガラス等の他の部材へのダメージを最小に抑えることができ、少ない工程数で金属膜を形成できるため、また、通常のスパッタ法による膜形成では必要なマスクが不要になり、低コストで電子部品と外部電極との導通を確保できる。

【発明の効果】

【0017】

本発明によれば、ベース材（貫通孔の低融点ガラス）と導電部材の溶着時に、導電部材に生成されてしまう酸化膜を研磨によって除去できるとともに、導電部材の端面に金属膜が設けられるので、導電部材と外部電極との電気的接続性が確保される。また、ベース材は加工性に優れたガラス材であるので生産性が良く低コストで製造できる。さらに、貫通孔に塗布された低融点ガラス中の成分が導電部材形成のためのめっき処理（ニッケルめっき処理）を阻害するが、絶縁樹脂で当該低融点ガラスを覆うことで、めっき処理が可能となるので、信頼性の高い製品を低コストで提供できる。

【0018】

したがって。本発明は、生産性が良く、しかも電子部品と外部電極との導通性を確保した電子部品パッケージの製造方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】本発明に係る電子部品パッケージの断面図である。

【図2】本発明に係る電子部品パッケージの製造工程を示す図である。

【図3】本発明に係る電子部品パッケージの製造工程において、導電部材が貫通孔の中心軸からずれた状態を示す図である。

【図4】本発明に係る電子部品パッケージの製造工程において、金属膜形成後であって絶縁樹脂が取り除かれる前の状態を示す図である。

【図5】本発明に係る別の電子部品パッケージの断面図である。

【図6】本発明に係る別の電子部品パッケージの製造工程を示す図である。

【図7】従来例の製造工程を示す図である。

【図8】従来例の金属ピン部の拡大断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0020】

（実施形態１）
以下、本発明の実施の形態（実施形態１）を図に基づいて説明する。図１は本発明に係る電子部品パッケージの断面図である。電子部品パッケージ１は、ガラス製のベース材１１とカバー７０で上下を囲まれた内部空間に電子部品６０が搭載された構成からなる。

【0021】

ここで、電子部品６０は、当該電子部品６０の下面を支持する接続部５０と、ベース材１１の上面に形成された内部配線４０、ベース材１１の上下に亘って導電確保された導電部材３１と、ベース材１１の下面に配設された金属膜８０を介して、基板に実装される端子である外部電極９０と電気的に接続されている。当該電子部品６０は、例えば、水晶振動子や圧電素子からなる。

【0022】

接続部５０は、例えば、銀ペースト等の導電接着剤を焼成したものからなるが、電子部品６０の構成によっては、導電接着剤を用いなくても良い。当該接続部５０は、電子部品６０の下面を支持する。
内部配線４０は、ベース材１１の上面に形成された配線部材であり、接続部５０と導電部材３１とを電気的に接続する。

【0023】

導電部材３１は、ベース材１１の上下に亘って形成された導電性の部材であり、上下端部に配置された内部配線４０及び外部電極９０（金属膜８０）を電気的に接続する。当該導電部材３１は、例えば、鉄−ニッケル合金、コバール合金、鉄−ニッケル−クロム合金等を用いる。導電部材３１は、これら以外の金属でもよく、ベース材１１と熱膨張係数が近いものを用いることで、熱履歴による破壊を防ぐことができる。なお、導電部材３１の周面を覆う低融点ガラス２１は、後述する導電部材３１の溶着時に形成される部材である。具体的には、低融点ガラス２１は、ガラスフリットを焼成（加熱溶融後に冷却）することで得られ、Ｓｉ（又はＮｉ、Ｆｅ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｂ）等の酸化物の粉末で構成されたものである。そして、低融点ガラス２１は、ベース材１１を構成するガラスの融点（ガラスの組成比によって変化するが、６００〜１５００℃程度）よりも低い融点（４００〜５００℃程度）で溶融する。これは、低融点ガラス２１が、SiO2の粉末に、Bi2O3やNa2Oなどのアルカリ酸化物の粉末が加わることで融点が下がっているためである。

