特許 5900135 圧電振動デバイス

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5900135

(24)【登録日】2016年3月18日

(45)【発行日】2016年4月6日

(54)【発明の名称】圧電振動デバイス

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/02 20060101AFI20160324BHJP

   H01L 23/02 20060101ALI20160324BHJP

【ＦＩ】

   H03H9/02 A

   H01L23/02 C

【請求項の数】2

【全頁数】10

(21)【出願番号】特願2012-106102(P2012-106102)

(22)【出願日】2012年5月7日

(65)【公開番号】特開2013-236175(P2013-236175A)

(43)【公開日】2013年11月21日

【審査請求日】2014年12月4日

(73)【特許権者】

【識別番号】000149734

【氏名又は名称】株式会社大真空

(72)【発明者】

【氏名】幸田 直樹

(72)【発明者】

【氏名】吉岡 宏樹

【審査官】 鬼塚 由佳

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００５−１２３２９７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２００８／０１８２２２（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１２−０６４６７３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１２／０２３８９９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２００７−０６７２７７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−２２８０２１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０３Ｈ ９／０２

Ｈ０１Ｌ ２３／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

電子部品素子を収容する容器が、蓋と接合された圧電振動デバイスであって、
前記容器の前記蓋との接合領域には、複数の異種金属の積層膜からなるめっき層が形成され、
前記蓋の一主面には前記めっき層と対応した金錫合金層が形成されてなり、
前記めっき層は最下層側から順に、第１の金属層、第２の金属層、第３の金属層で構成され、
前記第１の金属層は、前記めっき層内で最も厚膜に形成され、
前記第２の金属層は、ニッケルめっき層からなり、
前記第３の金属層は、金めっき層であり、
第２の金属層と第３の金属層の間には、第２の金属層と第３の金属層の間の金属拡散を抑制するためのパラジウムめっき層または金ストライクめっき層からなる拡散抑制層が設けられ、
少なくとも前記第３の金属層と前記金錫合金層とが溶融によって一体化することで、容器と蓋とが接合されていることを特徴とする圧電振動デバイス。

【請求項2】

前記蓋において、容器と接合される主面の周縁には、蓋の側面から内側に傾斜した傾斜面が形成され、当該傾斜面から前記拡散抑制層にかけて、前記金錫合金層と前記めっき層の溶融物からなるメニスカスが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の圧電振動デバイス。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は通信機器等に使用される圧電振動デバイスに関する。

【背景技術】

【0002】

水晶振動子に代表される圧電振動デバイスは携帯電話や移動体通信機器等に広く用いられている。例えば水晶振動子は、水晶振動片と、水晶振動片を収容する凹部を備えた容器と、当該容器との接合により前記凹部を気密に封止する蓋が主要構成部材となっている。前記容器と蓋との接合は、凹部を包囲する堤部の上面に形成された金属膜と、蓋に形成された金属膜（ロウ材等からなる接合材）とが接触した状態で、加熱雰囲気下でこれらの金属膜を溶融・一体化させることによって行われる。このような金属溶融による気密封止を行う水晶振動子は例えば特許文献１に開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００６−２８７４２３号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

前記金属溶融による容器と蓋との気密封止において、例えば容器側に形成される金属膜に金めっき層を、蓋側に形成される金属膜に金錫合金をそれぞれ用い、前記金錫合金を接合材として使用することによって容器と蓋との接合を行う方法がある。

【0005】

前述した容器と蓋との接合方法において、容器側の金めっき層と蓋側の金錫合金とを接触させた状態で所定温度で加熱し、これらの金属を溶融させると、金めっき層の金が金錫合金に取り込まれる（拡散する），いわゆる“金喰われ”が発生することがある。
最近では圧電振動デバイスの超小型化により、前記堤部の幅が非常に狭くなり、堤部上面の金属膜の形成幅も非常に狭くなってきている。これより気密性確保のために堤部上面に形成する金属膜は或る程度、厚膜状態にしておく必要がある。

【0006】

前記金錫合金への金の拡散は、金めっき層の厚みが厚いほど、金めっき層中の金が鉛直方向へ拡散するのに時間を要するため、溶融した金めっき層が水平方向へ流動しにくくなる。つまり金の鉛直方向への拡散が水平方向への拡散よりも優位となり、溶融によって金を取り込んだ金錫合金が蓋側に滞留しやすくなる（図６参照）。その結果、図６に示すように溶融した金錫合金（符号８）が容器側（符号２）の封止領域（符号２４０で示す堤部上面）へ流動しにくくなる。この現象を防止するために金めっき層の厚みを薄くし過ぎると、前記問題は改善されたとしても圧電振動デバイスの特性が劣化してしまう問題が発生する。

