特許第5836999号(P5836999)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許5836999β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶の育成方法、及びβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板の製造方法
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  • 特許5836999-β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶の育成方法、及びβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板の製造方法 図000002
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