特許 5909841 表示パネルの製造方法、表示パネルおよび表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5909841

(24)【登録日】2016年4月8日

(45)【発行日】2016年4月27日

(54)【発明の名称】表示パネルの製造方法、表示パネルおよび表示装置

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/10 20060101AFI20160414BHJP

   H05B 33/04 20060101ALI20160414BHJP

   H05B 33/06 20060101ALI20160414BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20160414BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20160414BHJP

   H01L 27/32 20060101ALI20160414BHJP

【ＦＩ】

   H05B33/10

   H05B33/04

   H05B33/06

   H05B33/14 A

   G09F9/30 365

【請求項の数】7

【全頁数】18

(21)【出願番号】特願2013-500702(P2013-500702)

(86)(22)【出願日】2011年11月22日

(86)【国際出願番号】JP2011006491

(87)【国際公開番号】WO2013076758

(87)【国際公開日】20130530

【審査請求日】2014年8月1日

(73)【特許権者】

【識別番号】514188173

【氏名又は名称】株式会社ＪＯＬＥＤ

(74)【代理人】

【識別番号】110001900

【氏名又は名称】特許業務法人 ナカジマ知的財産綜合事務所

(72)【発明者】

【氏名】大迫 崇

【審査官】 中村 博之

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００９−０４９００１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００１−２８４０４２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０００−１１１９５２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−３１１９５５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−１２９１９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２０１２／０１０７９９６（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２００５／００６９６４１（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２００７−０７３３５５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−０８０５６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−０５９２２９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００２−１５１２５４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｂ ３３／００−３３／２８

Ｈ０１Ｌ ５１／５０−５１／５６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板上の異なる領域に形成された表示部および端子部を備えた表示パネルの製造方法であって、
前記基板上に表示部を形成する表示部形成工程と、
前記基板上の前記端子部を形成する予定の領域に、導電性金属酸化物または金属からなる導電層を形成する導電層形成工程と、
前記表示部を覆うと共に前記導電層の少なくとも上面に接し、且つ、前記導電層の上面が変質するように、化学蒸着法によって無機化合物からなる化学蒸着層を形成する化学蒸着層形成工程と、
前記化学蒸着層の前記導電層上の部分を引き剥がして除去する除去工程とを含む、
表示パネルの製造方法。

【請求項2】

前記導電層は導電性金属酸化物からなり、
前記化学蒸着層形成工程には、前記導電層の上面の前記導電性金属酸化物を、還元性ガスによって還元して変質させる工程が含まれる、
請求項１に記載の表示パネルの製造方法。

【請求項3】

さらに、前記化学蒸着層形成工程の後、前記除去工程の前に、前記化学蒸着層の前記導電層上の部分に、粘着テープを貼着する粘着テープ貼着工程を含み、
前記除去工程においては、前記粘着テープを剥離することによって、前記化学蒸着層の前記導電層上の部分を引き剥がして除去する、
請求項１に記載の表示パネルの製造方法。

【請求項4】

さらに、前記化学蒸着層形成工程の後、前記除去工程の前に、原子層堆積法によって前記化学蒸着層上に原子層堆積膜を形成する原子層堆積膜形成工程を含む、
請求項１に記載の表示パネルの製造方法。

【請求項5】

さらに、前記原子層堆積膜形成工程の後、前記除去工程の前に、前記原子層堆積膜の前記導電層上の部分に、粘着テープを貼着する粘着テープ貼着工程を含み、
前記除去工程においては、前記粘着テープを剥離することによって、前記化学蒸着層の前記導電層上の部分および前記原子層堆積膜の前記導電層上の部分を引き剥がして除去する、
請求項４に記載の表示パネルの製造方法。

【請求項6】

前記導電性金属酸化物は、ＩＴＯまたはＩＺＯである、
請求項１に記載の表示パネルの製造方法。

【請求項7】

前記還元性ガスは、ＳｉＮまたはＳｉＨ_４である、
請求項２に記載の表示パネルの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、表示パネルの製造方法、表示パネルおよび表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来から、基板上の中央領域に表示部が形成され、当該基板上の外周領域に端子部が形成された表示パネルにおいて、表示部を覆うようにＳｉＮ（窒化シリコン）からなる封止層を化学蒸着（ＣＶＤ）法により形成し、表示部が水分やガス等によって劣化するのを防止することが行なわれている。この場合、封止層は表示部の全体を覆っている必要があるが、その封止層によって端子部までもが覆われてしまうと、端子部とその端子部に接続される配線端子との導通性が悪くなってしまう。そこで、封止層を形成する際には、例えばマスクによる選択成膜を行なうことによって封止層が端子部上に形成されるのを防止している。

【0003】

ところで、封止層を化学蒸着法によって所望の領域のみに正確に形成するのは容易ではなく、表示部を完全に覆い且つ端子部は覆わないようにするためには、表示部形成領域と端子部形成領域との間に幅の広い隙間領域を設けて、封止層の外周縁が端子部に掛からないようにする必要がある。しかしながら、隙間領域の幅が広いと表示パネルのサイズが大きくなるため好ましくない。