【0007】

また、前記金めっき層の下層にニッケル層が存在する場合は、加熱処理によってニッケルが金めっき層内に拡散しやすくなる。そしてニッケルが拡散した金めっき層と金錫合金とが溶融によって混ざり合うと、容器の堤部上面に形成された金属膜に対する濡れ性が低下してしまう。以上のことにより、溶融した金錫合金が封止領域に充分に行き渡らなくなって気密不良や接合強度の低下といった問題が発生するおそれがある。また、容器側に形成される金めっき層は、或る程度厚膜状態にしておく必要があるためコストも高くなってしまう。

【0008】

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、気密信頼性が高く、かつコストを低減することができる圧電振動デバイスを提供することを目的とするものである。

【課題を解決するための手段】

【0009】

上記目的を達成するために本発明は、電子部品素子を収容する容器が、蓋と接合された圧電振動デバイスであって、
前記容器の前記蓋との接合領域には、複数の異種金属の積層膜からなるめっき層が形成され、
前記蓋の一主面には前記めっき層と対応した金錫合金層が形成されてなり、
前記めっき層は最下層側から順に、第１の金属層、第２の金属層、第３の金属層で構成され、
前記第１の金属層は、前記めっき層内で最も厚膜に形成され、
前記第２の金属層は、ニッケルめっき層からなり、
前記第３の金属層は、金めっき層であり、
第２の金属層と第３の金属層の間には、第２の金属層と第３の金属層の間の金属拡散を抑制するためのパラジウムめっき層または金ストライクめっき層からなる拡散抑制層が設けられ、
少なくとも前記第３の金属層と前記金錫合金層とが溶融によって一体化することで、容器と蓋とが接合されている。

【0010】

上記発明によれば、封止時に溶融した金属を、容器と蓋との封止領域に速やかに配することができる。これは次の理由による。めっき層は蓋との接合領域（封止領域）に形成されており、当該めっき層の最上層が第３の金属層となっている。この第３の金属層はめっき層内の第１の金属層よりも薄く形成されている。そして第２の金属層と第３の金属層の間には拡散抑制層が形成されている。

【0011】

前記第３の金属層はめっき層の最上層であり、金錫合金層を構成する金属の一つと同種の金めっき層であるため金錫合金層内へ拡散しやすい。そしてパラジウムめっき層または金ストライクめっき層からなる拡散抑制層によって、ニッケルめっき層からなる第２の金属層が、金めっき層からなる第３の金属層へ拡散するのを抑制することができる。これにより金錫合金層の第３の金属層に対する濡れ性が低下しないため、溶融した金錫合金層が第３の金属層に対して滑るように配されるためである。つまり、或る程度厚膜状態を維持する必要があるめっき層を、複数の異種金属の積層膜で構成し、第１の金属層をめっき層内で最も厚く設定することにより、第３の金属層の厚みを圧電振動デバイスの特性を劣化させない程度に薄くすることができる。これは拡散抑制層が第２の金属層と第３の金属層の間に存在することによるものである。

【0012】

第３の金属層を薄くすることができる結果、めっき層の金属の金錫合金層内への拡散、つまり、めっき層の金属が鉛直方向へ拡散する時間を短縮することができる。その結果、溶融によってめっき層の金属を取り込んだ金錫合金層が蓋側に滞留しにくくなり、溶融した金錫合金を容器側（封止領域）へ速やかに配することができる。

【0013】

上記目的を達成するために、前記蓋において、容器と接合される主面の周縁には、蓋の側面から内側に傾斜した傾斜面が形成され、当該傾斜面から前記拡散抑制層にかけて、前記金錫合金層と前記めっき層の溶融物からなるメニスカスが形成されていてもよい。

【0014】

上記構成によれば、蓋の側面から内側に傾斜した傾斜面が形成されることにより、前記傾斜面から前記拡散抑制層にかけて溶融金属のメニスカスが形成されやすくなる。メニスカスが形成されることによって溶融金属で濡れる領域が拡大するため、より確実な気密封止を行うことができる。このとき本発明の構成であれば、溶融によって第３の金属層を取り込んだ金錫合金層が蓋の傾斜面側に滞留するのを抑制し、溶融した金錫合金を容器側の封止領域へ速やかに配することができる。その結果、溶融した金錫合金を封止領域に充分に行き渡らせることができるため、気密不良や接合強度の低下を防止することができる。

