特許第5865867号(P5865867)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許5865867β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶の育成方法、並びにβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板の製造方法
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