特許第5835889号(P5835889)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2015.5.11 β版

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】5835889
(24)【登録日】2015年11月13日
(45)【発行日】2015年12月24日
(54)【発明の名称】パチンコ遊技機
(51)【国際特許分類】
   A63F 7/02 20060101AFI20151203BHJP
【FI】
   A63F7/02 304D
【請求項の数】4
【全頁数】51
(21)【出願番号】特願2010-280059(P2010-280059)
(22)【出願日】2010年12月16日
(65)【公開番号】特開2012-125433(P2012-125433A)
(43)【公開日】2012年7月5日
【審査請求日】2013年11月1日
(73)【特許権者】
【識別番号】000161806
【氏名又は名称】京楽産業.株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100117503
【弁理士】
【氏名又は名称】間瀬 ▲けい▼一郎
(74)【代理人】
【識別番号】100121784
【弁理士】
【氏名又は名称】山田 稔
(72)【発明者】
【氏名】泉 邦秋
【審査官】 澤田 真治
(56)【参考文献】
【文献】 特開平04−073802(JP,A)
【文献】 特開2010−003710(JP,A)
【文献】 特開2004−349012(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
A63F 7/02
A63F 5/04
F21S 10/06
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
遊技盤と、当該遊技盤の盤面にその外周部に沿い設けられるガイドレールとを備えるパチンコ遊技機において、
前記遊技盤の盤面のうち前記ガイドレールの下端部の直上に形成してなるアウト口内に組み付けられる光演出装置を有する光演出システムを具備してなり、
前記光演出装置は、
前記アウト口内に組み付けられて前記遊技盤の盤面から前方へ演出壁を突出してなる演出部材と、
当該演出部材にその後側から組み付けられる環状部材と、
前記演出壁の左側下端部にその後側から設けられて前記ガイドレールの左側部位に沿い右側へ下方に向け転動する遊技球を進入させるように開口する左側アウト球入路と、
前記演出壁の右側下端部にその後側から設けられて前記ガイドレールの右側部位に沿い左側へ下方に向け転動する遊技球を進入させるように開口する右側アウト球入路と、
前記左側アウト球入路の内部から右側へ延出するように前記環状部材の下部に設けられる左側排出筒部材であってその延出端開口部にて前記左側アウト球入路からの遊技球を導入して前記アウト口内に排出する左側排出筒部材と、
前記右側アウト球入路の内部から左側へ延出するように前記環状部材の下部に設けられる右側排出筒部材であってその延出端開口部にて前記右側アウト球入路からの遊技球を導入して前記アウト口内に排出する右側排出筒部材と
技者側に向け凸に湾曲形状となって湾曲する反射板と、この反射板の前方へ延出する配設板部と、前記反射板の湾曲方向の一端側から他端側にかけて前記湾曲方向に沿い前記配設板部上に間隔をおいて配設される複数の発光素子とを有して、前記環状部材内に収容される発光反射ユニットとを具備してなり、
前記光演出システムは、前記複数の発光素子を、前記反射板の前記一端側の発光素子から前記他端側の発光素子にかけて、所定の発光態様でもって、所定発光強度にて発光し、
前記他端側の発光素子の前記所定発光強度による発光後、前記複数の発光素子のうち発光強度を零とする少なくとも1つの発光素子を前記一端側及び前記他端側の両発光素子の一方の発光素子から他方の発光素子にかけて順次移行させ、かつ、前記発光強度を零とする前記少なくとも1つの発光素子の移行に伴い、前記発光強度を零とする前記少なくとも1つの発光素子から互いに離れる両発光素子毎に前記所定発光強度よりも低い範囲にて順次高くなる発光強度にて発光するようにしたことを特徴とするパチンコ遊技機。
【請求項2】
前記光演出システムは、
記複数の発光素子のうちその一発光素子毎に当該一発光素子の前記所定発光強度による発光にあわせて、当該一発光素子の両隣接発光素子のうち前記他端側の発光素子に近い発光素子を前記所定発光強度よりも低い第1低発光強度にて発光するとともに前記両隣接発光素子のうち前記一端側の発光素子に近い発光素子を前記第1低発光強度よりも低い第2低発光強度にて発光し、
前記他端側の発光素子の前記所定発光強度による発光後において、前記発光強度を零とする前記少なくとも1つの発光素子の移行毎に、当該少なくとも1つの発光素子に隣接する両発光素子を同一低発光強度にて発光し、かつ、前記他端側の発光素子をその発光強度にて前記第2低発光強度から順次低下するように発光するとともに前記一端側の発光素子をその発光強度にて前記所定発光強度よりも低い範囲にて前記同一発光強度から順次高くするように発光することを特徴とする請求項1に記載のパチンコ遊技機。
【請求項3】
遊技盤と、当該遊技盤の盤面にその外周部に沿い設けられるガイドレールとを備えるパチンコ遊技機において、
前記遊技盤の盤面のうち前記ガイドレールの下端部の直上に形成してなるアウト口内に組み付けられる光演出装置を有する光演出システムを具備してなり、
前記光演出装置は、
前記アウト口内に組み付けられて前記遊技盤の盤面から前方へ演出壁を突出してなる演出部材と、
当該演出部材にその後側から組み付けられる環状部材と、
前記演出壁の左側下端部にその後側から設けられて前記ガイドレールの左側部位に沿い右側へ下方に向け転動する遊技球を進入させるように開口する左側アウト球入路と、
前記演出壁の右側下端部にその後側から設けられて前記ガイドレールの右側部位に沿い左側へ下方に向け転動する遊技球を進入させるように開口する右側アウト球入路と、
前記左側アウト球入路の内部から右側へ延出するように前記環状部材の下部に設けられる左側排出筒部材であってその延出端開口部にて前記左側アウト球入路からの遊技球を導入して前記アウト口内に排出する左側排出筒部材と、
前記右側アウト球入路の内部から左側へ延出するように前記環状部材の下部に設けられる右側排出筒部材であってその延出端開口部にて前記右側アウト球入路からの遊技球を導入して前記アウト口内に排出する右側排出筒部材と、
技者側に向け凸に湾曲形状となって湾曲する反射板と、この反射板の前方へ延出する配設板部と、前記反射板の湾曲方向の一端側から他端側にかけて前記湾曲方向に沿い前記配設板部上に間隔をおいて配設される第1〜第mの発光素子とを有して、前記環状部材内に収容される発光反射ユニットとを具備してなり、
前記光演出システムは、
記第1〜第mの発光素子の発光に要する所定デューティ比からなる第1〜第mの発光態様と、前記第1〜第mの発光素子のうちその発光に要するデューティ比を零とする少なくとも1つの発光素子を前記一端側及び前記他端側の両発光素子の一方の発光素子から他方の発光素子にかけて順次移行させ、かつデューティ比を零とする前記少なくとも1つの発光素子の移行に伴い、前記デューティ比を零とする前記少なくとも1つの発光素子から互いに離れる両発光素子毎に前記所定デューティ比よりも低い範囲にて順次高くなる低デューティ比からなる第(m+1)〜第(m+2)の発光態様とを発光態様データとして記憶する記憶手段と、
前記第1〜第mの発光素子を、前記発光態様データの前記第1〜前記第mの発光態様に基づき発光し、然る後、前記発光態様データの前記第(m+1)〜第(m+2)の発光態様に基づき、前記デューティ比を零とする前記少なくとも1つの発光素子の移行に伴い、当該少なくとも1つの発光素子以外の発光素子を発光するように駆動制御する駆動制御手段とを備えることを特徴とするパチンコ遊技機。
【請求項4】
前記発光態様データにおいて、前記第1〜第mの発光態様が、それぞれ、前記第1〜第mの発光素子の一発光素子毎に当該一発光素子の両隣接発光素子のうち前記第m発光素子側の発光素子に近い発光素子の発光に要するデューティ比をも前記所定デューティ比よりも低い第1低デューティ比とするとともに前記両隣接発光素子のうち前記第1発光素子に近い発光素子の発光に要するデューティ比をも前記第1低デューティ比よりも低い第2低デューティ比とするように設定され、
前記第(m+1)〜第(m+2)の発光態様が、前記デューティ比を零とする前記少なくとも1つの発光素子の移行毎に、当該少なくとも1つの発光素子に隣接する両発光素子の発光に要する各デューティ比をも同一低発光強度とし、かつ、前記第m発光素子の発光に要するデューティ比をも前記第2低デューティ比から順次低下するとともに前記第1発光素子の発光に要するデューティ比をも前記所定デューティ比よりも低い範囲にて前記最低デューティ比から順次高くするデューティ比とするように設定されており、
前記駆動制御手段は、前記第1〜第mの発光素子及びその前記両隣接発光素子を前記第1〜第mの発光態様に基づき発光し、前記第(m+1)〜第(m+2)の発光態様に基づき、前記デューティ比を零とする前記少なくとも1つの発光素子の移行に伴い、当該少なくとも1つの発光素子以外の発光素子を発光するように駆動制御することを特徴とする請求項3に記載のパチンコ遊技機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、複数の発光素子の点滅により光による演出を行うようにした光演出装置を備えるパチンコ遊技機に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、遊技機の光演出システムにおいては、例えば、下記特許文献1に記載の遊技機の回転発光装置が提案されている。この回転発光装置は、略円形の基板、5つの発光体系統及び円錐状反射体を備えている。5つの発光体系統は、それぞれ、3つの発光ダイオードでもって、構成されて、略円形の基板の略半円板部上に、その半円周方向に等角度間隔にて放射状に配設されている。また、円錐状反射体は、その頂部にて、略円形の基板の中央部に対向するように、基板の上方にて、上下逆の円錐状に設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開2002−239093号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、上述のように構成した回転発光装置は、各発光体系統をその各発光ダイオードでもって順次間欠的に発光させたとき、当該各発光体系統からの光が円錐状反射体の半円錐部の反射面により順次反射光として反射されることで、当該反射光を、恰も回転灯の回転のような疑似回転光として視認させるようになっている。
【0005】
しかしながら、このように各発光体系統からの光を円錐状反射体の半円錐部の反射面により順次反射光として反射するのみでは、反射光が、円錐状反射体の半円錐部に亘り擬似回転するようにしか視認されない。換言すれば、反射光が円錐状反射体の円錐部の全周に亘り回転するようには視認され得ず、光による回転演出としては、未だ不十分である。
【0006】
そこで、本発明は、以上のようなことに対処するため、複数の発光素子の発光形態に工夫を凝らし、各発光素子の配置領域を最小限にしても当該各発光素子の発光制御に基づき円周に亘る回転発光のように擬似的に認識させる光演出システムを備えるパチンコ遊技機を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記課題の解決にあたり、本発明に係るパチンコ遊技機は、請求項1に記載によれば、
遊技盤(20)と、当該遊技盤の盤面(21)にその外周部に沿い設けられるガイドレール(22)とを備える。
当該パチンコ遊技機において、
遊技盤の盤面のうちガイドレールの下端部の直上に形成してなるアウト口(30)内に組み付けられる光演出装置(40)を有する光演出システムを具備してなり、
光演出装置は、
上記アウト口内に組み付けられて遊技盤の盤面から前方へ演出壁(43a)を突出してなる演出部材(43)と、
当該演出部材にその後側から組み付けられる環状部材(41)と、
上記演出壁の左側下端部にその後側から設けられてガイドレールの左側部位に沿い右側へ下方に向け転動する遊技球を進入させるように開口する左側アウト球入路(43f)と、
上記演出壁の右側下端部にその後側から設けられてガイドレールの右側部位に沿い左側へ下方に向け転動する遊技球を進入させるように開口する右側アウト球入路(43g)と、
上記左側アウト球入路の内部から右側へ延出するように上記環状部材の下部に設けられる左側排出筒部材であってその延出端開口部(45a)にて上記左側アウト球入路からの遊技球を導入して上記アウト口内に排出する左側排出筒部材(45)と、
上記右側アウト球入路の内部から左側へ延出するように上記環状部材の下部に設けられる右側排出筒部材であってその延出端開口部(46a)にて上記右側アウト球入路からの遊技球を導入して上記アウト口内に排出する右側排出筒部材(46)と、
技者側に向け凸に湾曲形状となって湾曲する反射板(47b)と、この反射板の前方へ延出する配設板部(47c)と、上記反射板の湾曲方向の一端側から他端側にかけて上記湾曲方向に沿い上記配設板部上に間隔をおいて配設される複数の発光素子(L1〜L5)とを有して、上記環状部材内に収容される発光反射ユニット(47)とを具備してなり、
光演出システムは、上記複数の発光素子を、上記反射板の上記一端側の発光素子(L1)から上記他端側の発光素子(L5)にかけて、所定の発光態様でもって、所定発光強度にて発光し、
上記他端側の発光素子(L5)の上記所定発光強度による発光後、上記複数の発光素子のうち発光強度を零とする少なくとも1つの発光素子を上記一端側及び上記他端側の両発光素子(L1、L5)の一方の発光素子から他方の発光素子にかけて順次移行させ、かつ、上記発光強度を零とする上記少なくとも1つの発光素子の移行に伴い、上記発光強度を零とする上記少なくとも1つの発光素子から互いに離れる両発光素子毎に上記所定発光強度よりも低い範囲にて順次高くなる発光強度にて発光するようにしたことを特徴とする。
【0008】
これによれば、パチンコ遊技機において、光演出システムの光演出装置は、
遊技盤の盤面のうちガイドレールの下端部の直上に形成してなるアウト口内に組み付けられて遊技盤の盤面から前方へ演出壁を突出してなる演出部材と、
当該演出部材にその後側から組み付けられる環状部材と、
演出壁の左側下端部にその後側から設けられてガイドレールの左側部位に沿い右側へ下方に向け転動する遊技球を進入させるように開口する左側アウト球入路と、
演出壁の右側下端部にその後側から設けられてガイドレールの右側部位に沿い左側へ下方に向け転動する遊技球を進入させるように開口する右側アウト球入路と、
左側アウト球入路の内部から右側へ延出するように環状部材の下部に設けられる左側排出筒部材であってその延出端開口部にて左側アウト球入路からの遊技球を導入してアウト口内に排出する左側排出筒部材と、
右側アウト球入路の内部から左側へ延出するように環状部材の下部に設けられる右側排出筒部材であってその延出端開口部にて右側アウト球入路からの遊技球を導入して上記アウト口内に排出する右側排出筒部材とを備える。
これに伴い、左側排出筒部材は、ガイドレールの左側部位に沿い右側へ下方に向け転動して左側アウト球入路内に進入する遊技球を左側球として導入してアウト口に排出し、一方、右側排出筒部材は、ガイドレールの右側部位に沿い左側へ下方に向け転動して右側アウト球入路内に進入する遊技球を右側球として導入してアウト口に排出する。
このように左側球及び右側球が、ガイドレールの左側部位及び右側部位に沿い互いに接近するように転動しても、これら左側球及び右側球は、上述のように、それぞれ、別々に左側排出筒部材及び右側排出筒部材を通りアウト口に排出される。従って、当該左側球及び右側球が、ガイドレールの下端部にて左右方向から衝突して球詰まりを招くという事態の発生を未然に防止することができる。
【0009】
しかも、光演出装置は、上述したごとく、遊技者側に向け凸に湾曲形状となって湾曲する反射板と、この反射板の前方へ延出する配設板部と、反射板の湾曲方向の一端側から他端側にかけて上記湾曲方向に沿い配設板部上に間隔をおいて配設される複数の発光素子とを有して、環状部材内に収容される発光反射ユニットを備える。
このように、複数の発光素子が、発光反射ユニットの反射板の湾曲方向の一端側から他端側にかけて当該反射板の湾曲方向に沿い配設板部上に間隔をおいて遊技者側に向け凸な湾曲形状にて配設されている。
して、このような配設のもと、複数の発光素子が、上記反射板の上記湾曲方向の一端側の発光素子から上記湾曲方向の他端側の発光素子にかけて、所定の発光態様でもって、所定発光強度にて発光する。
【0010】
このような発光後、複数の発光素子のうち発光強度を零とする少なくとも1つの発光素子が、反射板の湾曲方向の一端側及び他端側の両発光素子の一方の発光素子から他方の発光素子にかけて順次移行し、かつ、このような両発光素子の移行に伴い、当該両発光素子から互いに離れる両発光素子毎に上記所定発光強度よりも低い範囲にて順次高くなる発光強度にて発光する。
【0011】
換言すれば、複数の発光素子の各発光が、反射板の湾曲方向の一端側の発光素子から当該湾曲方向の他端側の発光素子にかけて、順次、所定明るさの発光点として移動しつつ反射板により反射されて視認され、然る後、複数の発光素子のうち発光強度を零とする少なくとも1つの発光素子の位置或いはその近傍が、反射板の湾曲方向の一端側及び他端側の各両発光素子の一方の両発光素子の間から他方の両発光素子の間にかけて、順次暗点として移動して視認される。
【0012】
その結果、上述のように左側球及び右側球が、ガイドレールの下端部にて左右方向から衝突して球詰まりを招くという事態の発生を未然に防止し得るとともに、複数の発光素子が配設板部上にて反射板の前側にしか配設されていなくても、発光点及び暗点の移動でもって、反射板の前側及び後側の全体に亘り光演出を行っているように視認され得る。
【0013】
ここで、上述のような発光強度を零とする各少なくとも1つの発光素子の移行に伴い、当該各少なくとも1つの発光素子から互いに離れる両発光素子毎に所定発光強度よりも低い範囲にて順次高くなる発光強度にて発光するから、発光強度を零とする各少なくとも1つの発光素子の位置或いはその近傍の暗点がより一層良好に形成される。このため、上述のように左側球及び右側球がガイドレールの下端部にて左右方向から衝突して球詰まりを招くという事態の発生を未然に防止し得るという作用効果のもと、上述した光演出において暗点の移動による作用効果がより一層明確になる。
【0014】
また、本発明は、請求項2の記載によれば、請求項1に記載のパチンコ遊技機において、
