(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記パイプと前記本体部との連結部における前記本体部に前記シール部材の位置決め部を形成するとともに前記パイプに前記シール部材の位置決め部を形成したことを特徴とする請求項3に記載の冷却器。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、出入口パイプをろう付けしているので、ろう付け時の熱変形による出入口パイプの位置ずれが生じる虞がある。詳しくは、ろう付けは例えば600℃で行われ、アルミの部品が膨張・収縮して冷却器本体部が反り、出入口パイプの位置がずれやすい。また、出入口パイプが熱で変形する。
【0005】
本発明の目的は、本体部にパイプを位置ずれを抑制した状態で連結することができる冷却器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
請求項1に記載の発明では、第1の外殻プレートと第2の外殻プレートとが外周縁部においてろう付けされ、内部に冷却水流路が形成された本体部と、前記本体部に連結され、前記本体部に形成した貫通孔を通して冷却水を流通するためのパイプと、前記本体部に搭載した半導体素子とを備えた冷却器において、前記パイプと前記半導体素子とは、前記本体部の前記第1の外殻プレートと前記第2の外殻プレートのどちらか一方の同じ外表面に備えられており、前記本体部の外表面において、前記
半導体素子は樹脂によって覆われており、前記パイプ
は前記樹脂によって前記本体部に固定
されていることを要旨とする。
【0007】
請求項1に記載の発明によれば、本体部は、第1の外殻プレートと第2の外殻プレートとが外周縁部においてろう付けされ、内部に冷却水流路が形成されている。本体部にパイプが連結され、本体部に形成した貫通孔を通して冷却水を流通することができる。本体部の外表面において、パイプ
は樹脂
によって本体部に固定
されている。よって
、ろう付け時の熱変形によるパイプの位置ずれを抑制できる。
【0008】
請求項2に記載のように、請求項1に記載の冷却器において、前記貫通孔は、前記第1の外殻プレートまたは前記第2の外殻プレートに形成して
もよい。
【0009】
請求項
3に記載の発明は、請求項1
又は2に記載の冷却器において、前記パイプと前記本体部との間にシール部材を介在したことを要旨とする。
請求項
3に記載の発明によれば、パイプと本体部との間にシール部材が介在されるので、パイプと本体部との間の密封性に優れている。
【0010】
請求項
4に記載の発明は、請求項
3に記載の冷却器において、前記パイプと前記本体部との連結部における前記本体部に前記シール部材の位置決め部を形成するとともに前記パイプに前記シール部材の位置決め部を形成したことを要旨とする。
【0011】
請求項4に記載の発明によれば、シール部材は、本体部に形成した位置決め部とパイプに形成した位置決め部により容易に位置決めすることができる。
請求項5に記載の発明は、第1の外殻プレートと第2の外殻プレートとが外周縁部においてろう付けされ、内部に冷却水流路が形成された本体部と、前記本体部に連結され、前記本体部に形成した貫通孔を通して冷却水を流通するためのパイプと、前記本体部に搭載した部品とを備えた冷却器において、前記貫通孔と前記部品とは、前記本体部の前記第1の外殻プレートと前記第2の外殻プレートのどちらか一方の同じ外表面に備えられており、前記本体部の外表面において前記
部品は樹脂によって覆われており、前記パイプ
は前記樹脂
と一体
化して構成されていることを要旨とする。
【0012】
請求項5に記載の発明によれば、本体部は、第1の外殻プレートと第2の外殻プレートとが外周縁部においてろう付けされ、内部に冷却水流路が形成されている。本体部の外表面において
パイプが樹脂
と一体化して構成され
ている。このパイプから、本体部に形成した貫通孔を通して冷却水を流通することができる。よって
、ろう付け時の熱変形によるパイプの位置ずれを抑制できる。
【0013】
請求項
6に記載のように、請求項
5に記載の冷却器において、前記貫通孔は、前記第1の外殻プレートまたは前記第2の外殻プレートに形成して
もよい。
【発明の効果】
【0014】
本発明によれば、本体部にパイプを位置ずれを抑制した状態で連結することができる。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、本発明を車載用インバータに具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
