(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【背景技術】
【0002】
情報化社会が発展するにつれて、ディスプレイ分野に対する要求も様々な形態で増加しており、これに応じて、薄型化、軽量化、消費電力低減化などの特徴を持つ様々な平板表示装置(Flat Panel Display Device)、例えば、液晶表示装置(Liquid Crystal Display Device)、プラズマ表示装置(Plasma Display Panel Device)、有機発光ダイオード表示装置(Organic Light Emitting Diode Display Device)などが研究されている。
【0003】
特に、最近研究が活発に行われている有機発光ダイオード表示装置は、画素毎に様々な大きさのデータ電圧Vdataを印加して互いに異なる階調を表示することによって、映像を表示することができる。
【0004】
そのために、各画素は、電流制御素子である有機発光ダイオード、駆動トランジスタ及び一つ以上のキャパシタなどを含んでいる。特に、有機発光ダイオードに流れる電流は駆動トランジスタによって制御され、駆動トランジスタの閾値電圧のばらつき及び各種パラメーターによって有機発光ダイオードに流れる電流量が変化し、これによって、画面の輝度不均一が発生するという問題点があった。
【0005】
ところで、駆動トランジスタの閾値電圧のばらつきは、駆動トランジスタの製造工程の変数によって駆動トランジスタの特性が変化して発生する。このような問題点を解決するために、画素のそれぞれに、閾値電圧のばらつきを補償するために、複数のトランジスタ及びキャパシタを含む補償回路を通じて解決することが一般的である。
【0006】
一方、最近は、消費者の高画質に対する期待が高まるにつれて、高解像度有機発光ダイオード表示装置の必要性が台頭している(特許文献1参照)。そのために、補償回路は、高解像度のために、単位面積当たりより多くの画素を集積しなければならないので、閾値電圧のばらつきを補償する機能以外に、トランジスタ、キャパシタ及び配線の個数を減らすことが必要である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施例について詳細に説明する。
【0013】
図1は、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の構成を概略的に示す図である。
【0014】
図1に示されたように、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置100は、パネル110、タイミング制御部120、スキャン駆動部130及びデータ駆動部140を含む。
【0015】
パネル110は、マトリクス状に配置されたサブピクセルSPを含む。パネルに含まれたサブピクセルSPは、スキャン駆動部130から複数のスキャンラインSL1〜SLmを介して供給されるスキャン信号及びデータ駆動部140から複数のデータラインDL1〜DLnを介して供給されるデータ信号によって発光する。
【0016】
そのために、一つのサブピクセルには、有機発光ダイオードとこれを駆動するための複数のトランジスタ及びキャパシタが形成されている。このようなサブピクセルSPの細部構成については、
図2で詳細に説明する。
【0017】
タイミング制御部120は、外部から、垂直同期信号(Vsync)、水平同期信号(Hsync)、データイネーブル信号(DE)、クロック信号(CLK)、映像信号の供給を受ける。また、タイミング制御部120は、外部から入力される映像信号をフレーム単位で整列して、デジタル形態の映像データ(R、G、B)を生成する。
【0018】
例えば、タイミング制御部120は、垂直同期信号(Vsync)、水平同期信号(Hsync)、データイネーブル信号(DE)、クロック信号(CLK)などのタイミング信号を用いて、スキャン駆動部130及びデータ駆動部140の動作タイミングを制御する。そのために、タイミング制御部120は、スキャン駆動部130の動作タイミングを制御するためのゲート制御信号GCS及びデータ駆動部140の動作タイミングを制御するためのデータ制御信号DCSを生成する。
【0019】
