特許 5911330 放射線検出器およびその製造方法。

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5911330

(24)【登録日】2016年4月8日

(45)【発行日】2016年4月27日

(54)【発明の名称】放射線検出器およびその製造方法。

(51)【国際特許分類】

   G01T 1/20 20060101AFI20160414BHJP

【ＦＩ】

   G01T1/20 L

   G01T1/20 E

   G01T1/20 G

【請求項の数】2

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2012-37014(P2012-37014)

(22)【出願日】2012年2月23日

(65)【公開番号】特開2013-171012(P2013-171012A)

(43)【公開日】2013年9月2日

【審査請求日】2015年1月20日

(73)【特許権者】

【識別番号】000003078

【氏名又は名称】株式会社東芝

(73)【特許権者】

【識別番号】503382542

【氏名又は名称】東芝電子管デバイス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100108062

【弁理士】

【氏名又は名称】日向寺 雅彦

(74)【代理人】

【識別番号】100168332

【弁理士】

【氏名又は名称】小崎 純一

(74)【代理人】

【識別番号】100146592

【弁理士】

【氏名又は名称】市川 浩

(74)【代理人】

【識別番号】100180976

【弁理士】

【氏名又は名称】野村 一郎

(72)【発明者】

【氏名】榛葉 勇一

(72)【発明者】

【氏名】本間 克久

【審査官】 鳥居 祐樹

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１３−０７６５７６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０１Ｔ １／００−７／１２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

蛍光を電気信号に変換する光電変換素子が配列された光電変換素子層を設けたアレイ基板と、
前記アレイ基板の表面に前記光電変換素子層を覆うように設けられて放射線を蛍光に変換するシンチレータ膜と、
ハット形状の金属箔又は薄板からなり、外縁に前記アレイ基板から離れる方向に突出した突起が形成されて前記シンチレータ膜を包囲する防湿体と、
前記防湿体の外周部と前記アレイ基板とを接着する接着層と、
を具備することを特徴とする放射線検出器。

【請求項2】

蛍光を電気信号に変換する光電変換素子が配列された光電変換素子層を設けたアレイ基板の表面に前記光電変換素子層を覆うように放射線を蛍光に変換するシンチレータ膜を設ける工程と、
第１面および第２面を持つ金属板の一部に前記シンチレータ膜よりも広くかつ前記シンチレータ膜の前記アレイ基板からの突出高さよりも深い前記第１面から前記第２面に向かって窪んだ窪み部を形成し、前記窪み部の外周に設けられた鍔部の外縁よりも外側をその内側に対して相対的に前記第１面から前記第２面に向かう方向に変位させるせん断加工で切断して防湿体を形成する工程と、
前記第１面が前記アレイ基板に対向し前記防湿体で前記シンチレータ膜を包囲するように前記防湿体の外周部と前記アレイ基板とを接着剤で接着する工程と、
を具備することを特徴とする放射線検出器の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

実施形態は、概して、放射線を検出する放射線検出器およびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

新世代のＸ線診断用検出器として、アクティブマトリクスを用いた平面型のＸ線検出器が開発されている。このＸ線検出器は、照射されたＸ線を検出してＸ線撮影像あるいはリアルタイムのＸ線画像がデジタル信号として出力される。このＸ線検出器では、Ｘ線をシンチレータ膜により可視光すなわち蛍光に変換させ、この蛍光をアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）フォトダイオードあるいはＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの光電変換素子で信号電荷に変換することで画像を取得している。

【0003】

シンチレータ膜の材料としては、一般的にヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：ナトリウム（Ｎａ）、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：タリウム（Ｔｌ）、ヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）、あるいは酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ）などが用いられる。シンチレータ膜は、ダイシングなどにより溝を形成したり、柱状構造が形成されるように蒸着法で堆積したりすることで、解像度特性を向上させることができる。シンチレータの材料としては、上述の通り種々のものがあり、用途や必要な特性によって使い分けられる。

【0004】

蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するため、シンチレータ膜の上部に反射膜を形成する場合がある。この場合、シンチレータ膜で発光した蛍光のうち光電変換素子側に対して反対側に向かう蛍光を反射膜で反射させて、光電変換素子側に到達する蛍光を増大させる。

