発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

ＳｉＣ単結晶を製造する際には、ＳｉＣ単結晶の成長表面が中央部において外縁部よりも窪んだ凹形状となるよりも、フラット形状もしくは中央部において外縁部よりもやや突き出た凸形状となるようにする方が好ましい。ＳｉＣ単結晶の成長表面が凹形状になると、結晶内部に応力が発生し、結晶欠陥（転位）が発生するなどにより品質を劣化させる。このため、ＳｉＣ単結晶の成長表面が凹形状であったとしてもその曲率が小さい方が品質の劣化を抑制でき、その成長表面がフラット形状もしくはやや凸形状になるとより好ましい。 ＳｉＣ単結晶の成長表面を制御するためには、ＳｉＣ単結晶の周囲を囲むようにガイドを配置し、このガイドの熱によってＳｉＣ単結晶の外縁部の温度が内部よりも高くなるようにすることが考えられる。具体的には、反応容器の上方から円筒状のガイドを延設し、ガイドの内周面に沿ってＳｉＣ単結晶を成長させるようにすれば良い。このようにすれば、ＳｉＣ単結晶の温度分布が中央部から外縁部にかけて急峻に変化し、外縁部において中央部よりも高温となるようにすることができる。これにより、ＳｉＣ単結晶の成長表面が凹形状になっても、凹部の凹み量が小さくなって、曲率が小さくなるようにできる。 しかしながら、反応容器の上方から円筒状のガイドを延設する場合、ＳｉＣ単結晶の成長方向においてガイドに温度分布をつけることが難しく、ＳｉＣ単結晶の結晶表面の分布に影響を与え難い。つまり、反応容器の上方に行くほど温度が低くなるが、ガイドの温度がその上方の温度に引っ張られ、期待する高温化が十分に行えず、ＳｉＣ単結晶の中央部から外縁部にかけて急峻に温度が変化しなくなる。その結果、反応容器との温度バランスによりＳｉＣ単結晶の表面が凹形状になってしまう。 本発明は点に鑑みて、よりＳｉＣ単結晶の成長表面が凹形状になることを抑制し、少なくとも凹形状の曲率を小さくすること、好ましくは成長表面がフラット形状もしくはやや凸形状となるようにすることを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