スキャン駆動部130は、タイミング制御部120から供給されるゲート制御信号GCSに応じて、パネル110に含まれたサブピクセルSPに含まれたトランジスタが動作可能なように、スキャン信号Scanを生成し、生成されたスキャン信号ScanをスキャンラインSLを介してパネル110に供給する。以下では、スキャンラインのうち、第n番目のスキャンラインを介して印加されるスキャン信号を第1スキャン信号Scan[n]と呼び、第n−1番目のスキャンラインを介して印加されるスキャン信号を第2スキャン信号Scan[n−1]と呼ぶことにする。
【0020】
データ駆動部140は、タイミング制御部120から供給されるデジタル形態の映像データR、G、B及びデータ制御信号DCSを用いてデータ信号を生成し、生成されたデータ信号をデータラインDLを介してパネル110に供給する。
【0021】
以下では、サブピクセルの細部構成について、
図1及び
図2を参照して詳細に説明する。
【0022】
図2は、
図1に示されたサブピクセルの等価回路を概略的に示す図である。
【0023】
図2に示されたように、各サブピクセルSPは、第1乃至第3トランジスタT1〜T3と駆動トランジスタTdr、キャパシタC及び有機発光ダイオードOLEDを含む。
【0024】
第1乃至第3トランジスタT1〜T3及び駆動トランジスタTdrは、
図2に示されたように、PMOSタイプのトランジスタが適用されているが、他の実施例として、NMOSタイプのトランジスタも適用可能である。この場合、PMOSタイプのトランジスタをターンオンさせる電圧は、NMOSタイプのトランジスタをターンオンさせる電圧と反対の極性を有する。
【0025】
まず、第3トランジスタT3のゲート電極に第2スキャン信号Scan[n−1]が印加され、第3トランジスタT3のゲート電極は第1電極としてのソース電極と接続され、第2電極としてのドレイン電極はキャパシタCの一端である第2ノードN2と接続される。
【0026】
例えば、第2スキャンラインを介して、第2スキャン信号Scan[n−1]が第3トランジスタT3のゲート電極に印加され、第2スキャン信号に応じて第3トランジスタの動作を制御することができる。
【0027】
したがって、第3トランジスタT3は、第2スキャン信号に応じてターンオンされ、第3トランジスタのドレイン電極であり、キャパシタCの一端である第2ノードN2の電圧を、第3トランジスタの閾値電圧Vth3の絶対値|Vth3|と第2スキャン信号のローレベル電圧VGLとの和VGL+|Vth3|に初期化することができる。
【0028】
ここで、第3トランジスタのゲート電極とソース電極とが接続されることによって、第3トランジスタはダイオードコネクションとなるので、第2ノードN2の電圧を、第3トランジスタのソース電圧である第2スキャン信号のローレベル電圧VGLより第3トランジスタの閾値電圧の絶対値|Vth3|だけ大きい電圧に初期化することができる。
【0029】
次に、第1トランジスタT1のゲート電極に第1スキャン信号Scan[n]が印加され、ソース電極にデータ電圧Vdataが印加され、ドレイン電極は第2トランジスタT2のドレイン電極である第1ノードN1と接続される。
【0030】
例えば、データラインDLを介してデータ電圧Vdataが第1トランジスタT1のソース電極に印加され、第1スキャンラインを介して印加される第1スキャン信号Scan[n]に応じて第1トランジスタT1がターンオンされると、第1ノードN1にデータ電圧Vdataを印加することができる。
【0031】
ここで、データ電圧Vdataは、1水平周期1H毎に互いに異なる連続した電圧であってもよい。例えば、第1トランジスタT1のソース電極に、1水平周期1Hの間に、第n−1番目のデータ電圧Vdata[n−1]が印加される場合、次の1水平周期1Hの間には、第n番目のデータ電圧Vdata[n]が印加され、続いて、1水平周期毎に次番目のデータ電圧が連続して印加されてもよい。
【0032】
次に、第2トランジスタT2の第2電極としてのドレイン電極は第1ノードN1と接続され、ゲート電極は第1電極としてのソース電極である第2ノードN2と接続され、第2ノードN2は駆動トランジスタTdrのゲート電極と接続される。
【0033】
例えば、第1ノードN1にデータ電圧Vdataが印加されると、駆動トランジスタのゲート電圧である第2ノードN2の電圧は、データ電圧Vdataと第2トランジスタT2の閾値電圧Vth2の絶対値|Vth2|との差Vdata−|Vth2|まで増加することができる。