【0005】

反射膜は、銀合金やアルミニウムなど蛍光反射率の高い金属層をシンチレータ膜上に成膜する方法や、ＴｉＯ２などの光散乱性物質とバインダ樹脂とから成る光散乱反射性の反射膜を塗布形成する方法などで形成される。また、反射膜をシンチレータ膜上に形成するのではなく、アルミなどの金属表面を持つ反射板をシンチレータ膜に密着させてシンチレータ光を反射させる方式も実用化されている。

【0006】

シンチレータ膜や反射膜あるいは反射板などを外部雰囲気から保護して湿気などによる特性の劣化を抑えるための防湿構造は、検出器を実用的な製品とする上で重要な構成要素となる。特に湿気による劣化の大きい材料であるＣｓＩ：Ｔｌ膜やＣｓＩ：Ｎａ膜をシンチレータ膜とする場合には高い防湿性能が要求される。防湿構造としては、たとえばアルミニウム箔などの防湿層を周辺部で基板と接着封止して防湿性能を保つ構造や、アルミニウム箔や薄板などの防湿層と基板とを周囲のリング状構造物を介して接着封止する構造などがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】特開２００９−１２８０２３号

【特許文献2】特開平５−２４２８４１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

平面型のＸ線検出器は、ガラス板にＴＦＴやフォトダイオードの画素を形成した基板を有している。このＸ線検出器には、防湿体としてハット形状の金属箔又は薄板を用い、ハット鍔部と基板表面を接着封止して防湿構造とするものがある。

【0009】

防湿体は、金属の箔または薄板を裁断した後、プレス加工でハット形状に加工される。金属切断面には不要な突起（バリ）が生じることがある。鍔の接着層側にバリが発生した防湿体を基板と接着封止した場合、バリが基板側に押されるため、基板金属配線と防湿体バリ部が電気的に短絡する危険が生じる。また、圧着されたバリのスプリングバックによって、接着層が破壊される危険もある。接着層が破壊されると、防湿性能が著しく低下してしまう。

【0010】

そこで、実施形態は、信頼性の高い防湿構造を備えた放射線検出器を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0011】

上述の目的を達成するため、一実施形態によれば、放射線検出器は、蛍光を電気信号に変換する光電変換素子が配列された光電変換素子層を設けたアレイ基板と、前記アレイ基板の表面に前記光電変換素子層を覆うように設けられて放射線を蛍光に変換するシンチレータ膜と、ハット形状の金属箔又は薄板からなり、外縁に前記アレイ基板から離れる方向に突出した突起が形成されて前記シンチレータ膜を包囲する防湿体と、前記防湿体の外周部と前記アレイ基板とを接着する接着層と、を具備する。

【0012】

また、一実施形態によれば、放射線検出器の製造方法は、蛍光を電気信号に変換する光電変換素子が配列された光電変換素子層を設けたアレイ基板の表面に前記光電変換素子層を覆うように放射線を蛍光に変換するシンチレータ膜を設ける工程と、第１面および第２面を持つ金属板の一部に前記シンチレータ膜よりも広くかつ前記シンチレータ膜の前記アレイ基板からの突出高さよりも深い前記第１面から前記第２面に向かって窪んだ窪み部を形成し、前記窪み部の外周に設けられた鍔部の外縁よりも外側をその内側に対して相対的に前記第１面から前記第２面に向かう方向に変位させるせん断加工で切断して防湿体を形成する工程と、前記第１面が前記アレイ基板に対向し前記防湿体で前記シンチレータ膜を包囲するように前記防湿体の外周部と前記アレイ基板とを接着剤で接着する工程と、を具備する。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】一実施形態による放射線検出装置の模式的斜視図である。

【図2】一実施形態による放射線検出器の回路図である。

【図3】一実施形態による放射線検出装置のブロック図である。

【図4】一実施形態による放射線検出器の一部拡大断面図である。

【図5】一実施形態による放射線検出器の上面図である。

【図6】一実施形態による放射線検出器の側面図である。

【図7】一実施形態による防湿体の鍔部近傍の拡大断面図である。

【図8】一実施形態による防湿体の製造過程の一部を示す断面図である。

【図9】接着層側に向かって突出したバリが形成された防湿体を用いた放射線検出器の鍔部近傍の拡大断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下、一実施形態による放射線検出器を、図面を参照して説明する。なお、同一または類似の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。なお、この実施の形態は単なる例示であり、本発明はこれに限定されない。

