特許 5903742 マザーカラーフィルタ基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5903742

(24)【登録日】2016年3月25日

(45)【発行日】2016年4月13日

(54)【発明の名称】マザーカラーフィルタ基板

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1333 20060101AFI20160331BHJP

   G02F 1/1335 20060101ALI20160331BHJP

   G02F 1/13 20060101ALI20160331BHJP

   G02F 1/1339 20060101ALI20160331BHJP

   G02F 1/1345 20060101ALI20160331BHJP

【ＦＩ】

   G02F1/1333 500

   G02F1/1335 505

   G02F1/13 101

   G02F1/1339 500

   G02F1/1335 500

   G02F1/1345

【請求項の数】5

【全頁数】14

(21)【出願番号】特願2014-174533(P2014-174533)

(22)【出願日】2014年8月28日

(62)【分割の表示】特願2010-218353(P2010-218353)の分割

【原出願日】2010年9月29日

(65)【公開番号】特開2014-240979(P2014-240979A)

(43)【公開日】2014年12月25日

【審査請求日】2014年8月28日

(73)【特許権者】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】100075959

【弁理士】

【氏名又は名称】小林 保

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 知行

(72)【発明者】

【氏名】深井 淳

【審査官】 右田 昌士

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００６−２８４９８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−３２６５７７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−０４７３４６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−２０２５５１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０２Ｆ １／１３３３

Ｇ０２Ｆ １／１３ １０１

Ｇ０２Ｆ １／１３３５

Ｇ０２Ｆ １／１３３９

Ｇ０２Ｆ １／１３４５

Ｇ０２Ｆ １／１３６８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

遮光膜とカラーフィルタと保護膜とスペーサとが形成されたカラーフィルタ基板と、薄膜トランジスタが形成され、前記カラ―フィルタ基板から露出した領域に端子部が形成されている薄膜トランジスタ基板と重複しない領域に前記薄膜トランジスタに映像信号、走査信号を供給するための端子部が形成されている薄膜トランジスタ基板と、を有する液晶パネルの前記カラーフィルタ基板が１または複数形成されたマザーカラーフィルタ基板であって、
前記液晶パネルの表示領域外であり、かつ前記薄膜トランジスタ基板の前記端子部に向かい合う端子対向領域には、複数の前記スペーサと前記マザーカラーフィルタ基板との間に、前記遮光膜のベタパターンと前記着色膜のベタパターンとが積層されたベタパターン積層部が形成されていることを特徴とするマザーカラーフィルタ基板。

【請求項2】

前記ベタパターン積層部は、さらに、
前記液晶パネルの表示領域外であり、かつ前記マザーカラーフィルタ基板の端部近傍の領域である、端部近傍領域にも形成されていることを特徴とする請求項１に記載のマザーカラーフィルタ基板。

【請求項3】

前記ベタパターン積層部は、
前記着色膜のベタパターンの積層数が一層であることを特徴とする請求項１又は２に記載のマザーカラーフィルタ基板。

【請求項4】

前記ベタパターン積層部は、
前記着色膜のベタパターンの積層数が一層であり、前記端部近傍領域に形成された単層積層部と、
前記着色膜のベタパターンの積層数が複数層であり、前記端子部に向かい合う領域に形成された複数層積層部と、
を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のマザーカラーフィルタ基板。

【請求項5】

前記ベタパターン積層部は、
前記着色膜のベタパターンの積層数が多層であることを特徴とする請求項１又は２に記載のマザーカラーフィルタ基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、マザーカラーフィルタ基板、および該マザーカラーフィルタ基板を用いる液晶パネルに関する。

【背景技術】

【0002】

従来、液晶表示装置は、カラーフィルタ基板（以下、ＣＦ基板という。）と薄型トランジスタが形成された基板（以下、ＴＦＴ基板という。）との間に液晶材を挟持した液晶パネルを有し、この液晶パネルに動画等の画像を表示させている。

【0003】

液晶パネルは、その製造工程においてＣＦ基板とＴＦＴ基板とを加圧して貼り合わせる工程がある。ＣＦ基板は、表示領域と表示領域外とで段差がある構成であるため、貼り合せ工程時の加圧によってその段差が影響して表示領域と表示領域外との境界近傍で液晶パネルのゆがみを発生させてしまう。

【0004】

一方、ＴＦＴ基板は、基板表面に形成された有機膜によって段差が平坦化されているため、貼り合せの際に発生する液晶パネルの表示領域内と表示領域外との境界近傍で発生する液晶パネルゆがみは、ＣＦ基板の表示領域内外での段差の影響が支配的である。そこで、ＣＦ基板の厚みを表示領域内外で等しくして段差を平坦化し、ＣＦ基板とＴＦＴ基板との貼り合せの際に発生する液晶パネルのゆがみを抑えるようにした液晶表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００２−２７７８６５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

