特許第5859319号(P5859319)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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  • 特許5859319-半導体素子および逆導通ＩＧＢＴ。 図000002
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  • 特許5859319-半導体素子および逆導通ＩＧＢＴ。 図000007
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  • 特許5859319-半導体素子および逆導通ＩＧＢＴ。 図000012
  • 特許5859319-半導体素子および逆導通ＩＧＢＴ。 図000013
  • 特許5859319-半導体素子および逆導通ＩＧＢＴ。 図000014
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