【0004】

そこで、特許文献１に開示された製造方法では、図１３（ａ）に示すように、基板９０１上に、下部電極９０２、有機発光層９０３および上部電極９０４等で構成される表示部９０５を形成すると共に、下部電極９０２の端子部に相当する領域に、保護ラミネート９０６付きのＡＣＦ（異方導電性接着シート）９０７を貼着し、図１３（ｂ）に示すように、表示部９０５およびＡＣＦ９０７を覆うようにＳｉＮ層９０８を形成し、図１３（ｃ）に示すように、保護ラミネート９０６を剥離することによって、ＳｉＮ層９０８の保護ラミネート９０６上の部分を引き剥がして封止層９０９を完成させている。このようにすれば、ＡＣＦ９０７が封止層９０９によって覆われないため、ＡＣＦ９０７と配線端子との導通性が悪くならない。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００３−２０８９７５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、特許文献１に開示された製造方法では、ＳｉＮ層９０８を形成する前にＡＣＦ９０７を貼着しなければならないため、下部電極９０２、有機発光層９０３および上部電極９０４を順次積層させた後で、一旦積層工程を中断し、チャンバから基板９０１を取り出してＡＣＦ９０７を貼着し、その後チャンバに基板９０１を戻して、積層工程を再開し、ＳｉＮ層９０８を形成しなければならず、積層工程が煩雑になる。また、チャンバから基板９０１を出し入れするため、基板９０１にゴミなどが付着するおそれもあり、これを防止するための対策も必要になる。そのため、表示パネルを効率的に製造することができない。

【0007】

本発明は上記の問題点を鑑みてなされたもので、所望の領域に正確且つ効率的に封止層を形成することができる表示パネルの製造方法および表示装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明の他の目的は、そのような封止層を有する表示パネルおよび表示装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の一態様に係る表示装置の製造方法は、基板上の異なる領域に形成された表示部および端子部を備えた表示パネルの製造方法であって、前記基板上に表示部を形成する表示部形成工程と、前記基板上の前記端子部を形成する予定の領域に、導電性金属酸化物または金属からなる導電層を形成する導電層形成工程と、前記表示部を覆うと共に前記導電層の少なくとも上面に接し、且つ、前記導電層の上面が変質するように、化学蒸着法によって無機化合物からなる化学蒸着層を形成する化学蒸着層形成工程と、前記化学蒸着層の前記導電層上の部分を引き剥がして除去する除去工程とを含む。

【0009】

なお、本願において引き剥がすとは機械的な剥離を意味し、化学的な剥離は含まれない。また、機械的な剥離のうちでも研磨のようなものは含まれない。引き剥がす一例としては、剥離する部分をある程度層状或いは膜状に保ちながら機械的に剥離することが挙げられる。

【発明の効果】

【0010】

本発明の一態様に係る表示装置の製造方法は、表示部を覆うと共に導電層の少なくとも上面に接し、且つ、前記導電層の上面が変質するように、化学蒸着法によって無機化合物からなる化学蒸着層を形成する化学蒸着層形成工程と、前記化学蒸着層の前記導電層上の部分を引き剥がして除去する除去工程とを含むため、化学蒸着層の除去後に残った部分で構成される封止層は、所望の領域に正確に形成される。また、表示部を形成する途中でＡＣＦを貼着する必要もないので、効率的に封止層を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の一態様に係る表示装置の全体構成を示す図である。

【図2】表示パネルと配線板との接続の態様を説明するための斜視図である。

【図3】図２に示すＡ−Ａ線に沿った端面図である。

【図4】本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法を説明するための工程図である。

【図5】本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法を説明するための工程図である。

【図6】実験用の基板を用いて表面状態を確認した際の電子顕微鏡写真である。

【図7】図６に示す線分Ｄに沿った断面の電子顕微鏡写真である。

【図8】図７に示す二点鎖線Ｅ，Ｆで囲んだ部分を拡大した電子顕微鏡写真である。

【図9】化学蒸着層および原子層堆積膜が導通性に及ぼす影響についての実験結果を示す図である。

【図10】粘着テープの状態が剥離性に与える影響についての実験結果を示す図である。

【図11】変形例１に係る表示パネルの製造方法を説明するための工程図である。

【図12】変形例２に係る表示パネルの製造方法を説明するための工程図である。

【図13】従来の表示パネルの製造方法を説明するための工程図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法、表示装置の製造方法、表示パネルおよび表示装置について、図面を参照しながら説明する。なお、各図面における部材の縮尺は実際のものとは同じとは限らない。

【0013】

［本発明の一態様の概要］
本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、基板上の異なる領域に形成された表示部および端子部を備えた表示パネルの製造方法であって、前記基板上に表示部を形成する表示部形成工程と、前記基板上の前記端子部を形成する予定の領域に、導電性金属酸化物または金属からなる導電層を形成する導電層形成工程と、前記表示部を覆うと共に前記導電層の少なくとも上面に接し、且つ、前記導電層の上面が変質するように、化学蒸着法によって無機化合物からなる化学蒸着層を形成する化学蒸着層形成工程と、前記化学蒸着層の前記導電層上の部分を引き剥がして除去する除去工程とを含む。

【0014】

本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法の特定の局面では、前記導電層は導電性金属酸化物からなり、前記化学蒸着層形成工程には、前記導電層の上面の前記導電性金属酸化物を、還元性ガスによって還元して変質させる工程が含まれる。

【0015】

本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法の特定の局面では、さらに、前記化学蒸着層形成工程の後、前記除去工程の前に、前記化学蒸着層の前記導電層上の部分に、粘着テープを貼着する粘着テープ貼着工程を含み、前記除去工程においては、前記粘着テープを剥離することによって、前記化学蒸着層の前記導電層上の部分を引き剥がして除去する。

【0016】

本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法の特定の局面では、さらに、前記化学蒸着層形成工程の後、前記除去工程の前に、原子層堆積法によって前記化学蒸着層上に原子層堆積膜を形成する原子層堆積膜形成工程を含む。

【0017】

本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法の特定の局面では、さらに、前記原子層堆積膜形成工程の後、前記除去工程の前に、前記原子層堆積膜の前記導電層上の部分に、粘着テープを貼着する粘着テープ貼着工程を含み、前記除去工程においては、前記粘着テープを剥離することによって、前記化学蒸着層の前記導電層上の部分および前記原子層堆積膜の前記導電層上の部分を引き剥がして除去する。

【0018】

本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法の特定の局面では、前記導電性金属酸化物は、ＩＴＯまたはＩＺＯである。