特許文献１の液晶表示装置は、図１４に示すように、ＣＦ基板３００の表示領域外の領域ＡＲ１０に、遮光膜ＢＭと着色膜ＣＦの積層部３０１を形成し、遮光膜ＢＭおよび着色膜ＣＦが形成された面上に保護膜ＯＣが形成され、積層部３０１の上方位置に柱状スペーサＳＰが設けられ、ＣＦ基板３００の厚みを表示領域内ＡＲ１と表示領域外ＡＲ１０とで等しくして段差を平坦化するようにしている。

【0007】

しかしながら、特許文献１に記載の液晶表示装置では、表示領域外ＡＲ１０で、遮光膜ＢＭおよび着色膜ＣＦの積層部分３０１が柱状スペーサＳＰの下に局所的に形成されているため、保護膜ＯＣがこの積層部分３０１間の凹部３０２を埋めるように形成され、積層部分３０１の上に形成される保護膜ＯＣが表示領域ＡＲ１内の保護膜ＯＣに比して薄くなり、表示領域ＡＲ１と表示領域外ＡＲ１０とで段差Ｓが生じるため、ＣＦ基板とＴＦＴ基板との貼り合せの際に表示領域ＡＲ１と表示領域外ＡＲ１０との境界近傍で液晶パネルのゆがみが発生し、結果的に表示ムラの発生を抑えることができなかった。

【0008】

ここで、領域を区分して保護膜ＯＣの厚みを調整することも考えられるが、領域を区分して保護膜ＯＣの厚みを調整することは工程上難しく現実的でない。

【0009】

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、液晶パネルの表示領域内と表示領域外との境界近傍で発生する表示ムラの発生を低減することができるマザーカラーフィルタ基板および、該マザーカラーフィルタ基板を用いる液晶パネルを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0010】

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかるマザーカラーフィルタ基板は、遮光膜とカラーフィルタと保護膜とスペーサとが形成されたカラーフィルタ基板と、薄膜トランジスタが形成され、前記カラ―フィルタ基板から露出した領域に端子部が形成されている薄膜トランジスタ基板と重複しない領域に前記薄膜トランジスタに映像信号、走査信号を供給するための端子部が形成されている薄膜トランジスタ基板と、を有する液晶パネルの前記カラーフィルタ基板が１または複数形成されたマザーカラーフィルタ基板であって、
前記液晶パネルの表示領域外であり、かつ前記薄膜トランジスタ基板の前記端子部に向かい合う端子対向領域には、複数の前記スペーサと前記マザーカラーフィルタ基板との間に、前記遮光膜のベタパターンと前記着色膜のベタパターンとが積層されたベタパターン積層部が形成されていることを特徴とする。

【0011】

また、本発明にかかるマザーカラーフィルタ基板は、上記の発明において、前記ベタパターン積層部は、さらに、前記液晶パネルの表示領域外であり、かつ前記マザーカラーフィルタ基板の端部近傍の領域である、端部近傍領域にも形成されていることを特徴とする。

【0012】

また、本発明にかかるマザーカラーフィルタ基板は、上記の発明において、前記ベタパターン積層部は、
前記着色膜のベタパターンの積層数が一層であることを特徴とする。

【0013】

また、本発明にかかるマザーカラーフィルタ基板は、上記の発明において、前記ベタパターン積層部は、
前記着色膜のベタパターンの積層数が一層であり、前記端部近傍領域に形成された単層積層部と、
前記着色膜のベタパターンの積層数が複数層であり、前記端子部に向かい合う領域に形成された複数層積層部と、
を有することを特徴とする。

【0014】

また、本発明にかかるマザーカラーフィルタ基板は、上記の発明において、前記ベタパターン積層部は、
前記着色膜のベタパターンの積層数が多層であることを特徴とする。

【発明の効果】

【0020】

本発明にかかるマザーカラーフィルタ基板は、前記液晶パネルの表示領域外に形成された前記遮光膜および前記着色膜のベタパターンの積層部分であるベタパターン積層部の上に形成される前記保護膜が凹み等に樹脂をとられないので表示領域内の保護膜と等しい厚さになり、前記液晶パネルの表示領域内と表示領域外とで段差が平坦化されるので、ＣＦ基板とＴＦＴ基板との貼り合せの際に表示領域と表示領域外との境界近傍で液晶パネルのゆがみが発生することを抑え、結果的に、液晶パネルの表示ムラの発生を低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】図１は、本発明の実施の形態１にかかるマザー基板を用いて製造された液晶パネルを有する液晶表示装置の構成を示す模式図である。

