特許5909155抵抗変化型メモリ及び抵抗変化素子のフォーミング方法

発明の名称　抵抗変化型メモリ及び抵抗変化素子のフォーミング方法

出願人　ルネサスエレクトロニクス株式会社　（識別番号 302062931）

　　　　特許公開件数ランキング 209 位（147件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 243 位（114件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-5909155

公報発行日　2016年4月26

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5909155

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