【0034】
ここで、第2トランジスタT2のゲート電極と、第2ノードN2と接続されたソース電極とが接続されることによって、第2トランジスタはダイオードコネクションとなる。したがって、第2ノードN2の電圧が、第3トランジスタの閾値電圧Vth3の絶対値|Vth3|と第2スキャン信号のローレベル電圧VGLとの和VGL+|Vth3|に初期化された後、データ電圧が印加されると、第2ノードN2の電圧は、第2トランジスタのドレイン電圧であるデータ電圧より第2トランジスタの閾値電圧の絶対値|Vth2|だけ小さい電圧まで増加することができる。
【0035】
ここで、第2トランジスタT2の閾値電圧Vth2は、駆動トランジスタTdrの閾値電圧Vthと同一であってもよい。したがって、後述するキャパシタCは、第2トランジスタT2の閾値電圧Vth2をセンシングすることによって、駆動トランジスタTdrの閾値電圧Vthを同時にセンシングすることができる。
【0036】
次に、キャパシタCの一端は第2ノードN2と接続され、他端は高電位電源電圧VDDが印加される第3ノードN3と接続される。
【0037】
例えば、キャパシタCは、第2トランジスタの閾値電圧をセンシングすることによって、駆動トランジスタの閾値電圧をセンシングし、データ電圧をサンプリングする役割を果たす。具体的に、キャパシタCの両端には、高電位電圧VDDよりデータ電圧Vdataと第2トランジスタT2の閾値電圧Vth2の絶対値|Vth2|との差Vdata−|Vth2|だけ小さい電圧(VDD−Vdata+|Vth2|)を保存することができる。
【0038】
次に、駆動トランジスタTdrのゲート電極は第2ノードN2と接続され、ソース電極は第3ノードN3と接続され、ドレイン電極は第4ノードN4と接続される。
【0039】
一方、後述する有機発光ダイオードOLEDに流れる電流量は、駆動トランジスタTdrのソース電極とゲート電極との間の電圧Vsgと、駆動トランジスタTdrの閾値電圧Vthとの和Vsg+Vthによって決定され、補償回路によって、最終的にデータ電圧Vdataと高電位電源電圧VDDによって決定され得る。
【0040】
したがって、有機発光ダイオードOLEDに流れる電流の量は、データ電圧Vdataの大きさに比例するので、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置は、各サブピクセルSP毎に様々な大きさのデータ電圧Vdataを印加して互いに異なる階調を表示することによって、映像をディスプレイする。
【0041】
次に、有機発光ダイオードOLEDのアノード電極は第4ノードN4と接続され、カソード電極に、低電位電源電圧VSSまたは第3ノードに印加される高電位電源電圧VDDと同一電圧が印加される。
【0042】
例えば、有機発光ダイオードOLEDは、カソード電極に高電位電源電圧VDDが印加されると、発光がオフし、低電位電源電圧VSSが印加されると発光する。したがって、有機発光ダイオードOLEDの発光は、カソード電極に印加される電圧によって制御可能である。
【0043】
以下では、
図3及び
図5A乃至
図5Dを参照して、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置に含まれた各サブピクセルの動作について詳細に説明する。
【0044】
図3は、
図2に示された等価回路に供給される制御信号のタイミング図であり、
図5A乃至
図5Dは、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の駆動方法を説明するための図である。
【0045】
図3に示されたように、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置は、スキャン期間と発光期間とに区分されて動作し、スキャン期間は、初期化(Initial)期間t1、サンプリング(Sampling)期間t2、及びホールディング(Holding)期間t3を含む。
【0046】
まず、初期化(Initial)期間t1の間に、
図3に示されたように、ハイレベルの第1スキャン信号Scan[n]及びローレベルの第2スキャン信号Scan[n−1]が印加され、有機発光ダイオードのカソード電極に高電位電源電圧VDDが印加される。