【図2】図２は、図１に示した液晶パネルの要部断面図である。

【図3】図３は、マザーＣＦ基板とマザーＴＦＴ基板との貼り合わせ基板の正面図である。

【図4】図４は、図３に示した貼り合わせ基板の要部拡大図である。

【図5】図５は、図４に示した貼り合わせ基板のＡ−Ａ’線における断面図である。

【図6】図６は、図３に示した貼り合わせ基板を液晶パネルサイズに分割した場合の端子部側の端部周辺を示した図である。

【図7】図７は、図３に示したマザーＣＦ基板の製造工程を示した図である。

【図8】図８は、図３に示したマザーＣＦ基板の製造工程を示した図である。

【図9】図９は、本発明の実施の形態２のマザーＣＦ基板とマザーＴＦＴ基板との貼り合わせ基板の要部拡大図である。

【図10】図１０は、図９に示した貼り合わせ基板のＢ−Ｂ’線における断面図である。

【図11】図１１は、図１０に示した貼り合わせ基板を液晶パネルサイズに分割した場合の端子部側の端部周辺を示した図である。

【図12】図１２は、図１０に示したマザーＣＦ基板の製造工程を示した図である。

【図13】図１３は、図１０に示したマザーＣＦ基板の製造工程を示した図である。

【図14】図１４は、従来技術の説明をするための図である。

【発明を実施するための形態】

【0022】

以下、図面を参照して、本発明にかかるマザー基板と、該マザー基板を用いて製造される液晶パネルの製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。

【0023】

（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１にかかるマザー基板を用いて製造された液晶パネル１０を有する液晶表示装置１の構成を示す模式図である。本発明の実施の形態１の液晶表示装置１は、携帯電話機あるいはデジタルカメラ等に使用される小型の液晶表示装置である。また、この液晶表示装置１は、アクティブマトリクス方式である。液晶表示装置１は、液晶パネル１０と、端子部２０と、バックライト３０と、制御部４０とを有する。

【0024】

液晶パネル１０は、ＴＦＴ基板５０およびＣＦ基板６０を有する。ＴＦＴ基板５０と、ＣＦ基板６０とは液晶材ＬＣを間に挟持して対向配置されている。ＴＦＴ基板５０は、ＣＦ基板６０に比して広い面積を有しており、ＣＦ基板６０から露出した領域には端子部２０が設けられている。

【0025】

端子部２０は、液晶パネル１０に電源、映像信号、走査信号等を供給するものである。また、端子部２０は、後述するゲート信号線ＧＬ、ドレイン信号線ＤＬ等を駆動するための駆動回路が設置されている。

【0026】

ＣＦ基板６０には、シール部ＳＬ１が形成されている。シール部ＳＬ１は、熱硬化性の樹脂からなり、ＣＦ基板６０の端部近傍に額縁状に形成される。このシール部ＳＬ１には、液晶材ＬＣの注入口１１が形成されている。シール部ＳＬ１は、注入口１１から注入された液晶材ＬＣをＴＦＴ基板５０とＣＦ基板６０との間に封入するとともに、ＴＦＴ基板５０とＣＦ基板６０とを接着するものである。

【0027】

液晶材ＬＣは、シール部ＳＬ１の注入口１１から注入され、樹脂等からなる封止材ＥＳＬによって注入口１１が塞がれることによって、ＴＦＴ基板５０とＣＦ基板６０との間に封入される。なお、シール部ＳＬ１は、注入口１１を有しないものであってもよい。シール部ＳＬ１が注入口１１を有しない場合、ＴＦＴ基板５０とＣＦ基板６０とを貼りあわせる前に、ＣＦ基板６０のシール部ＳＬ１によって囲われた領域内に液晶材ＬＣを滴下する方法が行われる。

【0028】

また、液晶パネル１０は、複数のゲート信号線ＧＬおよび複数のドレイン信号線ＤＬを有する。ゲート信号線ＧＬは、ＴＦＴ基板５０の表示領域ＡＲ１における液晶材ＬＣ側の面に図中Ｘ方向に延在し、Ｙ方向に並設されている。ドレイン信号線ＤＬは、ゲート信号線ＧＬと絶縁されて図中Ｙ方向に延在し、Ｘ方向に並設されている。これら各信号線ＧＬ，ＤＬによって囲まれた各領域がそれぞれ画素領域となる。各ゲート信号線ＧＬおよび各ドレイン信号線ＤＬは、その一端がシール部ＳＬ１を超えて延在され、端子部２０に接続されている。