【0019】

本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法の特定の局面では、前記還元性ガスは、ＳｉＮまたはＳｉＨ_４である。

【0020】

本発明の一態様に係る表示パネルは、基板上の異なる領域に形成された表示部および端子部を備えた表示パネルであって、前記表示部は、化学蒸着法によって形成された無機化合物からなる封止層によって覆われており、前記端子部は、導電性金属酸化物または金属からなり、前記封止層によって覆われておらず、且つ、前記端子部の上面の少なくとも一部が前記化学蒸着法により変質している。

【0021】

本発明の一態様に係る表示装置は、上記記載の表示パネルを備える。

【0022】

［表示装置］
図１は、本発明の一態様に係る表示装置の全体構成を示す図である。図１に示すように、本発明の一態様に係る表示装置１は、表示パネル１００と、駆動制御部２００と、配線板３００とを備える。表示パネル１００は、例えば、エレクトロルミネッセンス効果を利用した有機ＥＬパネルである。駆動制御部２００は、４つの駆動回路２１０と、制御回路２２０とから構成されている。配線板３００は、例えば、フレキシブル配線板であって、駆動回路２１０としてのＩＣが搭載されている。

【0023】

図２は、表示パネルと配線板との接続の態様を説明するための斜視図である。図２に示すように、表示パネル１００の中央領域に表示部１０１が形成されており（図２において二点鎖線で囲んだ部分）、中央領域を囲繞する外周領域には、外周領域の４辺全てに、それぞれ複数の端子部１１４（図５参照）が形成されている。

【0024】

配線板３００は、例えば、ポリイミド製のベースフィルム３１０に、銅等によって導電パターン（不図示）を形成したものであって、ベースフィルム３１０の表示パネル１００側の端部の下面（ＴＦＴ基板１１１と対向する側の主面）には、各端子部１１４と対応した位置に、前記導電パターンと電気的に接続された配線端子３２０（図３参照）が複数形成されている。

【0025】

ＴＦＴ基板１１１の外周領域には、４辺全てにそれぞれベースフィルム３１０の表示パネル１００側の端部が、ＡＣＦ（異方性導電接着フィルム）４００を介して接着されている。このＡＣＦ４００によって、表示パネル１００の各端子部１１４とそれに対応する配線板３００の配線端子３２０とが電気的に接続されている。

【0026】

なお、端子部１１４は、必ずしもＴＦＴ基板１１１の外周領域の４辺全てに形成されている必要はなく、１辺にだけ形成されていても良いし、２辺或いは３辺に形成されていても良い。そして、駆動回路２１０および配線板３００は、端子部１１４が形成されている辺にだけ接着されていれば良い。

【0027】

［表示パネル］
図３は、図２に示すＡ−Ａ線に沿った端面図である。図３に示すように、表示パネル１００は、例えば、デバイス基板１１０と、ＣＦ（Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）基板１２０とを備える。デバイス基板１１０およびＣＦ基板１２０は対向配置され貼り合わされている。

【0028】

デバイス基板１１０の上方には、シール部材１０２aを介してＣＦ基板１２０が配置され、デバイス基板１１０とＣＦ基板１２０との間には樹脂層１０２ｂが充填される。シール部材１０２a及び樹脂層１０２ｂは、緻密な樹脂材料（例えばシリコーン系樹脂、アクリル系樹脂等）からなり、デバイス基板１１０の表示部１０１を封止し有機発光層１１６が水分やガス等に触れるのを防止している。

【0029】

ＴＦＴ基板１１１の上面（ＣＦ基板１２０側の主面。以下の説明では、デバイス基板１１０を構成する各層についても、ＣＦ基板１２０側の面を上面と称する。）には、マトリクス状に配置された複数の画素で構成される表示部１０１が形成されており、それら各画素が出射するＲ（赤色）、Ｇ（緑色）またはＢ（青色）の光がＣＦ基板１２０を透過し、表示パネル１００の正面にカラー画像が表示される。そして、ＴＦＴ基板１１１の上面の表示部１０１を囲繞する領域に端子部１１４が設けられている。なお、ここではＣＦ基板１２０が設置される場合で説明したが、ＣＦ基板は必ずしも設置される必要はない。

【0030】

＜デバイス基板＞
デバイス基板１１０は、ＴＦＴ基板１１１と、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）基板１２４とからなり、ＥＬ基板１２４は、ＴＦＴ基板１１１の上面に、平坦化膜１１２、下部電極１１３、コンタクトホール１１３Ｘ、アノードリング１１３Ｙ、バンク１１５、有機発光層１１６、電子輸送層１１６Ｘ、上部電極１１７、封止層１１８、および保護膜１１９等を有する積層構造であって、デバイス基板１１０の表示部１０１を構成する各画素は、下部電極１１３、有機発光層１１６、電子輸送層１１６Ｘ、上部電極１１７で構成されるトップエミッション型の有機ＥＬ素子で構成されている。

【0031】

ＴＦＴ基板１１１は、例えば、基板１１１ａの上面に、ＴＦＴ層１１１ｂを形成した構造である。ＴＦＴ層１１１ｂには、ＳＤ配線１１１ｃおよびパッシベーション膜１１１ｄなどが含まれる。基板１１１ａは、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、アルミナ等の絶縁性材料からなるベース基板の上面に、複数のＴＦＴおよびその引き出し電極を所定パターンで形成した構造である。パッシベーション膜１１１ｄは、ＳｉＯ（酸化シリコン）またはＳｉＮからなる薄膜であって、ＳＤ配線１１１ｃを被覆し、これらを保護している。

【0032】

平坦化膜１１２は、例えば、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等の絶縁材料からなり、パッシベーション膜１１１ｄの上面の段差を平坦化している。なお、平坦化膜１１２は必ずしも必要ではない。

