特許5841726窒化ガリウム系半導体装置の製造方法

発明の名称　窒化ガリウム系半導体装置の製造方法

出願人　国立大学法人東北大学　（識別番号 504157024）

　　　　特許公開件数ランキング 395 位（183件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 238 位（179件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-5841726

公報発行日　2016年1月13

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5841726

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