【0029】

バックライト３０は、発光ダイオード等によって実現される。バックライト３０は、液晶パネル１０の背面側に配置され、液晶パネル１０に向けて光を照射する。

【0030】

制御部４０は、ＣＰＵ等によって実現され、液晶表示装置１の各部と電気的に接続され、液晶表示装置１全体の動作を制御する。また、制御部４０は、外部システムから入力された映像データを一時的に保持する図示しないメモリ等を有する。

【0031】

次に、図２を用いて液晶パネル１０の断面構成について説明する。図２は、図１に示した液晶パネル１０の要部断面図である。
まず、ＴＦＴ基板５０の断面について説明する。ＴＦＴ基板５０は、ガラス等からなる透明な基板である基板ＳＵＢ１の液晶材ＬＣ側の面に、ゲート信号線ＧＬが形成されている。基板ＳＵＢ１の表面には、ゲート信号線ＧＬを含めて基板ＳＵＢ１の表面を被う絶縁膜ＧＩが形成される。この絶縁膜ＧＩは、窒化シリコン等の無機材料からなり、薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてゲート絶縁膜として機能するものである。

【0032】

絶縁膜ＧＩの液晶材ＬＣ側の面であってゲート信号線ＧＬの一部に重畳する薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域には、たとえばアモルファスシリコンからなる半導体層ＡＳが形成されている。薄膜トランジスタＴＦＴは、半導体層ＡＳの表面に、互いに対向配置されたドレイン電極ＤＴ、ソース電極ＳＴが形成されることによって、ゲート信号線ＧＬの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のトランジスタが構成されるようになっている。

【0033】

ドレイン電極ＤＴは、ドレイン信号線ＤＬの一部を半導体層ＡＳの表面に延在させることにより形成される。すなわち、絶縁膜ＧＩの液晶材ＬＣ側の面にはドレイン信号線ＤＬが形成されている。また、ソース電極ＳＴは、ドレイン信号線ＤＬの形成の際に形成される。ソース電極ＳＴは、半導体層ＡＳの形成領域を超えて画素領域に延在するパッド部ＰＤを有する。このパッド部ＰＤは画素電極ＰＸと電気的に接続される部分である。

【0034】

また、ドレイン電極ＤＴ（ドレイン信号線ＤＬ）等の上面には有機材料からなる絶縁膜ＰＡＳが形成されている。この絶縁膜ＰＡＳが形成されることによって、ＴＦＴ基板５０の液晶材ＬＣ側の表面が平坦化される。

【0035】

絶縁膜ＰＡＳの表面には、コモン信号線ＣＬが形成されている。このコモン信号線ＣＬは、対向電極ＣＴを兼備した構成となっている。コモン信号線ＣＬ（対向電極ＣＴ）は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透光性導電膜からなる。コモン信号線ＣＬ（対向電極ＣＴ）等の上部には、無機材料からなる絶縁膜ＬＩが形成されている。

【0036】

絶縁膜ＬＩの上面の各画素領域には、画素電極ＰＸが形成されている。絶縁膜ＬＩは、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間の絶縁膜として機能する。画素電極ＰＸは、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透光性導電膜からなる。画素電極ＰＸは、絶縁膜ＬＩおよび絶縁膜ＰＡＳを貫通して形成されたスルーホールＴＨを介してソース電極ＳＴのパッド部ＰＤに電気的に接続されている。画素電極ＰＸ等の上部には、配向膜ＯＲＩ１が形成されている。配向膜ＯＲＩ１は、液晶材ＬＣの初期配向方向を決定するものである。

【0037】

次に、ＣＦ基板６０について説明する。ＣＦ基板６０は、ガラス等からなる透明な基板である基板ＳＵＢ２の液晶材ＬＣ側の面に、遮光膜ＢＭ、着色膜ＣＦ、保護膜ＯＣ、配向膜ＯＲＩ２が順次形成されている基板である。遮光膜ＢＭは、黒色の樹脂からなり、着色膜ＣＦの間に配置される遮光膜である。

【0038】

着色膜ＣＦは、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の三原色をもつ染料あるいは顔料を含んだ樹脂膜である。着色膜ＣＦは、遮光膜ＢＭの開口領域に、Ｒ（赤色）の表示を担う赤色の着色膜ＲＣＦ、Ｇ（緑色）の表示を担う緑色の着色膜ＧＣＦ、Ｂ（青色）の表示を担う青色の着色膜ＢＣＦが周期配列するように形成されている。