【0033】

下部電極１１３は、コンタクトホール１１３Ｘを介してＴＦＴ層１１１ｂと電気的に接続されている。なお、下部電極１１３は、例えば、金属層と金属酸化物層との２層構造であってもよい。金属層は、例えば、Ａｇ（銀）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等の光反射性導電材料からなり、各画素に対応した領域にマトリクス状に形成されている。金属酸化物層は、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等の導電材料からなり、金属層上に金属層を被覆するように形成されている。

【0034】

端子部１１４は、例えば、金属層１１４ａと金属酸化物層１１４ｂとの２層構造である。金属層１１４ａは、例えば、ＳＤ配線１１１ｃの一部で構成されており、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕなどの金属や、これらの金属を含む合金（例えば、ＭｏＷ、ＭｏＣｒ、ＮｉＣｒなど）等の電気抵抗が低くプロセス安定性の高い導電材料からなり、ＴＦＴ基板１１１の外周領域の４辺全てに、ＴＦＴ基板１１１の外周縁に沿って複数個ずつ間隔を空けて形成されている。金属酸化物層１１４ｂは、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の光透過性材料からなり、各金属層１１４ａ上に各金属層１１４ａを被覆するように形成されている。なお、金属酸化物層１１４ｂの表面には、金属酸化物が変質した物質（後述するダメージ層１１４ｅの残渣）が付着している。

【0035】

バンク１１５は、例えば、絶縁性の有機材料（例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等）からなり、ＴＦＴ基板１１１の中央領域内に、下部電極１１３が形成された領域を避けるように形成されている。本実施の形態では、バンク１１５は井桁構造のピクセルバンクであるが、バンクはストライプ構造のラインバンクであっても良い。

【0036】

有機発光層１１６は、バンク１１５で規定された各画素に対応した領域に形成されており、表示パネル１００の駆動時において、ホールと電子との再結合によりＲ、ＧまたはＢに発光する。有機発光層１１６は有機材料で構成されており、有機材料としては、例えば、特開平５−１６３４８８号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物およびアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等を挙げることができる。

【0037】

電子輸送層１１６Ｘは、例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウム、またはこれらの混合物等からなり、上部電極１１７から注入された電子を有機発光層１１６へ輸送する機能を有する。

【0038】

上部電極１１７は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の光透過性導電材料で形成された透明電極であって、バンク１１５および有機発光層１１６の上面を覆うように、表示部１０１のほぼ全体に亘って形成されている。

【0039】

封止層１１８は、例えば、表示部１０１を覆って封止し、有機発光層１１６が水分やガス等に触れるのを防止するための層であって、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、ＳｉＯＣ（炭素含有酸化シリコン）等の光透過性材料からなり、上部電極１１７上に形成されている。

【0040】

保護膜１１９は、表示部１０１を覆って封止し、有機発光層１１６が水分やガス等に触れるのを防止するための膜であって、Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）等の光透過性材料からなり、封止層１１８上に形成されている。封止層１１８の上にさらに保護膜１１９を形成することで、例えば封止層１１８にピンホールと呼ばれる封止欠陥部分が存在する場合でも、その封止欠陥部分から封止層１１８内に水分やガス等が浸入するのを防止することができる。

【0041】

以上のように説明したＥＬ基板１２４の積層構造に関して、下部電極１１３と有機発光層１１６との間には、ホール輸送層、ホール注入層等の他の層が１層または複数層さらに形成されていても良い。また、有機発光層１１６と上部電極１１７との間には、電子輸送層、電子注入層等の他の層が１層または複数層さらに形成されていても良い。

【0042】

＜ＣＦ基板＞
ＣＦ基板１２０は、ガラス基板１２１の下面（デバイス基板１１０側の主面）側に、Ｒ、ＧまたはＢのカラーフィルタ１２２と、ブラックマトリクス層１２３とが形成された構造である。

【0043】

カラーフィルタ１２２は、Ｒ、ＧまたはＢに対応する波長の可視光を透過する透明層であって、公知の樹脂材料等からなり、各画素に対応した領域に形成されている。

【0044】

ブラックマトリクス層１２３は、パネル内部への外光の入射を防止したり、ＣＦ基板１２０越しに内部部品が透けて見えるのを防止したり、外光の照り返しを抑えて表示パネル１００のコントラストを向上させたりする目的で形成されている黒色樹脂層であって、例えば光吸収性および遮光性に優れる黒色顔料を含む紫外線硬化樹脂材料からなる。

【0045】

［表示パネルおよび表示装置の製造方法］
本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法を説明する。図４および図５は、本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法を説明するための工程図である。

【0046】

まず、図４（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１１１上の端子部１１４を形成する予定の領域に、金属層１１４ａおよび導電層１１４ｄからなる積層体１１４ｃを形成する。この積層体１１４ｃが後に端子部１１４となる。具体的には、ＴＦＴ基板１１１から、パッシベーション膜１１１ｄにおける端子部形成予定領域の部分を取り除くことによって、ＳＤ配線１１１ｃにおける金属層１１４ａに相当する部分を露出させ、その露出した部分の上に、プラズマ蒸着またはスパッタリングにより導電性を有する金属酸化物からなる導電層１１４ｄを形成する。

【0047】

次に、図４（ｂ）に示すように、例えば、樹脂をスピンコートし、フォトレジスト／フォトエッチングでパターニングすることによって、平坦化膜１１２（例えば厚さ４μｍ）を形成し、さらに、コンタクトホール１１３Ｘと、下部電極１１３と、アノードリング１１３Ｙと、を形成する。

【0048】

下部電極１１３については、例えば、まず、真空蒸着またはスパッタリングにより金属薄膜を形成し、当該金属薄膜をフォトレジスト／フォトエッチングでパターニングすることにより、金属層を形成する（。次に、プラズマ蒸着またはスパッタリングにより導電性を有する金属酸化物薄膜を形成し、当該金属酸化物薄膜をフォトレジスト／フォトエッチングによりパターニングすることにより、金属酸化物層を形成する。

