特許5901787半導体装置及びキャッシュメモリへのデータ先読み方法

発明の名称　半導体装置及びキャッシュメモリへのデータ先読み方法

出願人　ルネサスエレクトロニクス株式会社　（識別番号 302062931）

　　　　特許公開件数ランキング 211 位（148件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 244 位（114件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-5901787

公報発行日　2016年4月13

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5901787

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