図1に示すように、インバータモジュール10は、冷却器付きのモジュールであって、基板に半導体素子(チップ)を実装して樹脂モールドしている。インバータモジュール10は、
図1,2に示すように、水冷式冷却器20と、4枚の絶縁基板31,32,33,34と、6つのトランジスタ(チップ)Q1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6と、6つのダイオード(チップ)D1,D2,D3,D4,D5,D6と、モールド用の樹脂40を備えている。樹脂40は、例えばエポキシ樹脂よりなる。
【0017】
インバータモジュール10の回路構成について、
図4に示すように、インバータモジュール10を構成するインバータ50は、外部から供給される直流電力を交流電力に変換し、走行用モータ60へ供給する。これにより走行用モータ60が回転駆動される。
【0018】
詳しくは、インバータ50は、電源ラインとアースラインとの間に互いに並列に配置されるU相、V相、W相の各アームから構成される。各アームは、2つのトランジスタ(IGBT)Q1,Q2、Q3,Q4、Q5,Q6の直列接続から構成される。また、各アームを構成するトランジスタQ1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6のコレクタ−エミッタ間には、それぞれエミッタ側からコレクタ側に電流を流すダイオードD1,D2,D3,D4,D5,D6が配置されている。
【0019】
図1,2に示すように、各絶縁基板31,32,33,34として、DBA基板(ダイレクト・ブレージング・アルミニウム基板)を用いており、セラミック基板35の一方の面にアルミニウム層36が形成されるとともにセラミック基板35の他方の面にアルミニウム層37が形成されている。セラミック基板35の一方の面においてアルミニウム層36がパターニングされている。同様に、セラミック基板35の他方の面においてアルミニウム層37がパターニングされている。
【0020】
冷却器20は、扁平なる四角箱状をなす本体部21と、樹脂製の入口パイプ22と、樹脂製の出口パイプ23とにより構成されている。冷却器20の本体部21はアルミよりなる。本体部21は、
図6に示すように、第1の外殻プレートとしての上プレート24と第2の外殻プレートとしての下プレート25と波板状のインナーフィン26とを有している。上プレート24の外周縁部と下プレート25の外周縁部とが突き合わされ、カシメられた状態で、上プレート24の外周縁部と下プレート25の外周縁部とがろう付けされている。このようにして、本体部21は、上プレート24と下プレート25とが外周縁部においてろう付けされている。また、上プレート24と下プレート25との間において波板状のインナーフィン26が、ろう付けされている。
【0021】
本体部21は、内部に冷却水流路P1(
図3,6参照)が形成されている。本体部21の上面に入口パイプ22が連結され、本体部21に形成した第1の貫通孔90a(
図5参照)を通して冷却水を本体部21の内部に供給することができる。同様に、本体部21の上面に出口パイプ23が連結され、本体部21に形成した第2の貫通孔90b(
図5参照)を通して本体部21の内部の冷却水を排出することができる。より具体的には、ポンプにより冷却水が入口パイプ22を通して本体部21に供給されるとともに本体部21から出口パイプ23を通して冷却水が排出されるようになっている。
【0022】
このようにして、パイプ22,23により、本体部21に形成した貫通孔90a,90bを通して冷却水を流通することができるようになっている。
また、本体部21の表面に絶縁基板31,32,33,34がろう付けされ、絶縁基板31,32,33,34には半導体素子としてのトランジスタ(チップ)Q1〜Q6およびダイオード(チップ)D1〜D6が実装されている。詳しくは、冷却器20の本体部21の上面には、4枚の絶縁基板31,32,33,34がろう付けにより接合されている。より詳しくは、4枚の絶縁基板31,32,33,34におけるセラミック基板35の下のアルミニウム層36と冷却器20の上面とが、ろう材により接合されている。
【0023】