【0049】

次に、図４（ｃ）に示すように、バンク１１５、有機発光層１１６、電子輸送層１１６Ｘ、および上部電極１１７を順次形成する。

【0050】

バンク１１５は、例えば、表示部１０１が形成される領域の全体を覆うようにバンク材料層を形成し、形成したバンク材料層の一部をフォトレジスト／フォトエッチングで除去することによって形成する。なお、バンク１１５は、列方向および行方向に伸長し平面形状が井桁状のピクセルバンクであっても良いし、列方向または行方向にだけ伸長するストライプ状のラインバンクであっても良い。

【0051】

次に、バンク１１５間の凹部に、例えば、インクジェット法で有機発光層用インクを充填し、充填したインクを雰囲気２５℃の減圧下で乾燥し、ベーク処理することによって、有機発光層１１６を形成する。さらに、バンク１１５および有機発光層１１６を覆うように、ＥＴＬ蒸着で電子輸送層１１６Ｘを形成する。なお、インクをバンク１１５間に充填する方法は、インクジェット法に限定されず、ディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等であっても良い。

【0052】

次に、バンク１１５および有機発光層１１６を覆うように、上部電極１１７を形成する。例えば、光透過性の材料を蒸着することによって、上部電極１１７を形成する。

【0053】

以上により、ＴＦＴ基板１１１上に表示部１０１を形成する表示部形成工程と、ＴＦＴ基板１１１上の端子部１１４が形成される領域に、導電性金属酸化物からなる導電層１１４ｄを形成する導電層形成工程とが完了する。本実施の形態では、表示部形成工程を行う前に導電層形成工程を行っているが、表示部形成工程を行った後に導電層形成工程を行っても良いし、表示部形成工程中の例えば下部電極を形成する工程と同時に導電層形成工程を行っても良い。

【0054】

次に、図４（ｄ）に示すように、ＴＦＴ基板１１１の上面側全体に化学蒸着法によって無機化合物からなる化学蒸着層１１８ａを形成する（例えば厚さ６２０ｎｍ）。その際、導電層１１４ｄの表面の露出した部分、すなわち導電層１１４ｄの上面および側面が変質し、導電層１１４ｄの表面にダメージ層１１４ｅが形成される。これにより、表示部１０１を覆うと共に導電層１１４ｄの少なくとも上面に接し、且つ、導電層１１４ｄの上面が変質するように、化学蒸着層を形成する化学蒸着層形成工程が完了する。この時点において、導電層１１４ｄは、ダメージ層１１４ｅと、その内側の金属酸化物層１１４ｂとで構成される。

【0055】

化学蒸着法は、具体的には、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＨ_４(モノシラン）等の還元性ガスを使用したプラズマ化学蒸着法である。化学蒸着層１１８ａが形成される際、導電層１１４ｄの上面および側面が還元ガスにより還元され変質し、ダメージ層１１４ｅが形成される。

【0056】

好ましい成膜条件は、例えばＳｉＨ_４を還元性ガスとして使用する場合、成膜温度が５０℃〜７０℃、成膜圧力が８０Ｐａ〜１２０Ｐａ、ＲＦが１．１ｋＷ〜１．７ｋＷ、ＳｉＨ_４流量が１２０ｓｃｃｍ〜１８０ｓｃｃｍ、ＮＨ_３流量が７０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍ、Ｎ_２流量が２８００ｓｃｃｍ〜４２００ｓｃｃｍ、成膜時間が１３０ｓｅｃ〜１９０ｓｅｃである。還元力が弱すぎると、後に形成される封止層１１８の封止性が不十分になる。還元力が強すぎると、封止層１１８の剥離性が高まるが、表示部１０１がダメージを受ける。

【0057】

次に、図４（ｅ）に示すように、ＴＦＴ基板１１１の上面側全体に、原子層堆積（ＡＬＤ）法によって原子層堆積膜１１９ａを形成する（例えば厚さ２０ｎｍ）。具体的には、例えば、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）ガス存在下で酸素プラズマによりＡｌ_２Ｏ_３膜を形成する。好ましい成膜条件は、成膜温度が７５℃〜９５℃、成膜圧力が８０Ｐａ〜１２０Ｐａ、ＲＦが０．８ｋＷ〜１．２ｋＷ、成膜サイクルが０．１２ｎｍ／ｃｙｃｌｅ〜０．１８ｎｍ／ｃｙｃｌｅである。

【0058】

ここで、原子層堆積法は、原子レベルの小さいガスを吸着により堆積させる方法であるため、マスクによる選択成膜を行っても、マスクの下側にガスが回り込んでしまい、所望の領域に正確に成膜することが難しい。また、原子層堆積法で形成した原子層堆積膜１１９ａは緻密であるため、端子部１１４上に存在していると、端子部１１４と配線端子３２０との導通を妨げる。これに対して、本実施の形態に係る製造方法では、後述する除去工程によって化学蒸着層１１８ａの所望の部分だけを正確に除去することができるため、マスクが不要であり、端子部１１４上に原子層堆積膜１１９ａが存在し難い。

【0059】

次に、図５（ａ）に示すように、導電層１１４ｄの表面にダメージ層１１４ｅが残っている状態で、図４（ｆ）および図５（ｂ）に示すように、原子層堆積膜１１９ａのダメージ層１１４ｅ上の部分（導電層１１４ｄ上の部分でもある）に粘着テープ５００を貼着する。これにより、粘着テープ貼着工程が完了する。なお、粘着テープ５００としては、例えば、ＡＣＦ等を利用することができる。

