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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】5912958
(24)【登録日】2016年4月8日
(45)【発行日】2016年4月27日
(54)【発明の名称】半導体装置
(51)【国際特許分類】
G01P 15/08 20060101AFI20160414BHJP
G01P 15/02 20130101ALI20160414BHJP
G01P 15/18 20130101ALI20160414BHJP
【ＦＩ】
G01P15/08 D
G01P15/02 B
G01P15/18
【請求項の数】3
【全頁数】12
(21)【出願番号】特願2012-161455(P2012-161455)
(22)【出願日】2012年7月20日
(65)【公開番号】特開2014-20992(P2014-20992A)
(43)【公開日】2014年2月3日
【審査請求日】2015年2月13日
(73)【特許権者】
【識別番号】302062931
【氏名又は名称】ルネサスエレクトロニクス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100102864
【弁理士】
【氏名又は名称】工藤 実
(72)【発明者】
【氏名】田辺 昭
(72)【発明者】
【氏名】中柴 康隆
【審査官】
岡田 卓弥
(56)【参考文献】
【文献】
特開２００８−３９５１９（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００５−３５１８９２（ＪＰ，Ａ）
【文献】
米国特許第６１８２５０９（ＵＳ，Ｂ１）
【文献】
特開昭６３−２３６９６７（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）
Ｇ０１Ｐ１５／００−１５／１８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ガス式加速度センサと、
前記ガス式加速度センサが搭載された半導体パッケージと
を備え、
前記ガス式加速度センサは、
第１ヒータと、
第１温度センサと、
第２温度センサと
を備え、
前記第１温度センサと前記第２温度センサは、前記第１ヒータを挟んで対向するように配置されており、
前記第１温度センサと前記第２温度センサとの間をつなぐ方向は、前記半導体パッケージの底面に対して斜めである
半導体装置。
前記ガス式加速度センサが搭載された半導体パッケージと
を備え、
前記ガス式加速度センサは、
第１ヒータと、
第１温度センサと、
第２温度センサと
を備え、
前記第１温度センサと前記第２温度センサは、前記第１ヒータを挟んで対向するように配置されており、
前記第１温度センサと前記第２温度センサとの間をつなぐ方向は、前記半導体パッケージの底面に対して斜めである
半導体装置。
【請求項2】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記半導体パッケージの底面に平行な方向は水平方向であり、
前記半導体パッケージの底面に垂直な方向は鉛直方向であり、
前記水平方向において、前記第１温度センサ、前記第２温度センサ、前記第３温度センサ及び前記第４温度センサは、この順番で配置されており、
前記鉛直方向において、前記第１温度センサから前記第２温度センサへ向かう方向は、前記第３温度センサから前記第４温度センサへ向かう方向の逆である
半導体装置。
前記半導体パッケージの底面に平行な方向は水平方向であり、
前記半導体パッケージの底面に垂直な方向は鉛直方向であり、
前記水平方向において、前記第１温度センサ、前記第２温度センサ、前記第３温度センサ及び前記第４温度センサは、この順番で配置されており、
前記鉛直方向において、前記第１温度センサから前記第２温度センサへ向かう方向は、前記第３温度センサから前記第４温度センサへ向かう方向の逆である
半導体装置。
【請求項3】
請求項１または２に記載の半導体装置であって、
更に、
前記ガス式加速度センサが形成された半導体チップと、
前記半導体チップにつながり、前記半導体パッケージの側面から突出するリードと
を備え、
前記リードの前記半導体パッケージの側面からの突出方向は、前記半導体パッケージの底面に対して斜めである
半導体装置。
更に、
前記ガス式加速度センサが形成された半導体チップと、
前記半導体チップにつながり、前記半導体パッケージの側面から突出するリードと
を備え、
前記リードの前記半導体パッケージの側面からの突出方向は、前記半導体パッケージの底面に対して斜めである
