特許 5835170出願番号 特願 2012-202128
半導体装置の製造方法
出願人 豊田合成株式会社（識別番号 241463）
2026年 特許公開件数ランキング 84位 263件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 158位 136件（※）
公報発行日 2015年12月24
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5835170 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
半導体装置の製造方法に関する。さらに詳細には、III 族窒化物系化合物半導体と電極との接触抵抗の低減を図った半導体装置の製造方法に関するものである。
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
また、特許文献２には、ＧａＮ基板の窒素面にプラズマ処理を行う技術が開示されている（特許文献２の段落［００３４］参照）。この場合には、接触抵抗率は低くて１．０×１０-4Ωｃｍ2 程度である（特許文献２の図５および図８参照）。しかし、接触抵抗率は、より低いことが好ましい。 本発明は、前述した従来の技術が有する問題点を解決するためになされたものである。すなわちその課題とするところは、III 族窒化物系化合物半導体と電極との間の接触抵抗の低減を図った半導体装置の製造方法を提供することである。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
第１の態様における半導体装置の製造方法は、基板と半導体層とを有し、基板と半導体層との少なくとも一方がIII 族窒化物系化合物半導体から成る半導体装置の製造方法である。そして、基板の主面に半導体層を形成する半導体層形成工程と、基板と半導体層との少なくとも一方のIII 族窒化物系化合物半導体の窒素面にＣｌ2 を用いたドライエッチングを行って窒素面にピットを形成するドライエッチング工程と、ピットを・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本発明によれば、III 族窒化物系化合物半導体と電極との間の接触抵抗の低減を図った半導体装置の製造方法が提供されている。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】第１のIII 族窒化物系化合物半導体装置（縦型パワーデバイス）の構造を説明するための概略構成図である。
【図2】III 族窒化物系化合物半導体装置の電極の構造を説明するための図である。
【図3】ＧａＮ基板の窒素面（Ｎ面）にＣｌ2 を用いてエッチングした後の窒素面（Ｎ面）を示す顕微鏡写真である。
【図4】ＧａＮ基板の窒素面（Ｎ面）にＳｉＣｌ4 を用いてエッチングした後の窒素面（Ｎ面）を示す顕微鏡写真である。
【図5】第２のIII 族窒化物系化合物半導体装置（横型パワーデバイス）の構造を説明するための概略構成図である。
【図6】第３のIII 族窒化物系化合物半導体装置（発光素子）の構造を説明するための概略構成図である。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
１００…パワーデバイス
１１０…基板
１２０…ｎ型層
１３０…ｐ型層
１４０…ｎ型層
１５０…絶縁膜
Ｇ１…ゲート電極
Ｄ１…ドレイン電極
Ｓ１…ソース電極
Ｄ１１…第１金属層
Ｄ１２…第２金属層
Ｄ１３…第３金属層
Ｄ１４…第４金属層
Ｄ１５…凹部
Ｄ１６…導電部
２００…パワーデバイス
２５０…キャリア供給層
Ｇ２…ゲート電極
Ｄ２…ドレイン電極
Ｓ２…ソース電極
３００…発光素子
３７０…ｎ型ＧａＮ層
Ｎ３…ｎ電極
Ｐ３…ｐ電極
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