特許第5812086号(P5812086)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】5812086
(24)【登録日】2015年10月2日
(45)【発行日】2015年11月11日
(54)【発明の名称】電子機器
(51)【国際特許分類】
   H05K 1/02 20060101AFI20151022BHJP
   H05K 7/20 20060101ALI20151022BHJP
   H01L 23/34 20060101ALI20151022BHJP
【FI】
   H05K1/02 F
   H05K1/02 N
   H05K1/02 J
   H05K7/20 C
   H01L23/34 A
【請求項の数】3
【全頁数】10
(21)【出願番号】特願2013-269561(P2013-269561)
(22)【出願日】2013年12月26日
(65)【公開番号】特開2015-126108(P2015-126108A)
(43)【公開日】2015年7月6日
【審査請求日】2014年12月16日
(73)【特許権者】
【識別番号】000003218
【氏名又は名称】株式会社豊田自動織機
(74)【代理人】
【識別番号】100105957
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100068755
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 博宣
(72)【発明者】
【氏名】尾崎 公教
【審査官】 吉澤 秀明
(56)【参考文献】
【文献】 特開平10−150283(JP,A)
【文献】 特開2010−263138(JP,A)
【文献】 特開2008−130684(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
H05K 1/02
H01L 23/34
H05K 7/20
H05K 3/46
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
グランドに接続される放熱部材と、
前記放熱部材に対してボルトにより締結されるとともに電子部品が搭載される基板と、を有する電子機器であって、
前記基板は、
前記電子部品に電気的に接続される第1配線パターンと、
前記電子部品に電気的に接続される第2配線パターンと、
前記第1配線パターンと前記第2配線パターンとを絶縁する絶縁層と、
前記絶縁層の内側に埋設され、前記電子部品と熱的に結合される金属層と、
前記ボルトが通過可能な貫通孔と、を有し、
前記貫通孔の内側には導電性を有する熱伝達部が設けられており、
前記金属層は、前記基板の厚さ方向において前記電子部品と重なる位置から前記貫通孔に向けて延びて前記熱伝達部と連結されており、前記熱伝達部と前記放熱部材とが接触しており、
前記基板において前記電子部品と重なる位置から前記貫通孔までの範囲内は前記第1配線パターンと前記金属層との間に前記絶縁層が介在されて絶縁されており、
前記基板において前記電子部品と重なる位置から前記貫通孔までの範囲内は前記第2配線パターンと前記金属層との間に前記絶縁層が介在されて絶縁されていることを特徴とする電子機器。
【請求項2】
前記熱伝達部は、少なくとも前記貫通孔の内周面に金属メッキが施されることにより形成される金属膜であることを特徴とする請求項1に記載の電子機器。
【請求項3】
前記第1配線パターンは、前記電子部品のプラス電極と電気的に接続され
前記第2配線パターンは、前記電子部品のグランド電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
電子機器は、例えば、グランドに接続される放熱部材である筐体と、筐体に対してボルトにより締結されるとともに電子部品が搭載される基板とを有している。基板は、電子部品のプラス電極と電気的に接続される第1配線パターンと、電子部品のグランド電極と電気的に接続される第2配線パターンと、第1配線パターンと第2配線パターンとを絶縁する絶縁層とを有する。ここで、筐体はグランド電位であるため、第1配線パターンを筐体に接触させて、電子部品から発せられてプラス電極及び第1配線パターンに伝達された熱を、筐体に伝達させて放熱することができない。