【0047】
これによって、
図5Aに示されたように、第1トランジスタT1は、ハイレベルの第1スキャン信号Scan[n]によってターンオフされ、第3トランジスタT3は、ローレベルの第2スキャン信号Scan[n−1]によってターンオンされる。また、第1トランジスタT1のソース電極にデータラインを介して第n−1番目のデータ電圧Vdata[n−1]が印加されるが、第1トランジスタは、ハイレベルの第1スキャン信号によってターンオフされるので、第1ノードの電圧には何らの影響も与えない。また、有機発光ダイオードのカソード電極に高電位電源電圧VDDが印加されるので、駆動トランジスタはターンオフされ、有機発光ダイオードの発光もオフされる。
【0048】
例えば、初期化期間t1の間に、有機発光ダイオードは、カソード電極に印加される高電位電源電圧によって発光がオフされ、第3トランジスタのゲート電極とソース電極とが接続されることによって、第2ノードN2の電圧を、第3トランジスタのソース電圧である第2スキャン信号のローレベル電圧VGLより第3トランジスタの閾値電圧の絶対値|Vth3|だけ大きい電圧VGL+|Vth3|に初期化することができる。
【0049】
結局、初期化期間t1の間に、有機発光ダイオードは、カソード電極に印加される電圧によって発光が制御され、第3トランジスタのダイオードコネクションによって、第2ノードの電圧が、第3トランジスタの閾値電圧Vth3の絶対値|Vth3|と第2スキャン信号のローレベル電圧VGLとの和VGL+|Vth3|に初期化される。
【0050】
次に、サンプリング(Sampling)期間t2の間に、
図3に示されたように、ローレベルの第1スキャン信号Scan[n]及びハイレベルの第2スキャン信号Scan[n−1]が印加され、有機発光ダイオードのカソード電極に高電位電源電圧VDDが印加される。
【0051】
これによって、
図5Bに示されたように、第1トランジスタT1は、ローレベルの第1スキャン信号Scan[n]によってターンオンされ、第3トランジスタT3は、ハイレベルの第2スキャン信号Scan[n−1]によってターンオフされる。また、第1トランジスタT1のソース電極にデータラインを介して第n番目のデータ電圧Vdata[n]が印加される。また、有機発光ダイオードのカソード電極に高電位電源電圧VDDが印加されるので、駆動トランジスタはターンオフ状態を維持し、有機発光ダイオードの発光もオフ状態を維持する。
【0052】
例えば、サンプリング期間t2の間に、第1トランジスタT1がターンオンされ、第3トランジスタT3がターンオフされることによって、第2トランジスタT2のダイオードコネクションによって、第2ノードN2の電圧は、データ電圧Vdataと第2トランジスタT2の閾値電圧Vth2の絶対値|Vth2|との差Vdata−|Vth2|まで増加することができる。したがって、キャパシタCの両端には、高電位電圧VDDより第n番目のデータ電圧Vdata[n]と第2トランジスタT2の閾値電圧Vth2の絶対値|Vth2|との差(Vdata[n]−|Vth2|)だけ小さい電圧(VDD−Vdata[n]+|Vth2|)を保存することができる。
【0053】
結局、キャパシタCは、サンプリング期間t2の間に、データ電圧Vdata[n]をサンプリングし、第2トランジスタの閾値電圧Vth2と駆動トランジスタの閾値電圧Vthとが同一であるので、第2トランジスタの閾値電圧Vth2をセンシングすることによって、駆動トランジスタTdrの閾値電圧Vthをセンシングする役割を果たす。また、サンプリング期間t2の間にも、有機発光ダイオードOLEDのカソード電極に高電位電源電圧が印加されるので、駆動トランジスタはターンオフ状態を維持し、有機発光ダイオードもオフ状態を維持する。
【0054】
次に、ホールディング(Holding)期間t3の間に、
図3に示されたように、ハイレベルの第1スキャン信号Scan[n]及び第2スキャン信号Scan[n−1]が印加され、有機発光ダイオードOLEDのカソード電極に高電位電源電圧VDDが印加される。
【0055】
これによって、
