特許第5871949号(P5871949)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許5871949閉じ込め層およびそれを使って製造されるデバイスを製造するための方法および材料
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  • 特許5871949-閉じ込め層およびそれを使って製造されるデバイスを製造するための方法および材料 図000029
  • 特許5871949-閉じ込め層およびそれを使って製造されるデバイスを製造するための方法および材料 図000030
  • 特許5871949-閉じ込め層およびそれを使って製造されるデバイスを製造するための方法および材料 図000031
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