【0003】
そこで、特許文献1では、図3に示すように、多層基板100(基板)の厚さ方向において、発熱電子素子101(電子部品)の放熱用電極101a(プラス電極)に電気的に接続されている表面導体層102(第1配線パターン)と重なるように絶縁部材103(絶縁層)の内層に内層側伝熱導体104が設けられている。すなわち、表面導体層102と内層側伝熱導体104との間には、絶縁部材103が介在されており、表面導体層102と内層側伝熱導体104とは絶縁部材103により絶縁されている。
【0004】
さらに、多層基板100の一面におけるボルト105の周辺には、筐体106に電気的に接続される接地導体107が設けられている。筐体106と接地導体107との接触は、ボルト105によって多層基板100と筐体106とが締結されることにより確保されている。さらに、多層基板100において、接地導体107と内層側伝熱導体104との間にはビア108が形成されており、接地導体107と内層側伝熱導体104とがビア108を介して電気的に接続されている。そして、発熱電子素子101から発せられて放熱用電極101a及び表面導体層102に伝達される熱は、絶縁部材103、内層側伝熱導体104、ビア108及び接地導体107を介して筐体106に伝達され、筐体106により放熱される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開2008−130684号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、特許文献1のように、多層基板100にビア108を形成すると、多層基板100において、ビア108が形成された周辺の部位は、その他の部位に比べて強度が低下する。このため、多層基板100を筐体106に対してボルト105で締結する構成において、ボルト105の周辺にビア108が形成されていると、ボルト105の締結に伴う軸力によって、多層基板100の変形が生じる虞がある。
【0007】
そこで、多層基板100において、ボルト105の締結時の軸力が及ばない位置にビア108を形成することが考えられる。しかし、ボルト105の締結時の軸力が及ばない位置にビア108を形成すると、接地導体107をビア108の形成位置まで延ばす必要がある。さらに、表面導体層102の配置位置が、接地導体107が延びた分だけ、ボルト105の周辺から離れた位置となり、発熱電子素子101の配置位置も、ボルト105の周辺から離れた位置に配置されることになる。その結果、多層基板100が大型化するとともに、発熱電子素子101から筐体106までの熱伝達経路も長くなって発熱電子素子101から発せられる熱の放熱効率が悪化する。
【0008】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、基板が大型化することなく、電子部品から発せられる熱を効率良く放熱することができる電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記課題を解決する電子機器は、グランドに接続される放熱部材と、前記放熱部材に対してボルトにより締結されるとともに電子部品が搭載される基板と、を有する電子機器であって、前記基板は、前記電子部品に電気的に接続される第1配線パターンと、前記電子部品に電気的に接続される第2配線パターンと、前記第1配線パターンと前記第2配線パターンとを絶縁する絶縁層と、前記絶縁層の内側に埋設され、前記電子部品と熱的に結合される金属層と、前記ボルトが通過可能な貫通孔と、を有し、前記貫通孔の内側には導電性を有する熱伝達部が設けられており、前記金属層は、前記基板の厚さ方向において前記電子部品と重なる位置から前記貫通孔に向けて延びて前記熱伝達部と連結されており、前記熱伝達部と前記放熱部材とが接触しており、前記基板において前記電子部品と重なる位置から前記貫通孔までの範囲内は前記第1配線パターンと前記金属層との間に前記絶縁層が介在されて絶縁されており、前記基板において前記電子部品と重なる位置から前記貫通孔までの範囲内は前記第2配線パターンと前記金属層との間に前記絶縁層が介在されて絶縁されている
【0010】