【発明の効果】

【0015】

以上のように本発明によれば、気密信頼性が高く、かつコストを低減することができる圧電振動デバイスを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】本発明の実施形態を示す水晶振動子の断面模式図

【図2】本発明の実施形態を示す水晶振動子の分解模式図

【図3】図１のＡ部拡大図

【図4】図２のＢ部拡大図

【図5】本発明の実施形態を示す水晶振動子の接合領域の拡大模式図

【図6】従来の水晶振動子の接合後における拡大模式図

【発明を実施するための最良の形態】

【0017】

以下、圧電振動デバイスとして水晶振動子を例に挙げ、図面を参照しながら説明する。本発明の実施形態における水晶振動子１は、凹部２０を備えた容器２と、凹部２０の内部に接合部材６を介して接合される水晶振動片３と、凹部２０を封止する蓋４が主要構成部材となっている。水晶振動片３は、蓋４と容器２とが接合材８を介して接合されることによって生まれる内部空間９に収容され、外部環境から保護されている。

【0018】

図１において容器２はホウケイ酸ガラスを基材とする箱状体であり、平面視略長方形となっている。容器２は水晶振動片を収容するための凹部２０と、凹部２０を包囲する環状の堤部２４を有している。平面視略長方形の凹部２０の内部には、水晶振動片が搭載される段部２５が凹部２０の一短辺全体に沿って形成されている。そして段部２５よりもさらに薄肉の領域が凹部の内底面２１となっている。凹部２０はガラスウエハをフォトリソグラフィ技術およびウエットエッチングを用いることにより、平面視略長方形に成形されている。なお図１においてウエットエッチングによって掘り込まれた領域の側面は容器の基材がガラスであるため傾斜面となっている。

【0019】

図１に示すように凹部２０には、内底面２１から段部上面２５０にかけて内部配線パターン５０が形成されている。内部配線パターン５０の段部上面２５０における端部には一対の搭載パッド５，５が形成されており、この搭載パッド５の上に接合部材６を介して水晶振動片３の一端側が片持ち接合される。なお本実施形態では接合部材６に導電性のバンプ（金からなるバンプ）が使用されている。

【0020】

凹部の内底面２１と容器の外底面２２に挟まれた容器基材部分（説明の便宜上、底板部２３と表記）には図示しない貫通電極が一対で形成されている。前記一対の貫通電極は、底板部２３の一主面（内底面２１）と他主面（容器外底面２２）を貫く一対の貫通孔内壁にスパッタ膜が被着され、当該スパッタ膜の内側に樹脂材が充填された構造となっている。

【0021】

容器の外底面２２には、外部基板と接続される一対の外部接続端子７，７と、外部配線パターン（図示省略）と、樹脂材からなる樹脂パターン（図示省略）とが形成されている。前述の一対の搭載パッド５，５は内部配線パターン５０と、前述の一対の貫通電極（図示省略）および前記外部配線パターンを経由して一対の外部接続端子７，７と各々電気的に接続されている。

【0022】

図１乃至２において記載は省略しているが、スパッタ膜が凹部内底面２１の貫通孔の端部周辺と貫通孔内壁面および容器外底面２２に形成されている。ここでスパッタ膜とはスパッタリングによって成膜された膜のことである。本実施形態ではスパッタ膜として、Ｍｏからなるスパッタ膜上にＣｕからなるスパッタ膜が積層された２層構成となっており、スパッタ膜の一部が内部配線パターン５０となっている。

【0023】

図１において水晶振動片３はＡＴカット切断された平面視略矩形の水晶振動板である。水晶振動片２の表裏主面の中央には対向して一対の励振電極が形成されている（図示省略）。そして前記一対の励振電極の各々から水晶振動片の一短辺側まで、図示しない引出電極が導出されており、引出電極の終端には接続電極（図示省略）が各々形成されている。