【0024】

金属膜８０は、ベース材１１の下面に配設された金属材の膜である。当該金属膜８０は、最表面に金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウム等の貴金属を使用する。ここで、貴金属は、イオン化傾向が小さく、耐腐食性があるため、外部電極９０が形成されるまでの間の時間的劣化や、基板実装後の加熱時による劣化を抑えることができるので、製品（電子部品パッケージ１）としての信頼性を高める。ここで、金属膜８０は導電部材３１との金属拡散を防ぐために、拡散防止層として下地層と貴金属膜との間にニッケル等の金属膜を形成しても良い。当該金属膜の形成方法には、めっき法を用いる。また、導電部材３１がニッケル成分を含む場合、金属膜８０を形成する際に、ニッケル置換型の無電解めっきを直接用いることができるので、通常めっきによる処理を省くことが可能になる。その結果、めっきは導電部材３１上だけに形成すれば済むため、電子部品パッケージ１の低コスト化が可能になる。

【0025】

外部電極９０は、外部と電気接続するための端子であり、上面が金属膜８０に固着される。外部電極９０の材質は、例えば、スパッタ膜でも良いが、ガラス製であるベース材１１が脆いため、基板実装時の応力を緩和する目的で、銀ペースト等の導電性接着剤を用いる方が一層好ましい。

【0026】

（電子部品パッケージの製造方法）
図１に示した電子部品パッケージ１は個片化された状態の断面図であるが、製造方法としては個別パッケージでなく、ウェハーレベルで作製され、最後にダイシング等で切断されて、得られるものである。次に、電子部品パッケージ１の製造方法について図２〜図４を用いて説明する。

【0027】

図２は本発明に係る電子部品パッケージの製造工程を示す図である。
工程（ａ）は、ベース材１０を上下に亘って貫通する貫通孔を形成する工程である。貫通孔は、例えば、サンドブラスト、レーザー加工、ドリル加工、熱プレス加工、等でテーパ状に形成する。

【0028】

工程（ｂ）は、貫通孔内部に塗布した低融点ガラス２０によって、導電部材３０を溶着する工程である。ここで、導電部材３０は貫通孔からずれ落ちないように一部が貫通孔の上端より大きなＴ字型のものを用いる。ガラス溶着させるためには、少なくとも低融点ガラスが溶ける温度である４００〜５００℃にする必要があり、このような温度で加熱すると導電部材３０のＴ字型の頭の部分には酸化膜が生成され、導通が取れなくなる。

【0029】

工程（ｃ）は、導電部材３０と、低融点ガラス２０と、ベース材１０と、を上下より研磨して、導電部材３０のＴ字の頭部分を除去するとともに、下端を覆う低融点ガラス２０から導電部材３０を露出させる工程である。ここで、導電部材３０、低融点ガラス２０ごと、ベース材１０が薄く研磨される。このようにすることで導電部材３０の下部を覆う低融点ガラス２０がなくなり、ベース材１１（研磨後のベース材１０）の上下で導電部材３１（研磨後の導電部材３０）を介して導通が取れる状態になる。

【0030】

工程（ｄ）は、導電部材３１の上面に内部配線４０を形成する工程である。内部配線４０はスパッタ法で形成し、電子部品６０と導電部材３１を電気的に結ぶ回路となる。この時点で、電子部品６０が搭載される側の導電部材３１は内部配線４０で覆われるため、酸化膜の成長等の懸念がなくなり、導通が確保される。

【0031】

工程（ｅ）は、内部配線４０の上部に配設する接続部５０を介してベース材１１の上部に電子部品６０を搭載する工程である。

【0032】

工程（ｆ）は、ベース材１１との対向面の一部を凹状に加工したカバー７０をベース材１１と接合する工程である。カバー７０の材質は、接合方法や、電子部品６０に要求される仕様（例えば、真空度等）、コスト等を考慮して適宜に選択すればよい。例えば、電子部品６０が水晶振動子であり、ベース材１１とカバー７０の接合後に周波数調整をする場合には、カバー７０にはガラス製の部材を選択する。

【0033】

工程（ｇ）は、低融点ガラス２１の一部をエッチングし、当該エッチング部分に絶縁樹脂２５を形成する工程である。絶縁樹脂２５は後述の工程でめっき処理を行う場合に、めっき液へ悪影響を及ぼす低融点ガラス２１を覆うために形成する。最小量の絶縁樹脂２５で覆うために、低融点ガラス２１を酸洗浄等によりエッチングし、そのエッチング部分に絶縁樹脂２５を充填する。ここで、低融点ガラスをエッチングせずに、スクリーン印刷等により形成する場合は、図３に示すように導電部材３１が貫通孔の中心軸からずれていると、導電部材３１が絶縁樹脂２５で覆われて、導通確保ができなくなる。一方、このエッチングを用いる方法であれば、導電部材３１が上記中心軸からずれていても導通確保ができる。絶縁樹脂２５の材質には、エポキシ樹脂や有機溶剤に可能なレジスト等を用いることができる。