これによれば、電子部品から発せられる熱が、金属層及び熱伝達部を介して放熱部材に伝達され、放熱部材により放熱される。よって、ボルトが通過可能な貫通孔の内側に設けられた熱伝達部を熱伝達経路として利用しているため、電子部品から発せられる熱を放熱するために、基板にビアを形成する必要が無い。したがって、基板にビアを形成して電子部品から発せられる熱を放熱する構成に比べると、基板が大型化することなく、電子部品から発せられる熱を効率良く放熱することができる。
【0011】
上記電子機器において、前記熱伝達部は、少なくとも前記貫通孔の内周面に金属メッキが施されることにより形成される金属膜であることが好ましい。これによれば、例えば、貫通孔の内側に、熱伝達部として、導電性を有する筒部材を配置する場合に比べると、熱伝達経路を確保し易くすることができる。
【0012】
上記電子機器において、前記第1配線パターンは、前記電子部品のプラス電極と電気的に接続され、前記第2配線パターンは、前記電子部品のグランド電極と電気的に接続されていることが好ましい。
【0013】
金属層はグランド電位であるため、例えば、第1配線パターンを金属層に接触させて、プラス電極及び第1配線パターンに伝達した熱を、金属層に伝達させることはできない。しかし、第1配線パターンと金属層との間に絶縁層が介在されているため、第1配線パターンと金属層とを絶縁層により絶縁した状態で、電子部品から発せられてプラス電極及び第1配線パターンに伝達された熱を、絶縁層、金属層及び熱伝達部を介して放熱部材に伝達させて、放熱部材により放熱することができる。
【発明の効果】
【0014】
この発明によれば、基板が大型化することなく、電子部品から発せられる熱を効率良く放熱することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
図1】実施形態における電子機器を示す断面図。
図2】別の実施形態における電子機器を示す断面図。
図3】従来例における電子機器を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、電子機器を具体化した一実施形態を図1にしたがって説明する。
図1に示すように、電子機器10は、グランドに接続される放熱部材としての筐体11と、筐体11に対してボルト12により締結されるとともに電子部品13が搭載される基板としての制御基板20とを有する。筐体11は、アルミニウムにより形成されるとともに、一面が開口された有底筒状の基部11aと、基部11aの開口を塞ぐ蓋部11bとから構成されている。基部11aの内底面には、ボルト12がねじ込まれるボス部11fが突設されている。制御基板20は、筐体11の内部に収容されている。
【0017】
また、電子機器10は、制御基板20とは種類(構造)が異なる厚銅基板であるパワー基板40を備えている。パワー基板40は、パワー素子40aが搭載される第1金属板41と、第1金属板41の一部の上面に積層される絶縁基板43と、絶縁基板43の上面に積層される第2金属板42とからなる。
【0018】
第1金属板41は、基部11aと接触しており、基部11aと熱的に結合されている。第1金属板41は、厚さ0.5mmの平板状の銅板からなるとともに、所定の形状にパターニングされている。また、第1金属板41は、その一部が折り曲げられている。第2金属板42は厚さ0.5mmの平板状の銅板からなるとともに、所定の形状にパターニングされている。そして、第1金属板41及び第2金属板42は、大電流(例えば120A)に対応可能な回路パターンを構成している。絶縁基板43は、第1金属板41と第2金属板42とを絶縁している。
【0019】
基部11aの底部の内部には、冷却媒体としての流体(例えば水)が通過する流体経路11cが形成されている。基部11aは、制御基板20及びパワー基板40等から基部11aに伝達される熱を、流体経路11cを通過する流体により奪うことで放熱する。
【0020】
制御基板20は、電子部品13のプラス電極13aと電気的に接続される第1配線パターン21と、電子部品13のグランド電極13bと電気的に接続される第2配線パターン22と、第1配線パターン21と第2配線パターン22とを絶縁する絶縁層23とを有する。第1配線パターン21及び第2配線パターン22は、厚さ70μm〜105μmのシート状の銅箔からなるとともに、所定の形状にパターニングされている。第1配線パターン21及び第2配線パターン22は、絶縁層23の表面(一面)に設けられている。絶縁層23は、厚さ1.6mmの板状のガラスエポキシ樹脂からなる。
