特許 5803334 有機ＥＬ照明装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5803334

(24)【登録日】2015年9月11日

(45)【発行日】2015年11月4日

(54)【発明の名称】有機ＥＬ照明装置

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/26 20060101AFI20151015BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20151015BHJP

   H05B 33/06 20060101ALI20151015BHJP

【ＦＩ】

   H05B33/26 Z

   H05B33/14 A

   H05B33/06

【請求項の数】2

【全頁数】7

(21)【出願番号】特願2011-142429(P2011-142429)

(22)【出願日】2011年6月28日

(65)【公開番号】特開2013-12303(P2013-12303A)

(43)【公開日】2013年1月17日

【審査請求日】2014年4月17日

(73)【特許権者】

【識別番号】000231512

【氏名又は名称】日本精機株式会社

(72)【発明者】

【氏名】松本 行生

【審査官】 越河 勉

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００９−２５９４１３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２００８／０６２６４５（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１０−１２３３９７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２００９／２８８４１４７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２００９−３０１０１３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｂ ３３／２６

Ｈ０１Ｌ ５１／５０

Ｈ０５Ｂ ３３／０６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

少なくとも第一電極と有機層と第二電極とを備え、前記有機層は前記第一電極の陽極部と前記第二電極の陰極部とによって挟持されてなる有機ＥＬ照明装置であって、
前記第二電極は、金属からなる陰極配線部及び前記陰極部を有し、前記陰極配線部は前記陰極部よりも幅狭な電子印加部を有し、
前記電子印加部の幅は、前記第一電極の正孔印加部の幅の半分以下であることを特徴とする有機ＥＬ照明装置。

【請求項2】

前記第一電極の陽極配線部上に形成された低抵抗配線部を備えたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ照明装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、面状に発光する有機ＥＬ照明装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

近年、有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ照明装置に用いられる有機ＥＬ素子が自発光素子として脚光を浴びている。有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に比して、視野角依存性が少ない、コントラスト比が高い、薄膜化が可能である等の利点から、各所で次世代のフラットパネルディスプレイとして研究開発が行われている。また、有機ＥＬ照明装置の開発も進んでおり、例えば特許文献１に開示されている。有機ＥＬ照明装置の特徴として、発光ダイオード等の点光源と違い、面光源であることから、高い期待が寄せられている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１０−１９８９８０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、有機ＥＬ照明装置の発光面内において、輝度の高い箇所と、低い箇所とが発生する虞があった。有機ＥＬ照明装置は、面光源であることから、発光面内の発光輝度のバラつきを示す均斉度が重要視されているが、この均斉度が低い場合、発光面内での温度バラつきにも影響を及ぼすことがあるため、問題であった。
本発明は、この問題に鑑みなされたものであり、均斉度が高い有機ＥＬ照明装置を提供するものである。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明は、請求項１に記載したように、少なくとも第一電極２と有機層４と第二電極３とを備え、前記有機層４は前記第一電極２の陽極部２ａと前記第二電極３の陰極部３ａとによって挟持されてなる有機ＥＬ照明装置であって、前記第二電極３は、金属からなる陰極配線部３ｂ及び前記陰極部３ａを有し、前記陰極配線部３ｂは前記陰極部３ａよりも幅狭な電子印加部３ｃを有し、前記電子印加部３ｃの幅Ｗ４は、前記第一電極２の正孔印加部２ｃの幅Ｗ１の半分以下であるものである。

【0007】

また、本発明は、請求項２に記載したように、前記第一電極２の陽極配線部２ｂ上に形成された低抵抗配線部７を備えたものである。

【発明の効果】

【0008】

電子印加部を陰極部よりも幅狭にしたことにより、有機ＥＬ照明装置の均斉度が良好になる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本発明の実施形態を示す有機ＥＬパネルＡの正面図。

【図2】同上実施形態を示す正面図。

【図3】同上実施形態を示す正面図。

【図4】同上実施形態を示す正面図。

【図5】第一比較例を示す有機ＥＬパネルＢの正面図。

【図6】第二比較例を示す有機ＥＬパネルＣの正面図。

【図7】有機ＥＬパネルＡ，Ｂ，Ｃの輝度値を示す表図。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、添付の図面に基づいて、ボトムエミッション方式の有機ＥＬパネルＡに本発明を適用した一実施形態を説明する。有機ＥＬパネルＡは、基板１，第一電極２，第二電極３，発光部（有機層）４，低抵抗配線部７を備えている。

【0011】

基板１は、矩形のガラス板からなるものである。基板１は、０．７ｍｍ厚の無アルカリガラスからなるものであるが、他のガラス基板（アルカリガラス等）を用いても構わない。また、ガラス厚についても、その他のガラス厚のものを用いても構わない。

【0012】

第一電極２は、スパッタリング法にて基板１に形成されたＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなるものである。第一電極２は、ＩＴＯでなくても良く、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）或いはＡＺＯ（Aluminum
Zinc Oxide）等であっても構わない。第一電極２は、陽極部２ａ及び陽極配線部２ｂを有している（図２参照）。第一電極２の陽極部２ａは、発光部４が形成される矩形領域である。第一電極２の陽極配線部２ｂは、発光部４に正孔を印加する正孔印加部２ｃを有しており、この正孔印加部２ｃは所定幅Ｗ１を有している。

【0013】

発光部４は、正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層，電子注入層を順次積層した有機膜層からなるものである。発光部４は、横幅Ｗ２，縦幅Ｗ３の矩形になっており、第一電極２の陽極部２ａ上に形成される（図３参照）。低抵抗配線部７は、モリブデン（Ｍｏ），アルミニウム（Ａｌ），モリブデン（Ｍｏ）の３層構造になっているが、クロム（Ｃｒ）配線等の低抵抗配線であっても構わない。低抵抗配線部７は、第一電極２の陽極配線部２ｂ上に形成されている。