【0039】

保護膜ＯＣは、樹脂からなり、着色膜ＣＦの表面を保護するとともに表面を平坦化するための膜である。配向膜ＯＲＩ２は、液晶材ＬＣの初期配向方向を決定するものである。

【0040】

次に、図３〜図６を用いて液晶パネル１０の製造工程の概要について説明する。図３は、マザーＣＦ基板ＭＣＢとマザーＴＦＴ基板ＭＴＢとの貼り合わせ基板ＭＢの正面図である。図４は、図３に示した貼り合わせ基板ＭＢの要部拡大図である。図５は、図４に示した貼り合わせ基板ＭＢのＡ−Ａ’線における断面図である。図６は、図３に示した貼り合わせ基板ＭＢを液晶パネルサイズに分割した場合の端子部側の端部周辺を示した図である。
まず、ＴＦＴ基板５０のマザー基板（以下、マザーＴＦＴ基板ＭＴＢという。）と、ＣＦ基板６０のマザー基板（以下、マザーＣＦ基板ＭＣＢという。）とを製造する。マザーＴＦＴ基板ＭＴＢは、液晶パネルサイズへの分割前の複数のＴＦＴ基板５０が整列して形成されている。また、マザーＣＦ基板ＭＣＢは、液晶パネルサイズへの分割前の複数のＣＦ基板６０が整列して形成されている。

【0041】

マザーＴＦＴ基板ＭＴＢとマザーＣＦ基板ＭＣＢとを製造した後、シール部ＳＬ１およびシール部ＳＬ２をマザーＣＦ基板ＭＣＢに塗布し、シール部ＳＬ１およびシール部ＳＬ２を介してマザーＴＦＴ基板ＭＴＢとマザーＣＦ基板ＭＣＢとをそれぞれの外表面側から加圧して貼り合わせる。この貼り合せの際に用いる加圧手段としては、例えば、真空加圧がある。なお、シール部ＳＬ２は、熱硬化性の樹脂からなり、マザーＣＦ基板ＭＣＢの端部近傍に額縁状に形成される。
その後、貼り合わせ基板ＭＢの厚さを薄くするために研磨等の加工を行う。なお、マザーＣＦ基板ＭＣＢにシール部ＳＬ２が形成されるものを例示したが、シール部ＳＬ１が注入口１１を有しない場合、シール部ＳＬ１でシールされた部分に研磨液等の染み込みの心配がないためシール部ＳＬ２を形成しなくてもよい。また、シール部ＳＬ１およびシール部ＳＬ２は、マザーＴＦＴ基板ＭＴＢに形成するようにしてもよい。

【0042】

ここで、マザーＣＦ基板ＭＣＢについて具体的に説明する。マザーＣＦ基板ＭＣＢは、ベタパターン積層部１００を有する。ベタパターン積層部１００は、図５に示すように、遮光膜ＢＭのベタパターンである遮光膜ベタパターンＢＭ１と、青色の着色膜ＢＣＦのベタパターンである青色着色膜ベタパターンＢＣＦ１とを積層した部分である。遮光膜ベタパターンＢＭ１および青色着色膜ベタパターンＢＣＦ１は、表示領域外であり端子部２０に対向する領域である端子対向領域ＡＲ２およびマザーＣＦ基板ＭＣＢの端部近傍領域ＡＲ３に一面に広がって形成されたパターンである。

【0043】

このようなベタパターン積層部１００が形成されることにより、端子対向領域ＡＲ２および端部近傍領域ＡＲ３における遮光膜ベタパターンＢＭ１と青色着色膜ベタパターンＢＣＦ１とを合わせた膜高さは、表示領域ＡＲ１における遮光膜ＢＭと着色膜ＣＦとを合わせた膜高さに等しくなる。しかも、ベタパターン積層部１００の上に形成される保護膜ＯＣが、凹み等に樹脂をとられないので表示領域ＡＲ１内の保護膜ＯＣと等しい厚さになる。すなわち、マザーＣＦ基板ＭＣＢは、端子対向領域ＡＲ２と端部近傍領域ＡＲ３とで厚みが、表示領域ＡＲ１の厚みに等しくなり、表示領域ＡＲ１と表示領域外との段差が平坦化されている。

【0044】

貼り合わせ基板ＭＢの研磨等の加工を行った後、図３に示すように、スクライビング等によって、貼り合わせ基板ＭＢを切断線Ｌ１，Ｌ２に沿って液晶パネルサイズごとに分割する。ここで、切断線Ｌ１は、マザーＴＦＴ基板ＭＴＢおよびマザーＣＦ基板ＭＣＢの両基板を切断する切断線であり、切断線Ｌ２は、マザーＣＦ基板ＭＣＢのみを切断する切断線を示している。切断線Ｌ２に沿ってマザーＣＦ基板ＭＣＢが切断されることによって、マザーＣＦ基板ＭＣＢの端子対向領域ＡＲ２は除去され、図６に示すように、有機膜ＰＡＳに覆われた端子部２０が表出される。