【0060】

次に、粘着テープ５００を剥離することによって、図４（ｇ）に示すように、原子層堆積膜１１９ａの導電層１１４ｄ上の部分、化学蒸着層１１８ａの導電層１１４ｄ上の部分、および、導電層１１４ｄのダメージ層１１４ｅを引き剥がして除去し、金属酸化物層１１４ｂを露出させる。露出するのは、図５（ｃ）において実線Ｂで示す粘着テープ５００が貼着されていた領域である（図４（ｇ）に示す領域Ｂも参照）。化学蒸着層１１８ａの導電層１１４ｄ上の部分の一部のみに粘着テープ５００が貼着された場合は、図３および図５（ｃ）に示すように、化学蒸着層１１８ａの導電層１１４ｄ上の部分の一部のみが引き剥がされ、金属酸化物層１１４ｂの一部のみが露出する。この場合、粘着テープ５００が貼着されず引き剥がされなかった部分には、図３に示すように金属酸化物１１４ｂ上にダメージ層１１４ｅが残留する。

【0061】

なお、化学蒸着層１１８ａの導電層１１４ｄ上の部分の全部に粘着テープ５００を貼着し、化学蒸着層１１８ａの導電層１１４ｄ上の部分の全部を引き剥がす構成であっても良い。

【0062】

これにより、化学蒸着層１１８ａの導電層１１４ｄ上の部分を引き剥がして除去する除去工程が完了する。

【0063】

原子層堆積膜１１９ａの導電層１１４ｄ上の部分、および、化学蒸着層１１８ａの導電層１１４ｄ上の部分が除去されるため、端子部１１４と配線端子３２０とを電気的に接続した際に、端子部１１４と配線端子３２０との導通性は良好である。なお、原子層堆積膜１１９ａの導電層１１４ｄ上の部分、および、化学蒸着層１１８ａの導電層１１４ｄ上の部分は、完全に除去されることが好ましいが、それらの一部が残渣として導電層１１４ｄ上に残っていても良い。その場合は、導電性に影響がでない程度の残渣であることが好ましい。

【0064】

除去工程において、ダメージ層１１４ｅは、全部が除去されても良いし、一部だけが除去されても良いし、全く除去されなくても良い。ダメージ層１１４ｅが全部引き剥がされた場合は、端子部１１４上にはダメージ層１１４ｅの残渣は残らない。一方、ダメージ層１１４ｅの一部だけが引き剥がされた場合には、端子部１１４上にダメージ層１１４ｅの残渣が残り、ダメージ層１１４ｅが全く除去されなかった場合は、端子部１１４上にダメージ層１１４ｅがそのまま残る。ダメージ層１１４ｅは、端子部１１４上に残っていても導電性の妨げとはならない。ダメージ層１１４ｅの一部或いは全部が端子部１１４上に残っている場合は、本発明に係る製造方法で製造された表示パネル１００および表示装置１であると推定することができる。

【0065】

除去工程においては、導電層１１４ｄの表面にダメージ層１１４ｅが存在しているため、粘着テープ５００と共に化学蒸着層１１８ａおよび原子層堆積膜１１９ａがＴＦＴ基板１１１側から剥がれる。剥がれるのは、ダメージ層１１４ｅと化学蒸着層１１８ａとの界面、或いは、ダメージ層１１４ｅと金属酸化物層１１４ｂとの界面、或いは、ダメージ層１１４ｅの厚み内においてであり、それらの部分が剥がれ易くなっているからである。

【0066】

それらの部分が剥がれ易くなっている理由として、例えば、導電層１１４ｄの表面が化学蒸着法で使用する還元ガスに晒されると、導電層１１４ｄの表面を構成する金属酸化物の一部が還元され金属となり、金属酸化物の一部消失と金属の析出により導電層１１４ｄの表面に凹凸が形成され、この凹凸により導電層１１４ｄと化学蒸着層１１８ａとの密着性が低下するからであると考えられる。なお、導電層１１４ｄの表面が変質していることは、例えば、ＩＴＯで構成される透明であった金属酸化物層１１４ｂが、化学蒸着法を行った後は表面が白濁したり黒化したりする現象からも確認できる。

【0067】

図６は、ガラス基板上にＩＴＯからなる導電層を形成した実験用基板につき、上述のようにプラズマ化学蒸着法によって化学蒸着層を形成し、原子層堆積法により原子層堆積膜を形成した後、ＡＣＦで引き剥がした表面の電子顕微鏡写真である。図７は、図６に示す線分Ｄに沿った断面の電子顕微鏡写真である。図８は、図７に示す二点鎖線Ｅ，Ｆで囲んだ部分を拡大した電子顕微鏡写真である。

【0068】

図６から図８に示すように、除去工程後は、化学蒸着層の導電層上の部分、および、原子層堆積膜の導電層上の部分が、殆ど除去されていることが確認できる。なお、図７および図８において、Ａｌ_２Ｏ_３で構成される部分が原子層堆積膜１１９ａに対応し、ＳｉＮで構成される部分が化学蒸着層１１８ａに対応し、ＩＴＯで構成される部分が金属酸化物層１１４ｂに対応する。

【0069】

以上により、デバイス基板１１０が完成する。

【0070】

なお、図４に示した製造プロセスでは、ＣＦ基板を貼り合わせる工程を省略して説明しているが、ＣＦ基板を設置する場合には、図４（ｅ）に示した原子層堆積膜を形成する工程の後、図４（ｆ）に示した粘着テープを貼着する工程の前に、ＣＦ基板を設置する工程を設けるのがよい。

【0071】

［実験］
実験により、化学蒸着層および原子層堆積膜が導通性に及ぼす影響について調べた。図９は、化学蒸着層および原子層堆積膜が導通性に及ぼす影響についての実験結果を示す図である。実験では、１００ｍｍ角のガラス板上に、ＩＴＯ層、ＳｉＮ層およびＡｌ_２Ｏ_３膜を適宜積層させた積層体を形成して、それら積層体にＡＣＦを介して配線板を接続し、テスターで積層体の抵抗値を測定した。