【0024】

前記一対の接続電極は、容器２の一対の搭載パッド５，５と対応するように接合部材６を介して各々導電接合される。本実施形態において接合部材６には、金からなるめっきバンプが用いられており、水晶振動片３の前述の一対の接続電極の各々に予め形成される。そして容器２の一対の搭載パッド５，５上に、前記一対のめっきバンプが対応するように水晶振動片３が搭載パッド５上に位置決め載置された後、ＦＣＢ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ Ｂｏｎｄｉｎｇ）法によって水晶振動片３が容器２に接合される。なお水晶振動片３と容器２との接合はＦＣＢ法に限定されるものではなく、例えば接合部材として導電性接着材を用い、導電性接着材を加熱硬化させることによって接合する方法や、その他の接合方法であってもよい。また本発明の適用はＡＴカット切断された水晶振動片に限定されるものではなく、他の切断角度を有する水晶振動片であってもよく、例えば音叉型水晶振動片にも適用可能である。また水晶振動片以外の圧電振動片にも本発明は適用可能である。

【0025】

図１において蓋４は平面視略矩形となっている。蓋４の一主面４１は平坦面となっており、他主面４２には周縁部分に下方に突出した壁部４３が環状に形成されている。壁部４３の両側面４３１、４３２はテーパー状に成形されている。壁部４３の外側面４３１は、蓋の外側面４４から内側（内部空間側）に傾斜した傾斜面となっている。このような形状はウエットエッチングによって成形されている。

【0026】

蓋４と容器２は接合材８を介して接合されているが、接合前の状態では図２に示すように、蓋４には壁部４３の上面に第１接合層８１が、容器２の堤部上面２４０に第２接合層８２がそれぞれ形成されている。

【0027】

蓋４の壁部４３に形成される第１接合層８１は、図３に示すように壁部上面（頂面）４３０から壁部外側面４３１に及んで形成されている。この第１接合層８１は、下地層８１１の上に合金層８１２が形成され、この合金層８１２の上に極薄のストライクめっき層８１３が形成された構成となっている。本実施形態では下地層８１１は、Ｔｉからなるスパッタ膜の上にＣｕからなるスパッタ膜が積層された２層構成となっている。合金層８１２は金錫合金（ＡｕＳｎ）であり、金の方が錫よりも含有率が高く、所定の重量比率で構成されている。この合金層８１２は容器２と蓋４とを接合するための接合材となっている。第１接合層８１の全体の厚みは約０．００６ｍｍとなっており、合金層の厚みは約０．００５ｍｍ、ストライクめっき層は約０．００１ｍｍとなっている。
なお、第１接合層８１の全体の厚みは前記厚みに限定されるものではなく、０．００６ｍｍよりも薄くすることも可能である。図３において下地層８１１は誇張して厚く表示しているが、これは説明の便宜のためであり、実際には非常に薄膜に形成されている（後述する図４における下地層８２１についても同様）。

【0028】

図３に示すストライクめっき層８１３はＡｕからなり、電解めっき法によって形成されている。ストライクめっき層８１３は、容器２のめっき層の最上層の第３の金属層と同種の金属（Ａｕ）となっており、酸化防止膜として機能している。さらにストライクめっき層８１３は合金層８１２との密着性を向上させるためにも用いられている。なお、本実施形態ではストライクめっき層が合金層の上に形成されているが、ストライクめっき層を形成せず、合金層を最上層としてもよい。

【0029】

図４において堤部２４の上面２４０は平坦面となっており、複数の異種金属からなる第２接合層８２が形成されている。第２接合層８２は、堤部上面２４０に環状に形成されており、第２接合層８２の層構成は、前述した貫通孔の端部周辺を除き、内部配線パターン５０の膜構成と同一となっている。

【0030】

第２接合層８２は、下地層８２１の上に第１の金属層８２２、第２の金属層８２３、拡散抑制層８２４、第３の金属層８２５の順に積層された構成となっている。本実施形態では下地層８２１は、Ｍｏからなるスパッタ膜の上にＣｕからなるスパッタ膜が積層された２層構成となっている。第１の金属層８２２はＣｕめっき層であり、第２の金属層８２３はＮｉめっき層となっている、そして拡散抑制層８２４はＰｄ（パラジウム）めっき層となっており、第３の金属層８２５はＡｕめっき層となっている。これらのめっき層は全て電解めっき法によって成膜されている。本実施形態ではめっき層の全体の厚みは約０．００６ｍｍとなっており、第１の金属層８２２の厚みは約０．００４４ｍｍ、第２の金属層８２３の厚みは約０．００１ｍｍ、拡散抑制層８２４の厚みは約０．０００１〜０．０００３ｍｍ、第３の金属層８２５の厚みは約０．０００１〜０．０００３ｍｍとなっている。