【0021】
制御基板20には、ボルト12が通過可能な貫通孔30が形成されている。貫通孔30の内周面、絶縁層23の表面及び裏面における貫通孔30周りの部位には、熱伝達部としての金属膜31が形成されている。金属膜31は銅からなるとともに、貫通孔30の内周面に形成される内周部31aと、内周部31aに連なるとともに絶縁層23の裏面に露出する裏面部31bと、内周部31aに連なるとともに絶縁層23の表面に露出する表面部31cとから形成されている。
【0022】
金属膜31は、貫通孔30の内周面、絶縁層23の表面及び裏面における貫通孔30周りの部位に金属メッキが施されることで形成されている。具体的には、まず、無電解メッキを施して貫通孔30の内周面、絶縁層23の表面及び裏面における貫通孔30周りの部位にメッキ層を形成し、その後、メッキ層に対してさらに電解メッキを施すことで金属膜31が形成される。
【0023】
絶縁層23の内側には、制御基板20の厚さ方向において電子部品13と重なるように金属層24が埋設されている。よって、第1配線パターン21と金属層24との間には、絶縁層23が介在されており、第1配線パターン21と金属層24とは絶縁層23により絶縁されている。金属層24は、厚さ70μm〜105μmのシート状の銅箔からなる。金属層24は、絶縁層23を介して第1配線パターン21(電子部品13)と熱的に結合されている。金属層24は、制御基板20の厚さ方向において電子部品13と重なる位置から貫通孔30に向けて延びており、金属層24における貫通孔30側の端部は金属膜31の内周部31aに連結されている。よって、金属層24と金属膜31の内周部31aとは電気的に接続されている。
【0024】
電子機器10において、ボス部11f上には制御基板20が載置されるとともに、蓋部11bによって基部11aの開口が閉鎖され、ボルト12がボス部11fにねじ込まれることより、制御基板20及び蓋部11bが基部11aに対して取り付けられている。そして、ボルト12の締結によって、金属膜31の裏面部31bと基部11aのボス部11fとの接触が確保されるとともに、金属膜31の表面部31cと蓋部11bとの接触が確保されている。よって、金属膜31の裏面部31bと基部11aのボス部11fとが接触しているとともに、金属膜31の表面部31cと蓋部11bとが接触している。よって、金属膜31及び金属層24はグランド電位である。
【0025】
次に、本実施形態の作用について説明する。
電子部品13から発せられてプラス電極13a及び第1配線パターン21に伝達された熱は、絶縁層23、金属層24、金属膜31の内周部31a及び裏面部31bを介して基部11aのボス部11fに伝達され、基部11aにより放熱される。また、電子部品13から発せられてプラス電極13a及び第1配線パターン21に伝達された熱は、絶縁層23、金属層24、金属膜31の内周部31a及び表面部31cを介して蓋部11bに伝達され、蓋部11bにより放熱される。すなわち、金属膜31を熱伝達経路として、電子部品13から発せられる熱が放熱される。
【0026】
上記実施形態では以下の効果を得ることができる。
(1)貫通孔30の内周面、絶縁層23の表面及び裏面における貫通孔30周りの部位に、熱伝達部としての金属膜31を形成した。そして、金属膜31と金属層24とを連結するとともに、金属膜31と筐体11とを接触させた。これによれば、電子部品13から発せられる熱が、金属層24及び金属膜31を介して筐体11に伝達され、筐体11により放熱される。よって、貫通孔30の内側、絶縁層23の表面及び裏面における貫通孔30周りの部位に設けられた金属膜31を熱伝達経路として利用しているため、電子部品13から発せられる熱を放熱するために、制御基板20にビアを形成する必要が無い。しがたって、制御基板20にビアを形成して電子部品13から発せられる熱を放熱する構成に比べると、制御基板20が大型化することなく、電子部品13から発せられる熱を効率良く放熱することができる。
【0027】
(2)金属膜31は、貫通孔30の内周面、絶縁層23の表面及び裏面における貫通孔30周りの部位に金属メッキが施されることで設けられている。これによれば、例えば、貫通孔30の内側に、熱伝達部として、導電性を有する筒部材を配置する場合に比べると、熱伝達経路を確保し易くすることができる。