半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置に関し、特に、ガス式加速度センサを搭載した半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、スマートフォン、タブレットＰＣ、携帯ゲーム機などの携帯情報機器において、加速度センサが広く利用されている。代表的な加速度センサとして、静電容量式（例えば、特許文献１参照）、ピエゾ抵抗式（例えば、特許文献２参照）、ガス式（例えば、特許文献３、特許文献４、特許文献５参照）が知られている。
【0003】
静電容量式とピエゾ抵抗式は、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）素子を用いた加速度センサである。より詳細には、ＭＥＭＳ素子を利用することにより“機械的な可動部分”が半導体チップ中に形成される。そして、半導体チップの加速による当該可動部分の移動が、容量変化やピエゾ素子を通して検出される。但し、機械的な可動部分を形成しなければならないことは、歩留まりの低下を招き、製造コストの観点から好ましくない。
【0004】
ガス式の加速度センサの場合、半導体チップ内の空間にヒータ及び温度センサが設けられ、更に、その空間にガスが封入される。半導体チップの加速により、空間内のガスが移動し、ガスの温度分布が変化する。その温度分布の変化を温度センサで検出することにより、半導体チップの加速が検知される。このガス式加速度センサの場合、“機械的な可動部”は不要であり、歩留まり及び製造コストの観点から好ましい。
【0005】
尚、一般的なセンサに関連する技術として、次のものも知られている。特許文献６には、加速度センサのパッケージ全体をプリント基板に対して垂直に実装する方式が開示されている。特許文献７には、テーパー形状の基板上に磁気センサを配置する方式が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２０００−０４６８５９号公報
【特許文献2】特開平９−２３６６１６号公報
【特許文献3】ＵＳ特許第６１８２５０９号
【特許文献4】特開２００５−３５１８９２号公報
【特許文献5】特開２００８−３９５１９号公報
【特許文献6】特開平１１−２１１７５０号公報
【特許文献7】特開２００９−１２２０４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
従来のガス式加速度センサは、水平方向の加速度しか検知することができなかった。複数方向の加速度を検知することができるガス式加速度センサが望まれる。
【0008】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるだろう。
【課題を解決するための手段】
【0009】
一実施の形態において、半導体装置は、ガス式加速度センサと、ガス式加速度センサが搭載された半導体パッケージと、を備える。ガス式加速度センサは、第１ヒータと、第１温度センサと、第２温度センサと、を備える。第１温度センサと第２温度センサは、第１ヒータを挟んで対向するように配置されている。第１温度センサと第２温度センサとの間をつなぐ方向は、半導体パッケージの底面に対して斜めである。
【発明の効果】
【0010】
複数方向の加速度を検知することができるガス式加速度センサが実現される。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【発明を実施するための形態】
【0012】
１．第１の実施の形態１−１．構成
図１は、第１の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す概念図である。半導体装置は、ガス式加速度センサ１０と、そのガス式加速度センサ１０が搭載された半導体パッケージ１００とを備えている。
【0013】
半導体パッケージ１００の底面は、以下、「パッケージ底面１１０」と参照される。以下の説明において、パッケージ底面１１０に平行な平面は、便宜上、ＸＹ平面と参照される。Ｘ方向とＹ方向は、ＸＹ平面を形成する方向（水平方向）であり、互いに直交する。Ｚ方向は、ＸＹ平面に垂直な方向（鉛直方向）であり、Ｘ方向及びＹ方向の各々と直交する。図１には、ＸＺ面内の構成が概念的に示されている。
【0014】
ガス式加速度センサ１０は、空間内のガスの温度分布の変化を検出することにより、半導体装置の加速度を検知する。より詳細には、ガス式加速度センサ１０は、空間内に配置されたヒータ２０、第１温度センサ３０−１及び第２温度センサ３０−２を備えている。ヒータ２０は、通電により熱を発生する。第１温度センサ３０−１と第２温度センサ３０−２は、熱源であるヒータ２０の両側に配置されている。言い換えれば、第１温度センサ３０−１と第２温度センサ３０−２は、ヒータ２０を挟んで対向するように配置されている。典型的には、第１温度センサ３０−１とヒータ２０との間隔は、第２温度センサ３０−２とヒータ２０との間隔と等しい。これら第１温度センサ３０−１及び第２温度センサ３０−２を用いることによって、空間内のガスの温度分布の変化を検出することができる。