複数の発光素子のうちその一発光素子毎に当該一発光素子の上記所定発光強度による発光にあわせて、当該一発光素子の両隣接発光素子のうち上記他端側の発光素子(L5)に近い発光素子を上記所定発光強度よりも低い第1低発光強度にて発光するとともに上記両隣接発光素子のうち上記一端側の発光素子(L1)に近い発光素子を上記第1低発光強度よりも低い第2低発光強度にて発光し、
上記他端側の発光素子(L5)の上記所定発光強度による発光後において、上記発光強度を零とする上記少なくとも1つの発光素子の移行毎に、当該少なくとも1つの発光素子に隣接する両発光素子を同一低発光強度にて発光し、かつ、上記他端側の発光素子(L5)をその発光強度にて上記第2低発光強度から順次低下するように発光するとともに上記一端側の発光素子をその発光強度にて上記所定発光強度よりも低い範囲にて上記同一発光強度から順次高くするように発光することを特徴とする。
【0015】
これによれば、所定明るさにて発光する複数の発光素子にそれぞれ隣接する各発光素子の明るさを所定明るさよりも暗くするようにしたので、所定明るさにて発光する複数の発光素子の各発光点がより一層明確になるとともに、上記発光強度を零とする各少なくとも1つの発光素子に隣接する両発光素子が同一の暗さとなるように発光するので、上述の各暗点がより一層明確になる。その結果、請求項1に記載の発明の作用効果がより一層向上され得る。
【0017】
また、本発明に係るパチンコ遊技機は、その光演出システムにおいて、次のように構成してもよい。
ち、当該光演出システムは、遊技者側に向け凸に湾曲形状となって湾曲する反射板(47b)と、この反射板の前方へ延出する配設板部(47c)と、上記反射板の湾曲方向の一端側から他端側にかけて当該湾曲方向に沿い上記配設板部上に間隔をおいて配設される複数の発光素子(L1〜L5)とを有する発光反射ユニット(47)と、
第1〜第5の発光素子を、上記反射板の上記一端側の発光素子(L1)である第1発光素子から上記他端側の発光素子(L5)である第5発光素子にかけて、順次、所定の発光強度にて発光し、
第5発光素子(L5)の上記所定発光強度による発光後、第1〜第5の発光素子のうち発光強度を零とする少なくとも1つの発光素子を第1及び第5の発光素子(L1、L5)の一方の発光素子から他方の発光素子にかけて順次移行させ、かつ、上記発光強度を零とする少なくとも1つの発光素子の移行に伴い、当該発光強度を零とする少なくとも1つの発光素子から互いに離れる両発光素子毎に上記所定発光強度よりも低い範囲にて順次高くなる発光強度にて発光するようにしてもよい。
【0018】
このように、発光素子を5個とすることで、請求項1に記載の発明の作用効果がより一層具体的に達成され得る。
【0019】
ここで、第1発光素子(L1)の上記記所定発光強度による発光にあわせて第2発光素子(L2)を上記所定発光強度よりも低い第1低発光強度にて発光し、
第2〜第4の発光素子(L2〜L4)のうちその一発光素子毎に当該一発光素子の上記所定発光強度による発光にあわせて、当該一発光素子の両隣接発光素子のうち第5発光素子(L5)に近い発光素子を上記第1低発光強度にて発光するとともに上記両隣接発光素子のうち第1発光素子(L1)に近い発光素子を上記第1低発光強度よりも低い第2低発光強度にて発光し、
第5発光素子の上記所定発光強度による発光にあわせて第4発光素子(L4)を上記第2低発光強度にて発光し、
第5発光素子(L5)の上記所定発光強度による発光後において、上記発光強度を零とする少なくとも1つの発光素子の移行毎に、当該少なくとも1つの発光素子に隣接する両発光素子を同一低発光強度にて発光し、かつ、第5発光素子(L5)をその発光強度にて上記第2低発光強度から順次低下するように発光するとともに第1発光素子(L1)をその発光強度にて上記所定発光強度よりも低い範囲にて前記同一低発光強度から順次高くするように発光するようにしてもよい。
【0020】
さらに、第5発光素子(L5)の上記所定発光強度による発光後において、上記発光強度を零とする両発光素子の移行毎に、当該両発光素子が第1及び第2の発光素子であるとき第5発光素子(L5)を上記第2低発光強度にて発光し、両発光素子が第2及び第3の発光素子(L2、L3)であるとき第5発光素子(L5)を上記第2低発光強度よりも低い第3低発光強度にて発光するとともに第4及び第1の発光素子を上記同一低発光強度にて発光し、上記両発光素子が第3及び第4の発光素子であるとき第1発光素子(L1)を上記第3低発光強度にて発光するとともに第5及び第2の発光素子(L5、L2)を上記同一低発光強度にて発光し、また、両発光素子が第4及び第5の発光素子(L4、L5)であるとき第1発光素子(L1)、第2発光素子(L2)及び第3発光素子(L3)をそれぞれ上記第2低発光強度、上記第3低発光強度及び上記同一低発光強度にて発光するようにしてもよい。
【0021】
これによれば、発光強度を零とする両発光素子の移行毎に、当該両発光素子を除く各発光素子のうち第5及び第1の各発光素子から当該両発光素子に向けて順次暗くなるように発光するので、各暗点がより一層具体的に明確になる。
【0022】
また、本発明に係るパチンコ遊技機は、請求項3の記載によれば、
遊技盤(20)と、当該遊技盤の盤面(21)にその外周部に沿い設けられるガイドレール(22)とを備える。
当該パチンコ遊技機において、
遊技盤の盤面のうちガイドレールの下端部の直上に形成してなるアウト口(30)内に組み付けられる光演出装置(40)を有する光演出システムを具備してなり、
光演出装置は、
上記アウト口内に組み付けられて遊技盤の盤面から前方へ演出壁(43a)を突出してなる演出部材(43)と、
当該演出部材にその後側から組み付けられる環状部材(41)と、
上記演出壁の左側下端部にその後側から設けられてガイドレールの左側部位に沿い右側へ下方に向け転動する遊技球を進入させるように開口する左側アウト球入路(43f)と、
上記演出壁の右側下端部にその後側から設けられてガイドレールの右側部位に沿い左側へ下方に向け転動する遊技球を進入させるように開口する右側アウト球入路(43g)と、
左側アウト球入路の内部から右側へ延出するように上記環状部材の下部に設けられる左側排出筒部材であってその延出端開口部(45a)にて左側アウト球入路からの遊技球を導入して上記アウト口内に排出する左側排出筒部材(45)と、
右側アウト球入路の内部から左側へ延出するように上記環状部材の下部に設けられる右側排出筒部材であってその延出端開口部(46a)にて右側アウト球入路からの遊技球を導入して上記アウト口内に排出する右側排出筒部材(46)と、
技者側に向け凸に湾曲形状となって湾曲する反射板(47b)と、この反射板の前方へ延出する配設板部(47c)と、反射板の湾曲方向の一端側から他端側にかけて当該湾曲方向に沿い上記配設板部上に間隔をおいて配設される第1〜第mの発光素子(L1〜L5)とを有して、上記環状部材内に収容される発光反射ユニット(47)とを具備してなり、
光演出システムは、
1〜第mの発光素子の発光に要する所定デューティ比からなる第1〜第mの発光態様と、第1〜第mの発光素子のうちその発光に要するデューティ比を零とする少なくとも1つの発光素子を上記一端側及び上記他端側の両発光素子(L1、L5)の一方の発光素子から他方の発光素子にかけて順次移行させ、かつデューティ比を零とする上記少なくとも1つの発光素子の移行に伴い、上記デューティ比を零とする上記少なくとも1つの発光素子から互いに離れる両発光素子毎に上記所定デューティ比よりも低い範囲にて順次高くなる低デューティ比からなる第(m+1)〜第(m+2)の発光態様とを発光態様データとして記憶する記憶手段と、
第1〜第mの発光素子を、上記発光態様データの上記第1〜前記第mの発光態様に基づき発光し、然る後、上記発光態様データの上記第(m+1)〜第(m+2)の発光態様に基づき、上記デューティ比を零とする上記少なくとも1つの発光素子の移行に伴い、当該少なくとも1つの発光素子以外の発光素子を発光するように駆動制御する駆動制御手段(310〜320、322〜340、360〜370、390〜400、420〜430、450〜460、480〜490、510〜520、540〜550、200、210〜250、210A〜250A、200A)とを備えることを特徴とする。
【0023】
これにより、請求項1に記載の発明と同様に、左側排出筒部材は、ガイドレールの左側部位に沿い右側へ下方に向け転動して左側アウト球入路内に進入する遊技球を左側球として導入してアウト口に排出し、一方、右側排出筒部材は、ガイドレールの右側部位に沿い左側へ下方に向け転動して右側アウト球入路内に進入する遊技球を右側球として導入してアウト口に排出する。
このように左側球及び右側球が、ガイドレールの左側部位及び右側部位に沿い互いに接近するように転動しても、これら左側球及び右側球は、上述のように、それぞれ、別々に左側排出筒部材及び右側排出筒部材を通りアウト口に排出される。従って、当該左側球及び右側球が、ガイドレールの下端部にて左右方向から衝突して球詰まりを招くという事態の発生を未然に防止することができる。
しかも、第1〜第mの発光素子を、上記発光態様データの上記第1〜上記第mの発光態様に基づき発光し、然る後、上記発光態様データの上記第(m+1)〜第(m+2)の発光態様に基づき、上記デューティ比を零とする少なくとも1つの発光素子の移行に伴い、当該少なくとも1つの発光素子以外の発光素子を発光するように駆動制御する。
その結果、請求項1に記載の発明と同様の作用効果を達成することができる。なお、請求項3の記載において、符号mは整数である。
【0024】
また、本発明は、請求項4の記載によれば、請求項3に記載のパチンコ遊技機において、
上記発光態様データにおいて、上記第1〜第mの発光態様が、それぞれ、第1〜第mの発光素子の一発光素子毎に当該一発光素子の両隣接発光素子のうち上記第m発光素子側の発光素子に近い発光素子の発光に要するデューティ比をも上記所定デューティ比よりも低い第1低デューティ比とするとともに上記両隣接発光素子のうち第1発光素子に近い発光素子の発光に要するデューティ比をも上記第1低デューティ比よりも低い第2低デューティ比とするように設定され、
上記第(m+1)〜第(m+2)の発光態様が、上記デューティ比を零とする少なくとも1つの発光素子の移行毎に、当該少なくとも1つの発光素子に隣接する両発光素子の発光に要する各デューティ比をも同一低発光強度とし、かつ、第m発光素子の発光に要するデューティ比をも上記第2低デューティ比から順次低下するとともに第1発光素子の発光に要するデューティ比をも上記所定デューティ比よりも低い範囲にて上記最低デューティ比から順次高くするデューティ比とするように設定されており、
駆動制御手段は、第1〜第mの発光素子及びその上記両隣接発光素子を上記第1〜第mの発光態様に基づき発光し、上記第(m+1)〜第(m+2)の発光態様に基づき、上記デューティ比を零とする上記少なくとも1つの発光素子の移行に伴い、当該少なくとも1つの発光素子以外の発光素子を発光するように駆動制御することを特徴とする。
【0025】
これにより、デューティ比が発光強度に対応することで、請求項3に記載の発明と実質的に同様の作用効果を達成することができる。
【発明の効果】
【0028】
本発明によれば、ガイドレールの左側部位に沿い右側へ下方に向け転動して左側アウト球入路内に進入する遊技球及びガイドレールの右側部位に沿い左側へ下方に向け転動して右側アウト球入路内に進入する遊技球が、それぞれ、左側球及び右側球として、ガイドレールの左側部位及び右側部位に沿い互いに接近するように転動しても、これら左側球及び右側球は、それぞれ、別々に左側排出筒部材及び右側排出筒部材を通りアウト口に排出される。従って、当該左側球及び右側球が、ガイドレールの下端部にて左右方向から衝突して球詰まりを招くという事態の発生を未然に防止することができる。このような作用効果のもと、複数の発光素子が配設板部上にて反射板の前側にしか配設されていなくても、発光点及び暗点の移動でもって、反射板の前側及び後側の全体に亘り光演出を行っているように視認され得る。
【0029】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す。
【図面の簡単な説明】
【0030】
図1】本発明が適用されるパチンコ遊技機の第1実施形態を、前扉を開放した状態にて示す斜視図である。
図2図1に示す光演出装置をパチンコ遊技機から分離した状態にて示す斜視図である。
図3図2の光演出装置をその前側からみた拡大斜視図である。
図4図2の光演出装置をその後側からみた拡大斜視図である。
図5図2の光演出装置をその斜め下側からみた拡大斜視図である。
図6図2の光演出装置の拡大下面図である。
図7図2の光演出装置の拡大分解斜視図である。
図8図7の発光板部材の平面図である。
図9図7の演出部材に左側球排出筒部材及び右側球排出筒部材を組み付けた状態を演出部材の後側からみた状態で示す斜視図である。
図10図7の演出部材に左側球排出筒部材及び右側球排出筒部材を組み付けた状態を演出部材の斜め下後方からみた状態で示す斜視図である。
図11図7の演出部材に左側球排出筒部材及び右側球排出筒部材を組み付けた状態を演出部材の斜め上後方からみた状態で示す斜視図である。
図12図1のパチンコ遊技機の要部の縦断面図である。
図13】上記第1実施形態における光演出装置を制御するためのブロック回路図である。
図14】上記第1実施形態における発光態様と各発光ダイオードの発光に要するデューティ比との関係を特定する発光態様データを示す図表である。
図15図13の発光駆動回路の詳細回路構成を示す回路図である。
図16図13の演出制御回路であるマイクロコンピュータの作用を示すフローチャートの一部である。
図17図13の演出制御回路であるマイクロコンピュータの作用を示すフローチャートの一部である。
図18図13の演出制御回路であるマイクロコンピュータの作用を示すフローチャートの一部である。
図19図13の演出制御回路であるマイクロコンピュータの作用を示すフローチャートの一部である。
図20図13の演出制御回路であるマイクロコンピュータの作用を示すフローチャートの一部である。
図21図13の演出制御回路であるマイクロコンピュータの作用を示すフローチャートの一部である。
図22図13の演出制御回路であるマイクロコンピュータの作用を示すフローチャートの一部である。
図23図13の演出制御回路であるマイクロコンピュータの作用を示すフローチャートの一部である。
図24図13の演出制御回路であるマイクロコンピュータの作用を示すフローチャートの一部である。
図25】上記第1実施形態における各発光ダイオードの発光態様を、当該各発光ダイオードの配設位置及び位相角との関係にて示すタイミングチャートである。
図26】本発明の第2実施形態の要部を示す詳細回路図である。
【発明を実施するための形態】
【0031】
以下、本発明の各実施形態を図面により説明する。
(第1実施形態)
図1及び図2は、パチンコ遊技機に適用してなる本発明に係る光演出システムの第1実施形態を示している。当該パチンコ遊技機は、パチンコホール内の島に立設されるもので、このパチンコ遊技機は、機枠PFと遊技機本体Bと前扉FDとにより構成されている。なお、前扉FDは、前枠FD1と、この前枠FD1の中空部に組み付けた窓ガラスFD2とにより構成されており、この前扉FDは、前枠FD1の左縁部にて、遊技機本体Bの左縁部を介し、機枠PFの左縁部に前後方向に開閉可能に支持されている。また、図1において、図示上下左右方向は、当該パチンコ遊技機を正面から見たときの上下左右方向に対応し、また、図示前後方向は、当該パチンコ遊技機の正後方向に対応する。
【0032】
遊技機本体Bは、枠体BFを備えており、この枠体BFは、その左縁部にて、機枠PFの左縁部に前後方向へ回動可能に支持されている。なお、枠体BFの右下部には、球発射装置10が配設されている。
【0033】
また、当該遊技機本体Bは、遊技盤20を備えており、この遊技盤20は、枠体BFの中空部に嵌装されている。
【0034】
遊技盤20の盤面21には、外レール22aと内レール22bとからなるガイドレール22が取り付けられている。このガイドレール22は図1或いは図2にて示すごとく、遊技盤20の盤面21にその外周部に沿い取り付けられており、当該ガイドレール22は、その内周側において、遊技盤20の盤面21上に区画された遊技領域23を形成する。また、ガイドレール22は、前扉FDの前面右下部に設けられた操作ハンドル(図示しない)の回動操作により、球発射装置10から発射される遊技球を、外レール22aと内レール22bの間を通して遊技領域23内に案内する。
【0035】
本実施形態では、図示しないが、遊技盤20には、通常のデジパチ型のパチンコ遊技機と同様に、センター装飾部材、画像表示器、遊技釘群、スタートチャッカー、アタッカー、電動チューリップ、スルーゲート、風車、複数の普通入賞口装置などが設けられている。なお、上記電動チューリップの入賞口内への遊技球の入賞は、電チュー入賞口センサ(図示しない)により検出される。また、このように電チュー入賞口センサによる検出がなされると、後述する主基板回路が、電チュー入賞口センサの検出結果に基づき、遊技者に有利な遊技状態となる特定遊技状態を発生させるか否かについての大当たり抽選を行う。
【0036】
当該光演出システムは、図1或いは図2にて示すごとく、光演出装置40と、この光演出装置40を発光駆動制御するための発光制御装置Eとでもって構成されている。
【0037】
光演出装置40は、図1にて示すごとく、遊技盤20にその盤面21側から内レール22bの下端部上に沿い、アウト口30(図2参照)内に組み付けられている。本実施形態では、アウト口30は、図2にて示すごとく、内レール22bの下端部の直上にて、遊技盤20に開口形成されている。
【0038】
当該光演出装置40は、図3図7のいずれかにより示すごとく、ケーシング40aを備えている。このケーシング40aは、環状部材41と、透光板42と、演出部材43と、蓋部材44とにより構成されており、当該ケーシング40aは、演出部材43を遊技盤20の盤面21から前方へ突出させ、環状部材41、透光板42及び蓋部材44をアウト口30内に嵌装するようにして、遊技盤20に組み付けられている。
【0039】
環状部材41は、図7にて示すごとく、上壁41a、左側壁41b、下壁41c及び右側壁41dでもって環状に形成されている。ここで、上壁41aの左右方向中央部には、凹状通路部41eが、前後方向に沿い、下方に向けて凹な半円筒状にて形成されており、この凹状通路部41eは、後述する入賞球通路の途中通路を構成する。
【0040】
透光板42は、略四角板状の透明板部42aと、この透明板部42aの上下方向中央左右両端部から互いに逆方向に突出する両取り付け部42b、42bとを有している。当該透光板42は、その透明板部42aにて、環状部材41と演出部材43との間に複数のネジの締着により挟持されており、当該透光板42の両取り付け部42b、42bは、アウト口30の外周部に遊技盤20の盤面21側からネジ止めされている。
【0041】
演出部材43は、透明の演出壁43aと、この演出壁43aの上端部から後方へ延出する上壁43bと、この上壁43bの左右方向中央部に設けてなる入賞口体43cと、演出壁43aの左右両端上側部部位から後方に延出して上壁43bとともにコ字状壁を構成する左右両側壁43d、43eと、演出壁43aの左右両側下端部に設けた左右両側アウト球入路43f、43gとを備えている。
