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特許5895279ＨＶＰＥプロセスを用いたＩＩＩ族窒化物半導体材料のヘテロエピタキシャル堆積のための改善されたテンプレート層
発明の名称 ＨＶＰＥプロセスを用いたＩＩＩ族窒化物半導体材料のヘテロエピタキシャル堆積のための改善されたテンプレート層
出願人 ソイテック （識別番号 507088071）
特許公開件数ランキング 1151 位（6件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 3906 位（2件）（共同出願を含む）
出願人 アリゾナ ボード オブ リージェンツ フォー アンド オン ビハーフ オブ アリゾナ ステート ユニバーシティ （識別番号 504318142）
特許公開件数ランキング 2800 位（2件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 1739 位（3件）（共同出願を含む）
公報番号 特許-5895279
公報発行日 2016年3月30
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5895279
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