【0031】

本実施形態において第１の金属層８２２は、第２接合層８２の中で最も厚膜に形成されている。本実施形態では第１の金属層８２２としてＣｕめっきが用いられている。第１の金属層８２２にＣｕめっきを用いるとともに、Ｃｕめっき層を第２接合層８２の中で最も厚膜状態で形成することによって、熱伝導率が良好な金属であるＣｕで多くの熱容量を確保することができる。つまり、接合時の加熱雰囲気の熱が第１の金属層８２２によって速やかに第２の金属層側へ伝導され、第２接合層８２全体の温度を速やかに上昇させることができる。これにより、第３の金属層８２５と合金層８１２の溶融を早めることができる。そして第３の金属層８２５と合金層８１２の溶融を早めることにより、溶融によって第３の金属層８２５を取り込んだ合金層８１２の蓋側への滞留を抑制することができる。

【0032】

また第１の金属層８２２を第２接合層８２の中で最も厚膜に形成することによって次の効果も得られる。例えば蓋と容器とを、超音波を用いた金属拡散による仮止め接合（いわゆるＦＣＢ法（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ Ｂｏｎｄｉｎｇ））を行う場合、第１の金属層８２２として、ＣｕやＡｇ等の延性・展性に富んだ金属材料を使用することによって、より確実な仮止め接合を行うことができる。これは厚膜状態で形成されたＣｕやＡｇが、前記ＦＣＢ法による接合時に加わる荷重に対して緩衝機能を有するためである。また、蓋と容器との接合後の状態において、蓋や容器の熱膨張に起因した接合領域に加わる応力を、厚膜状態で形成されたＣｕやＡｇによって分散させることができる。

【0033】

本実施形態ではＣｕからなるスパッタ膜の上にＣｕめっき層が積層されている。すなわち第１の金属層には、下地層との密着性の点から、下地層８２１の最上層の金属と同種の金属が用いられている。しかしながら本発明は前記組合せに限定されるものではなく、他の組合せにも適用可能である。例えば下地層８２１の最上層をＡｇスパッタ膜とし、第１の金属層８２２をＡｇめっき層としてもよい。

【0034】

第２の金属層８２３には、蓋に形成された第１接合層８１の合金層８１２（ＡｕＳｎ）との溶融時の濡れ性が低い金属（Ｎｉ）が用いられている。本実施形態ではＣｕめっきからなる第１の金属層８２２の上に、電解めっき法によってＡｕめっき層（第３の金属層８２５）を直接形成することが困難であるため、Ｎｉめっき層（第２の金属層８２３）を第１の金属層８２２の上に形成している。ここでＮｉめっき層の上にＡｕめっき層（第３の金属層８２５）を形成すると、蓋と容器との接合時の熱によってＮｉがＡｕめっき層内に拡散してしまう。Ｎｉが拡散したＡｕめっき層と、蓋のＡｕＳｎとが溶融によって混ざり合うと、封止領域の金属膜に対する濡れ性が低下してしまう。このためＮｉめっき層とＡｕめっき層の間に、ＮｉとＡｕの相互拡散を抑制するための拡散抑制層８２４が設けられている。

【0035】

Ｎｉめっき層（第２の金属層８２３）の上には、Ｐｄからなる拡散抑制層８２４が形成されている。そして拡散抑制層８２４上にＡｕめっき層（第３の金属層８２５）が形成されている。この拡散抑制層８２４は、第３の金属層８２５を形成するためのシード層の役割を担っているとともに、第２の金属層８２３（Ｎｉ）と第３の金属層８２５（Ａｕ）の間の金属拡散を抑制する機能を備えている。なお拡散抑制層８２４として、Ｐｄめっき層以外にＡｕストライクめっき層も使用可能である。

【0036】

以上のような層構成とすることで、めっき層を金めっき層からなる単層（下地層を除く）で構成した場合と比べ、Ａｕの使用量を大幅に低減することできる。その結果、圧電振動デバイスの製造コストを低減することができる。

【0037】

本実施形態において、蓋４と容器２との接合は、蓋側の第１接合層８１と容器側の第２接合層８２とが対応するように位置決め配置された状態で、加熱雰囲気下にて行われる。具体的には、第１接合層８１と第２接合層８２は、各々の接合層の最上層であるストライクめっき層８１３と、第３の金属層８２５とが接触した状態で３００〜３２０℃の温度環境下で加熱されることによって接合される。