図5Cに示されたように、第1及び第3トランジスタT1,T3は、ハイレベルの第1及び第2スキャン信号Scan[n]、Scan[n−1]によってターンオフされる。また、第1トランジスタT1のソース電極にデータラインを介して第n番目のデータ電圧Vdata[n]以降のデータ電圧Vdata[n+1],Vdata[n+2],・・・Vdata[m]が連続して印加されるが、第1トランジスタは、ハイレベルの第1スキャン信号によってターンオフされるので、第1ノードの電圧には何らの影響も与えない。また、有機発光ダイオードのカソード電極に高電位電源電圧VDDが印加されるので、駆動トランジスタはターンオフ状態を維持し、有機発光ダイオードの発光もオフ状態を維持する。
【0056】
例えば、ホールディング期間t3の間に、第1及び第3トランジスタT1,T3がターンオフされることによって、サンプリング期間t2の間にキャパシタCに保存された電圧VDD−Vdata[n]+|Vth2|を維持し続け、有機発光ダイオードOLEDのカソード電極に高電位電源電圧VDDが継続して印加されることによって、駆動トランジスタはターンオフ状態を維持し、有機発光ダイオードの発光もオフ状態を維持し続けることができる。
【0057】
結局、ホールディング期間t3の間には、第1及び第3トランジスタT1,T3がターンオフされることによって、第1トランジスタT1のソース電極にデータラインを介して第n番目のデータ電圧Vdata[n]以降のデータ電圧Vdata[n+1],Vdata[n+2],・・・Vdata[m]が連続して印加されても、サンプリング期間t2の間にキャパシタCに保存された電圧VDD−Vdata[n]+|Vth2|を維持し続ける。また、第m番目のデータ電圧Vdata[m]に対するサンプリングが完了するまで、有機発光ダイオードのカソード電極に高電位電源電圧VDDを印加することによって、有機発光ダイオードの発光をオフ状態に維持する。
【0058】
一方、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置に含まれた有機発光ダイオードは、毎フレームごとにそれぞれのスキャンラインのサンプリングが完了した後、発光を開始するものではなく、全てのスキャンラインのサンプリングが順次に完了するまでホールディング期間を維持し、全てのスキャンラインのサンプリングが完了した後、一度に発光を開始する。
【0059】
言い換えると、全てのスキャンラインをスキャンした後、一度に発光をするもので、
図4を参照してより詳細に説明する。
【0060】
図4は、
図3に示されたタイミング図を具体化した図である。本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置のスキャンラインの個数がm個であると仮定すると、第1番目、第n番目及び第m番目のスキャンラインのそれぞれには、スキャン信号として、Scan[1]、Scan[n]及びScan[m]が印加され、それぞれのスキャンラインと交差する一つのデータラインに、第1番目のデータ電圧Vdata[1]から第m番目のデータ電圧Vdata[m]まで印加されることがわかる。
【0061】
ここで、データ電圧が印加されるスキャン(Scan)期間には、各スキャンライン別に初期化(Initial)期間、サンプリング(Sampling)期間、ホールディング(Holding)期間を含むことができる。
【0062】
したがって、各スキャンライン別に該当のデータ電圧のサンプリングが行われた後、ホールディング期間を維持し、第m番目のデータ電圧Vdata[m]に対するサンプリングが完了した後、最終的に各スキャンラインに接続されている有機発光ダイオードOLEDのカソード電極に低電位電源電圧VSSを同時に印加しながら、各スキャンラインに接続された有機発光ダイオードが同時に発光を開始する。
【0063】
次に、発光(Emission)期間t4の間に、
図3に示されたように、ハイレベルの第1スキャン信号Scan[n]及び第2スキャン信号Scan[n−1]が印加され、有機発光ダイオードOLEDのカソード電極に低電位電源電圧VSSが印加される。
【0064】
これによって、
図5Dに示されたように、第1及び第3トランジスタT1,T3は、ハイレベルの第1及び第2スキャン信号Scan[n],Scan[n−1]によってターンオフ状態を維持する。また、第1トランジスタT1のソース電極にデータラインを介して任意のデータ電圧Vdata[m+1],・・・が連続して印加されるが、第1トランジスタは、ハイレベルの第1スキャン信号によってターンオフされるので、第1ノードの電圧には何らの影響も与えない。また、有機発光ダイオードのカソード電極に低電位電源電圧VSSが印加されるので、駆動トランジスタはターンオンされ、有機発光ダイオードが発光を開始する。