絶縁基板31におけるセラミック基板35上のアルミニウム層37は配線材であり、このアルミニウム層37の上面にはトランジスタ(チップ)Q1とダイオード(チップ)D1がはんだ付けにより接合されている。また、絶縁基板32におけるセラミック基板35上のアルミニウム層37は配線材であり、このアルミニウム層37の上面にはトランジスタ(チップ)Q3とダイオード(チップ)D3がはんだ付けにより接合されている。さらに、絶縁基板33におけるセラミック基板35上のアルミニウム層37は配線材であり、このアルミニウム層37の上面にはトランジスタ(チップ)Q5とダイオード(チップ)D5がはんだ付けにより接合されている。また、絶縁基板34におけるセラミック基板35上のアルミニウム層37は配線材であり、このアルミニウム層37の上面にはトランジスタ(チップ)Q2,Q4,Q6とダイオード(チップ)D2,D4,D6がはんだ付けにより接合されている。
【0024】
トランジスタQ1,Q3,Q5における上面のコレクタ端子、および、ダイオードD1,D3,D5における上面のカソード端子は、外部接続端子としての導電板70に、はんだ71により接合されている。また、トランジスタQ2における上面のコレクタ端子、ダイオードD2における上面のカソード端子、および、絶縁基板31におけるアルミニウム層37(トランジスタQ1のエミッタ、ダイオードD1のアノード)は、外部接続端子としての導電板72に、はんだ73により接合されている。さらに、トランジスタQ4における上面のコレクタ端子、ダイオードD4における上面のカソード端子、および、絶縁基板32におけるアルミニウム層37(トランジスタQ3のエミッタ、ダイオードD3のアノード)は、外部接続端子としての導電板74に、はんだ75により接合されている。また、トランジスタQ6における上面のコレクタ端子、ダイオードD6における上面のカソード端子、および、絶縁基板33におけるアルミニウム層37(トランジスタQ5のエミッタ、ダイオードD5のアノード)は、外部接続端子としての導電板76に、はんだ77により接合されている。さらに、絶縁基板34におけるセラミック基板35の上のアルミニウム層37には、外部接続端子としての導電板78がはんだ付けされている。各導電板70,72,74,76,78は銅よりなる。このように導電板70,72,74,76,78は、一端側が半導体素子としてのトランジスタQ1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6およびダイオードD1,D2,D3,D4,D5,D6に電気的に接続されている。
【0025】
導電板70の他端側は上方に屈曲形成されている。同様に、導電板72の他端側は上方に屈曲形成されている。導電板74の他端側は上方に屈曲形成されている。同様に、導電板76の他端側は上方に屈曲形成されている。また、導電板78の他端側は上方に屈曲形成されている。
【0026】
冷却器20の本体部21の上面において6個の接続ピン台座80,81,82,83,84,85が固定されている。各接続ピン台座80,81,82,83,84,85には、それぞれ、外部接続端子としての3本の接続ピン86が固定されている。接続ピン86は銅よりなる。3本の接続ピン86のうちの1本はゲート電圧印加ライン形成用のピンであり、残り2本はエミッタ電圧検出ライン形成用、および、エミッタでの温度検出ライン用のピンである。3本の接続ピン86の一端はトランジスタ(チップ)Q1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6に配線材であるワイヤWを介して電気的に接続されている(ワイヤボンディングされている)。
【0027】
このように接続ピン86は、一端側が半導体素子としてのトランジスタQ1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6に電気的に接続されている。また、3本の接続ピン86の他端側は上方に屈曲形成されている。
【0028】
樹脂40は、冷却器20の本体部21の上面に配した部品(絶縁基板31,32,33,34、トランジスタQ1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6、ダイオードD1,D2,D3,D4,D5,D6、導電板70,72,74,76,78、接続ピン86、ワイヤW)を覆っている。導電板70,72,74,76,78の立設部70a,72a,74a,76a,78aの上端側は樹脂40から露出している。同様に、トランジスタQ1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6にそれぞれ接続される3本の接続ピン86の立設部86aの上端側は樹脂40から露出している。
【0029】
冷却器20の入口パイプ22と本体部21との接続部、および、出口パイプ23と本体部21との接続部は、
図3に示すように構成されている。