【0042】
ここで、演出壁43aは、その後方から入射する光を透過させて、「RUSH」の英文字でもって光学的に演出効果を発揮する。入賞口体43cは、その底壁部にて、上壁43bの左右方向中央切り欠き部内に嵌着されており、当該入賞口体43cは、上方及び後方に向けて開口するように、左右方向断面コ字状にかつ前後方向断面L字状に構成されている。
【0043】
左右両側アウト球入路43f、43gのうち、左側アウト球入路43fは、演出壁43aの左側下端部の後側にて当該左側下端部とともに上方及び左右方向に開口する横断面コ字状の通路となるように構成されている。この左側アウト球入路43fは、遊技盤20の盤面21の前方かつ内レール22bの上面に沿うように位置しており、当該左側アウト球入路43fは、その入り口部43hにて、内レール22bの左側部位に向けて開口する。これにより、内レール22bの左側部位の上面に沿い下方へ転動する遊技球が左側アウト球入路43f内にその入り口部43hから進入する。
【0044】
右側アウト球入路43gは、演出壁43aの右側下端部の後側にて当該右側下端部とともに上方及び左右方向に開口する横断面コ字状の通路となるように構成されている。この右側アウト球入路43gは、遊技盤20の盤面21の前方かつ内レール22bの上面に沿うように位置しており、当該右側アウト球入路43gは、その入り口部43iにて、内レール22bの右側部位に向けて開口する。これにより、内レール22bの右側部位の上面に沿い下方へ転動する遊技球が右側アウト球入路43g内にその入り口部43iから進入する。
【0045】
なお、入賞口体43cは、その上側開口部にて、パチンコ遊技機のスタートチャッカー(図示しない)の入賞口を構成しており、当該入賞口体43cに対する上側開口部からの遊技球の入賞の際に、遊技盤21に搭載の主基板(図示しない)に配設した主基板回路(図示しない)が、上記スタートチャッカーの入賞口に対する遊技球の入賞を始動入賞口センサにより検出することで、当該検出結果に基づき、遊技者に有利な遊技状態となる特定遊技状態を発生させるか否かについての大当たり抽選を行う。なお、上記始動入賞口センサは、上記スタートチャッカーの入賞口内に設けられており、当該始動入賞口センサは、記スタートチャッカーの入賞口に対する遊技球の入賞を検出する。
【0046】
当該光演出装置40は、図4図11のいずれかにて示すごとく、左側球排出筒部材45及び右側球排出筒部材46を備えている。左側球排出筒部材45は、図5にて示すごとく、環状部材41の下壁41cにその下面側から組み付けられている。詳細には、左側球排出筒部材45は、その外周壁の長手方向中間部位にて、両ステイにより、環状部材41の下壁41cに各ネジの締着により組み付けられている(図5参照)。
【0047】
この左側球排出筒部材45は、左側アウト球入路43fの内部から略水平に後方右側へ湾曲状に延出した後下方へ折れ曲がって延出するように構成されており、当該左側球排出筒部材45は、その延出端開口部45aにて、アウト口30内に延在して開口している。これにより、左側球排出筒部材45は、内レール22bの左側部位の上面に沿い下方へ転動する遊技球を、左側アウト球入路43fを通し導入して、延出端開口部45aからアウト口30を介し遊技盤20の後方へ排出する。
【0048】
右側球排出筒部材46は、演出壁43aの左右方向中間下部にその後面側から組み付けられている。詳細には、右側球排出筒部材46は、両ステイにより、演出壁43aの左右方向中間下部に各ネジの締着により組み付けられている(図9参照)。
【0049】
この右側球排出筒部材46は、右側アウト球入路43gの内部から後方やや下方へ湾曲状に延出するように構成されており、当該右側球排出筒部材46は、その延出端開口部46aにて、アウト口30内に延在して開口している。これにより、右側球排出筒部材46は、内レール22bの右側部位の上面に沿い下方へ転動する遊技球を、右側アウト球入路43gを通し導入して、延出端開口部46aからアウト口30を介し遊技盤20の後方へ排出する。本実施形態では、右側球排出筒部材46の延出開口部46aが、左側球排出筒部材45の延出開口部45aとともに、当該延出開口部45aの後側にて、アウト口30内に延在している。なお、これに代えて、右側球排出筒部材46の延出開口部46aが、左側球排出筒部材45の延出開口部45aとともに、当該延出開口部45aの前側にて、アウト口30内に延在するようにしてもよい。
【0050】
蓋部材44は、その外周部を環状部材41にその後方からネジにより締着することで組み付けられている。
【0051】
発光反射ユニット47は、蓋部材44の前面に組み付けられることで、環状部材41内に収容されており、当該発光反射ユニット47は、発光板部材47aと、湾曲状反射板47bとにより構成されている(図7参照)。
【0052】
発光板部材47aは、湾曲状反射板47bの上下方向中間部位から前方へ延出する配設板部47cと、この配設板部47cに配設した所定個数(例えば、5個)の発光ダイオードL1〜L5とにより構成されている。ここで、配設板部47cは、図8にて示すごとく、半円板状のもので、当該配設板部47cは、その直線状基部にて、湾曲状反射板47bの上下方向中間部位に嵌着されて、湾曲状反射板47bの前方に向け半円板状に延出している。このため、当該配設板部47cは、その延出外周縁部にて、前方へ凸な半円の円弧状に形成されている。本実施形態において、発光ダイオードは、以下、LEDともいう。
【0053】
また、各LEDL1〜L5は、LEDL1からLEDL5にかけて、配設板部47cの延出外周縁部にその円弧方向に沿い所定の角度間隔(30°間隔)をおいて配設されている。
【0054】
ここで、配設板部47cを、図8にて示すごとく、左側基線aから図示反時計方向へ15°の角度位置(以下、左側15°位置という)と右側基線bから図示時計方向へ15°の角度位置(以下、右側15°位置という)との間において、円弧方向に37.5°間隔に区画したとき、LEDL1は、上記左側15°位置の角度位置に配設されている。
【0055】
また、LED2は、左側基線aから52.5°の角度位置に配設され、LED3は、左側基線aから90°の角度位置に配設され、LED4は、左側基線aから127.5°の角度位置に配設され、また、LED5は、左側基線aから165°(右側基線bから15°)の角度位置に配設されている。
【0056】
しかして、当該各発光ダイオードL1〜L5は、後述のごとく発光駆動されて、上方に向けて光を放射状に出射する。なお、各発光ダイオードL1〜L5は、共に、同一仕様の発光ダイオードである。
【0057】
湾曲状反射板47bは、配設板部47cを境界として上下両側部位47d、47eに区画されており、上側部位47dは、反射部位(以下、反射部位47dともいう)として機能する。しかして、湾曲状反射板47bは、反射部位47dにて、各発光ダイオードL1〜L5からの光を透光板42に向けて反射する。
【0058】
また、当該光演出装置40は、上側入賞球通路部材48及び下側入賞球通路部材49を有しており、上側入賞球通路部材48及び下側入賞球通路部材49は、演出部材43の入賞口体43c及び環状部材41の凹状通路部41eとともに、入賞球通路を構成する。これに伴い、上側入賞球通路部材48は、その上端開口部にて凹状通路部41eにその後方から開口するように蓋部材44の後面左右方向中央部に沿い下方に向けて延出している。なお、本実施形態では、上記入賞球通路及び始動入賞口センサ50でもって、始動入賞口装置を構成する。
【0059】
下側入賞球通路部材49は、その上端開口部にて、始動入賞口センサ50のためのセンサケーシング51を介し上側入賞球通路部材48の延出端開口部に連通するように、蓋部材44の後面左右方向中央部に沿い下方に向けて延出している。
【0060】
始動入賞口センサ50は、センサケーシング51内に収容されて、上側入賞球通路部材48の内部から下側入賞球通路部材49の内部に落下する遊技球を入賞球として検出する。なお、センサケーシング51は、蓋部材44の後面から後方へ延出している。また、検出された遊技球は、下側入賞球通路部材49の下端開口部49aから遊技盤20の裏側に排出される。
【0061】
発光制御装置Eは、図13にて示すごとく、上述した始動入賞口センサ50及び電チュー入賞口センサ(以下、電チュー入賞口センサ60ともいう)に接続した演出制御回路100と、この演出制御回路100と各発光ダイオードL1〜L5との間に接続してなる発光駆動回路200とを備えている。
【0062】
電チュー入賞口センサ60は、遊技盤20において上記始動入賞口装置の直下に設けてなる電動チューリップの入賞口(電チュー入賞口)内に設けられており、この電チュー入賞口センサ60は、上記電チュー入賞口に入賞する遊技球を検出して、始動入賞口センサ50とともに、大当たり抽選を行う。
【0063】
演出制御回路100は、マイクロコンピュータからなるもので、当該演出制御回路100は、図16図24にて示すフローチャートに従い、コンピュータプログラムを実行する。そして、この実行中において、演出制御回路100は、始動入賞口センサ50或いは電チュー入賞口センサ60の検出出力及び発光態様データ(図14参照)に基づき、大当たりの際に発光駆動回路200による各LEDL1〜L5の発光駆動制御に要する演出処理を行う。なお、上記コンピュータプログラムは、上記発光態様データと共に、演出制御回路100のROMに予め読み出し可能に記憶されている。
【0064】
上記発光態様データは、図14にて示すごとく、第1〜第9の発光態様と、各LEDL1〜L5のデューティ比D1〜D5との間の関係を表すデータであって、当該発光態様データは、演出制御回路100のROMに予め読み出し可能に記憶されている。本実施形態において、各デューティ比D1、D2、D3、D4及びD5は、それぞれ、各LEDL1〜L5をデューティ発光駆動するためのデューティ比をいう。本第1実施形態において、後述するデューティ信号が、その周期に亘り、ハイレベルの期間とこれに後続するローレベルの期間とで形成される場合、デューティ比は(ハイレベルの期間/周期)でもって特定される。
【0065】
上述の第1〜第9の発光態様において、発光態様1は、図14にて示すごとく、LEDL1のデューティ比D1=100(%)、LEDL2のデューティ比D2=50(%)、LEDL3のデューティ比D3=0(%)、LEDL4のデューティ比D4=0(%)及びLEDL5のデューティ比D5=0(%)でもって特定されている。
【0066】
発光態様2は、図14にて示すごとく、D1=20(%)、D2=100(%)、D3=50(%)及びD4=D5=0(%)でもって特定され、発光態様3は、D1=0(%)、D2=20(%)、D3=100(%)、D4=50(%)及びD5=0(%)でもって特定され、また、発光態様4は、D1=D2=0(%)、D3=20(%)、D4=100(%)及びD5=50(%)でもって特定されている。
【0067】
発光態様5は、図14にて示すごとく、D1=D2=D3=0(%)D4=20(%)及びD5=100(%)でもって特定され、発光態様6は、D1=D2=0(%)、D3=5(%)、D4=10(%)及びD5=20(%)でもって特定され、発光態様7は、D1=5(%)、D2=D3=0(%)、D4=5(%)及びD5=10(%)でもって特定され、発光態様8は、D1=10(%)、D2=5(%)、D3=D4=0(%)及びD5=5(%)でもって特定され、また、発光態様9は、D1=20(%)、D2=10(%)、D3=5(%)及びD4=D5=0(%)でもって特定されている。
【0068】
発光駆動回路200は、図16にて示すごとく、各スイッチング回路210〜250でもって構成されている。スイッチング回路210は、パワートランジスタ211と、バイアス抵抗212と、コレクター抵抗213と、電界効果トランジスタ214とを備えている。なお、電界効果トランジスタは、以下、FETともいう。
【0069】
パワートランジスタ211は、そのゲート211aにて、バイアス抵抗212を介して演出制御回路100の出力ポートP1に接続されており、当該パワートランジスタ211のコレクター211bは、コレクター抵抗213を介して直流電源(図示しない)の正側端子に接続されている。なお、パワートランジスタ211のエミッターは接地されている。
【0070】
しかして、当該パワートランジスタ211は、そのコレクター211bにて、抵抗213を介し上記直流電源から正の直流電圧+Vcを印加された状態で、そのゲート211aにて、バイアス抵抗212を通して演出制御回路100からその出力ポートP1を介しLEDL1の発光駆動に必要なデューティ比D1に対応する第1−1〜第1−9のデューティ信号(後述する)のいずれかを入力されると、当該パワートランジスタ211は、第1−1〜第1−9のデューティ信号のいずれかのレベルに応じてスイッチング作動してオン或いはオフし、ローレベル或いはハイレベルのコレクター電圧を発生する。
【0071】
FET214は、MOS型のPチャンネル電界効果トランジスタからなるもので、このFET214は、そのゲート214aにて、パワートランジスタ211のコレクター211bに接続されており、当該FET214のソース214bは、上記直流電源の正側端子に接続されている。また、当該FET214のドレイン214cは、LED1を介して接地されている。
【0072】
しかして、当該FET214は、そのソース214bにて、上記直流電源から直流電圧+Vcを印加された状態にて、そのゲート214aにて、パワートランジスタ211のコレクター211bからローレベル或いはハイレベルのコレクター電圧を印加されてスイッチング作動して、オン或いはオフする。
【0073】
このため、上記直流電源から直流電圧+Vcに対応する直流電流が、FET214のオンに伴いLED1に流入し、また、当該直流電流のLED1に対する流入がFET214のオフに伴い遮断される。このことは、LED1が、その上記直流電流の流入に基づき発光し、上記直流電流の流入の遮断に基づき発光を停止することを意味する。ここで、LED1の発光継続時間は、第1−1〜第1−9のデューティ信号のいずれかのハイレベル時間(後述する)に対応し、LED1の発光停止時間は、第1−1〜第1−9のデューティ信号のいずれかのローレベル時間(後述する)に対応する。
【0074】
スイッチング回路220は、パワートランジスタ221と、バイアス抵抗222と、コレクター抵抗223と、FET224とを備えている。
【0075】
パワートランジスタ221は、そのゲート221aにて、バイアス抵抗222を介して演出制御回路100の出力ポートP2に接続されており、当該パワートランジスタ221のコレクター221bは、コレクター抵抗223を介して直流電源の正側端子に接続されている。なお、パワートランジスタ221のエミッターは接地されている。
【0076】
しかして、当該パワートランジスタ221は、そのコレクターにて、コレクター221bに、抵抗223を介し上記直流電源から正の直流電圧+Vcを印加された状態で、そのゲート221aにて、バイアス抵抗222を通して演出制御回路100からその出力ポートP2を介しLEDL2の発光駆動に必要なデューティ比D2に対応する第2−1〜第2−9のデューティ信号(後述する)のいずれかを入力されると、当該パワートランジスタ221は、第2−1〜第2−9のデューティ信号のいずれかのレベルに応じてスイッチング作動してオン或いはオフし、ローレベル或いはハイレベルのコレクター電圧を発生する。
【0077】
FET224は、MOS型のPチャンネル電界効果トランジスタからなるもので、このFET224は、そのゲート224aにて、パワートランジスタ221のコレクター221bに接続されており、当該FET224のソース224bは、直流電源の正側端子に接続されている。当該FET224のドレイン224bは、LED2を介して接地されている。
【0078】
しかして、当該FET224は、そのソース214bにて上記直流電源から直流電圧+Vcを印加された状態にて、そのゲート224aにて、パワートランジスタ221のコレクター221bからローレベル或いはハイレベルのコレクター電圧を印加されてスイッチング作動して、オン或いはオフする。このため、上記直流電源から直流電圧+Vcに対応する直流電流が、FET224のオンに伴いLED2に流入し、また、当該直流電流のLED2に対する流入がFET224のオフに伴い遮断される。このことは、LED2が、その上記直流電流の流入に基づき発光し、上記直流電流の流入の遮断に基づき発光を停止することを意味する。ここで、LED2の発光継続時間は、第2−1〜第2−9のデューティ信号のいずれかのハイレベル時間(後述する)に対応し、LED2の発光停止時間は、第2−1〜第2−9のデューティ信号のいずれかのローレベル時間(後述する)に対応する。
【0079】
スイッチング回路230は、パワートランジスタ231と、バイアス抵抗232と、コレクター抵抗233と、FET234とを備えている。
【0080】
パワートランジスタ231は、そのゲート231aにて、バイアス抵抗232を介して演出制御回路100の出力ポートP3に接続されており、当該パワートランジスタ231のコレクター231bは、コレクター抵抗233を介して直流電源の正側端子に接続されている。なお、当該パワートランジスタ231のエミッタは接地されている。
【0081】
しかして、当該パワートランジスタ231は、コレクター231bに、コレクター抵抗233を介し上記直流電源から正の直流電圧+Vcを印加された状態で、そのゲート231aにて、バイアス抵抗232を通して演出制御回路100からその出力ポートP3を介しLEDL3の発光駆動に必要なデューティ比D3に対応する第3−1〜第3−9のデューティ信号(後述する)のいずれかを入力されると、当該パワートランジスタ231は、第3−1〜第3−9のデューティ信号のいずれかのレベルに応じてスイッチング作動してオン或いはオフし、ローレベル或いはハイレベルのコレクター電圧を発生する。
【0082】
FET234は、MOS型のPチャンネル電界効果トランジスタからなるもので、このFET234は、そのゲート234aにて、パワートランジスタ231のコレクター231bに接続されており、当該FET234のソース234aは、直流電源の正側端子に接続されている。また、当該FET234のドレイン234cは、LED3を介して接地されている。
【0083】
しかして、当該FET234は、そのソース234aにて上記直流電源から直流電圧+Vcを印加された状態にて、そのゲート234aにて、パワートランジスタ231のコレクター231bからローレベル或いはハイレベルのコレクター電圧を印加されてスイッチング作動して、オン或いはオフする。このため、上記直流電源から直流電圧+Vcに対応する直流電流が、FET234のオンに伴いLED3に流入し、また、当該直流電流のLED3に対する流入がFET234のオフに伴い遮断される。このことは、LED3が、その上記直流電流の流入に基づき発光し、上記直流電流の流入の遮断に基づき発光を停止することを意味する。ここで、LED3の発光継続時間は、第3−1〜第3−9のデューティ信号のいずれかのハイレベル時間(後述する)に対応し、LED3の発光停止時間は、第3−1〜第3−9のデューティ信号のいずれかのローレベル時間(後述する)に対応する。