【0034】

工程（ｈ）は導電部材３１の表面（下面）にめっき処理によって金属膜８０を形成する工程である。これまでの工程で説明した接合方法によっては、再度酸化膜が成長する可能性がある。この酸化膜はめっき処理時の酸洗浄等の前処理で除去できる。酸洗浄等の前処理は低融点ガラスもエッチングする可能性があるが、絶縁樹脂２５の形成により保護できる。また、無電解めっきを行うことで導電部材３１の端面だけに金属膜８０を形成できる。このとき、低融点ガラス２１がめっき液に触れると、低融点ガラス２１の成分がめっき液に悪影響を及ぼすが、上述のエッチング部分を絶縁樹脂２５で覆うことにより、めっき液への影響を遮断させることができる。特にニッケルめっき時には低融点ガラス２１の成分であるビスマスが触媒毒になることが知られており、低融点ガラス２１を露出させない対策が必要にある。なお、図４に示すようなめっき処理によって金属膜８０を形成した後、絶縁樹脂２５を有機溶剤で除去することで、図２（ｈ）のように絶縁樹脂２５の取り除かれた状態が形成される。

【0035】

工程（ｉ）は、金属膜８０の下面に外部電極９０を形成する工程である。外部電極９０はスパッタ法、或いは、導電性接着材を印刷し焼成することで形成する。更に、導電樹脂上にスパッタ膜やめっき膜を形成しても良い。

【0036】

その後、図示しない個片化する工程を行うことで、図１に示す電子部品パッケージを製造できる。具体的には、カバー材７０の材質によって個片化する方法は変わるが、例えば、ダイシングや、レーザーカットによって個片化を行う。

【0037】

以上により、本実施形態に係る電子部品パッケージ１の製造方法によると、ベース材１０（貫通孔の低融点ガラス２０）と導電部材３０の溶着時に、導電部材３０に生成されてしまう酸化膜を研磨によって除去できるとともに、導電部材３０の端面に金属膜８０が設けられるので、導電部材３０と外部電極９０との電気的接続性が確保される。また、ベース材１０は加工性に優れたガラス材であるので生産性が良く低コストで製造できる。さらに、貫通孔に塗布された低融点ガラス２０中の成分が導電部材３０形成のためのめっき処理（ニッケルめっき処理）を阻害するが、絶縁樹脂２５で当該低融点ガラス２０を覆うことで、めっき処理が可能となるので、信頼性の高い電子部品パッケージ１を低コストで提供できる。

【0038】

（実施形態２）
次いで、本発明の実施形態２を図に基づいて説明する。図５は本実施形態２に係る電子部品パッケージ１ａの断面図である。ここで、図５に示す電子部品パッケージ１ａが図１に示す電子部品パッケージ１と相違する点は、図１に示した低融点ガラス２１のエッチング部分に絶縁樹脂２５を充填する構成にかえて、低融点ガラス２１の底面に絶縁樹脂２５ａを形成した構成を用いる点である。

【0039】

電子部品パッケージ１ａは、ガラス製のベース材１１とカバー７０で上下を囲まれた内部空間に電子部品６０が搭載された構成からなる。

【0040】

ここで、電子部品６０は、当該電子部品６０の下面を支持する接続部５０と、ベース材１１の上面に形成された内部配線４０と、ベース材１１の上下に亘って導電確保された導電部材３１と、ベース材１１の下面に配設された金属膜８０を介して、基板に実装される端子である外部電極９０と電気的に接続されている。当該電子部品６０は、例えば、水晶振動子や圧電素子からなる。

【0041】

接続部５０は、例えば、銀ペースト等の導電接着剤を焼成したものからなるが、電子部品６０の構成によっては、導電接着剤を用いなくても良い。当該接続部５０は、電子部品６０の下面を支持する。

【0042】

導電部材３１は、鉄−ニッケル合金、コバール合金、鉄−ニッケル−クロム合金等を用いる。導電部材３１は、これら以外の金属でもよく、ベース材１１と熱膨張係数が近いものを用いることで、熱履歴による破壊を防ぐことができる。なお、導電部材３１の周面を覆う低融点ガラス２１は、後述する導電部材３１の溶着時に形成される部材である。具体的には、低融点ガラス２１は、ガラスフリットを焼成（加熱溶融後に冷却）することで得られ、Ｓｉ（又はＮｉ、Ｆｅ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｂ）等の酸化物の粉末で構成されたものである。そして、低融点ガラス２１は、ベース材１１を構成するガラスの融点（ガラスの組成比によって変化するが、６００〜１５００℃程度）よりも低い融点（４００〜５００℃程度）で溶融する。これは、低融点ガラス２１が、SiO2の粉末に、Bi2O3やNa2Oなどのアルカリ酸化物の粉末が加わることで融点が下がっているためである。