図3において、本体部21の天板21aには第1の貫通孔90aおよび第2の貫通孔90bが形成されると共に第1の貫通孔90aの周囲および第2の貫通孔90bの周囲には上方に突出する位置決め部91が全周にわたり形成されている。入口パイプ22の下端部および出口パイプ23の下端部は肉厚にされ、この肉厚部には下面に開口する凹部27が全周にわたり形成されている。凹部27の開口部を塞ぐように本体部21が位置し、かつ、凹部27の内部に位置決め部91が位置している。凹部27の内部にはOリング28が配置されている。
【0030】
冷却器20の本体部21と、入口パイプ22および出口パイプ23とは樹脂40により固定されている。このとき、Oリング28は、本体部21の天板21aと密着するとともに、凹部27の底面と密着している。これにより、冷却器20の本体部21と、入口パイプ22および出口パイプ23とは液密状態となっている。また、入口パイプ22および出口パイプ23と本体部21との連結部において、本体部21にOリング28の位置決め部91が形成されるとともに、入口パイプ22および出口パイプ23にOリング28の位置決め部29が形成され、Oリング28の内径側が位置決め部91により、また、外径側が位置決め部29により位置決めされている。
【0031】
次に、インバータモジュール10の作用を説明する。
冷却器20の入口パイプ22に冷却水が供給され、入口パイプ22を通して冷却水が冷却器20の本体部21の内部に供給される。この冷却水は冷却器20の本体部21の内部において出口パイプ23に向かって流れる。そして、出口パイプ23に冷却水が入り、出口パイプ23を通して排出される。インバータモジュール10における6つのトランジスタQ1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6のスイッチング動作に伴い発熱する。また、6つのダイオードD1,D2,D3,D4,D5,D6は通電に伴い発熱する。このトランジスタQ1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6において発生した熱は絶縁基板(DBA基板)31,32,33,34を通して冷却器20の本体部21に伝わり、冷却器20の本体部21の内部を流れる冷却水と熱交換される(放熱される)。同様に、6つのダイオードD1,D2,D3,D4,D5,D6において発生した熱は絶縁基板(DBA基板)31,32,33,34を通して冷却器20の本体部21に伝わり、冷却器20の本体部21の内部を流れる冷却水と熱交換される(放熱される)。
【0032】
次に、インバータモジュール10の製造方法を、
図1,2,3,5,6,7,8,9を用いて説明する。
まず、
図5,6に示すように、絶縁基板(DBA基板)31,32,33,34を用意する。このとき、セラミック基板35の一方の面においてアルミニウム層36がパターニングされているとともに、セラミック基板35の他方の面においてアルミニウム層37がパターニングされている。そして、冷却器20の本体部21を構成する上プレート24の周縁部と、下プレート25の周縁部とをカシメて、ろう付けするとともに上プレート24と下プレート25との間に波板状のインナーフィン26を、ろう付けする。同時に、冷却器20の本体部21の上面に絶縁基板(DBA基板)31,32,33,34を、ろう付けする。詳しくは、4枚の絶縁基板31,32,33,34におけるセラミック基板35の下のアルミニウム層36と冷却器20の上面とを、ろう付けする。ろう付けは、600℃程度で行われる。このように、絶縁基板31,32,33,34と冷却器の本体部21が一体化される。
【0033】
引き続き、
図7に示すように、絶縁基板31,32,33,34におけるセラミック基板35上のアルミニウム層37の上面に、トランジスタQ1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6およびダイオードD1,D2,D3,D4,D5,D6を、はんだ付けする。
【0034】
同時に、トランジスタQ1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6およびダイオードD1,D2,D3,D4,D5,D6に対し、導電板70,72,74,74,76,78を、はんだ付けする。また、冷却器20の本体部21の上面において、接続ピン86が固定された接続ピン台座80,81,82,83,84,85を固定する。
【0035】
さらには、