【0084】
スイッチング回路240は、パワートランジスタ241と、バイアス抵抗242と、コレクター抵抗243と、FET244とを備えている。
【0085】
パワートランジスタ241は、そのゲート241aにて、バイアス抵抗242を介して演出制御回路100の出力ポートP4に接続されており、当該パワートランジスタ241のコレクター241bは、コレクター抵抗243を介して直流電源の正側端子に接続されている。なお、当該パワートランジスタ241のエミッタは接地されている。
【0086】
しかして、当該パワートランジスタ241は、コレクター241bにて、コレクター抵抗243を介し上記直流電源から正の直流電圧+Vcを印加された状態で、そのゲート241aにて、バイアス抵抗242を通して演出制御回路100からその出力ポートP4を介しLEDL4の発光駆動に必要なデューティ比D4に対応する第4−1〜第4−9のデューティ信号(後述する)のいずれかを入力されると、当該パワートランジスタ241は、第4−1〜第4−9のデューティ信号のいずれかのレベルに応じてスイッチング作動してオン或いはオフし、ローレベル或いはハイレベルのコレクター電圧を発生する。
【0087】
FET244は、MOS型のPチャンネル電界効果トランジスタからなるもので、このFET244は、そのゲート244aにて、パワートランジスタ241のコレクター241bに接続されており、当該FET244のソース244bは、上記直流電源の正側端子に接続されている。当該FET244のドレイン244cは、LED4を介して接地されている。
【0088】
しかして、当該FET244は、そのソース244bにて上記直流電源から直流電圧+Vcを印加された状態にて、そのゲート244aにて、パワートランジスタ241のコレクター241bからローレベル或いはハイレベルのコレクター電圧を印加されてスイッチング作動して、オン或いはオフンする。このため、上記直流電源から直流電圧+Vcに対応する直流電流が、FET244のオンに伴いLED4に流入し、また、当該直流電流のLED4に対する流入がFET244のオフに伴い遮断される。このことは、LED4が、その上記直流電流の流入に基づき発光し、上記直流電流の流入の遮断に基づき発光を停止することを意味する。ここで、LED4の発光継続時間は、第4−1〜第4−9のデューティ信号のいずれかのハイレベル時間(後述する)に対応し、LED4の発光停止時間は、第4−1〜第4−9のデューティ信号のいずれかのローレベル時間(後述する)に対応する。
【0089】
スイッチング回路250は、パワートランジスタ251と、バイアス抵抗252と、コレクター抵抗253と、FET254とを備えている。
【0090】
パワートランジスタ251は、そのゲート251aにて、バイアス抵抗252を介して演出制御回路100の出力ポートP5に接続されており、当該パワートランジスタ251のコレクター251bは、コレクター抵抗253を介して直流電源の正側端子に接続されている。
【0091】
しかして、当該パワートランジスタ251は、そのコレクターにて、コレクター251bにて、コレクター抵抗253を介し上記直流電源から正の直流電圧+Vcを印加された状態で、そのゲート251aにて、バイアス抵抗252を通して演出制御回路100からその出力ポートP5を介しLEDL5の発光駆動に必要なデューティ比D5に対応する第5−1〜第5−9のデューティ信号(後述する)のいずれかを入力されると、当該パワートランジスタ251は、第5−1〜第5−9のデューティ信号のいずれかのレベルに応じてスイッチング作動してオン或いはオフし、ローレベル或いはハイレベルのコレクター電圧を発生する。
【0092】
FET254は、MOS型のPチャンネル電界効果トランジスタからなるもので、このFET254は、そのゲート254aにて、パワートランジスタ251のコレクター251bに接続されており、当該FET254のソース254bは上記直流電源の正側端子に接続されている。また、当該FET254のドレイン254cは、LED5を介して、接地されている。
【0093】
しかして、当該FET254は、そのソース254bにて、上記直流電源から直流電圧+Vcを印加された状態にて、そのゲート254aにて、パワートランジスタ251のコレクター251bからローレベル或いはハイレベルのコレクター電圧を印加されてスイッチング作動して、オン或いはオフする。このため、上記直流電源から直流電圧+Vcに対応する直流電流が、FET254のオンに伴いLED5に流入し、また、当該直流電流のLED5に対する流入がFET254のオフに伴い遮断される。このことは、LED5が、その上記直流電流の流入に基づき発光し、上記直流電流の流入の遮断に基づき発光を停止することを意味する。ここで、LED5の発光継続時間は、第5−1〜第5−9のデューティ信号のいずれかのハイレベル時間(後述する)に対応し、LED5の発光停止時間は、第5−1〜第5−9のデューティ信号のいずれかのローレベル時間(後述する)に対応する。本実施形態では、上述した第1〜第5のデューティ信号の各周期は、共に、τで同一である。
【0094】
以上のように構成した本第1実施形態において、演出制御回路100が、図示しない電源から給電された作動状態になると、当該演出制御回路100は、図16図24に従うコンピュータプログラムを、図16のスタートステップにて実行し始める。
【0095】
また、当該パチンコ遊技機の遊技盤20の遊技領域23内にガイドレール22の外レール22aと内レール22bとの間を通り順次案内される遊技球は、遊技盤20の盤面21に沿い下方へ転動していく。
【0096】
ここで、このように転動する遊技球が、図12にて示すごとく、光演出装置40の入賞口体43c内にその上側開口部から進入すると、当該遊技球は、環状部材41の凹状通路部41e、上側入賞球通路部材48及び下側入賞球通路部材49を通り排出される。
【0097】
このような排出過程において、遊技球が上側入賞球通路部材48の内部から下側入賞球通路部材49の内部に転動するとき、当該遊技球は、始動入賞口センサ50により入賞球として検出される。
【0098】
また、上述のように転動する遊技球が、光演出装置40の入賞口体43cではなく、上記遊技盤20の電動チューリップの電チュー入賞口に入賞する場合には、当該遊技球が、電チュー入賞口センサ60により入賞球として検出される。
【0099】
しかして、上述のような始動入賞口センサ50或いは電チュー入賞口センサ60が遊技球の入賞の検出に伴い、上記主基板回路において、所定の条件下で大当たり抽選が行われる。
【0100】
また、上述した演出制御回路100によるコンピュータプログラムのプログラムの実行に伴い、コンピュータプログラムがステップ300に進むと、当該ステップ300において、変数n=1か否かが判定される。ここで、変数nは、図14に示す発光態様の番号を表す。例えば、n=1は、発光態様1を特定する。
【0101】
しかして、現段階にて、n=1でなければ、ステップ300における判定はNOとなり、ステップ301において、n=1とセットされる。これに伴い、ステップ300においてYESと判定される。
【0102】
すると、次のステップ310における第1発光態様データ読み出し処理において、図14の発光態様1が上記ROMから第1発光態様データとして読み出される。ここで、当該第1発光態様データは、LED1のデューティ比D1=100(%)、LED2のデューティ比D2=50(%)、LED3のデューティ比D3=0(%)、LED4のデューティ比D4=0(%)及びLED5のデューティ比D5=0(%)でもって特定されている(図14参照)。
【0103】
然る後、次のステップ311におけるデューティ信号形成処理において、ステップ310における第1発光態様データのD1=100(%)、D2=50(%)、D3=0(%)、D4=0(%)及びD5=0(%)が、それぞれ、第1−1〜第5−1のデューティ信号として形成される。
【0104】
ここで、第1−1のデューティ信号は、デューティ比D1=100(%)に基づき、その周期に亘り、ハイレベルに形成され、また、第2−1のデューティ信号は、デューティ比D1=50(%)に基づき、その周期の前半部分及び後半部分にて、それぞれ、ハイレベル及びローレベルに形成される。
【0105】
また、第3−1のデューティ信号は、デューティ比D3=0(%)に基づき、その周期に亘り、ローレベルに形成され、第4−1のデューティ信号は、デューティ比D4=0(%)に基づき、その周期に亘り、ローレベルに形成され、また、第5−1のデューティ信号は、デューティ比D5=0(%)に基づき、その周期に亘り、ローレベルに形成される。
【0106】
上述のようにステップ311においてデューティ信号の形成処理がなされると、次のステップ312におけるデューティ信号出力処理において、ステップ312における第1−1〜第5−1のデューティ信号が演出制御回路100からその各出力ポートP1〜P5を介して発光駆動回路200の各スイッチング回路210〜250に出力される。
【0107】
すると、スイッチング回路210においては、第1−1のデューティ信号がその周期に亘りハイレベルにあることから、パワートランジスタ211が、第1−1のデューティ信号に基づきその周期に亘りオンとなり、FET214が、パワートランジスタ211から生ずるローレベルのコレクター電圧に基づき、オンする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET214を通りLEDL1に流入する。ここで、この直流電流の流入は、第1−1のデューティ信号の周期に亘り継続する。このため、LEDL1は、第1−1のデューティ信号の周期に亘り発光する。このことは、LEDL1の発光強度が最大値になることを意味する。
【0108】
スイッチング回路220においては、第2−1のデューティ信号がその周期の前半部分及び後半部分にてそれぞれハイレベル及びローレベルにあることから、パワートランジスタ221が、第2−1のデューティ信号に基づきその周期の前半部分に亘りオンとなり、然る後、第2−1のデューティ信号に基づきその周期の後半部分に亘りオフとなる。
【0109】
このため、FET224が、パワートランジスタ221から生ずるローレベルのコレクター電圧に基づき、オンし、然る後、パワートランジスタ221から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET224のオンの間当該FET224を通りLEDL2に流入し、然る後、FET224のオフの間、LEDL2への流入を停止する。
【0110】
ここで、この直流電流の流入は、上述のごとく第2−1のデューティ信号の周期の前半部分に亘り継続するため、LEDL2は、第2−1のデューティ信号の周期の前半部分に亘り発光し、然る後、第2−1のデューティ信号の周期の後半部分の間、発光を停止する。このことは、LEDL2の発光強度は、LEDL1の発光強度の最大値の2分の1であることを意味する。
【0111】
スイッチング回路230においては、第3−1のデューティ信号がその周期に亘りローレベルにあることから、パワートランジスタ231が、第3−1のデューティ信号に基づきその周期に亘りオフとなり、FET234が、パワートランジスタ231から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づき、オフする。このため、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流は、FET234から遮断される。従って、LEDL3は、第3−1のデューティ信号の周期に亘り発光を停止する。このことは、LEDL3の発光強度が零になることを意味する。
【0112】
スイッチング回路240においては、第4−1のデューティ信号がその周期に亘りローレベルにあることから、パワートランジスタ241が、第4−1のデューティ信号に基づきその周期に亘りオフとなり、FET244が、パワートランジスタ241から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づき、オフする。このため、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流は、FET244から遮断される。従って、LEDL4は、第4−1のデューティ信号の周期に亘り発光を停止する。このことは、LEDL4の発光強度が零になることを意味する。
【0113】
また、スイッチング回路250においては、第5−1のデューティ信号がその周期に亘りローレベルにあることから、パワートランジスタ251が、第5−1のデューティ信号に基づきその周期に亘りオフとなり、FET254が、パワートランジスタ251から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づき、オフする。このため、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流は、FET254から遮断される。従って、LEDL5は、第5−1のデューティ信号の周期に亘り発光を停止する。このことは、LEDL5の発光強度が零になることを意味する。
【0114】
上述した1−1〜5−1のデューティ信号は、ステップ312にて演出制御回路100から同時に出力されるため、発光駆動回路200では、LED1〜LED5が、同時に、発光駆動状態におかれる。このため、LED1及びLED2は、各LED3〜LED5の発光停止状態にて、同時に発光するとともに、1−1及び2−1のデューティ信号の各周期(同一の周期)の間、発光を継続する(図25の発光態様1参照)。但し、LED1はLED2の2倍の発光強度で発光するから、LED2の明るさは、LED1の明るさの半分である。
【0115】
上述したステップ312の処理後、次のステップ313において、演出制御回路100であるマイクロコンピュータに内蔵のソフトタイマーがリセットスタートされて、計時を開始する。
【0116】
しかして、LED1〜LED5が同時に発光駆動状態におかれた後、周期τが経過すると、ステップ320における判定がYESとなる。なお、LED1及びLED2は、周期τの経過により、発光を停止する。
【0117】
ステップ320におけるYESとの判定に伴い、次のステップ330にて、変数n=2か否かが判定される。現段階では、n=1のままであるから、ステップ330においてNOと判定され、然る後、ステップ331において、変数n=2とセットされる。これに伴い、ステップ330においてYESと判定される。
【0118】
この判定後、上記コンピュータプログラムが図17のステップ332に進むと、当該ステップ332における第2発光態様データ読み出し処理において、図14の発光態様2が上記ROMから第2発光態様データとして読み出される。ここで、当該第2発光態様データは、デューティ比D1=20(%)、デューティ比D2=100(%)、デューティ比D3=50(%)、デューティ比D4=0(%)及びデューティ比D5=0(%)でもって特定されている(図14参照)。
【0119】
然る後、次のステップ333におけるデューティ信号形成処理において、ステップ332における第2発光態様データのデューティ比D1=20(%)、デューティ比D2=100(%)、デューティ比D3=50(%)、デューティ比D4=0(%)及びデューティ比D5=0(%)が、それぞれ、第1−2〜第5−2のデューティ信号として形成される。
【0120】
ここで、第1−2のデューティ信号は、デューティ比D1=20(%)に基づき、その周期の前側1/5部分及び後側4/5部分に亘りそれぞれハイレベル及びローレベルに形成され、また、第2−2のデューティ信号は、デューティ比D1=100(%)に基づき、その周期に亘り、ハイレベルに形成される。
【0121】
また、第3−2のデューティ信号は、デューティ比D3=50(%)に基づき、その周期の前半部分及び後半部分に亘り、それぞれ、ハイレベル及びローレベルに形成され、第4−2のデューティ信号は、デューティ比D4=0(%)に基づき、その周期に亘り、ローレベルに形成され、また、第5−2のデューティ信号は、デューティ比D5=0(%)に基づき、その周期に亘り、ローレベルに形成される。
【0122】
上述のようにステップ333においてデューティ信号の形成処理がなされると、次のステップ334におけるデューティ信号出力処理において、ステップ333における第2−1〜第5−2のデューティ信号が演出制御回路100からその各出力ポートP1〜P5を介して発光駆動回路200の各スイッチング回路210〜250に出力される。
【0123】
すると、スイッチング回路210においては、第1−2のデューティ信号がその周期の前側1/5部分及び後側4/5部分に亘りそれぞれハイレベル及びローレベルにあることから、パワートランジスタ211が、第1−2のデューティ信号に基づきその周期の前側1/5部分に亘りオンとなり、然る後、第1−2のデューティ信号に基づきその周期の後側4/5部分に亘りオフとなる。
【0124】
このため、FET214が、パワートランジスタ211から生ずるローレベルのコレクター電圧に基づきオンし、然る後、パワートランジスタ211から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET214のオンの間当該FET214を通りLEDL1に流入し然る後、FET214のオフの間、LEDL1への流入を停止する。
【0125】
ここで、この直流電流の流入は、第1−2のデューティ信号の周期の前側1/5部分に限られることから、LEDL1は、第1−2のデューティ信号の周期の前側1/5部分に限り発光する。このことは、LEDL1の発光強度がその最大値の1/5の強度に低下することを意味する。
【0126】
また、スイッチング回路220においては、第2−2のデューティ信号がその周期に亘りハイレベルにあることから、パワートランジスタ221が、第2−2のデューティ信号に基づきその周期に亘りオンとなる。
【0127】
このため、FET224が、パワートランジスタ221から生ずるローレベルのコレクター電圧に基づき、オンする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET224を通りLEDL2に流入する。ここで、この直流電流の流入は、上述のごとく第2−2のデューティ信号の周期に亘り継続するため、LEDL2は、第2−2のデューティ信号の周期に亘り発光する。このことは、LEDL2の発光強度は、発光強度の最大値にあることを意味する。
【0128】
スイッチング回路230においては、第3−2のデューティ信号がその周期の前半部分及び後半部分に亘り、それぞれ、ローレベル及びハイレベルにあることから、パワートランジスタ231が、第3−2のデューティ信号に基づきその周期の前半部分に亘りオンとなり、当該第3−2のデューティ信号に基づきその周期の後半部分に亘りオフとなる。