【0043】

金属膜８０は、ベース材１１の下面に配設された金属材の膜である。当該金属膜８０は、最表面に金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウム等の貴金属を使用する。ここで、貴金属は、イオン化傾向が小さく、耐腐食性があるため、外部電極９０が形成されるまでの間の時間的劣化や、基板実装後の加熱時による劣化を抑えることができるので、製品（電子部品パッケージ１ａ）としての信頼性を高める。ここで、金属膜８０は導電部材３１との金属拡散を防ぐために、拡散防止層として下地層と貴金属膜との間にニッケル等の金属膜を形成しても良い。当該金属膜の形成方法には、めっき法を用いる。また、導電部材３１がニッケル成分を含む場合、金属膜８０を形成する際に、ニッケル置換型の無電解めっきを直接用いることができるので、通常めっきによる処理を省くことが可能になる。その結果、めっきは導電部材３１上だけに形成すれば済むため、電子部品パッケージ１ａの低コスト化が可能になる。このとき、低融点ガラス２１がめっき液に触れると、低融点ガラス２１の成分がめっき液に悪影響するため、絶縁樹脂２５ａによって覆うことにより、めっき液を正常に機能させることができる。特にニッケルめっき時には低融点ガラス２１の成分であるビスマスが触媒毒になることが知られており、低融点ガラス２１を露出させない対策が必要にある。

【0044】

外部電極９０は、外部と電気接続するための端子であり、上面が金属膜８０に固着される。外部電極９０の材質は、例えば、スパッタ膜でも良いが、ガラス製であるベース材１１が脆いため、基板実装時の応力を緩和する目的で、銀ペースト等の導電性接着剤を用いる方が一層好ましい。絶縁樹脂２５ａにはエポキシ樹脂を使用することで、導電性接着剤と絶縁樹脂２５ａとは、エポキシ樹脂を含んでいるため、強固に密着することができる。

【0045】

（電子部品パッケージの製造方法）
図５に示した電子部品パッケージ１ａは個片化された状態の断面図であるが、製造方法としては個別パッケージでなく、ウェハーレベルで作製され、最後にダイシング等で切断されて、得られるものである。次に、電子部品パッケージ１ａの製造方法について図６を用いて説明する。

【0046】

図６は本発明に係る電子部品パッケージの製造工程を示す図である。
工程（ａ）は、ベース材１０を上下に亘って貫通する貫通孔を形成する工程である。貫通孔は、例えば、サンドブラスト、レーザー加工、ドリル加工、熱プレス加工、等でテーパ状に形成する。

【0047】

工程（ｂ）は、貫通孔内部に塗布した低融点ガラス２０によって、導電部材３０を溶着する工程である。ここで、導電部材３０は貫通孔からずれ落ちないように一部が貫通孔の上端より大きなＴ字型のものを用いる。ガラス溶着させるためには、少なくとも低融点ガラスが溶ける温度である４００〜５００℃にする必要があり、このような温度で加熱すると導電部材３０のＴ字型の頭の部分には酸化膜が生成され、導通が取れなくなる。

【0048】

工程（ｃ）は、導電部材３０と、低融点ガラス２０と、ベース材１０と、を上下より研磨して、導電部材３０のＴ字の頭部分を除去するとともに、下端を覆う低融点ガラス２０から導電部材３０を露出させる工程である。ここで、導電部材３０、低融点ガラス２０ごと、ベース材１０が薄く研磨される。このようにすることで導電部材３０の下部を覆う低融点ガラス２０がなくなり、ベース材１１（研磨後のベース材１０）の上下で導電部材３１（研磨後の導電部材３０）を介して導通が取れる状態になる。

【0049】

工程（ｄ）は、導電部材３１の上面に内部配線４０を形成する工程である。内部配線４０はスパッタ法で形成し、電子部品６０と導電部材３１を電気的に結ぶ回路となる。この時点で、電子部品６０が搭載される側の導電部材３１は内部配線４０で覆われるため、酸化膜の成長等の懸念がなくなり、導通が確保される。