【0045】

貼り合わせ基板ＭＢが液晶パネルサイズに分割された後、液晶パネルサイズとなった各貼り合わせ基板の注入口１１から液晶材ＬＣが注入され、液晶パネル１０が完成される。

【0046】

次に、図７および図８を用いてマザーＣＦ基板ＭＣＢの製造方法について説明する。図７および図８は、図３に示したマザーＣＦ基板ＭＣＢの製造工程を示した図である。
まず、基板ＳＵＢ２の液晶パネルサイズへの分割前のマザー基板ＭＳＵＢ２の液晶材ＬＣ側の面に遮光膜ＢＭが形成される（図７（ａ）参照）。遮光膜ＢＭは、フォトリソグラフィー法により表示領域ＡＲ１、さらに端子対向領域ＡＲ２および端部近傍領域ＡＲ３に形成される。なお、端子対向領域ＡＲ２および端部近傍領域ＡＲ３に形成される遮光膜ＢＭはベタパターンの遮光膜ベタパターンＢＭ１である。

【0047】

その後、遮光膜ＢＭ上に着色膜ＣＦが形成される（図７（ｂ）参照）。表示領域ＡＲ１では、赤色の着色膜ＲＣＦ、緑色の着色膜ＧＣＦおよび青色の着色膜ＢＣＦが形成される。この表示領域ＡＲ１への青色の着色膜ＢＣＦの形成の際、端子対向領域ＡＲ２および端部近傍領域ＡＲ３では、青色着色膜ベタパターンＢＣＦ１が遮光膜ベタパターンＢＭ１上に形成される。

【0048】

その後、遮光膜ＢＭおよび着色膜ＣＦが形成された面に保護膜ＯＣが形成される（図８（ｃ）参照）。端子対向領域ＡＲ２および端部近傍領域ＡＲ３では、一面に広がったパターンが積層されたベタパターン積層部１００を有するため、凹み等に保護膜ＯＣの樹脂がとられないため、ベタパターン積層部１００の上に形成される保護膜ＯＣは、表示領域ＡＲ１の保護膜ＯＣと同じ厚さを確保している。その後、保護膜ＯＣ上に柱状スペーサＳＰを形成してマザーＣＦ基板ＭＣＢが完成される（図８（ｄ）参照）。

【0049】

本発明の実施の形態１では、液晶パネル１０の表示領域ＡＲ１外の端子対向領域ＡＲ２および端部近傍領域ＡＲ３に形成された遮光膜ベタパターンＢＭ１と青色着色膜ベタパターンＢＣＦ１との積層部分であるベタパターン積層部１００の上に形成される保護膜ＯＣが、凹み等に樹脂をとられないので表示領域ＡＲ１内の保護膜ＯＣと等しい厚さになり、液晶パネル１０の表示領域ＡＲ１内と、表示領域外である端子対向領域ＡＲ２と、表示領域外である端部近傍領域ＡＲ３とで段差が平坦化されるので、ＣＦ基板６０とＴＦＴ基板５０との貼り合せの際に表示領域ＡＲ１と表示領域外との境界近傍で液晶パネル１０のゆがみが発生することを抑え、結果的に、液晶パネル１０の表示ムラの発生を低減することができる。

【0050】

なお、本発明の実施の形態１では、端子対向領域ＡＲ２および端部近傍領域ＡＲ３にベタパターン積層部１００が形成されるものを例示したが、これに限らない。すなわち、表示領域ＡＲ１外にベタパターン積層部１００を形成すればよい。例えば、端子対向領域ＡＲ２には形成せず、端部近傍領域ＡＲ３にのみベタパターン積層部１００を形成するようにしてもよい。

【0051】

（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２について説明する。図９は、本発明の実施の形態２のマザーＣＦ基板ＭＣＢ２とマザーＴＦＴ基板ＭＴＢ２との貼り合わせ基板ＭＢ２の要部拡大図である。図１０は、図９に示した貼り合わせ基板ＭＢ２のＢ−Ｂ’線における断面図である。図１１は、図１０に示した貼り合わせ基板ＭＢ２を液晶パネルサイズに分割した場合の端子部側の端部周辺を示した図である。
本発明の実施の形態１では、マザーＴＦＴ基板ＭＴＢの端子部２０上に有機膜ＰＡＳが形成されているものを例示したが、本発明の実施の形態２では、マザーＴＦＴ基板ＭＴＢに代わってマザーＴＦＴ基板ＭＴＢ２を有し、このマザーＴＦＴ基板ＭＴＢ２は、端子部２０上に有機膜ＰＡＳを形成していない。また、本発明の実施の形態２では、マザーＣＦ基板ＭＣＢに代わってマザーＣＦ基板ＭＣＢ２を有する。その他の構成は実施の形態１と同じであり、同一構成部分には同一符号を付している。