【0129】
このため、FET234が、パワートランジスタ231から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づき、オンし、然る後、パワートランジスタ231から生ずるローレベルのコレクター電圧に基づきオフする。このため、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流は、FET234のオンの間当該FET234を通りLED3に流入し、然る後、FET234のオフの間当該FET234によりLED3から遮断される。従って、LEDL3は、第3−2のデューティ信号の周期の前半部分に限り発光する。このことは、LEDL3の発光強度がその最大値の1/2に低下することを意味する。
【0130】
スイッチング回路240においては、第4−2のデューティ信号がその周期に亘りローレベルにあることから、パワートランジスタ241が、第4−2のデューティ信号に基づきその周期に亘りオフとなり、FET244が、パワートランジスタ241から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づき、オフする。このため、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流は、FET244によりLED4から遮断される。従って、LEDL4は、第4−2のデューティ信号の周期に亘り発光を停止する。このことは、LEDL4の発光強度が零に低下することを意味する。
【0131】
また、スイッチング回路250においては、第5−2のデューティ信号がその周期に亘りローレベルにあることから、パワートランジスタ251が、第5−2のデューティ信号に基づきその周期に亘りオフとなり、FET254が、パワートランジスタ251から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づき、オフする。このため、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流は、FET254によりLED5から遮断される。従って、LEDL5は、第5−2のデューティ信号の周期に亘り発光を停止する。このことは、LEDL5の発光強度が零に低下することを意味する。
【0132】
上述した1−2〜5−2のデューティ信号は、ステップ334にて演出制御回路100から同時に出力されるため、発光駆動回路200では、LED1〜LED5が、同時に、発光駆動状態におかれる。このため、LED1、LED2及びLED3は、LED4及びLED5の発光停止状態にて、同時に発光する。そして、LED1は、1−2のデューティ信号の周期の前側1/5部分に限り継続して発光し、LED2は、2−2のデューティ信号の周期に亘り継続して発光し、また、LED3は、3−2のデューティ信号の周期の前側部分に限り継続して発光する(図25参照)。但し、LED1はLED2の1/5の発光強度で発光するから、LED1の明るさは、LED2の明るさの1/5であり、LED3はLED2の1/2の発光強度で発光するから、当該LED3の明るさは、LED2の明るさの1/2であるとともにLED1の明るさの2.5倍である。
【0133】
上述したステップ334の処理後、次のステップ335において、上記ソフトタイマーがリセットスタートされて、計時を開始する。
【0134】
しかして、LED1〜LED5が同時に発光駆動状態におかれた後、周期τが経過すると、ステップ340における判定がYESとなる。なお、LED2は、周期τの経過により、発光を停止する。
【0135】
ステップ340におけるYESとの判定に伴い、次のステップ350にて、変数n=3か否かが判定される。現段階では、n=2のままであるから、ステップ350においてNOと判定され、然る後、ステップ351において、変数n=3とセットされる。これに伴い、ステップ350においてYESと判定される。
【0136】
この判定後、上記コンピュータプログラムが図18のステップ360に進むと、当該ステップ360における第3発光態様データ読み出し処理において、図14の発光態様3が上記ROMから第3発光態様データとして読み出される。ここで、当該第3発光態様データは、デューティ比D1=0(%)、デューティ比D2=20(%)、デューティ比D3=100(%)、デューティ比D4=50(%)及びデューティ比D5=0(%)でもって特定されている(図14参照)。
【0137】
然る後、次のステップ361におけるデューティ信号形成処理において、ステップ360における第3発光態様データのデューティ比D1=0(%)、デューティ比D2=20(%)、デューティ比D3=100(%)、デューティ比D4=50(%)及びデューティ比D5=0(%)が、それぞれ、第1−3〜第5−3のデューティ信号として形成される。
【0138】
ここで、第1−3のデューティ信号は、デューティ比D1=0(%)に基づき、その周期に亘りハイレベルに形成され、第2−3のデューティ信号は、デューティ比D2=20(%)に基づき、その周期の前側1/5部分及び後側4/5部分に亘りそれぞれハイレベル及びローレベルに形成され、また、第3−3のデューティ信号は、デューティ比D3=100(%)に基づき、その周期に亘り、ハイレベルに形成される。
【0139】
また、第4−3のデューティ信号は、デューティ比D4=50(%)に基づき、その周期の前半部分及び後半部分に亘り、それぞれ、ハイレベル及びローレベルに形成され、また、第5−3のデューティ信号は、デューティ比D5=0(%)に基づき、その周期に亘り、ローレベルに形成される。
【0140】
上述のようにステップ361においてデューティ信号の形成処理がなされると、次のステップ362におけるデューティ信号出力処理において、ステップ362における第1−3〜第5−3のデューティ信号が演出制御回路100からその各出力ポートP1〜P5を介して発光駆動回路200の各スイッチング回路210〜250に出力される。
【0141】
すると、スイッチング回路210においては、第1−3のデューティ信号がその周期に亘りハイレベルにあることから、パワートランジスタ211が、第1−3のデューティ信号に基づきその周期に亘りオフとなる。このため、FET214が、パワートランジスタ211から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET214のオフによりLEDL1から遮断される。
【0142】
また、スイッチング回路220においては、第2−3のデューティ信号がその周期の前側1/5部分及び後側4/5部分に亘りそれぞれハイレベル及びローレベルにあることから、パワートランジスタ221が、第2−3のデューティ信号に基づきその周期の前側1/5部分に亘りオンとなり、然る後、第3−3のデューティ信号に基づきその周期の後側4/5部分に亘りオフとなる。
【0143】
このため、FET224が、パワートランジスタ221から生ずるローレベルのコレクター電圧に基づきオンし、然る後、パワートランジスタ221から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET224のオンの間当該FET224を通りLEDL2に流入し然る後、FET224のオフの間、LEDL2への流入を停止する。
【0144】
ここで、この直流電流の流入は、第2−3のデューティ信号の周期の前側1/5部分に限られることから、LEDL2は、第2−3のデューティ信号の周期の前側1/5部分に限り発光する。このことは、LEDL2の発光強度がその最大値の1/5の強度に低下することを意味する。
【0145】
また、スイッチング回路230においては、第1−3のデューティ信号がその周期に亘りハイレベルにあることから、パワートランジスタ231が、第1−3のデューティ信号に基づきその周期に亘りオンとなる。
【0146】
このため、FET234が、パワートランジスタ231から生ずるローレベルのコレクター電圧に基づき、オンする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET234を通りLEDL3に流入する。ここで、この直流電流の流入は、上述のごとく第1−3のデューティ信号の周期に亘り継続するため、LEDL3は、第1−3のデューティ信号の周期に亘り発光する。このことは、LEDL3の発光強度は、発光強度の最大値にあることを意味する。
【0147】
スイッチング回路240においては、第4−3のデューティ信号がその周期の前半部分及び後半部分に亘り、それぞれ、ローレベル及びハイレベルにあることから、パワートランジスタ241が、第4−3のデューティ信号に基づきその周期の前半部分に亘りオンとなり、当該第4−3のデューティ信号に基づきその周期の後半部分に亘りオフとなる。
【0148】
このため、FET244が、パワートランジスタ241から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づき、オンし、然る後、パワートランジスタ241から生ずるローレベルのコレクター電圧に基づきオフする。このため、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流は、FET244のオンの間当該FET244を通りLED4に流入し、然る後、FET244のオフの間当該FET244によりLED4から遮断される。従って、LEDL4は、第4−3のデューティ信号の周期の前半部分に限り発光する。このことは、LEDL4の発光強度がその最大値の1/2に低下することを意味する。
【0149】
また、スイッチング回路250においては、第5−3のデューティ信号がその周期に亘りローレベルにあることから、パワートランジスタ251が、第5−3のデューティ信号に基づきその周期に亘りオフとなり、FET254が、パワートランジスタ251から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づき、オフする。このため、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流は、FET254によりLED5から遮断される。従って、LEDL5は、第5−3のデューティ信号の周期に亘り発光を停止する。このことは、LEDL5の発光強度が零に低下することを意味する。
【0150】
上述した1−3〜5−3のデューティ信号は、ステップ362にて演出制御回路100から同時に出力されるため、発光駆動回路200では、LED1〜LED5が、同時に、発光駆動状態におかれる。このため、LED2、LED3及びLED4は、LED1及びLED5の発光停止状態にて、同時に発光する。そして、LED2は、2−3のデューティ信号の周期の前側1/5部分に限り継続して発光し、LED3は、3−3のデューティ信号の周期に亘り継続して発光し、また、LED4は、4−3のデューティ信号の周期の前側部分に限り継続して発光する(図25参照)。但し、LED2はLED3の1/5の発光強度で発光するから、LED2の明るさは、LED3の明るさの1/5であり、LED4はLED3の1/2の発光強度で発光するから、当該LED4の明るさは、LED3の明るさの1/2であるとともにLED2の明るさの2.5倍である。
【0151】
上述したステップ362の処理後、次のステップ363において、上記ソフトタイマーがリセットスタートされて、計時を開始する。
【0152】
しかして、LED1〜LED5が同時に発光駆動状態におかれた後、周期τが経過すると、ステップ370における判定がYESとなる。なお、LED3は、周期τの経過により、発光を停止する。
【0153】
ステップ370におけるYESとの判定に伴い、次のステップ380にて、変数n=4か否かが判定される。現段階では、n=3のままであるから、ステップ380においてNOと判定され、然る後、ステップ381において、変数n=4とセットされる。これに伴い、ステップ380においてYESと判定される。
【0154】
この判定後、上記コンピュータプログラムが図19のステップ390に進むと、当該ステップ390における第4発光態様データ読み出し処理において、図14の発光態様4が上記ROMから第4発光態様データとして読み出される。ここで、当該第4発光態様データは、デューティ比D1=0(%)、デューティ比D2=0(%)、デューティ比D3=20(%)、デューティ比D4=100(%)及びデューティ比D5=50(%)でもって特定されている(図14参照)。
【0155】
然る後、次のステップ391におけるデューティ信号形成処理において、ステップ390における第4発光態様データのデューティ比D1=0(%)、デューティ比D2=0(%)、デューティ比D3=20(%)、デューティ比D4=100(%)及びデューティ比D5=50(%)が、それぞれ、第1−4〜第5−4のデューティ信号として形成される。
【0156】
ここで、第1−4のデューティ信号は、デューティ比D1=0(%)に基づき、その周期に亘りハイレベルに形成され、第2−4のデューティ信号も、デューティ比D2=0(%)に基づき、同様にその周期に亘りハイレベルに形成され、第3−4のデューティ信号は、デューティ比D3=20(%)に基づき、その周期の前側1/5部分及び後側4/5部分に亘りそれぞれハイレベル及びローレベルに形成される。
【0157】
また、第4−4のデューティ信号は、デューティ比D4=100(%)に基づき、その周期に亘り、ハイレベルに形成され、また、第5−4のデューティ信号は、デューティ比D5=50(%)に基づき、その周期の前半部分及び後半部分に亘り、それぞれ、ハイレベル及びローレベルに形成される。
【0158】
上述のようにステップ391においてデューティ信号の形成処理がなされると、次のステップ392におけるデューティ信号出力処理において、ステップ391における第1−4〜第5−4のデューティ信号が演出制御回路100からその各出力ポートP1〜P5を介して発光駆動回路200の各スイッチング回路210〜250に出力される。
【0159】
すると、スイッチング回路210においては、第1−4のデューティ信号がその周期に亘りハイレベルにあることから、パワートランジスタ211が、第1−4のデューティ信号に基づきその周期に亘りオフとなる。このため、FET214が、パワートランジスタ211から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET214のオフによりLEDL1から遮断される。
【0160】
また、スイッチング回路220においては、第2−4のデューティ信号も、その周期に亘り、同様にハイレベルにあることから、パワートランジスタ221が、第2−4のデューティ信号に基づきその周期に亘りオフとなる。このため、FET224が、パワートランジスタ221から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET224のオフによりLEDL2から遮断される。
【0161】
また、スイッチング回路230においては、第3−4のデューティ信号がその周期の前側1/5部分及び後側4/5部分に亘りそれぞれハイレベル及びローレベルにあることから、パワートランジスタ231が、第3−4のデューティ信号に基づきその周期の前側1/5部分に亘りオンとなり、然る後、第3−4のデューティ信号に基づきその周期の後側4/5部分に亘りオフとなる。
【0162】
このため、FET234が、パワートランジスタ231から生ずるローレベルのコレクター電圧に基づきオンし、然る後、パワートランジスタ231から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET234のオンの間当該FET234を通りLEDL3に流入し然る後、FET234のオフの間、LEDL3への流入を停止する。
【0163】
ここで、この直流電流の流入は、第3−4のデューティ信号の周期の前側1/5部分に限られることから、LEDL3は、第3−4のデューティ信号の周期の前側1/5部分に限り発光する。このことは、LEDL3の発光強度がその最大値の1/5の強度に低下することを意味する。
【0164】
また、スイッチング回路240においては、第4−4のデューティ信号がその周期に亘りハイレベルにあることから、パワートランジスタ241が、第4−4のデューティ信号に基づきその周期に亘りオンとなる。
【0165】
このため、FET244が、パワートランジスタ241から生ずるローレベルのコレクター電圧に基づき、オンする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET244を通りLEDL4に流入する。ここで、この直流電流の流入は、上述のごとく第4−4のデューティ信号の周期に亘り継続するため、LEDL4は、第4−4のデューティ信号の周期に亘り発光する。このことは、LEDL4の発光強度は、発光強度の最大値にあることを意味する。
【0166】
スイッチング回路250においては、第5−4のデューティ信号がその周期の前半部分及び後半部分に亘り、それぞれ、ローレベル及びハイレベルにあることから、パワートランジスタ251が、第5−4のデューティ信号に基づきその周期の前半部分に亘りオンとなり、当該第5−4のデューティ信号に基づきその周期の後半部分に亘りオフとなる。
【0167】
このため、FET254が、パワートランジスタ251から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づき、オンし、然る後、パワートランジスタ251から生ずるローレベルのコレクター電圧に基づきオフする。このため、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流は、FET254のオンの間当該FET254を通りLED5に流入し、然る後、FET254のオフの間当該FET254によりLED5から遮断される。従って、LEDL5は、第5−4のデューティ信号の周期の前半部分に限り発光する。このことは、LEDL5の発光強度がその最大値の1/2に低下することを意味する。
【0168】
上述した1−4〜5−4のデューティ信号は、ステップ392にて演出制御回路100から同時に出力されるため、発光駆動回路200では、LED1〜LED5が、同時に、発光駆動状態におかれる。このため、LED3、LED4及びLED5は、LED1及びLED2の発光停止状態にて、同時に発光する。そして、LED3は、3−4のデューティ信号の周期の前側1/5部分に限り継続して発光し、LED4は、4−4のデューティ信号の周期に亘り継続して発光し、また、LED5は、5−4のデューティ信号の周期の前側半分部分に限り継続して発光する(図25参照)。但し、LED3はLED4の1/5の発光強度で発光するから、LED3の明るさは、LED4の明るさの1/5であり、LED5はLED4の1/2の発光強度で発光するから、当該LED5の明るさは、LED3の明るさの1/2であるとともにLED2の明るさの2.5倍である。