【0015】

図１は、一実施形態による放射線検出装置の模式的斜視図である。

【0016】

本実施形態の放射線検出器１１は、放射線像であるＸ線画像を検出するＸ線平面センサであり、たとえば一般医療用途などに用いられる。放射線検出装置１０は、この放射線検出器１１と、支持板３１と、回路基板３０と、フレキシブル基板３２とを有している。放射線検出器１１は、アレイ基板１２とシンチレータ膜１３とを有している。放射線検出器１１は、入射したＸ線を検出して蛍光に変換し、その蛍光を電気信号に変換する。放射線検出装置１０は、放射線検出器１１を駆動し、放射線検出器１１から出力された電気信号を画像情報として出力する。放射線検出装置１０が出力した画像情報は、外部のディスプレイなどに表示される。

【0017】

アレイ基板１２は、ガラス基板１６を有している。ガラス基板１６の表面には、複数の微細な画素２０が正方格子状に配列されている。それぞれの画素２０は、薄膜トランジスタ２２とフォトダイオード２１とを有している。また、ガラス基板１６の表面には、画素２０が配列された正方格子の行と同数のゲートライン１８が各画素２０の間を延びている。さらに、ガラス基板１６の表面には、画素２０が配列された正方格子の列の数と同数のデータライン１９が各画素２０の間を延びている。シンチレータ膜１３は、アレイ基板１２の画素２０が配列された領域の表面に形成されている。

【0018】

シンチレータ膜１３は、アレイ基板１２の表面に設けられ、Ｘ線が入射すると可視光領域の蛍光を発生する。発生した蛍光は、アレイ基板１２の表面に到達する。

【0019】

シンチレータ膜１３は、たとえばヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：タリウム（Ｔｌ）、あるいはヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）：タリウム（Ｔｌ）などを真空蒸着法で柱状構造に形成したものである。ＣｓＩ：Ｔｌの柱状構造結晶の柱（ピラー）の太さは、最表面でたとえば８〜１２μｍ程度である。あるいは、酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ）蛍光体粒子をバインダ材と混合し、アレイ基板１２上に塗布して焼成および硬化し、ダイサによりダイシングするなどで溝部を形成して四角柱状に形成してシンチレータ膜１３を形成してもよい。これらの柱間には、大気、あるいは酸化防止用の窒素（Ｎ_２）などの不活性ガスが封入され、あるいは真空状態としてもよい。

【0020】

アレイ基板１２は、シンチレータ膜１３で発生した蛍光を受光して電気信号を発生する。その結果、入射したＸ線によってシンチレータ膜１３で発生した可視光像は、電気信号で表現された画像情報に変換される。

【0021】

放射線検出器１１は、シンチレータ膜１３が形成された面の反対側の面と支持板３１とが接触するように、支持板３１に支持されている。回路基板３０は、支持板３１の放射線検出器１１に対して反対側に配置されている。放射線検出器１１と回路基板３０との間は、フレキシブル基板３２で電気的に接続されている。

【0022】

図２は、本実施形態による放射線検出器の回路図である。

【0023】

それぞれのフォトダイオード２１は、スイッチング素子である薄膜トランジスタ２２を介してゲートライン１８およびデータライン１９に接続されている。また、それぞれのフォトダイオード２１には、蓄積キャパシタ２７が並列に接続されている。なお、蓄積キャパシタ２７は、フォトダイオード２１の容量が兼ねる場合もあり、必ずしも必要ではない。

【0024】

フォトダイオード２１およびそれに並列に接続された蓄積キャパシタ２７は、薄膜トランジスタ２２を介してデータライン１９に接続されている。薄膜トランジスタ２２のゲート電極は、ゲートライン１８に接続されている。

【0025】

配列の同じ行に位置する画素２０の薄膜トランジスタ２２は、同一のゲートライン１８に接続されている。配列の同じ列に位置する画素２０の薄膜トランジスタ２２は、同一のデータライン１９に接続されている。

【0026】

各薄膜トランジスタ２２は、フォトダイオード２１への蛍光の入射にて発生した電荷を蓄積および放出させるスイッチング機能を担う。薄膜トランジスタ２２は、結晶性を有する半導体材料である非晶質半導体としてのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、あるいは多結晶半導体であるポリシリコン（Ｐ−Ｓｉ）などの半導体材料にて少なくとも一部が構成されている。