【0052】

マザーＴＦＴ基板ＭＴＢ２は、端子部２０上に有機膜ＰＡＳを形成していないので、端子部２０に不具合があったとしても、図１１に示すように、端子部２０が有機膜ＰＡＳに覆われていないため、端子部２０を容易に修復することができる。

【0053】

マザーＣＦ基板ＭＣＢ２は、ベタパターン積層部２００を有する。このベタパターン積層部２００は、図９および図１０に示すように、単層積層部２０１および複数層積層部２０２を有する。
単層積層部２０１は、端部近傍領域ＡＲ３に一面に広がったパターンである遮光膜ベタパターンＢＭ１、およびこの遮光膜ベタパターンＢＭ１の上に青色着色膜ベタパターンＢＣＦ１が積層されている部分である。すなわち、端部近傍領域ＡＲ３のベタパターン積層部１００と同様のものである。

【0054】

複数層積層部２０２は、端子対向領域ＡＲ２に一面に広がったパターンである遮光膜ベタパターンＢＭ１、およびこの遮光膜ベタパターンＢＭ１の上に青色着色膜ベタパターンＢＣＦ１が積層され、青色着色膜ベタパターンＢＣＦ１の上に緑色の着色膜のベタパターンである緑色着色膜ベタパターンＧＣＦ１をさらに重ねた部分である。端子対向領域ＡＲ２では、青色着色膜ベタパターンＢＣＦ１の上に緑色着色膜ベタパターンＧＣＦ１をさらに重ねた分だけ端子部２０にむけて凸となるので、有機膜ＰＡＳが無いことによってマザーＴＦＴ基板ＭＴＢ２側に生じた凹部を緑色着色膜ベタパターンＧＣＦ１によって埋めている。

【0055】

ここで、図１２および図１３を用いて本発明の実施の形態２のマザーＣＦ基板ＭＣＢ２の製造方法について説明する。図１２および図１３は、図１０に示したマザーＣＦ基板ＭＣＢ２の製造工程を示した図である。
まず、基板ＳＵＢ２の液晶パネルサイズへの分割前のマザー基板ＭＳＵＢ２の液晶材ＬＣ側の面に遮光膜ＢＭを形成する（図１２（ａ）参照）。遮光膜ＢＭは、フォトリソグラフィー法により表示領域ＡＲ１、さらに端子対向領域ＡＲ２および端部近傍領域ＡＲ３に形成される。なお、端子対向領域ＡＲ２および端部近傍領域ＡＲ３に形成される遮光膜ＢＭはベタパターンの遮光膜ベタパターンＢＭ１である。

【0056】

その後、遮光膜ＢＭ上に着色膜ＣＦが形成される（図１２（ｂ）参照）。表示領域ＡＲ１では、赤色の着色膜ＲＣＦ、緑色の着色膜ＧＣＦおよび青色の着色膜ＢＣＦが形成される。この表示領域ＡＲ１への青色の着色膜ＢＣＦの形成の際、端子対向領域ＡＲ２および端部近傍領域ＡＲ３では、青色着色膜ベタパターンＢＣＦ１が遮光膜ベタパターンＢＭ１上に形成される。

【0057】

また、遮光膜ＢＭ上に着色膜ＣＦが形成される際、端子対向領域ＡＲ２の青色着色膜ベタパターンＢＣＦ１上にさらにベタパターンの緑色着色膜ベタパターンＧＣＦ１が形成される。（図１２（ｃ）参照）。

【0058】

その後、遮光膜ＢＭおよび着色膜ＣＦが形成された面に保護膜ＯＣが形成される（図１３（ｄ）参照）。端部近傍領域ＡＲ３では、一面に広がったパターンが積層された単層積層部２０１を有するため、凹み等に保護膜ＯＣの樹脂がとられないため、単層積層部２０１の上に形成される保護膜ＯＣは、表示領域ＡＲ１の保護膜ＯＣと同じ厚さを確保している。また、端子対向領域ＡＲ２では、緑色着色膜ベタパターンＧＣＦ１を青色着色膜ベタパターンＢＣＦ１の上にさらに重ねた分だけ端子部２０にむけて凸となる。その後、保護膜ＯＣ上に柱状スペーサＳＰを形成してマザーＣＦ基板ＭＣＢ２が完成される。（図１３（ｅ）参照）。

