特許5896002ＩＩＩ族窒化物半導体基板およびその洗浄方法

発明の名称　ＩＩＩ族窒化物半導体基板およびその洗浄方法

出願人　三菱化学株式会社　（識別番号 5968）

　　　　特許公開件数ランキング 30110 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 24267 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-5896002

公報発行日　2016年3月30

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5896002

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