【0027】

なお、図１および図２において、画素は５行５列あるいは４行４列分しか記載していないが、実際にはもっと多く、解像度、撮像面積に応じて必要な画素が形成されている。

【0028】

図３は、本実施形態による放射線検出装置のブロック図である。

【0029】

放射線検出装置１０は、放射線検出器１１と、ゲートドライバー３９と、行選択回路３５と、積分アンプ３３と、Ａ／Ｄ変換器３４と、並列／直列変換器３８と、画像合成回路３６とを有している。ゲートドライバー３９は、放射線検出器１１の各ゲートライン１８に接続されている。ゲートドライバー３９は、各薄膜トランジスタ２２の動作状態、すなわちオンおよびオフを制御する。積分アンプ３３は、放射線検出器１１の各データライン１９に接続されている。

【0030】

行選択回路３５は、ゲートドライバー３９に接続されている。並列／直列変換器３８は、積分アンプ３３に接続されている。Ａ／Ｄ変換器３４は、並列／直列変換器３８に接続されている。Ａ／Ｄ変換器３４は、画像合成回路３６に接続されている。

【0031】

積分アンプ３３は、たとえば放射線検出器１１と回路基板３０とを接続するフレキシブル基板３２上に設けられている。その他の素子は、たとえば回路基板３０上に設けられている。

【0032】

ゲートドライバー３９は行選択回路３５からの信号を受信して、ゲートライン１８の電圧を順番に変更していく。行選択回路３５は、Ｘ線画像を走査する所定の行を選択するための信号をゲートドライバー３９へと送る。積分アンプ３３は、放射線検出パネル２１からデータライン１９を通じて出力される極めて微小な電荷信号を増幅し出力する。

【0033】

図４は、本実施形態による放射線検出器の一部拡大断面図である。

【0034】

アレイ基板１２の表面には、フォトダイオード２１および薄膜トランジスタ２２などの検出素子、並びに、ゲートライン１８（図１参照）およびデータライン１９（図１参照）などの金属配線を覆う絶縁性の保護膜２８が形成されている。シンチレータ膜１３は、保護膜２８の表面に、画素２０が配列された領域を覆うように形成されている。

【0035】

シンチレータ膜１３の表面には、反射膜１４が設けられている。反射膜１４は、シンチレータ膜１３で発生した蛍光のうちアレイ基板１２から遠ざかっていくものをアレイ基板１２側へ反射させる。これにより、フォトダイオード２１に到達する蛍光光量が増大する。

【0036】

反射膜１４は、銀合金やアルミニウムなど蛍光反射率の高い金属をシンチレータ膜上に成膜する方法で形成される。あるいは、アルミなどの金属表面を持つ反射板をシンチレータ膜１３に密着させたもの、ＴｉＯ_２などの光散乱性物質とバインダ樹脂とから成る拡散反射性の反射膜１４を塗布形成してもよい。なお、反射膜１４は、放射線検出器１１に求められる解像度、輝度などの特性により、必ずしも必要ではない。

【0037】

放射線検出器１１には、シンチレータ膜１３および反射膜１４を包囲するように、防湿体１５が設けられている。

【0038】

図５は、本実施形態による放射線検出器の上面図である。図６は、本実施形態による放射線検出器の側面図である。

【0039】

防湿体１５は、中央部が盛り上がったハット状に形成されている。防湿体１５の周辺部分は、平坦な帯状の鍔部５０となっている。鍔部５０は、アレイ基板１２の表面のシンチレータ膜１３が形成された領域の外側を取り囲む帯状に形成される。鍔部５０の内側には、天板部５１が形成されている。天板部５１は、シンチレータ膜１３よりも若干大きい平板状の部分である。鍔部５０と天板部５１との間には、斜面部５２が形成されている。

【0040】

鍔部５０は、アレイ基板１２と対向している。鍔部５０とアレイ基板１２との間は接着されている。アレイ基板１２上に形成されたシンチレータ膜１３（図４参照）および反射膜１４（図４参照）は、防湿体１５の天板部５１および斜面部５２で覆われている。防湿体１５は、シンチレータ膜１３および反射膜１４を外気や湿度から保護する。

【0041】

防湿体１５は、たとえば厚さ０．１ｍｍのアルミニウム合金箔で形成されている。防湿体１５は、Ａ１Ｎ３０−Ｏ材などのアルミニウム合金箔やアルミニウム箔で形成される。鍔部５０の幅は、たとえば５ｍｍである。

【0042】

アレイ基板１２には、ゲートライン１８（図１参照）およびデータライン１９（図１参照）のそれぞれの端部が露出した端子群２６が設けられている。端子群２６は、アレイ基板１２の辺に沿って配列されている。ゲートライン１８につながる端子群２６と、データライン１９につながる端子群２６は、異なる辺に沿って配列されている。これらの端子群２６は、フレキシブル基板３２（図１参照）を介して、回路基板３０（図１参照）と電気的に接続されている。