図8に示すように、各接続ピン86と各トランジスタ(チップ)Q1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6とをワイヤWによりボンディングする。その後、冷却器20の本体部21に対し、入口パイプ22と出口パイプ23とを装着する。詳しくは、
図9に示すように、入口パイプ22および出口パイプ23の下端と本体部21との間にOリング28を挟んだ状態で、冷却器20の本体部21に、入口パイプ22と出口パイプ23とを立設して配置する。
【0036】
そして、
図1,2に示すように、樹脂40により封止して一体化する。即ち、冷却器20の本体部21と入口パイプ22および出口パイプ23との接続部を含めた冷却器20の本体部21に搭載した部品(絶縁基板31,32,33,34、トランジスタQ1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6、ダイオードD1,D2,D3,D4,D5,D6、導電板70,72,74,76,78、接続ピン86、ワイヤW)を封止する。樹脂40によるモールドは120℃程度で行われる。これにより、
図3に示すように、冷却器20の本体部21と入口パイプ22および出口パイプ23とが樹脂40により固定される。即ち、半導体素子(トランジスタQ1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6、ダイオードD1,D2,D3,D4,D5,D6)をはんだ付けし、樹脂40により封止する際に、入口パイプ22および出口パイプ23を同時に樹脂40で固定する。
【0037】
このように、冷却器20の本体部21を構成する上プレート24、下プレート25、インナーフィン26および絶縁基板(DBA基板)31,32,33,34をろう付けした後において、パイプ22,23が樹脂封止により固定される。また、この樹脂封止はモジュール構成用回路部品(トランジスタQ1〜Q6、ダイオードD1〜D6、導電板72,74,76,78、接続ピン86、ワイヤW)の封止と同時に行われる。よって、冷却器20の本体部21とパイプ22,23とを、ろう付けしたものを用いる場合に比べて、冷却器20の本体部21を共通部品として、パイプ22,23のみ変えて後付けすることができる。
【0038】
つまり、
図10に示すように、真直ぐなパイプ22a,23aを本体部21につなぎ、冷却器20の本体部21の上面からパイプ22a,23aを真上に延ばしても、
図11に示すように、L字状をなすパイプ22b,23bを本体部21につなぎ、パイプ22b,23bを冷却器20の本体部21の側方(横)に延ばすようにしてもよい。
【0039】
なお、
図12に示すように、冷却器20の本体部21の上面に対し斜めにパイプ22c,23cをつなぐようにすることも可能である。即ち、本体部21の上面は水平方向に延び、パイプ22c,23cは本体部21の上面に対し傾いている。
【0040】
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
(1)冷却器20の構成として、本体部21とパイプ(入口パイプ22と出口パイプ23)を備えている。入口パイプ22は本体部21に連結され、本体部21に形成した第1の貫通孔90aを通して冷却水を給水する。出口パイプ23は本体部21に連結され、本体部21に形成した第2の貫通孔90bを通して冷却水を排水する。そして、本体部21の外表面において樹脂40でパイプ(入口パイプ22および出口パイプ23)と本体部21との連結部をモールドしてパイプ(入口パイプ22および出口パイプ23)を本体部21に固定した。
【0041】
従来においては、ろう付け時の熱変形の影響を受ける。これに対し本実施形態では、ろう付け後にモールドするため、ろう付け時の熱変形による入口パイプ22および出口パイプ23の位置ずれを抑制できる。詳しくは、ろう付け温度が600℃程度であるのに対し樹脂モールド温度は120℃程度なので従来のようにろう付け時の熱変形の影響を受けにくくなる。
【0042】
即ち、熱によるパイプ22,23における冷却器20の本体部21との位置ずれを防止することができる。その結果、本体部21にパイプ22,23を位置ずれを抑制した状態で連結することができる冷却器20を提供することができる。
【0043】
また、従来においては水路のつなぎ口が固定されてしまっていた。これに対し本実施形態では、冷却器の本体部にパイプがろう付けにて固定されているものに比べ、水路のつなぎ口をフレキシブルにすることができる。また、入口パイプ22および出口パイプ23をモジュール構成用回路部品(トランジスタQ1〜Q6、ダイオードD1〜D6、導電板72,74,76,78、接続ピン86、ワイヤW)と同時に樹脂封止により固定することで工程を減らすことができる。また、ろう付け部品のような要求精度が必要なくなる。