【0028】
(3)金属層24はグランド電位であるため、例えば、第1配線パターン21を金属層24に接触させて、プラス電極13a及び第1配線パターン21に伝達した熱を、金属層24に伝達させることはできない。しかし、本実施形態では、第1配線パターン21と金属層24との間に絶縁層23が介在されている。このため、第1配線パターン21と金属層24とを絶縁層23により絶縁した状態で、電子部品13から発せられてプラス電極13a及び第1配線パターン21に伝達された熱を、絶縁層23、金属層24及び金属膜31を介して筐体11に伝達させて、筐体11により放熱することができる。
【0029】
(4)絶縁層23の表面及び裏面における貫通孔30周りの部位に、金属膜31の裏面部31b及び表面部31cを形成した。これによれば、金属膜31の裏面部31b及び表面部31cを形成せずに、金属膜31の内周部31aにおける絶縁層23の表面側及び裏面側の端部を、蓋部11b及びボス部11fにそれぞれ接触させる場合に比べると、蓋部11b及びボス部11fに対する接触面積が確保し易くなる。
【0030】
(5)本実施形態では、電子部品13から発せられる熱を放熱するための熱伝達経路を確保するために、制御基板20にビアが形成されていないため、制御基板20自体の強度を確保することができる。
【0031】
なお、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
図2に示すように、電子部品13のグランド電極13bに電気的に接続される第2配線パターン22を、金属膜31に接触させて、電子部品13から発せられてグランド電極13b及び第2配線パターン22に伝達された熱を、金属膜31を介して筐体11に伝達させ、筐体11により放熱してもよい。この場合、第2配線パターン22は、電子部品13と熱的に結合されるとともに金属膜31と連結される金属層として機能する。
【0032】
○ 実施形態において、金属膜31の裏面部31b及び表面部31cを削除してもよく、少なくとも貫通孔30の内周面に金属メッキが施されることにより、貫通孔30の内周面に金属膜31の内周部31aが形成されていればよい。この場合、金属膜31の内周部31aにおける絶縁層23の表面側及び裏面側の端部が、蓋部11b及びボス部11fにそれぞれ接触している必要がある。
【0033】
○ 実施形態において、貫通孔30の内周面、絶縁層23の表面及び裏面における貫通孔30周りの部位に、金属膜31に代えて、熱伝達部として、導電性接着剤を塗布してもよい。
【0034】
○ 実施形態において、金属膜31の内側に、熱伝達部として、導電性を有する筒部材を配置してもよい。
○ 実施形態において、金属膜31に代えて、熱伝達部として、導電性を有する筒部材を配置してもよい。
【0035】
○ 実施形態において、金属膜31は、銅以外の導電性を有する材質で形成されていてもよい。
○ 実施形態において、筐体11は、アルミニウム以外の導電性材料により形成されていてもよい。
【0036】
○ 実施形態において、第1配線パターン21及び第2配線パターン22は、銅箔以外の導電性材料により形成されていてもよい。
○ 実施形態において、絶縁層23は、ガラスエポキシ樹脂以外の樹脂材料により形成されていてもよい。
【0037】
○ 実施形態において、第1配線パターン21、第2配線パターン22及び絶縁層23の厚さは、特に限定されるものではない。
次に、上記実施形態及び別例から把握できる技術的思想について以下に追記する。
【0038】
(イ)前記金属膜は、前記貫通孔の内周面に形成される内周部と、前記内周部に連なるとともに前記絶縁層の裏面に露出する裏面部と、前記内周部に連なるとともに前記絶縁層の表面に露出する表面部とから形成されている。
【0039】
(ロ)前記基板は制御基板である。
【符号の説明】
【0040】
10…電子機器、11…放熱部材としての筐体、12…ボルト、13…電子部品、13a…プラス電極、13b…グランド電極、20…基板としての制御基板、21…第1配線パターン、22…第2配線パターン、23…絶縁層、24…金属層、30…貫通孔、31…熱伝達部としての金属膜。
図1
図2
図3