特許第5833760号(P5833760)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許5833760個別の消去ゲートを有するスプリットゲート不揮発性フローティングゲートメモリセルを製造する方法及びそれによって製造されたメモリセル
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  • 特許5833760-個別の消去ゲートを有するスプリットゲート不揮発性フローティングゲートメモリセルを製造する方法及びそれによって製造されたメモリセル 図000002
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  • 特許5833760-個別の消去ゲートを有するスプリットゲート不揮発性フローティングゲートメモリセルを製造する方法及びそれによって製造されたメモリセル 図000009
  • 特許5833760-個別の消去ゲートを有するスプリットゲート不揮発性フローティングゲートメモリセルを製造する方法及びそれによって製造されたメモリセル 図000010
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