【0044】
(2)パイプ(入口パイプ22および出口パイプ23)と本体部21との間にシール部材としてのOリング28を介在したので、パイプ(入口パイプ22および出口パイプ23)と本体部21との間の密封性に優れている。特に、シール部材はOリング28であるので、より密閉性に優れている。
【0045】
(3)パイプ(入口パイプ22および出口パイプ23)と本体部21との連結部における本体部21にOリング28の位置決め部91を形成するとともにパイプ(入口パイプ22および出口パイプ23)にOリング28の位置決め部29を形成したので、容易に位置決めすることができる。
【0046】
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
・
図13に示すように、冷却器20の本体部21とパイプ22(23)の連結構造として、Oリングを用いずに、パイプ22(23)に設けた鍔95と本体部21の天板21aとを接触させた状態で樹脂40によりその周囲を封止してもよい。
【0047】
・
図14に示すように、樹脂41でパイプ110,111を一体化して構成してもよい。つまり、冷却器20の本体部21における天板21aには第1の貫通孔100および第2の貫通孔101が形成され、樹脂41にてモールドする際にパイプ110,111を同時に成形し、かつ、入口パイプ110と第1の貫通孔100、出口パイプ111と第2の貫通孔101とは連通している。
【0048】
このように、本体部21の外表面において本体部21の貫通孔の周囲(第1の貫通孔100の周囲および第2の貫通孔101の周囲)を樹脂41でモールドするとともに、貫通孔に連通するパイプ(第1の貫通孔100に連通する入口パイプ110および第2の貫通孔101に連通する出口パイプ111)を樹脂41で一体
成形してもよい。
【0049】
この場合、ろう付け後にモールドするため、ろう付け時の熱変形による入口パイプ110および出口パイプ111(冷却水入口および冷却水出口)の位置ずれを抑制できる。詳しくは、上プレート24と下プレート25と波板状のインナーフィン26(
図6参照)、および、冷却器の本体部21と絶縁基板31,32,33,34をろう付けした後にパイプ110,111を接続するので影響を受けない。即ち、熱によるパイプ110,111における冷却器20の本体部21との位置ずれを防止することができる。その結果、本体部21にパイプ110,111を位置ずれを抑制した状態で連結することができる。また、部品点数を減らすことができる。
【0050】
・入口パイプ22および出口パイプ23は樹脂製であったが、他の材料であってもよい。
・各絶縁基板31,32,33,34として、DBA基板を用いたが、DBC基板を用いてもよい。つまり、セラミック基板35の一方の面に銅層が形成されるとともにセラミック基板の他方の面に銅層が形成されたDBC基板を用いてもよい。
【0051】
・
図3においては貫通孔(第1の貫通孔90aおよび第2の貫通孔90b)は、上プレート24に形成したが、下プレート25に形成してもよい。また、
図15に示すように、貫通孔(第1の貫通孔90aおよび第2の貫通孔90b)は、上プレート24と下プレート25との間に形成してもよい。
【0052】
・
図14においては貫通孔(第1の貫通孔100および第2の貫通孔101)は、上プレート24に形成したが、下プレート25に形成してもよい。また、
図16に示すように、貫通孔(第1の貫通孔100および第2の貫通孔101)は、上プレート24と下プレート25との間に形成してもよい。
【0053】
・
図14においては貫通孔(第1の貫通孔100および第2の貫通孔101)は、上プレート24に形成したが、上プレート24に第1の貫通孔100を形成するとともに下プレート25に第2の貫通孔101を形成してもよい。また、下プレート25に第1の貫通孔100を形成するとともに上プレート24に第2の貫通孔101を形成してもよい。
【0054】
・入口パイプ22の本体部21との連結部、および、出口パイプ23と本体部21との連結部について、少なくとも一方を樹脂でモールドしてパイプを本体部に固定していればよい。具体的には、例えば、入口パイプ22を樹脂でモールドするとともに出口パイプ23を本体部21にろう付けしたり、あるいは、出口パイプ23を樹脂でモールドするとともに入口パイプ22を本体部21にろう付けしてもよい。
【0055】
・電力変換装置としてインバータに適用したが、コンバータ等の他の電力変換装置に適用してもよい。