【0169】
上述したステップ392の処理後、次のステップ393において、上記ソフトタイマーがリセットスタートされて、計時を開始する。
【0170】
しかして、LED1〜LED5が同時に発光駆動状態におかれた後、周期τが経過すると、ステップ400における判定がYESとなる。なお、LED4は、周期τの経過により、発光を停止する。
【0171】
ステップ400におけるYESとの判定に伴い、次のステップ410にて、変数n=5か否かが判定される。現段階では、n=4のままであるから、ステップ410においてNOと判定され、然る後、ステップ411において、変数n=5とセットされる。これに伴い、ステップ410においてYESと判定される。
【0172】
この判定後、上記コンピュータプログラムが図20のステップ420に進むと、当該ステップ420における第5発光態様データ読み出し処理において、図14の発光態様5が上記ROMから第5発光態様データとして読み出される。ここで、当該第5発光態様データは、各デューティ比D1=D2=D3=0(%)、デューティ比D4=20(%)及びデューティ比D5=100(%)でもって特定されている(図14参照)。
【0173】
然る後、次のステップ421におけるデューティ信号形成処理において、ステップ420における第5発光態様データの各デューティ比D1=D2=D3=0(%)、デューティ比D4=20(%)及びデューティ比D5=100(%)が、それぞれ、第1−5〜第5−5のデューティ信号として形成される。
【0174】
ここで、第1−5〜第3−5の各デューティ信号は、それぞれ、各デューティ比D1=D2=D3=0(%)に基づき、その周期に亘りハイレベルに形成される。
【0175】
また、第4−5のデューティ信号は、デューティ比D4=20(%)に基づき、その周期の前側1/5部分及び後側4/5部分に亘りそれぞれハイレベル及びローレベルに形成され、また、第5−5のデューティ信号は、デューティ比D5=100(%)に基づき、その周期に亘り、ハイレベルに形成される。
【0176】
上述のようにステップ421においてデューティ信号の形成処理がなされると、次のステップ422におけるデューティ信号出力処理において、ステップ421における第1−5〜第5−5のデューティ信号が演出制御回路100からその各出力ポートP1〜P5を介して発光駆動回路200の各スイッチング回路210〜250に出力される。
【0177】
すると、スイッチング回路210においては、第1−5のデューティ信号がその周期に亘りハイレベルにあることから、パワートランジスタ211が、第1−5のデューティ信号に基づきその周期に亘りオフとなる。このため、FET214が、パワートランジスタ211から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET214のオフによりLEDL1から遮断される。
【0178】
また、スイッチング回路220においては、第2−5のデューティ信号も、その周期に亘り、同様にハイレベルにあることから、パワートランジスタ221が、第2−5のデューティ信号に基づきその周期に亘りオフとなる。このため、FET224が、パワートランジスタ221から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET224のオフによりLEDL2から遮断される。
【0179】
また、スイッチング回路230においては、第3−5のデューティ信号も、その周期に亘り、同様にハイレベルにあることから、パワートランジスタ231が、第3−5のデューティ信号に基づきその周期に亘りオフとなる。このため、FET234が、パワートランジスタ231から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET234のオフによりLEDL3から遮断される。
【0180】
また、スイッチング回路240においては、第4−5のデューティ信号がその周期の前側1/5部分及び後側4/5部分に亘りそれぞれハイレベル及びローレベルにあることから、パワートランジスタ241が、第4−5のデューティ信号に基づきその周期の前側1/5部分に亘りオンとなり、然る後、第4−5のデューティ信号に基づきその周期の後側4/5部分に亘りオフとなる。
【0181】
このため、FET244が、パワートランジスタ241から生ずるローレベルのコレクター電圧に基づきオンし、然る後、パワートランジスタ241から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET244のオンの間当該FET244を通りLEDL4に流入し、然る後、FET244のオフの間、LEDL4への流入を停止する。
【0182】
ここで、この直流電流の流入は、第4−5のデューティ信号の周期の前側1/5部分に限られることから、LEDL4は、第4−5のデューティ信号の周期の前側1/5部分に限り発光する。このことは、LEDL4の発光強度がその最大値の1/5の強度に低下することを意味する。
【0183】
また、スイッチング回路250においては、第5−5のデューティ信号がその周期に亘りハイレベルにあることから、パワートランジスタ251が、第5−5のデューティ信号に基づきその周期に亘りオンとなる。
【0184】
このため、FET254が、パワートランジスタ251から生ずるローレベルのコレクター電圧に基づき、オンする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET254を通りLEDL5に流入する。ここで、この直流電流の流入は、上述のごとく第5−5のデューティ信号の周期に亘り継続するため、LEDL5は、第5−5のデューティ信号の周期に亘り発光する。このことは、LEDL5の発光強度は、発光強度の最大値にあることを意味する。
【0185】
上述した1−5〜5−5のデューティ信号は、ステップ422にて演出制御回路100から同時に出力されるため、発光駆動回路200では、LED1〜LED5が、同時に、発光駆動状態におかれる。このため、LED4及びLED5は、LED1〜LED3の発光停止状態にて、同時に発光する。そして、LED4は、4−5のデューティ信号の周期の前側1/5部分に限り継続して発光し、LED5は、5−5のデューティ信号の周期に亘り継続して発光する(図25参照)。但し、LED4はLED5の1/5の発光強度で発光するから、LED4の明るさは、LED5の明るさの1/5である。
【0186】
上述したステップ422の処理後、次のステップ423において、上記ソフトタイマーがリセットスタートされて、計時を開始する。
【0187】
しかして、LED1〜LED5が同時に発光駆動状態におかれた後、周期τが経過すると、ステップ430における判定がYESとなる。なお、LED5は、周期τの経過により、発光を停止する。
【0188】
ステップ430におけるYESとの判定に伴い、次のステップ440にて、変数n=6か否かが判定される。現段階では、n=5のままであるから、ステップ440においてNOと判定され、然る後、ステップ441において、変数n=6とセットされる。これに伴い、ステップ440においてYESと判定される。
【0189】
この判定後、上記コンピュータプログラムが図21のステップ450に進むと、当該ステップ450における第6発光態様データ読み出し処理において、図14の発光態様6が上記ROMから第6発光態様として読み出される。ここで、当該第6発光態様データは、各デューティ比D1=D2=0(%)、デューティ比D3=5(%)、デューティ比D4=10(%)及びデューティ比D5=20(%)でもって特定されている(図14参照)。
【0190】
然る後、次のステップ451におけるデューティ信号形成処理において、ステップ450における第6発光態様データの各デューティ比D1=D2=0(%)、デューティ比D3=5(%)、デューティ比D4=10(%)及びデューティ比D5=20(%)が、それぞれ、第1−6〜第5−6のデューティ信号として形成される。
【0191】
ここで、第1−6及び第2−6の各デューティ信号は、それぞれ、各デューティ比D1=D2=0(%)に基づき、その周期に亘りハイレベルに形成される。また、第3−6のデューティ信号は、デューティ比D3=5(%)に基づき、その周期の前側1/20部分及び後側19/20部分に亘りそれぞれハイレベル及びローレベルに形成される。
【0192】
また、第4−6のデューティ信号は、デューティ比D4=10(%)に基づき、その周期の前側1/10部分及び後側9/10部分に亘りそれぞれハイレベル及びローレベルに形成され、また、第5−6のデューティ信号は、デューティ比D4=20(%)に基づき、その周期の前側1/5部分及び後側4/5部分に亘りそれぞれハイレベル及びローレベルに形成される。
【0193】
上述のようにステップ451においてデューティ信号の形成処理がなされると、次のステップ452におけるデューティ信号出力処理において、ステップ451における第1−6〜第5−6のデューティ信号が演出制御回路100からその各出力ポートP1〜P5を介して発光駆動回路200の各スイッチング回路210〜250に出力される。
【0194】
すると、スイッチング回路210においては、第1−6のデューティ信号がその周期に亘りハイレベルにあることから、パワートランジスタ211が、第1−6のデューティ信号に基づきその周期に亘りオフとなる。このため、FET214が、パワートランジスタ211から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET214のオフによりLEDL1から遮断される。
【0195】
また、スイッチング回路220においては、第2−6のデューティ信号も、その周期に亘り、同様にハイレベルにあることから、パワートランジスタ221が、第2−6のデューティ信号に基づきその周期に亘りオフとなる。このため、FET224が、パワートランジスタ221から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET224のオフによりLEDL2から遮断される。
【0196】
また、スイッチング回路230においては、第3−6のデューティ信号は、その周期の前側1/20部分及び後側19/20部分がそれぞれハイレベル及びローレベルにあることから、パワートランジスタ231が、第3−6のデューティ信号に基づきその周期の前側1/20部分に亘りオンとなり、然る後、第3−6のデューティ信号に基づきその周期の後側19/20部分に亘りオフとなる。
【0197】
このため、FET234が、パワートランジスタ231から生ずるローレベルのコレクター電圧に基づきオンし、然る後、パワートランジスタ231から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET234のオンの間当該FET234を通りLED3に流入し、然る後、FET234のオフの間当該FET234によりLEDL3から遮断される。
【0198】
また、スイッチング回路240においては、第4−6のデューティ信号がその周期の前側1/10部分及び後側9/10部分に亘りそれぞれハイレベル及びローレベルにあることから、パワートランジスタ241が、第4−6のデューティ信号に基づきその周期の前側1/10部分に亘りオンとなり、然る後、第4−6のデューティ信号に基づきその周期の後側9/10部分に亘りオフとなる。
【0199】
このため、FET244が、パワートランジスタ241から生ずるローレベルのコレクター電圧に基づきオンし、然る後、パワートランジスタ241から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET244のオンの間当該FET244を通りLEDL4に流入し然る後、FET244のオフの間、LEDL4への流入を停止する。
【0200】
ここで、この直流電流の流入は、第4−6のデューティ信号の周期の前側1/10部分に限られることから、LEDL4は、第4−6のデューティ信号の周期の前側1/10部分に限り発光する。このことは、LEDL4の発光強度がその最大値の1/10の強度に低下することを意味する。
【0201】
また、スイッチング回路250においては、第5−6のデューティ信号がその周期の前側1/5部分及び後側4/5部分に亘りそれぞれハイレベル及びローレベルにあることから、パワートランジスタ251が、第5−6のデューティ信号に基づきその周期の前側1/5部分に亘りオンとなり、然る後、第5−6のデューティ信号に基づきその周期の後側4/5部分に亘りオフする。
【0202】
このため、FET254が、パワートランジスタ251から生ずるローレベルのコレクター電圧に基づき、オンし、然る後、パワートランジスタ251から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET254のオンの間当該FET254を通りLEDL5に流入し、然る後、FET254のオフの間当該FET254によりLED5から遮断される。ここで、この直流電流の流入は、上述のごとく、第5−6のデューティ信号の周期の前側1/5部分に亘り継続するため、LEDL5は、第5−6のデューティ信号の周期の前側1/5部分に限り発光する。このことは、LEDL5の発光強度は、その最大値の1/5に低下することを意味する。
【0203】
上述した1−6〜5−6のデューティ信号は、ステップ452にて演出制御回路100から同時に出力されるため、発光駆動回路200では、LED1〜LED5が、同時に、発光駆動状態におかれる。このため、LED3〜LED5は、LED1及びLED2の発光停止状態にて、同時に発光する。そして、LED3は、3−6のデューティ信号の周期の前側1/20部分に限り継続して発光し、LED4は、4−6のデューティ信号の周期の前側1/10部分に亘り継続して発光し、また、LED5は、5−6のデューティ信号の周期の前側1/5部分に限り継続して発光する(図25参照)。但し、LED3はLED4の1/2の発光強度(発光強度の最大値の1/20)で発光するから、LED3の明るさは、LED4の明るさの1/5である。また、LED5の発光強度は、LED4の1/2の発光強度(発光強度の最大値の1/10)であるから、当該LED5の明るさは、LED4の明るさの1/2であり、LED3の明るさの4倍である。
【0204】
上述したステップ452の処理後、次のステップ453において、上記ソフトタイマーがリセットスタートされて、計時を開始する。
【0205】
しかして、LED1〜LED5が同時に発光駆動状態におかれた後、周期τが経過すると、ステップ460における判定がYESとなる。
【0206】
ステップ460におけるYESとの判定に伴い、次のステップ470にて、変数n=7か否かが判定される。現段階では、n=6のままであるから、ステップ470においてNOと判定され、然る後、ステップ471において、変数n=7とセットされる。これに伴い、ステップ470においてYESと判定される。
【0207】
この判定後、上記コンピュータプログラムが図22のステップ480に進むと、当該ステップ480における第7発光態様データ読み出し処理において、図14の発光態様7が上記ROMから第7発光態様データとして読み出される。ここで、当該第7発光態様データは、デューティ比D1=5(%)、デューティ比D2=D3=0(%)、デューティ比D4=5(%)及びデューティ比D5=10(%)でもって特定されている(図14参照)。
【0208】
然る後、次のステップ481におけるデューティ信号形成処理において、ステップ480における第7発光態様データのデューティ比D1=5(%)、デューティ比D2=D3=0(%)、デューティ比D4=5(%)及びデューティ比D5=10(%)が、それぞれ、第1−7〜第5−7のデューティ信号として形成される。
【0209】
ここで、第1−7デューティ信号は、デューティ比D1=5(%)に基づき、その周期の前側1/20部分及び後側19/20に亘り、それぞれ、ハイレベル及びローレベルに形成される。また、第2−7及び第3−7の各デューティ信号は、それぞれ、各デューティ比D2=D3=0(%)に基づき、その周期に亘りハイレベルに形成される。
【0210】
また、第4−7のデューティ信号は、デューティ比D4=5(%)に基づき、その周期の前側1/20部分及び後側19/20に亘り、それぞれ、ハイレベル及びローレベルに形成される。また、第5−7のデューティ信号は、デューティ比D5=10(%)に基づき、その周期の前側1/10部分及び後側9/10部分に亘りそれぞれハイレベル及びローレベルに形成される。
【0211】
上述のようにステップ481においてデューティ信号の形成処理がなされると、次のステップ482におけるデューティ信号出力処理において、ステップ481における第1−7〜第5−7のデューティ信号が演出制御回路100からその各出力ポートP1〜P5を介して発光駆動回路200の各スイッチング回路210〜250に出力される。
【0212】
すると、スイッチング回路210においては、第1−7のデューティ信号がその周期の前側1/20部分及び後側19/20部分に亘りそれぞれハイレベル及びローレベルにあることから、パワートランジスタ211が、第1−7のデューティ信号に基づきその周期の前側1/20部分に亘りオンし、然る後、第1−7のデューティ信号に基づきその周期の後側19/20部分に亘りオフとなる。
【0213】
このため、FET214が、パワートランジスタ211から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオンし、然る後、パワートランジスタ211から生ずるローレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET214のオンの間当該FET214を通りLEDL1に流れ、然る後、FET214のオフの間当該FET214によりLEDL1から遮断される。
【0214】
また、スイッチング回路220においては、第2−7のデューティ信号が、その周期に亘り、ハイレベルにあることから、パワートランジスタ221が、第2−7のデューティ信号に基づきその周期に亘りオフとなる。このため、FET224が、パワートランジスタ221から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET224のオフによりLEDL2から遮断される。
【0215】
また、スイッチング回路230においては、第3−7のデューティ信号も、同様に、その周期に亘り、ハイレベルにあることから、パワートランジスタ231が、第3−7のデューティ信号に基づきその周期に亘りオフとなる。このため、FET234が、パワートランジスタ231から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET234のオフによりLEDL3から遮断される。
【0216】