【0050】

工程（ｅ）は、内部配線４０の上部に配設する接続部５０を介してベース材１１の上部に電子部品６０を搭載する工程である。

【0051】

工程（ｆ）は、ベース材１１との対向面の一部を凹状に加工したカバー７０をベース材１１と接合する工程である。カバー７０の材質は、接合方法や、電子部品６０に要求される仕様（例えば、真空度等）、コスト等を考慮して適宜に選択すればよい。例えば、電子部品６０が水晶振動子であり、ベース材１１とカバー７０の接合後に周波数調整をする場合には、カバー７０にはガラス製の部材を選択する。

【0052】

工程（ｇ）は、貫通孔（低融点ガラス２１）の底面に絶縁樹脂２５ａを形成する工程である。絶縁樹脂２５ａは後述の工程でめっき処理を行う場合に、めっき液へ悪影響を及ぼす低融点ガラス２１を覆うために形成する。図６（ｇ）では、絶縁樹脂２５ａはベース材１１にも一部形成されているが、必ずしも形成されていなくても良い。また、導電部材３１の底面には形成されていないが、導電部材３１の底面全体を覆わなければ、一部被っていてもよい。ここで、絶縁樹脂２５ａの材質には、エポキシ樹脂等を用いることができる。

【0053】

工程（ｈ）は、導電部材３１の底面にめっき処理によって金属膜８０を形成する工程である。これまでの工程で説明した接合方法によっては、再度酸化膜が成長する可能性がある。この酸化膜はめっき処理時の酸洗浄等の前処理で除去できる。酸洗浄等の前処理は低融点ガラスもエッチングする可能性があるが、絶縁樹脂２５ａの形成により保護できる。また、無電解めっきを行うことで導電部材３１の端面だけに金属膜８０を形成できる。

【0054】

工程（ｉ）は、金属膜８０の下面に外部電極９０を形成する工程である。外部電極９０はスパッタ法、或いは、導電性接着材を印刷し焼成することで形成する。更に、導電樹脂上にスパッタ膜やめっき膜を形成しても良い。

【0055】

その後、図示しない個片化する工程を行うことで、図５に示す電子部品パッケージ１ａを製造できる。具体的には、カバー材７０の材質によって．個片化する方法は変わるが、例えば、ダイシングや、レーザーカットによって個片化を行う。

【0056】

以上により、本実施形態に係る電子部品パッケージ１ａの製造方法によると、ベース材１０（貫通孔の低融点ガラス２０）と導電部材３０の溶着時に、導電部材３０に生成されてしまう酸化膜を研磨によって除去できるとともに、導電部材３０の端面に金属膜８０が設けられるので、導電部材３０と外部電極９０との電気的接続性が確保される。また、ベース材１０は加工性に優れたガラス材であるので生産性が良く低コストで製造できる。さらに、貫通孔に塗布された低融点ガラス２０中の成分が導電部材３０形成のためのめっき処理（ニッケルめっき処理）を阻害するが、絶縁樹脂２５ａで当該低融点ガラス２０を覆うことで、めっき処理が可能となるので、信頼性の高い電子部品パッケージ１ａを低コストで提供できる。

【0057】

なお、以上の実施形態における記述は、本発明に係る好適な電子部品パッケージ及びその製造方法の一例であり、これに限定されるものではない。また、以上の実施形態における電子部品パッケージの各部の細部構成に関して本発明の趣旨を逸脱することのない範囲で適宜変更可能である。具体的には、例えば、ベース材１０に形成される貫通孔の形状は、テーパ状に限定されるものではなく、円筒状等であってもよい。また、導電部材３０は、一部が貫通孔の上端よりも大きければよいので、Ｔ字の頭部分を備えた形状に限られるものではなく、例えば、丸ねじ状等であってももちろん良い。さらに、電子部品パッケージ１，電子部品パッケージ１ａに搭載する電子部品１０として、水晶振動子や圧電素子を例示したが、他の電子部品であっても当然良い。

【符号の説明】

【0058】

１ 電子部品パッケージ
１０、１１ ベース材
２０、２１ 低融点ガラス
３０、３１ 導電部材
４０ 内部配線
５０ 接続部
６０ 電子部品
７０ カバー
８０ 金属膜
９０ 外部電極
１００ 電子部品パッケージ
１１０ ベース部材
１２０ 金属ピン
１３０ 電極
１４０ 電子部品
１５０ 封止材
１６０ キャップ部材
１７０ 低融点ガラス
１８０ 酸化膜

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】