特許5859319半導体素子および逆導通ＩＧＢＴ。

発明の名称　半導体素子および逆導通ＩＧＢＴ。

出願人　インフィネオン　テクノロジーズ　オーストリア　アクチエンゲゼルシャフト　（識別番号 506236358）

　　　　特許公開件数ランキング 30116 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 3992 位（3件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-5859319

公報発行日　2016年2月10

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5859319

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