また、スイッチング回路240においては、第4−7のデューティ信号の周期の前側1/20部分及び後側19/20部分がそれぞれハイレベル及びローレベルにあることから、パワートランジスタ241が、第4−7のデューティ信号に基づきその周期の前側1/20部分に亘りオンとなり、然る後、第4−7のデューティ信号に基づきその周期の後側19/20部分に亘りオフとなる。このため、FET244が、パワートランジスタ241から生ずるローレベルのコレクター電圧に基づきオンし、然る後、パワートランジスタ241から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET244のオンの間当該FET244を通りLED4に流入し、然る後、FET244のオフの間当該FET244によりLEDL4から遮断される。
【0217】
また、スイッチング回路250においては、第5−7のデューティ信号がその周期の前側1/10部分及び後側9/10部分に亘りそれぞれハイレベル及びローレベルにあることから、パワートランジスタ251が、第5−7のデューティ信号に基づきその周期の前側1/10部分に亘りオンとなり、然る後、第5−7のデューティ信号に基づきその周期の後側9/10部分に亘りオフとなる。
【0218】
このため、FET254が、パワートランジスタ251から生ずるローレベルのコレクター電圧に基づきオンし、然る後、パワートランジスタ251から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET254のオンの間当該FET254を通りLEDL5に流入し然る後、FET254のオフの間、LEDL5への流入を停止する。
【0219】
ここで、この直流電流の流入は、第5−7のデューティ信号の周期の前側1/10部分に限られることから、LEDL5は、第5−7のデューティ信号の周期の前側1/10部分に限り発光する。このことは、LEDL5の発光強度がその最大値の1/10の強度に低下することを意味する。
【0220】
上述した1−7〜5−7のデューティ信号は、ステップ482にて演出制御回路100から同時に出力されるため、発光駆動回路200では、LED1〜LED5が、同時に、発光駆動状態におかれる。このため、LED1、LED4及びLED5は、LED2及びLED3の発光停止状態にて、同時に発光する。そして、LED1は、1−7のデューティ信号の周期の前側1/20部分に限り継続して発光し、LED4は、4−7のデューティ信号の周期の前側1/20部分に亘り継続して発光し、また、LED5は、5−7のデューティ信号の周期の前側1/5部分に限り継続して発光する(図25参照)。但し、LED1はLED5の発光強度と同一の発光強度で発光するから、LED1の明るさは、LED5の明るさと同一である。また、LED5の発光強度は、LED4の2倍の発光強度であるから、当該LED5の明るさは、LED4の明るさの2倍であり、LED1の明るさの2倍である。
【0221】
上述したステップ482の処理後、次のステップ483において、上記ソフトタイマーがリセットスタートされて、計時を開始する。
【0222】
しかして、LED1〜LED5が同時に発光駆動状態におかれた後、周期τが経過すると、ステップ490における判定がYESとなる。
【0223】
ステップ490におけるYESとの判定に伴い、次のステップ500にて、変数n=8か否かが判定される。現段階では、n=7のままであるから、ステップ500においてNOと判定され、然る後、ステップ501において、変数n=8とセットされる。これに伴い、ステップ500においてYESと判定される。
【0224】
この判定後、上記コンピュータプログラムが図23のステップ510に進むと、当該ステップ510における第8発光態様データ読み出し処理において、図14の発光態様8が上記ROMから第8発光態様データとして読み出される。ここで、当該第8発光態様データは、デューティ比D1=10(%)、デューティ比D2=5(%)、デューティ比D3=D4=0(%)及びデューティ比D5=5(%)でもって特定されている(図14参照)。
【0225】
然る後、次のステップ511におけるデューティ信号形成処理において、ステップ510における第8発光態様データのデューティ比D1=10(%)、デューティ比D2=5(%)、デューティ比D3=D4=0(%)及びデューティ比D5=5(%)が、それぞれ、第1−8〜第5−8のデューティ信号として形成される。
【0226】
ここで、第1−8デューティ信号は、デューティ比D1=10(%)に基づき、その周期の前側1/10部分及び後側9/10に亘り、それぞれ、ハイレベル及びローレベルに形成される。また、第2−8のデューティ信号は、デューティ比D2=5(%)に基づき、その周期の前側1/20部分及び後側19/20に亘り、それぞれ、ハイレベル及びローレベルに形成される。
【0227】
また、第3−8及び第4−8の各デューティ信号は、それぞれ、各デューティ比D3=D4=0(%)に基づき、その周期に亘りハイレベルに形成される。また、第5−8のデューティ信号は、デューティ比D5=5(%)に基づき、その周期の前側1/20部分及び後側19/20に亘り、それぞれ、ハイレベル及びローレベルに形成される。
【0228】
上述のようにステップ511においてデューティ信号の形成処理がなされると、次のステップ512におけるデューティ信号出力処理において、ステップ511における第1−8〜第5−8のデューティ信号が演出制御回路100からその各出力ポートP1〜P5を介して発光駆動回路200の各スイッチング回路210〜250に出力される。
【0229】
すると、スイッチング回路210においては、第1−8のデューティ信号がその周期の前側1/10部分及び後側9/10部分に亘りそれぞれハイレベル及びローレベルにあることから、パワートランジスタ211が、第1−8のデューティ信号に基づきその周期の前側1/10部分に亘りオンし、然る後、第1−8のデューティ信号に基づきその周期の後側9/10部分に亘りオフとなる。このため、FET214が、パワートランジスタ211から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオンし、然る後、パワートランジスタ211から生ずるローレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET214のオンの間当該FET214を通りLEDL1に流れ、然る後、FET214のオフの間当該FET214によりLEDL1から遮断される。
【0230】
また、スイッチング回路220においては、第2−8のデューティ信号が、その周期の前側1/20部分及び後側19/20部分に亘り、それぞれ、ハイレベル及びローレベルにあることから、パワートランジスタ221が、第2−8のデューティ信号に基づきその周期の前側1/20部分に亘りオンとなり、然る後、第2−8のデューティ信号に基づきその周期の後側19/20部分に亘りオフとなる。このため、FET224が、パワートランジスタ221から生ずるローレベルのコレクター電圧に基づきオンし、然る後、パワートランジスタ221から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET224のオンの間当該FET224を通りLEDL2に流入し、然る後、FET224のオフの間当該FET224によりLEDL2から遮断される。
【0231】
また、スイッチング回路230においては、第3−8のデューティ信号が、その周期に亘り、ハイレベルにあることから、パワートランジスタ231が、第3−8のデューティ信号に基づきその周期に亘りオフとなる。このため、FET234が、パワートランジスタ231から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET234のオフによりLEDL3から遮断される。
【0232】
また、スイッチング回路240においては、第4−8のデューティ信号も、同様に、その周期に亘り、ハイレベルにあることから、パワートランジスタ241が、第8−4のデューティ信号に基づきその周期に亘りオフとなる。このため、FET244が、パワートランジスタ241から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET244のオフによりLEDL4から遮断される。
【0233】
また、スイッチング回路250においては、第5−8のデューティ信号の周期の前側1/20部分及び後側19/20部分がそれぞれハイレベル及びローレベルにあることから、パワートランジスタ251が、第5−8のデューティ信号に基づきその周期の前側1/20部分に亘りオンとなり、然る後、第5−8のデューティ信号に基づきその周期の後側19/20部分に亘りオフとなる。このため、FET254が、パワートランジスタ251から生ずるローレベルのコレクター電圧に基づきオンし、然る後、パワートランジスタ251から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET254のオンの間当該FET254を通りLED5に流入し、然る後、FET254のオフの間当該FET254によりLEDL5から遮断される。
【0234】
ここで、この直流電流の流入は、第5−8のデューティ信号の周期の前側1/10部分に限られることから、LEDL5は、第5−8のデューティ信号の周期の前側1/20部分に限り発光する。このことは、LEDL5の発光強度がその最大値の1/20の強度に低下することを意味する。
【0235】
上述した第1−8〜第5−8のデューティ信号は、ステップ512にて演出制御回路100から同時に出力されるため、発光駆動回路200では、LED1〜LED5が、同時に、発光駆動状態におかれる。このため、LED1、LED2及びLED5は、LED3及びLED4の発光停止状態にて、同時に発光する。そして、LED1は、第1−8のデューティ信号の周期の前側1/10部分に限り継続して発光し、LED2は、第2−8のデューティ信号の周期の前側1/20部分に亘り継続して発光し、また、LED5も、第5−8のデューティ信号の周期の前側1/5部分に限り継続して発光する(図25参照)。但し、LED1はLED2の発光強度の2倍の発光強度で発光するから、LED1の明るさは、LED2の明るさと同一である。また、LED5の発光強度は、LED2の発光強度と同一であるから、当該LED5の明るさは、LED2の明るさと同一であり、LED1の明るさの1/2である。
【0236】
上述したステップ512の処理後、次のステップ513において、上記ソフトタイマーがリセットスタートされて、計時を開始する。
【0237】
しかして、LED1〜LED5が同時に発光駆動状態におかれた後、周期τが経過すると、ステップ520における判定がYESとなる。
【0238】
ステップ520におけるYESとの判定に伴い、次のステップ530にて、変数n=9か否かが判定される。現段階では、n=8のままであるから、ステップ530においてNOと判定され、然る後、ステップ531において、変数n=9とセットされる。これに伴い、ステップ530においてYESと判定される。
【0239】
この判定後、上記コンピュータプログラムが図24のステップ540に進むと、当該ステップ540における第9発光態様データ読み出し処理において、図14の発光態様9が上記ROMから第9発光態様データとして読み出される。ここで、当該第9発光態様データは、デューティ比D1=20(%)、デューティ比D2=10(%)、デューティ比D3=5(%)及び各デューティ比D4=D5=0(%)でもって特定されている(図14参照)。
【0240】
然る後、次のステップ541におけるデューティ信号形成処理において、ステップ540における第9発光態様データのデューティ比D1=20(%)、デューティ比D2=10(%)、デューティ比D3=5(%)及び各デューティ比D4=D5=0(%)が、それぞれ、第1−9〜第5−9のデューティ信号として形成される。
【0241】
ここで、第1−9のデューティ信号は、デューティ比D1=20(%)に基づき、その周期の前側1/5部分及び後側4/5に亘り、それぞれ、ハイレベル及びローレベルに形成される。また、第2−9のデューティ信号は、デューティ比D2=10(%)に基づき、その周期の前側1/10部分及び後側9/10に亘り、それぞれ、ハイレベル及びローレベルに形成される。
【0242】
また、第3−9のデューティ信号は、デューティ比D3=5(%)に基づき、その周期の前側1/20部分及び後側19/20に亘り、それぞれ、ハイレベル及びローレベルに形成される。また、第4−9及び第5−9の各デューティ信号は、それぞれ、各デューティ比D4=D5=0(%)に基づき、その周期に亘りハイレベルに形成される。
【0243】
上述のようにステップ541においてデューティ信号の形成処理がなされると、次のステップ542におけるデューティ信号出力処理において、ステップ541における第1−9〜第5−9のデューティ信号が演出制御回路100からその各出力ポートP1〜P5を介して発光駆動回路200の各スイッチング回路210〜250に出力される。
【0244】
すると、スイッチング回路210においては、第1−9のデューティ信号がその周期の前側1/5部分及び後側4/5部分に亘りそれぞれハイレベル及びローレベルにあることから、パワートランジスタ211が、第1−9のデューティ信号に基づきその周期の前側1/5部分に亘りオンし、然る後、第1−9のデューティ信号に基づきその周期の後側4/5部分に亘りオフとなる。このため、FET214が、パワートランジスタ211から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオンし、然る後、パワートランジスタ211から生ずるローレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET214のオンの間当該FET214を通りLEDL1に流れ、然る後、FET214のオフの間当該FET214によりLEDL1から遮断される。
【0245】
また、スイッチング回路220においては、第2−9のデューティ信号が、その周期の前側1/10部分及び後側9/10部分に亘り、それぞれ、ハイレベル及びローレベルにあることから、パワートランジスタ221が、第2−9のデューティ信号に基づきその周期の前側1/10部分に亘りオンとなり、然る後、第2−9のデューティ信号に基づきその周期の後側9/10部分に亘りオフとなる。このため、FET224が、パワートランジスタ221から生ずるローレベルのコレクター電圧に基づきオンし、然る後、パワートランジスタ221から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET224のオンの間当該FET224を通りLEDL2に流入し、然る後、FET224のオフの間当該FET224によりLEDL2から遮断される。
【0246】
また、スイッチング回路230においては、第3−9のデューティ信号が、その周期の前側1/20部分及び後側19/20部分に亘り、それぞれ、ハイレベル及びローレベルにあることから、パワートランジスタ231が、第3−9のデューティ信号に基づきその周期の前側1/20部分に亘りオンとなり、然る後、第3−9のデューティ信号に基づきその周期の後側19/20部分に亘りオフとなる。
【0247】
このため、FET234が、パワートランジスタ231から生ずるローレベルのコレクター電圧に基づきオンし、然る後、パワートランジスタ231から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET234のオンの間当該FET234を通りLEDL3に流入し、然る後、FET234のオフの間当該FET234によりLEDL3から遮断される。
【0248】
また、スイッチング回路240においては、第4−9のデューティ信号が、その周期に亘り、ハイレベルにあることから、パワートランジスタ241が、第4−9のデューティ信号に基づきその周期に亘りオフとなる。このため、FET244が、パワートランジスタ241から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET244のオフによりLEDL4から遮断される。
【0249】
また、スイッチング回路250においては、第5−9のデューティ信号も、同様に、その周期に亘り、ハイレベルにあることから、パワートランジスタ251が、第5−9のデューティ信号に基づきその周期に亘りオフとなる。このため、FET254が、パワートランジスタ251から生ずるハイレベルのコレクター電圧に基づきオフする。これに伴い、上記直流電源からその直流電圧+Vcに基づく直流電流が、FET254のオフによりLEDL5から遮断される。
【0250】
上述した第1−9〜第5−9のデューティ信号は、ステップ542にて演出制御回路100から同時に出力されるため、発光駆動回路200では、LED1〜LED5が、同時に、発光駆動状態におかれる。このため、LED1、LED2及びLED3は、LED4及びLED5の発光停止状態にて、同時に発光する。そして、LED1は、第1−9のデューティ信号の周期の前側1/5部分に限り継続して発光し、LED2は、第2−9のデューティ信号の周期の前側1/10部分に亘り継続して発光し、また、LED3は、第3−9のデューティ信号の周期の前側1/20部分に限り継続して発光する(図25参照)。但し、LED1はLED2の発光強度の2倍の発光強度で発光するから、LED1の明るさは、LED2の明るさの2倍である。また、LED3の発光強度は、LED2の発光強度の1/2であるから、当該LED3の明るさは、LED2の明るさの1/2である。
【0251】
上述したステップ542の処理後、次のステップ543において、上記ソフトタイマーがリセットスタートされて、計時を開始する。
【0252】
しかして、LED1〜LED5が同時に発光駆動状態におかれた後、周期τが経過すると、ステップ550における判定がYESとなる。その後、上記コンピュータプログラムは、リターンステップから図16のスタートステップに戻り、上述と同様にステップ300〜図9のリターンステップの処理が繰り返される。また、この処理の繰り返しは、上述の大当たり抽選に対しなされる演出時間の間なされる。
【0253】
以上述べたように、LED1〜LED5は、第1〜第5の発光態様に従い、LED1からLED5にかけて、順次、周期τずつデューティ比100(%)にて発光し、LED1のデューティ比100(%)による発光にあわせてLED2をデューティ比50(%)にて発光し、LED2のデューティ比100(%)による発光にあわせてLED3をデューティ比50(%)にて発光するとともにLED1をデューティ比20(%)にて発光し、LED3のデューティ比100(%)による発光にあわせてLED4をデューティ比50(%)にて発光するとともにLED2をデューティ比20(%)にて発光し、LED4のデューティ比100(%)による発光にあわせてLED5をデューティ比50(%)にて発光するとともにLED3をデューティ比20(%)にて発光し、かつ、LED5のデューティ比100(%)による発光にあわせてLED4をデューティ比20(%)にて発光する。
【0254】
