特許5810103電気的浸透性ソース層を含む半導体デバイス及びこれの製造方法

発明の名称　電気的浸透性ソース層を含む半導体デバイス及びこれの製造方法

出願人　ユニバーシティ　オブ　フロリダ　リサーチ　ファンデーション　インコーポレーティッド　（識別番号 507371168）

　　　　特許公開件数ランキング 3969 位（6件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 5723 位（3件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-5810103

公報発行日　2015年11月11

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5810103

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