【0059】

本発明の実施の形態２では、液晶パネル１０の表示領域ＡＲ１外の端子対向領域ＡＲ２に形成された遮光膜ベタパターンＢＭ１と青色着色膜ベタパターンＢＣＦ１との積層部分であるベタパターン積層部２００の上に形成される保護膜ＯＣが、凹み等に樹脂をとられないので表示領域ＡＲ１内の保護膜ＯＣと等しい厚さになり、液晶パネル１０の表示領域ＡＲ１内と、表示領域外である端部近傍領域ＡＲ３とで段差が平坦化されるので、実施の形態１と同様の効果を奏するとともに、ＴＦＴ基板５０の端子部２０上に有機膜ＰＡＳが形成されていない場合においても、ＣＦ基板６０の複数層積層部２０２によって、ＴＦＴ基板５０の厚みの減少を補うようにしているので、ＣＦ基板６０とＴＦＴ基板５０との貼り合せの際に表示領域ＡＲ１と表示領域外との境界近傍で液晶パネル１０のゆがみが発生することを抑え、結果的に、液晶パネル１０の表示ムラの発生を低減することができる。

【0060】

なお、本発明の実施の形態１および２では、マザーＴＦＴ基板ＭＴＢ，ＭＴＢ２は、液晶パネルサイズへの分割前の複数のＴＦＴ基板５０が整列して形成され、マザーＣＦ基板ＭＣＢ，ＭＣＢ２は、液晶パネルサイズへの分割前の複数のＣＦ基板６０が整列して形成されているものを例示したが、これに限らず、マザーＴＦＴ基板ＭＴＢは、液晶パネルサイズへの分割前の一つのＴＦＴ基板５０が形成され、マザーＣＦ基板ＭＣＢは、液晶パネルサイズへの分割前の一つのＣＦ基板６０が形成されているものであってもよい。すなわち、マザーＣＦ基板ＭＣＢ，ＭＣＢ２は、携帯電話機に用いられるような小型のものに限定されず、例えば、大型のテレビ等に用いられるものであってもよい。

【0061】

また、本発明の実施の形態１および２では、端子対向領域ＡＲ２および端部近傍領域ＡＲ３にベタパターンで形成する着色膜ＣＦが青色の着色膜ＢＣＦ、あるいは緑色の着色膜ＧＣＦであるものを例示したが、これに限定されない。すなわち、液晶表示装置の着色膜ＣＦとして使用する色であればその他の色を用いても構わない。例えば、赤色の着色膜ＲＣＦを端子対向領域ＡＲ２および端部近傍領域ＡＲ３にベタパターンで形成するようにしてもよい。

【0062】

また、本発明の実施の形態１および２では、端子対向領域ＡＲ２あるいは端部近傍領域ＡＲ３に一色の着色膜ＣＦを用いてベタパターンを形成していたが、これに限らない。すなわち、複数の色を混在させてベタパターンを形成してもよい。例えば、表示領域ＡＲ１と同様に赤色の着色膜ＲＣＦ、緑色の着色膜ＧＣＦ、青色の着色膜ＢＣＦを混在させたベタパターンを形成してもよい。

【0063】

なお、この実施の形態１および２によってこの発明が限定されるものではない。

【符号の説明】

【0064】

１ 液晶表示装置
１０ 液晶パネル
１１ 注入口
５０ ＴＦＴ基板
６０ ＣＦ基板
１００、２００ ベタパターン積層部
ＢＣＦ１ 青色着色膜ベタパターン
ＧＣＦ１ 緑色着色膜ベタパターン
ＢＭ１ 遮光膜ベタパターン
２０１ 単層積層部
２０２ 複数層積層部
ＭＴＢ、ＭＴＢ２ マザーＴＦＴ基板
ＭＣＢ、ＭＣＢ２ マザーＣＦ基板
ＭＢ、ＭＢ２ 貼り合わせ基板
ＭＳＵＢ２ マザー基板
ＬＣ 液晶材
ＳＬ１、ＳＬ２ シール部
ＥＳＬ 封止材
ＳＵＢ１、ＳＵＢ２ 基板
ＧＬ ゲート信号線
ＤＬ ドレイン信号線
ＧＩ 絶縁膜
ＡＳ 半導体層
ＴＦＴ 薄膜トランジスタ
ＤＴ ドレイン電極
ＳＴ ソース電極
ＰＤ パッド部
ＰＸ 画素電極
ＤＴ ドレイン電極
ＰＡＳ 絶縁膜
ＣＬ コモン信号線
ＣＴ 対向電極
ＬＩ 絶縁膜
ＯＲＩ１、ＯＲＩ２ 配向膜
ＢＭ 遮光膜
ＣＦ、ＲＣＦ、ＧＣＦ、ＢＣＦ 着色膜
ＯＣ 保護膜
ＳＰ 柱状スペーサ
ＡＲ１、ＡＲ２、ＡＲ３ 領域

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】