【0065】
したがって、有機発光ダイオードOLEDに流れる電流Ioledは、駆動トランジスタTdrに流れる電流によって決定され、駆動トランジスタに流れる電流は、駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間の電圧Vgs及び駆動トランジスタの閾値電圧Vthによって決定され、下記式(1)のように定義することができる。一方、サンプリング期間t2の間にキャパシタCの両端に保存された電圧VDD−Vdata[n]+|Vth2|がホールディング期間の間に一定に維持されるので、第2ノードである駆動トランジスタTdrのゲート電極の電圧は、“Vdata[n]−|Vth2|”となり得る。
【0067】
ここで、“K”は、比例定数として、駆動トランジスタTdrの構造と物理的特性によって決定される値で、駆動トランジスタTdrの移動度(mobility)、及び駆動トランジスタTdrのチャネル幅(W)とチャネル長さ(L)との比である“W/L”などによって決定され得る。また、有機発光ダイオード表示装置に含まれたトランジスタがPMOSタイプのトランジスタである場合、それぞれのトランジスタの閾値電圧は負の値を有し、上述したように、第2トランジスタの閾値電圧Vth2と駆動トランジスタの閾値電圧Vthは同一である。一方、駆動トランジスタTdrの閾値電圧Vthは、常に一定の値を有するものではなく、駆動トランジスタTdrの動作状態によってばらつきが発生し得る。
【0068】
言い換えると、式(1)から見ると、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置は、第2トランジスタの閾値電圧Vth2と駆動トランジスタの閾値電圧Vthとが同一であるので、発光期間t4の間に有機発光ダイオードOLEDに流れる電流Ioledが、駆動トランジスタTdrの閾値電圧Vthの影響を受けず、単に、高電位電源電圧VDDとデータ電圧Vdataとの差によって決定され得る。
【0069】
したがって、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置は、駆動トランジスタの動作状態による閾値電圧のばらつきを補償することによって、有機発光ダイオードに流れる電流を一定に維持して、画質の低下を防止することができる。
【0070】
また、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置は、補償回路を構成するトランジスタ及びキャパシタの個数が少なく、第3トランジスタのゲート電極に別途の制御ラインを介して制御信号を印加するものではなく、第1スキャンラインを介して印加される第1スキャン信号Scan[n]の以前のスキャン信号である第2スキャン信号Scan[n−1]を、第2スキャンラインを介して印加することによって、別途のラインを設計する必要がない。これによって、パネルのレイアウト(Layout)面積を減らすことができるので、高解像度に適する。
【0071】
図6は、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の閾値電圧のばらつきによる電流の変化を説明するための図である。
【0072】
図6に示されたように、有機発光ダイオードOLEDに流れる電流I_OLEDの大きさは、データ電圧Vdataに比例するが、同一のデータ電圧Vdataでは、閾値電圧VthのばらつきdVthに関係なく一定に維持されることがわかる。
【0073】
本発明の属する技術分野における当業者は、上述した本発明がその技術的思想や必須の特徴を変更せずに他の具体的な形態で実施できるということが理解されるであろう。
【0074】
したがって、以上記述した実施例は、全ての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。本発明の範囲は、上記詳細な説明よりは、後述する特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲の意味及び範囲、そしてその等価概念から導かれる全ての変更又は変形された形態が本発明の範囲に属するものと解釈しなければならない。