【0043】

図７は、本実施形態による防湿体の鍔部近傍の拡大断面図である。

【0044】

防湿体１５の鍔部５０とアレイ基板１２との間には、接着層４０が介在している。接着層４０は、鍔部５０に沿って、アレイ基板１２の表面のシンチレータ膜１３が形成された領域の外側を取り囲む帯状に設けられている。したがって、鍔部５０の少なくとも一部は、ゲートライン１８（図１参照）あるいはデータライン１９（図１参照）からアレイ基板１２の外周に設けられた端子群２６まで延びる配線２９に保護膜２８および接着層４０を挟んで対向している。

【0045】

接着層４０の内縁、すなわち、アレイ基板１２の表面のシンチレータ膜１３が形成された領域に近い方の縁は、全周にわたって鍔部５０の内縁よりも内側に位置している。接着層４０は、加熱硬化型または紫外線硬化型のエポキシ系の接着剤で形成されている。

【0046】

防湿体１５の外縁、すなわち鍔部５０の斜面部５２に対して反対側の辺には、バリ５３が形成されている。このバリ５３は、アレイ基板１２から離れる方向に突出している。

【0047】

次に、本実施形態の放射線検出器の製造方法について説明する。

【0048】

まず、ガラス基板１６の表面に、フォトダイオード２１、薄膜トランジスタ２２、ゲートライン１８およびシグナルライン１９などを形成して、アレイ基板１２を得る。次に、このアレイ基板１２上に、シンチレータ膜１３および反射膜１４を順次形成する。また、別途、防湿体１５を製造する。

【0049】

図８は、本実施形態による防湿体の製造過程の一部を示す断面図である。

【0050】

防湿体１５は、たとえばＡＬ合金箔のロール材から製造される。まず、このロール材を所定の長さに裁断する。これにより矩形の金属板７３が得られる。この金属板７３を第１面７１側から第２面７２側を押し込む方向にプレスして、天板部５１および斜面部５２を形成する。

【0051】

その後、鍔部５０が所定の幅となるように金属板７３を裁断する。この外形加工によって防湿体１５が得られる。この外形加工には、第１の型８１と第２の型８２とを用いる。第１の型８１は金属板７３の第１面７１に押し付けられ、第２の型８２は金属板７３の第２面７２に押し付けられる。第１の型８１には防湿体１５の外形とほぼ同じ形状の穴７４が形成されている。第２の型８２の外形は、第１の型８１に形成された穴７４よりも若干小さい。外形加工の際には、第２の型８２を第１の型８１の穴７４に押し込んで、金属板７３を裁断する。つまり、金属板７３は、切り取られる部分が鍔部５０となる部分に対して、第１面７１側から第２面７２側に向かう方向に相対的に移動するようにしてせん断される。その結果、防湿体１５の外縁には、第１面７１側から第２面側に向かう方向に突出したバリが形成される。

【0052】

次に、防湿体１５の窪んだ部分すなわち斜面部５２および天板部５１で囲まれる空間に、シンチレータ膜１３および反射膜１４が収納されるように、アレイ基板１２と防湿体１５とを接着する。

【0053】

防湿体１５の鍔部５０のアレイ基板１２と対向する面、すなわち第１面７２に紫外線硬化型の接着剤を塗布する。接着剤は、鍔部５０の全周にわたって塗布される。次に、接着剤が塗布された防湿体１５を減圧雰囲気下でアレイ基板１２に押し付けて両者を圧着する。この圧着の際の雰囲気は、たとえば０．１気圧程度の減圧雰囲気である。

【0054】

この際、鍔部５０の第１面７１側がアレイ基板１２と対向するように配置される。防湿体１５の外縁に形成されたバリ５３は、鍔部５０の端縁の第１面７１側から第２面７２側に向かって突出している。このため、バリ５３は、アレイ基板１２から離れる方向に突出していることになる。

【0055】

このようにして、防湿構造を形成することによって、放射線検出器１１が完成する。この放射線検出器１１のゲートライン１８、データライン１９の各端子群２６にＴＡＢ接続により配線を繋いで、アンプ以降の回路に接続し、さらに筐体に組み込んで放射線検出装置１０が完成する。