【0072】

ＡＣＦは、導電粒子として４μｍのＮｉコートプラスチック粒子が混入されたものを使用した。ＡＣＦを介しての積層体への配線板の圧着は、熱圧着装置を用いて、設定温度が２５０℃、設定時間が１５ｓｅｃ、設定圧力が１２０Ｐａで行なった。

【0073】

図９に示すように、ＳｉＮ層およびＡｌ_２Ｏ_３膜が存在しない場合（実験１）と比較して、２ｎｍのＡｌ_２Ｏ_３膜が存在する場合（実験２）の抵抗値は約１．５倍であった。さらに、５ｎｍのＡｌ_２Ｏ_３膜が存在する場合（実験３）の抵抗値は約２倍であり、８ｎｍ以上のＡｌ_２Ｏ_３膜が存在する場合（実験４〜６）は導通しなかった。この結果から、２ｎｍ以上のＡｌ_２Ｏ_３膜が存在すると、導通の妨げとなることがわかった。

【0074】

一方、２０ｎｍのＡｌ_２Ｏ_３膜と６２０ｎｍのＳｉＮ層を形成したとしても、除去工程を行った場合（実験７）は、実験１と比較して同程度の抵抗値であった。これは、除去工程によって、ＳｉＮ層およびＡｌ_２Ｏ_３膜が除去されたからである。なお、除去工程を行う前の状態では導通しなかった。

【0075】

次に、粘着テープの状態が剥離性に与える影響について調べた。図１０は、粘着テープの状態が剥離性に与える影響についての実験結果を示す図である。実験では、１００ｍｍ角のガラス板上に、ＩＴＯ層、ＳｉＮ層およびＡｌ_２Ｏ_３膜を適宜積層させた積層体を形成して、それら積層体から粘着テープを用いてＳｉＮ層およびＡｌ_２Ｏ_３膜を引き剥がして除去し、引き剥がす際の剥離性を評価した。粘着テープとしては、ＡＣＦを使用した。粘着テープの圧着は、上記の圧着装置を用いて、図１０に記載の条件で行なった。

【0076】

図１０に示すように、基本条件（実験８）と比較して、圧着温度を高くしてＡＣＦをより硬化させた場合は（実験９）、ＡＣＦがやや剥がれ難くなり、ＡＣＦの残渣がガラス板に残ったが、剥離性および導通性への影響は殆どなかった。また、圧力を高くしたり（実験１０）、低くしたり（実験１１）して、ＡＣＦの硬さを変えてみたが、剥離性および導通性への影響はなかった。

【0077】

ＡＣＦの硬さは圧着温度と圧着時間との積により定まるが、ＡＣＦの樹脂硬化状態（接着強度）を考慮した条件範囲内では、高温条件である場合を除き、剥離性は良好であった。なお、高温条件の場合は、ＡＣＦと原子層堆積膜１１９ａとの界面、或いは、ＴＦＴ基板１１１と金属層１１４ａとの界面で、剥離するおそれがある。

【0078】

最後に、導電粒子が混入されていないＡＣＦを使用した場合（実験１２）と、導電粒子が混入されているＡＣＦを使用した場合（実験８）とを比較すると、剥離性および導通性に違いはなかった。このことから、導電性が確保されているのは、導電粒子がＳｉＮ層およびＡｌ_２Ｏ_３膜にクラックを発生させて剥れやすくしているのではなく、ダメージ層の界面により、ＳｉＮ層およびＡｌ_２Ｏ_３膜が除去されているからであることが確認できた。

【0079】

［変形例］
以上、本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法、表示装置の製造方法、表示パネルおよび表示装置を具体的に説明してきたが、上記実施の形態は、本発明の構成および作用・効果を分かり易く説明するために用いた例であって、本発明の内容は、上記の実施の形態に限定されない。例えば、以下のような変形例が考えられる。

【0080】

図１１は、変形例１に係る表示パネルの製造方法を説明するための工程図である。変形例１に係る表示パネルの製造方法は、保護膜を形成しない点において、保護層を形成する上記実施の形態に係る表示パネルの製造方法と相違する。それ以外については基本的に上記実施形態に係る表示パネルの製造方法と同じである。したがって、相違点についてのみ詳細に説明し、その他の構成については説明を省略または簡略する。なお、上記実施の形態に係る表示パネルと全く同じ部材には、上記実施の形態に係る表示パネルと同じ符号を用いて説明する。

【0081】

変形例１に係る表示パネルの製造方法では、図４（ｄ）に示すように、化学蒸着法により化学蒸着層１１８ａを形成した後は、原子層堆積膜１１９ａを形成せずに、図１１（ａ）に示すように、化学蒸着層１１８ａの導電層１１４ｄ上の部分に粘着テープ５００を貼着する。これにより、粘着テープ貼着工程が完了する。

【0082】

次に、粘着テープ５００を剥離することによって、図１１（ｂ）に示すように、化学蒸着層１１８ａの導電層１１４ｄ上の部分、および、導電層１１４ｄのダメージ層１１４ｅを引き剥がして除去し、金属酸化物層１１４ｂを露出させる。これにより、化学蒸着層１１８ａの導電層１１４ｄ上の部分を引き剥がして除去する除去工程が完了する。

【0083】

以上により、デバイス基板６１０が完成する。

【0084】

なお、ＣＦ基板を設置する場合には、図４（ｄ）に示したような化学蒸着層を形成する工程の後、図１１（ａ）に示した粘着テープを貼着する工程の前に、ＣＦ基板を設置する工程を設けるのがよい。

