発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

ところで、ＣＭＯＳ型撮像素子の光電変換部上の一部領域にはポリシリコン等で構成される転送電極が形成されている。ここで、特許文献３では、光電変換部上に開口を有する遮光部を設け、該遮光部と光電変換部との間に転送電極を設ける構成を開示している。しかしながら、特許文献３のように撮像素子の光軸方向において遮光部と転送電極とが重なるように形成した場合は、マイクロレンズから光電変換部までの距離が長くなるため、撮像素子の受光効率が低いという問題がある。 このような問題に対し、ＣＭＯＳ型撮像素子の受光効率を上げるために、マイクロレンズから光電変換部までの距離を短くするためには、タングステン等で形成される遮光部は、光軸方向において転送電極と重ならないように形成されるのが望ましい。 そこで、本発明者は、遮光部と転送電極を光電変換部上において光軸直交方向に並んで形成する構成を考案した。この場合、遮光部と転送電極を光軸方向において重ならないように配置することができ、マイクロレンズから光電変換部までの距離を短くすることができるため、ＣＭＯＳ型撮像素子の受光効率を上げることができる。しかしながら、この場合、遮光部の材質であるタングステン等の部材の複素屈折率は高く反射率が約１４％程度となることから、タングステン表面で反射した光が隣接画素に侵入し画質の劣化を起こしてしまうという問題があった。また、転送電極であるポリシリコンにも、マイクロレンズを通る光があたるため、ポリシリコン（あるいはシリコン）表面からの反射も同様に画質の劣化を起こしてしまうという問題があった。 そこで、本発明の目的は、撮像素子の受光効率を確保しつつ高精度な位相差方式の焦点検出を可能とするとともに、遮光部材からの反射を低減して画質の劣化を防止することが可能な撮像素子を提供することである。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、撮像素子の受光効率を確保しつつ高精度な位相差方式の焦点検出を可能とするとともに、遮光部材からの反射を低減して画質の劣化を防止することが可能な撮像素子を提供することができる。