【0038】

蓋４と容器２の接合後の状態は図５に示す模式図のようになっている。第３の金属層８２５（Ａｕ）は加熱溶融によって合金層８１２の内部に拡散し、一体化している。この一体化した部分を図５では溶融後合金層８３として表している。図５に示すように拡散抑制層８２４が存在することにより、第２の金属層８２３および第１の金属層８２２が、拡散抑制層８２４よりも上層側へ拡散するのを抑制することができる。また、拡散抑制層８２４よりも下層の、第２の金属層８２３および第１の金属層８２２は雰囲気温度よりも高融点であるため溶融しない。なお第２接合層８２のうち、最上層の第３の金属層だけでなく、他の金属層も加熱溶融によって合金層８１２と一体化されていてもよい。

【0039】

本発明の実施形態によれば、封止時に溶融した金属を、容器２と蓋４との封止領域に速やかに配することができる。これは次の理由による。第２接合層８２は蓋との接合領域（封止領域）に形成されており、第２接合層８２の最上層が第３の金属層８２５となっている。第３の金属層８２５は第１の金属層８２２よりも薄く形成されている。そして第２の金属層８２３と第３の金属層８２５の間には拡散抑制層８２４が形成されている。

【0040】

第３の金属層８２５は最上層であるため合金層８１２の内部へ拡散しやすい。そして拡散抑制層８２４によって、合金層８１２との溶融時の濡れ性が低い第２の金属層８２３が、第３の金属層８２５へ拡散するのを抑制することができる。これにより合金層の第３の金属層に対する濡れ性が低下しないため、溶融した合金層が第３の金属層に対して滑るように配されるためである。つまり、或る程度厚膜状態を維持する必要がある第２接合層８２を、複数の異種金属の積層膜で構成し、第１の金属層８２２を第２接合層８２内で最も厚く設定することにより、第３の金属層８２５の厚みを水晶振動子の特性を劣化させない程度に薄くすることができる。これは拡散抑制層８２４が第２の金属層８２３と第３の金属層８２５の間に存在することによるものである。

【0041】

第３の金属層８２５を薄くすることができる結果、第３の金属層８２５の合金層８１２の内部への拡散、つまり、Ａｕめっき層のＡｕが鉛直上方へ拡散する時間を短縮することができる。その結果、溶融によって第３の金属層８２５のＡｕを取り込んだＡｕＳｎ合金が蓋側に滞留しにくくなり、溶融した合金を容器側（封止領域）へ速やかに配することができる。

【0042】

また上記構成によれば、蓋４には蓋外側面４４から内側（内部空間９）に傾斜した傾斜面からなる壁部外側面４３１が形成されている。これにより、前記傾斜面から拡散抑制層８２４にかけて、溶融金属のメニスカスＭが形成されやすくなる。メニスカスが形成されることによって溶融金属で濡れる領域が拡大するため、より確実な気密封止を行うことができる。このとき本発明の構成であれば、溶融によって第３の金属層８２５を取り込んだ合金層８１２が蓋の傾斜面側（蓋外側面４３１）に滞留するのを抑制し、溶融した合金を容器側の封止領域へ速やかに配することができる。その結果、溶融した合金を封止領域に充分に行き渡らせることができるため、気密不良や接合強度の低下を防止することができる。

【0043】

本発明の実施形態では電子部品素子として水晶振動片を例に挙げ、当該水晶振動片が収容された水晶振動子について説明しているが、電子部品素子として水晶振動片に加えＩＣやサーミスタ等の素子も実装された水晶発振器や、水晶フィルタ等へも適用可能である。

【0044】

本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施の形態はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。

【産業上の利用可能性】

【0045】

圧電振動デバイスの量産に適用できる。

【符号の説明】

【0046】

１ 水晶振動子
２ 容器
３ 水晶振動片
４ 蓋
８ 接合材
Ｍ メニスカス
２４ 堤部
４３ 壁部
８１ 第１接合層
８１２ 合金層
８１３ ストライクめっき層
８２ 第２接合層
８２２ 第１の金属層
８２３ 第２の金属層
８２４ 拡散抑制層
８２５ 第３の金属層
８３ 溶解後合金層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】