【0085】

このように、本発明に係る表示パネルの製造方法において、原子層堆積膜形成工程は不可欠ではない。

【0086】

図１２は、変形例２に係る表示パネルの製造方法を説明するための工程図である。変形例２に係る表示パネルの製造方法は、金属層のみで構成される端子部を形成する点において、金属層と金属酸化物層とで構成される端子部を形成する上記実施の形態に係る表示パネルの製造方法と相違する。それ以外については基本的に上記実施形態に係る表示パネルの製造方法と同じである。したがって、相違点についてのみ詳細に説明し、その他の構成については説明を省略または簡略する。なお、上記実施形態に係る表示パネルと全く同じ部材には、上記実施形態に係る表示パネルと同じ符号を用いて説明する。

【0087】

変形例２に係る表示パネルの製造方法では、まず、図１２（ａ）に示すように、パッシベーション膜１１１ｄにおける端子部形成予定領域の部分を取り除くことによって、ＳＤ配線１１１ｃにおける金属層７１４ａに相当する部分を露出させたＴＦＴ基板１１１を用意する。ＴＦＴ基板１１１のＳＤ配線１１１ｃにおける端子部７１４を形成する予定の領域が導電層７１４ａである。

【0088】

次に、図１２（ｂ）に示すように、例えば、樹脂をスピンコートし、フォトレジスト／フォトエッチングでパターニングすることによって、平坦化膜１１２（例えば厚さ４μｍ）を形成し、さらに、金属層からなる下部電極１１３等を形成する。下部電極１１３は、例えば、まず、真空蒸着またはスパッタリングにより金属薄膜を形成し、当該金属薄膜をフォトレジスト／フォトエッチングでパターニングすることにより形成する。

【0089】

次に、図１２（ｃ）に示すように、バンク１１５、有機発光層１１６、電子輸送層１１６Ｘおよび上部電極１１７を順次形成する。

【0090】

以上により、ＴＦＴ基板１１１上に表示部を形成する表示部形成工程と、ＴＦＴ基板１１１上の端子部７１４が形成される領域に、金属からなる導電層７１４ａを形成する導電層形成工程とが完了する。

【0091】

次に、図１２（ｄ）に示すように、ＴＦＴ基板１１１の上面側全体にプラズマ化学蒸着法によって無機化合物からなる化学蒸着層１１８ａを形成する。その際、導電層７１４ａの表面の露出した部分、すなわち導電層７１４ａの上面および側面が変質し、導電層７１４ａの表面にダメージ層７１４ｂが形成される。これにより、表示部を覆うと共に導電層７１４ａの少なくとも上面に接し、且つ、導電層７１４ａの上面が変質するように、化学蒸着層を形成する化学蒸着層形成工程が完了する。この時点において、導電層７１４ａは、ダメージ層７１４ｂと、その内側の金属からなる端子部７１４とで構成される。

【0092】

次に、図１２（ｅ）に示すように、ＴＦＴ基板１１１の上面側全体に、原子層堆積法によって原子層堆積膜１１９ａを形成する。

【0093】

次に、図１２（ｆ）に示すように、原子層堆積膜１１９ａのダメージ層７１４ｂ上の部分（導電層７１４ａ上の部分でもある）に粘着テープ５００を貼着する。これにより、粘着テープ貼着工程が完了する。

【0094】

次に、粘着テープ５００を剥離することによって、図１２（ｇ）に示すように、原子層堆積膜１１９ａの導電層７１４ａ上の部分、化学蒸着層１１８ａの導電層７１４ａ上の部分、および、導電層７１４ａのダメージ層７１４ｂを引き剥がして除去し、端子部７１４を露出させる。これにより、化学蒸着層１１８ａの導電層７１４ａ上の部分を引き剥がして除去する除去工程が完了する。

【0095】

除去工程においては、導電層７１４ａの表面にダメージ層７１４ｂが存在しているため、粘着テープ５００と共に化学蒸着層１１８ａおよび原子層堆積膜１１９ａがＴＦＴ基板１１１側から剥がれる。剥がれるのは、ダメージ層７１４ｂと化学蒸着層１１８ａとの界面、或いは、ダメージ層７１４ｂと端子部７１４との界面、或いは、ダメージ層７１４ｂ内においてであり、それらの部分が剥がれ易くなっているからである。それらの部分が剥がれ易くなっている理由として、例えば、導電層７１４ａの表面がプラズマ化学蒸着法で使用するプラズマによってダメージを受けるからであると考えられる。

【0096】

以上により、デバイス基板７１０が完成する。

【0097】

なお、図１２に示した製造プロセスでは、ＣＦ基板を貼り合わせる工程を省略して説明しているが、ＣＦ基板を設置する場合には、図１２（ｅ）に示した原子層堆積膜を形成する工程の後、図１２（ｆ）に示した粘着テープを貼着する工程の前に、ＣＦ基板を設置する工程を設けるのがよい。

このように、本発明に係る表示パネルの製造方法では、導電層形成工程では、金属からなる導電層を形成しても良い。

【0098】

その他の変形例として、原子層堆積膜の上に、１層または複数層を形成しても良い。その場合でも、除去工程を行うことによって、導電層上の部分を引き剥がすことができる。また、化学蒸着層を引き剥がす方法としては、粘着テープを利用する方法に限定されず、例えば、レーザーリムーブ等の方法で引き剥がしても良い。

【産業上の利用可能性】

【0099】

本発明に係る表示パネルおよび表示装置は、例えば、家庭用もしくは公共施設、或いは業務用の各種表示装置、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ等に好適に利用可能である。

【符号の説明】

【0100】

１ 表示装置
１００ 表示パネル
１０１ 表示部
１１１ ＴＦＴ基板
１１４，７１４ 端子部
１１４ｃ，７１４ａ 導電層
１１８ａ 化学蒸着層
１１９ａ 原子層堆積膜
５００ 粘着テープ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】