特許第5895279号(P5895279)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許5895279ＨＶＰＥプロセスを用いたＩＩＩ族窒化物半導体材料のヘテロエピタキシャル堆積のための改善されたテンプレート層
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