【0056】

図９は、接着層側に向かって突出したバリが形成された防湿体を用いた放射線検出器の鍔部近傍の拡大断面図である。

【0057】

接着層４０側に向かって突出したバリ８３が形成された防湿体８０を用いた場合、バリ８３が接着層４０およびアレイ基板１２上に形成される配線保護膜（絶縁膜）を突き破る可能性がある。つまり、金属製の防湿体８０のバリとアレイ基板１２上の金属配線とが電気的に短絡する危険が生じる。また、防湿体８０の圧着時に変形したバリ８３が元の形状に戻ろうとスプリングバックし、その結果、接着層４０が破壊する可能性もある。このように、ＡＬ合金箔をハット状に加工する際に生じるバリ８３が、接着層４０側に生じている場合、電気的短絡と接着層破壊といった致命的な不良が発生してしまう可能性が高い。

【0058】

そこで、防湿体の作製段階で、バリ取りを行ってこれらの不良の発生を抑制する方法が考えられる。バリ取りの方法としては、潰す・削るといった機械的除去法と、化学研磨、電解研磨による除去方法がある。この場合、バリ取りによる工数増加というデメリットに加え、削りカスや研磨薬液によるＡＬハットの汚染も懸念される。

【0059】

しかし、本実施形態によれば、ＡＬ合金箔をハット状に加工する際に発生するバリ５３の方向を、接着層４０と反対側になるように管理する。その結果、防湿体１５の外縁には、接着層４０およびアレイ基板１２に対して逆側にバリが生じた構造となる。この構造では、バリ５３と基板金属配線の電気的短絡は発生せず、また、バリ部のスプリングバックによる応力が接着層を剥がす方向には働かないため接着層破壊も発生しない。よって、バリ取り工程を増やす事なく、バリ５３により発生しうる不良を回避することができる。

【0060】

以上のように、高い防湿性能を有するハット形状の金属箔あるいは金属板で形成された防湿体１５の外縁に生じるバリ５３の方向を接着層４０と逆側になるように管理することで、バリ５３が接着層４０に対して逆側に形成された構造となる。このため、アレイ基板１２の金属配線との電気的短絡や接着剤圧着後のバリ５３のスプリングバックによる接着層破壊といった欠陥発生を防止することができる。その結果、電気的・強度的に安定した、信頼性の高い防湿構造を備えた放射線検出器１１が得られる。

【0061】

また、防湿体１５の材質はＡＬやＡＬ合金に限定されず、他の金属材料を用いた場合も同様である。ＡＬあるいはＡＬ合金箔材の場合には、金属材料としてはＸ線吸収係数が小さいため防湿体１５内でのＸ線吸収ロスを抑える事ができる点でメリットが大きく、ハット状に加工する場合にも加工性に優れる。

【0062】

減圧雰囲気で防湿体１５のアレイ基板１２への接着を行うことは、飛行機輸送を想定した減圧下での機械的強度に優れた防湿構造を形成できる点でも有効である。減圧雰囲気下で封止した場合は、ＡＬハットが外部大気圧で押されるため、接着層破壊のリスクは増大する。本実施形態によれば、バリのスプリングバックによる接着層破壊リスクをなくす事ができるため、減圧雰囲気下で封止した場合の、接着部信頼性向上にも繋がる。

【0063】

本実施形態において、防湿体１５は、天板部５１および斜面部５２のプレス加工の後に、外形のせん断加工を行っているが、外形加工の後にプレス加工を行ってもよい。あるいは、たとえばロール材の両辺をそのまま外縁として用いる場合などには、外形のせん断加工をプレス加工の前および後に行うこととなってもよい。

【0064】

本発明の一実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。この実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0065】

１０…放射線検出装置、１１…放射線検出器、１２…アレイ基板、１３…シンチレータ膜、１４…反射膜、１５…防湿体、１６…ガラス基板、１８…ゲートライン、１９…データライン、２０…画素、２１…フォトダイオード、２２…薄膜トランジスタ、２６…端子群、２７…蓄積キャパシタ、２８…保護膜、３０…回路基板、３１…支持板、３２…フレキシブル基板、３３…積分アンプ、３４…Ａ／Ｄ変換器、３５…行選択回路、３６…画像合成回路、３８…並列／直列変換器、３９…ゲートドライバー、４０…接着層、５０…鍔部、５１…天板部、５２…斜面部、５３…バリ、７１…第１面、７２…第２面、７３…金属板、８０…防湿体、８３…バリ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】