特許第5845083号(P5845083)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

ホーム > 特許ランキング > 旺宏電子股▲ふん▼有限公司

知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」

▶ 旺宏電子股▲ふん▼有限公司の特許一覧

特許5845083ドープされた相変化材料を形成するための複合ターゲットのスパッタリング
<図1>
  • 特許5845083-ドープされた相変化材料を形成するための複合ターゲットのスパッタリング 図000004
  • 特許5845083-ドープされた相変化材料を形成するための複合ターゲットのスパッタリング 図000005
  • 特許5845083-ドープされた相変化材料を形成するための複合ターゲットのスパッタリング 図000006
  • 特許5845083-ドープされた相変化材料を形成するための複合ターゲットのスパッタリング 図000007
  • 特許5845083-ドープされた相変化材料を形成するための複合ターゲットのスパッタリング 図000008
  • 特許5845083-ドープされた相変化材料を形成するための複合ターゲットのスパッタリング 図000009
  • 特許5845083-ドープされた相変化材料を形成するための複合ターゲットのスパッタリング 図000010
  • 特許5845083-ドープされた相変化材料を形成するための複合ターゲットのスパッタリング 図000011
  • 特許5845083-ドープされた相変化材料を形成するための複合ターゲットのスパッタリング 図000012
  • 特許5845083-ドープされた相変化材料を形成するための複合ターゲットのスパッタリング 図000013
  • 特許5845083-ドープされた相変化材料を形成するための複合ターゲットのスパッタリング 図000014
  • 特許5845083-ドープされた相変化材料を形成するための複合ターゲットのスパッタリング 図000015
  • 特許5845083-ドープされた相変化材料を形成するための複合ターゲットのスパッタリング 図000016
  • 特許5845083-ドープされた相変化材料を形成するための複合ターゲットのスパッタリング 図000017
  • 特許5845083-ドープされた相変化材料を形成するための複合ターゲットのスパッタリング 図000018
< >
Copyright © 2010-2025 Science Impact Inc. All Rights Reserved.