【0014】

第二電極３は、蒸着法にて形成されたアルミニウム層からなるものである。第二電極３は、陰極部３ａ及び陰極配線部３ｂを有している（図４参照）。第二電極３は、アルミニウム（Ａｌ）からなるものであるが、マグネシウム（Ｍｇ），コバルト（Ｃｏ），金（Ａｕ），銅（Ｃｕ），亜鉛（Ｚｕ）等の金属や、それらの合金を用いても構わない。陰極配線部３ｂは、所定幅Ｗ４を有する電子印加部３ｃを有している。

【0015】

有機ＥＬパネルＡは、封止部材（図示しない）を備えている。封止部材は、１．１ｍｍ厚の板状の基材をサンドブラスト法によって０．５ｍｍ削って凹部を形成したものである。封止部材は、ＵＶ硬化型の接着剤にて、基板１に接着されている。封止部材は、アルカリガラスからなるものであるが、他のガラス基板や、ステンレス等の金属からなるものであっても構わない。また、凹部の形成方法は、ドライエッチング等のその他掘削手法を用いても構わない。封止部材の凹部には、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）タイプのシート吸湿剤を設置し、水分対策を行っている。なお、酸化ストロンチウムタイプ以外の酸化カルシウム（ＣａＯ）タイプや、酸化バリウム（ＢａＯ）タイプであっても構わない。

【0016】

図５は、第一比較例を示すものである。有機ＥＬパネルＢは、基板１，第一電極２，第二電極１３，発光部４を備えている。

【0017】

有機ＥＬパネルＢの基板１，第一電極２，発光部４は、有機ＥＬパネルＡと同一である。有機ＥＬパネルＢの第二電極１３は、矩形になっている。有機ＥＬパネルＢは、有機ＥＬパネルＡとは異なり、低抵抗配線部７を備えていない。

【0018】

図６は、第二比較例を示すものである。有機ＥＬパネルＣは、基板１，第一電極２，第二電極１３，発光部４，低抵抗配線部７を備えている。

【0019】

基板１，第一電極２，第二電極１３，発光部４は、有機ＥＬパネルＢと同一である。低抵抗配線部７は、有機ＥＬパネルＡと同一である。

【0020】

図７は、有機ＥＬパネルＡ，Ｂ，Ｃの所定位置［１］〜［９］における発光輝度を示すものである。有機ＥＬパネルＡ，Ｂ，Ｃは、位置［５］における初期輝度を約３０００ｃｄ／ｍ^２として、直流駆動により発光部４が有機発光される。
なお、本明細書における所定位置［１］〜［９］とは、図１，図５，図６における丸１〜丸９を示している。

【0021】

第一比較例では、隅箇所（位置［１］，［３］，［７］，［９］）における輝度が６０００ｃｄ／ｍ^２以上あり、中央箇所（位置［５］）の２倍以上になっている。第二比較例では、低抵抗配線部７があるため、第一比較例に比べると、輝度差が小さくなっている。しかし、隅箇所（位置［１］，［３］，［７］，［９］）における輝度が４５００ｃｄ／ｍ^２以上あり、中央箇所（位置［５］）の１．５倍以上になっている。

【0022】

このように、有機ＥＬパネルＢ，Ｃに輝度ムラが発生するのは、陽極配線部２ｂからの電流の流れ込みによる発熱が原因であると考えられる。つまり、発熱によって、低抵抗化した陽極配線部２ｂに電流が集中してしまい、高輝度発光する個所と、低輝度発光する箇所に分かれてしまい、有機ＥＬパネルＢ，Ｃの発光ムラとなっていると考えられる。

【0023】

本実施形態の有機ＥＬパネルＡでは、陰極配線部３ｂに幅狭部（電子印加部３ｃ）を設けているため、第一比較例，第二比較例に比べると、輝度ムラが小さい。本実施形態では、陰極配線部３ｂの幅狭部（電子印加部３ｃ）に温度上昇が発生しており、この温度上昇が有機ＥＬパネルＡの輝度安定性に寄与していると考えられる。つまり、第一比較例，第二比較例のように陽極配線部２ｂ側に発生した高輝度化を、陰極配線部３ｂ側へも発生させることによって、有機ＥＬパネルＡの輝度の均一化を図っている。

【0024】

有機ＥＬパネルＢ，Ｃの輝度ムラの原因は、陽極配線部２ｂ側の発熱であるが、本実施形態では、陰極配線部３ｂ側も発熱させることによって、有機ＥＬパネルＡの外周部全体から比較的安定な発熱が生じる。有機ＥＬパネルＡ，Ｂ，Ｃの外周部は、熱の逃げ場とのなるため、比較的放熱され易く、中央部は、熱が逃げにくい傾向がある。この傾向から、外周部は冷却され、中央部は、冷却されにくいため、有機ＥＬパネルＡ全体で熱的に安定になりやすく、また輝度も安定しやすいものと考えられる。電子印加部３ｃの幅Ｗ４は、第一電極２の正孔印加部２ｃＷ１の幅の半分以下であることが望ましい。

【0025】

なお、本実施形態の有機ＥＬパネルＡは、ボトムエミッション方式であったが、トップエミッション方式であっても良い。

【符号の説明】

【0026】

２ 第一電極
２ａ 陽極部
２ｃ 正孔印加部
３ 第二電極
３ａ 陰極部
３ｃ 電子印加部
４ 有機層（発光部）
７ 低抵抗配線部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】