さらに、LED1〜LED5は、発光態様6に従いLED5からLED3にかけてそれぞれ各デューティ比20(%)、10(%)及び5(%)にて発光し、発光態様7に従いLED5をデューティ比10(%)にて発光するとともにLED3及びLED1をデューティ比5(%)にて発光し、発光態様8に従いLED1をデューティ比20(%)にて発光するとともにLED5及びLED2をデューティ比5(%)にて発光し、かつ、発光態様9に従いLED1からLED3にかけてそれぞれ各デューティ比20(%)、10(%)及び5(%)にて発光する。
【0255】
従って、発光態様1〜発光態様5に従い、LED1〜LED5が、周期τずつ、最高発光強度(即ち、最大明るさ)にて発光する。そして、LED1の最高発光強度による発光にあわせてLED2が最高発光強度の1/2(即ち、最大明るさの1/2の明るさ)にて発光し、LED2〜LED4の各最高発光強度による発光にあわせてLED3〜LED5を最高発光強度の1/2(即ち、最大明るさの1/2の明るさ)にて発光するとともにLED1〜LED4を最高発光強度の1/5(即ち、最大明るさの1/5の明るさ)にて発光する。
【0256】
さらに、発光態様6に従いLED5からLED3にかけてそれぞれ最高発光強度の1/5(即ち、最大明るさの1/5の明るさ)、1/10(即ち、最大明るさの1/10及び1/20(即ち、最大明るさの1/20)にて発光し、発光態様7に従いLED5を最高発光強度の1/10(即ち、最大明るさの1/10の明るさ)にて発光するとともにLED3及びLED1を最高発光強度の1/20(即ち、最大明るさの1/20)にて発光し、発光態様8に従いLED1を最高発光強度の1/5(即ち、最大明るさの1/5の明るさ)にて発光するとともにLED5及びLED2を最高発光強度の1/20(即ち、最大明るさの1/20の明るさ)にて発光し、かつ発光態様9に従いLED1からLED3にかけてそれぞれ最高発光強度の1/5(即ち、最大明るさの1/5の明るさ)、1/10(即ち、最大明るさの1/10の明るさ)及び1/20(即ち、最大明るさの1/20)にて発光する。換言すれば、暗さが、LED1及びLED2の間、LED2及びLED3の間、LED3及びLED4の間及びLED4及びLED5の間にて形成される。
【0257】
以上によれば、LED1〜LED5にかけてその発光が周期τずつ順次最大明るさの発光点として湾曲状反射板47bにより順次反射され、ついで、LED1及びLED2の間、LED2及びLED3の間、LED3及びLED4の間及びLED4及びLED5の間にて周期τずつ順次暗くなる。
【0258】
これに伴い、LED1〜LED5の各発光が、湾曲状反射板47bにより順次反射されて配設板部47cの外周縁部に沿いその左端側から右端側に向けて移動する最大明るさの発光点として視認される。また、LED1及びLED2の間、LED2及びLED3の間、LED3及びLED4の間及びLED4及びLED5の間にて形成される暗さが、湾曲状反射板47bにより順次反射されて配設板部47cの外周縁部に沿いその左端側から右端側に向けて移動する暗点として視認される。
【0259】
その結果、5個のLEDが配設板部47cの半円周状の外周縁部にしか配設されていなくても、発光点及び暗点の移動でもって全円周に亘り光演出を行っているように視認され得る。
【0260】
ここで、最大明るさにて発光するLED1〜LED5にそれぞれ隣接する各LEDの明るさを最大明るさよりも暗くするようにしたので、最大明るさにて発光するLED1〜LED5の各発光点がより一層明確になる。
【0261】
また、発光態様6に従うときにはLED5からLED3にかけて順次暗くなり、発光態様7に従うときにはLED5及びLED4にかけて順次暗くなるとともにLED1をLED4と同一の暗さとし、発光態様8に従うときにはLED1及びLED2にかけて順次暗くなるとともにLED5をLED2と同一の暗さとし、発光態様9に従うときにはLED1からLED3にかけて順次暗くなるようにしたので、各暗点がより一層明確になる。
【0262】
その結果、発光点及び暗点の移動による全円周に亘る光演出がより一層明確になされる。
【0263】
一方、上述のように下方へ転動する各遊技球が、光演出装置40の入賞口体43c内に進入することなく、内レール22bの左側部位の上面及び右側部位の上面に沿い下方へ転動すると、内レール22bの左側部位の上面上の遊技球(以下、左側球ともいう)は、内レール22bの左側部位の上面に沿い内レール22bの中央下部、換言すれば、光演出装置40に向けて左側から転動し、一方、内レール22bの右側部位の上面上の遊技球(以下、右側球ともいう)は、内レール22bの右側部位の上面に沿い内レール22bの下端中央部、換言すれば、光演出装置40に向けて右側から転動することとなる。このことは、左側球及び右側球は、内レール22bの左側部位及び右側部位の各上面に沿い互いに接近して衝突する方向に転動することを意味する。
【0264】
しかしながら、光演出装置40には、左側球排出筒部材45及び右側球排出筒部材46が、上述のごとき構成にて設けられている。従って、内レール22bの下端中央部に左側から達する左側球は、左側球排出筒部材45を通りアウト口30を介し遊技盤20の後方へ排出され、一方、内レール22bの中央下部に右側から達する右側球は、右側球排出筒部材46を通りアウト口30を介し遊技盤20の後方へ排出されることとなる。
【0265】
ここで、左側球排出筒部材45は、左側アウト球入路43fを通して、内レール22bの中央下部から左側へ開口し、一方、右側球排出筒部材46は、右側アウト球入路43gを通して内レール22bの中央下部から右側へ開口している。従って、左側球は内レール22bの左側部位から左側アウト球入路43fを通り左側球排出筒部材45内に円滑に進入してアウト口30を介し遊技盤20の後方へ排出され、一方、右側球は内レール22bの右側部位から右側アウト球入路43gを通り右側球排出筒部材46内に円滑に進入してアウト口30を介し遊技盤20の後方へ排出され得る。
【0266】
このように、左側球排出筒部材45が、左側球のアウト口30を介する遊技盤20の後方への排出専用の通路としての役割を果たし、一方、右側球排出筒部材46が、右側球のアウト口30を介する遊技盤20の後方への排出専用の通路としての役割を果たすことから、左側球及び右側球が、内レール22bの下端中央部にて左右から衝突して球詰まりを招くという事態の発生を未然に防止することができる。
【0267】
ここで、右側球排出筒部材46の延出開口部46aが、左側球排出筒部材45の延出開口部45aとともに、当該延出開口部45aの後側にて、アウト口30内に延在するので、上述した効果がより一層確実に達成され得る。なお、右側球排出筒部材46の延出開口部46aが、左側球排出筒部材45の延出開口部45aとともに、当該延出開口部45aの前側にて、アウト口30内に延在するようにしても、同様の作用効果を達成することができる。
【0268】
以上説明したように、本第1実施形態によれば、光演出システムが、光演出装置40において左側球排出筒部材45及び右側球排出筒部材46を一体的に有するようにコンパクトに構成されているから、上述した演出効果及び球詰まり防止効果の双方が、上述の一体的なコンパクトな構成にて達成し得る。
(第2実施形態)
図26は、本発明の第2実施形態の要部を示している。この第2実施形態では、上記第1実施形態にて述べた発光駆動回路200に代えて、発光駆動回路200Aが採用されている。
【0269】
当該発光駆動回路200Aは、発光駆動回路200の各スイッチング回路210〜250にそれぞれ対応する各スイッチング回路210A〜250Aでもって構成されている。
【0270】
スイッチング回路210Aは、上記第1実施形態にて述べたスイッチング回路210において、FET214に代えて、FET214A及びインバータ215を採用して構成してなるもので、当該FET214Aは、MOS型のNチャンネル電界効果トランジスタでもって構成されている。
【0271】
FET214Aは、そのゲート214dにて、インバータ215を介しパワートランジスタ211のコレクター211bに接続されており、当該FET214Aのドレイン214eは、LED1を介して上記直流電源の正側端子に接続されている。また、当該FET214Aのソース214fは、接地されている。
【0272】
ここで、インバータ215は、パワートランジスタ211のコレクター211bからのローレベル或いはハイレベルのコレクター電圧を反転してハイレベル或いはローレベルの反転電圧を発生する。
【0273】
しかして、当該FET214Aは、インバータ215からハイレベル或いはハローレベルの反転電圧を印加されてスイッチング作動して、オン或いはオフする。そして、当該FET214Aは、そのオンにより、上記直流電源からの直流電圧+Vcに基づく直流電流を、LED1に流入させる。また、当該FET214Aは、そのオフにより、上記直流電源からの直流電圧+Vcに基づく直流電流をLED1から遮断する。
【0274】
このことは、LED1が、その上記直流電流の流入に基づき発光し、上記直流電流の流入の遮断に基づき発光を停止することを意味する。ここで、LED1の発光継続時間は、上記第1実施形態にて述べた第1−1〜第1−9のデューティ信号のいずれかのハイレベル時間に対応し、LED1の発光停止時間は、第1−1〜第1−9のデューティ信号のいずれかのローレベル時間に対応する。その他のスイッチング回路210Aの構成は、上記第1実施形態にて述べたスイッチング回路210と同様である。
【0275】
スイッチング回路220Aは、上記第1実施形態にて述べたスイッチング回路220において、FET224に代えて、FET224Aを採用して構成してなるもので、当該FET224Aは、MOS型のNチャンネル電界効果トランジスタでもって構成されている。
【0276】
FET224Aは、そのゲート224dにて、パワートランジスタ221のコレクター221bに接続されており、当該FET224Aのドレイン224eは、LED2を介して上記直流電源の正側端子に接続されている。また、当該FET224Aのソース224fは、接地されている。
【0277】
しかして、当該FET224Aは、パワートランジスタ221のコレクター221bからローレベル或いはハイレベルのコレクター電圧を印加されてスイッチング作動して、オン或いはオフする。そして、当該FET224Aは、そのオンにより、上記直流電源からの直流電圧+Vcに基づく直流電流を、LED2に流入させる。また、当該FET224Aは、そのオフにより、上記直流電源からの直流電圧+Vcに基づく直流電流をLED2から遮断する。
【0278】
このことは、LED2が、その上記直流電流の流入に基づき発光し、上記直流電流の流入の遮断に基づき発光を停止することを意味する。ここで、LED2の発光継続時間は、上記第1実施形態にて述べた第2−1〜第2−9のデューティ信号のいずれかのハイレベル時間に対応し、LED2の発光停止時間は、第2−1〜第2−9のデューティ信号のいずれかのローレベル時間に対応する。その他のスイッチング回路220Aの構成は、上記第1実施形態にて述べたスイッチング回路220と同様である。
【0279】
スイッチング回路230Aは、上記第1実施形態にて述べたスイッチング回路230において、FET234に代えて、FET234Aを採用して構成してなるもので、当該FET234Aは、MOS型のNチャンネル電界効果トランジスタでもって構成されている。
【0280】
FET234Aは、そのゲート234dにて、パワートランジスタ231のコレクター231bに接続されており、当該FET234Aのドレイン234eは、LED3を介して上記直流電源の正側端子に接続されている。また、当該FET234Aのソース234fは、接地されている。
【0281】
しかして、当該FET234Aは、パワートランジスタ231のコレクター231bからローレベル或いはハイレベルのコレクター電圧を印加されてスイッチング作動して、オン或いはオフする。そして、当該FET234Aは、そのオンにより、上記直流電源からの直流電圧+Vcに基づく直流電流を、LED3に流入させる。また、当該FET234Aは、そのオフにより、上記直流電源からの直流電圧+Vcに基づく直流電流をLED3から遮断する。
【0282】
このことは、LED3が、その上記直流電流の流入に基づき発光し、上記直流電流の流入の遮断に基づき発光を停止することを意味する。ここで、LED3の発光継続時間は、上記第1実施形態にて述べた第3−1〜第3−9のデューティ信号のいずれかのハイレベル時間に対応し、LED3の発光停止時間は、第3−1〜第3−9のデューティ信号のいずれかのローレベル時間に対応する。その他のスイッチング回路230Aの構成は、上記第1実施形態にて述べたスイッチング回路230と同様である。
【0283】
スイッチング回路240Aは、上記第1実施形態にて述べたスイッチング回路240において、FET244に代えて、FET244Aを採用して構成してなるもので、当該FET244Aは、MOS型のNチャンネル電界効果トランジスタでもって構成されている。
【0284】
FET244Aは、そのゲート244dにて、パワートランジスタ241のコレクター241bに接続されており、当該FET244Aのドレイン244eは、LED4を介して上記直流電源の正側端子に接続されている。また、当該FET244Aのソース244fは、接地されている。
【0285】
しかして、当該FET244Aは、パワートランジスタ241のコレクター241bからローレベル或いはハイレベルのコレクター電圧を印加されてスイッチング作動して、オン或いはオフする。そして、当該FET244Aは、そのオンにより、上記直流電源からの直流電圧+Vcに基づく直流電流を、LED4に流入させる。また、当該FET244Aは、そのオフにより、上記直流電源からの直流電圧+Vcに基づく直流電流をLED4から遮断する。
【0286】
このことは、LED4が、その上記直流電流の流入に基づき発光し、上記直流電流の流入の遮断に基づき発光を停止することを意味する。ここで、LED4の発光継続時間は、上記第1実施形態にて述べた第4−1〜第4−9のデューティ信号のいずれかのハイレベル時間に対応し、LED4の発光停止時間は、第4−1〜第4−9のデューティ信号のいずれかのローレベル時間に対応する。その他のスイッチング回路240Aの構成は、上記第1実施形態にて述べたスイッチング回路240と同様である。
【0287】
スイッチング回路250Aは、上記第1実施形態にて述べたスイッチング回路250において、FET254に代えて、FET254Aを採用して構成してなるもので、当該FET254Aは、MOS型のNチャンネル電界効果トランジスタでもって構成されている。
【0288】
FET254Aは、そのゲート254dにて、パワートランジスタ251のコレクター251bに接続されており、当該FET254Aのドレイン254eは、LED5を介して上記直流電源の正側端子に接続されている。また、当該FET254Aのソース254fは、接地されている。
【0289】
しかして、当該FET254Aは、パワートランジスタ251のコレクター251bからローレベル或いはハイレベルのコレクター電圧を印加されてスイッチング作動して、オン或いはオフする。そして、当該FET254Aは、そのオンにより、上記直流電源からの直流電圧+Vcに基づく直流電流を、LED5に流入させる。また、当該FET254Aは、そのオフにより、上記直流電源からの直流電圧+Vcに基づく直流電流をLED5から遮断する。
【0290】
このことは、LED5が、その上記直流電流の流入に基づき発光し、上記直流電流の流入の遮断に基づき発光を停止することを意味する。ここで、LED5の発光継続時間は、上記第1実施形態にて述べた第5−1〜第5−9のデューティ信号のいずれかのハイレベル時間に対応し、LED5の発光停止時間は、第5−1〜第5−9のデューティ信号のいずれかのローレベル時間に対応する。その他のスイッチング回路250Aの構成は、上記第1実施形態にて述べたスイッチング回路250と同様である。本第2実施形態のその他の構成は、上記第1実施形態と同様である。
【0291】
このように構成した本第2実施形態においては、各LED1〜LED5が、上記第1実施形態とは異なり、上記直流電源の正側端子に接続されていても、発光制御回路200Aのスイッチング回路210Aのインバータ215及びFET214A、スイッチング回路220Aのインバータ225及びFET224A、スイッチング回路230Aのインバータ235及びFET234A、スイッチング回路240Aのインバータ245及びFET244A及びスイッチング回路250Aのインバータ255及びFET254Aが、それぞれ、上述のごとく、上記第1実施形態にて述べた発光制御回路200のスイッチング回路210のFET214、スイッチング回路220のFET224、スイッチング回路230のFET234、スイッチング回路240のFET244及びスイッチング回路250のFET254と同様の機能を有することから、上記第1実施形態と同様の演出効果を達成することができる。その他の作用効果は、上記第1実施形態と同様である。
【0292】
なお、本発明の実施にあたり、上記各実施形態に限ることなく、次のような種々の変形例が挙げられる。
(1)本発明の実施にあたり、発光ダイオードの数は、5個に限定されないことはいうまでもない。
(2)本発明の実施にあたり、発光駆動回路は、上記各実施形態にて述べた構成に限ることなく、同様の機能を有する回路であれば、どのような回路であってもよい。例えば、上記第2実施形態にて述べた発光駆動回路200Aの各スイッチング回路において、インバータは、パワートランジスタのゲートに直列接続するようにしてもよい。
(3)本発明の実施にあたり、各発光態様1〜9のうち、各発光態様6〜9では、上記実施形態とは異なり、発光強度を零にする各両LED(図14にてデューティ比を零とする各両LED)は、上記実施形態とは異なり、各少なくとも1つのLEDであってもよい。
【0293】
ここで、少なくとも1つのLEDが、例えば、単一のLEDである場合には、当該単一のLEDの位置が暗点になり、3つのLEDの場合には、当該3つのLEDのうちのその中央のLEDの位置が暗点になる。
(4)本発明の実施にあたり、各発光態様1〜9のうち、各発光態様6〜9では、上記実施形態とは逆に、両LED5、4、両LED4、3、両LED3、2及び両LED2、1の順に、発光強度を零とするようにしてもよい。
(5)本発明の実施にあたり、各デューティ比は、上記実施形態とは異なる値としてもよい。
【符号の説明】
【0294】
47…発光反射ユニット、47a…発光板部材、47b…湾曲状反射板、
47c…配設板部、200、200A…発光駆動回路、
210〜250…スイッチング回路、
210A〜250A…スイッチング回路、L1〜L5…発光ダイオード。


図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7
図8
図9
図10
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