【0015】
第１温度センサ３０−１と第２温度センサ３０−２との間をつなぐ方向は、以下、「Ｓ方向」と参照される。図１に示されるように、本実施の形態によれば、Ｓ方向は、パッケージ底面１１０（ＸＹ平面）に対して“斜め”である。つまり、Ｓ方向は、ＸＺ面内において、Ｘ方向とＺ方向の両方に交差する。よって、第１温度センサ３０−１と第２温度センサ３０−２のそれぞれの位置は、Ｘ方向において異なるだけでなく、Ｚ方向においても異なることになる。これによる作用、効果を以下に説明する。
【0016】
１−２．作用、効果図２は、半導体装置に加速がかかっていない状態（例：静止状態）での温度分布を示している。縦軸が温度を表し、横軸がＳ方向における位置を表している。この状態では、ヒータ２０の位置を中心とした対称的な温度分布が形成される。
【0017】
図３Ａは、半導体装置に「−Ｘ方向の加速」がかかった状態を概念的に示している。図３Ｂは、図３Ａで示された状態での温度分布を示している。この場合、空間内のガスは、半導体装置の動きに追従できない。そのため、空間内においては、加速方向Ａ（−Ｘ方向）とは逆方向（＋Ｘ方向）にガスの流れ（相対的な動き）が発生する。空間内で＋Ｘ方向に熱いガスが流れるため、温度分布も＋Ｘ方向に偏る。結果として、第２温度センサ３０−２の位置では温度が上昇し、その一方で、第１温度センサ３０−１の位置では温度が低下する。第１温度センサ３０−１及び第２温度センサ３０−２を用いることにより、このような温度変化のパターンを検出することができる。逆に言えば、このような温度変化のパターンの検出から、「−Ｘ方向の加速」を検知することができる。
【0018】
半導体装置に「＋Ｘ方向の加速」がかかった場合、検出される温度変化のパターンは、図３Ｂで示されたものと逆になる。従って、「−Ｘ方向の加速」と「＋Ｘ方向の加速」とを区別することができる。
【0019】
図４Ａは、半導体装置に「−Ｚ方向の加速」がかかった状態を概念的に示している。図４Ｂは、図４Ａで示された状態での温度分布を示している。この場合、空間内のガスは、半導体装置の動きに追従できない。そのため、空間内においては、加速方向Ａ（−Ｚ方向）とは逆方向（＋Ｚ方向）にガスの流れ（相対的な動き）が発生する。空間内で＋Ｚ方向に熱いガスが流れるため、温度分布も＋Ｚ方向に偏る。結果として、第２温度センサ３０−２の位置では温度が上昇し、その一方で、第１温度センサ３０−１の位置では温度が低下する。第１温度センサ３０−１及び第２温度センサ３０−２を用いることにより、このような温度変化のパターンを検出することができる。逆に言えば、このような温度変化のパターンの検出から、「−Ｚ方向の加速」を検知することができる。
【0020】
半導体装置に「＋Ｚ方向の加速」がかかった場合、検出される温度変化のパターンは、図４Ｂで示されたものと逆になる。従って、「−Ｚ方向の加速」と「＋Ｚ方向の加速」とを区別することができる。
【0021】
このように、本実施の形態のガス式加速度センサ１０によれば、簡易な構成で、Ｘ方向とＺ方向の２方向の加速度を検知することができる。それは、第１温度センサ３０−１と第２温度センサ３０−２のそれぞれの位置が、Ｘ方向において異なっているだけでなく、Ｚ方向においても異なっているからである。すなわち、Ｓ方向が、パッケージ底面１１０に対して“斜め”になっているからである。
【0022】
製品において、半導体パッケージ１００は水平に搭載されることが多い。つまり、パッケージ底面１１０は水平面に平行であることが多い。その場合、本実施の形態に係るガス式加速度センサ１０は、水平方向と垂直方向の２方向の加速度を検知可能であると言える。
【0023】
１−３．パッケージ構成例図５は、パッケージ構成の一例を概念的に示している。図５において、半導体パッケージ１００には半導体チップ４０が搭載されている。その半導体チップ４０内に、本実施の形態に係るガス式加速度センサ１０が形成されている。
【0024】
より詳細には、基板４１上に下部絶縁膜４２が形成されている。下部絶縁膜４２の端部上には側壁絶縁膜４３が形成されている。側壁絶縁膜４３上には上部絶縁膜４４が形成されている。これら下部絶縁膜４２、側壁絶縁膜４３及び上部絶縁膜４４で囲まれるように空間４５が形成されている。その空間４５の内部にはガスが封入されている。ヒータ２０、第１温度センサ３０−１及び第２温度センサ３０−２は、その空間４５内に設けられており、下部絶縁膜４２上に形成されている。尚、ヒータ２０、第１温度センサ３０−１及び第２温度センサ３０−２は、メタル配線で実現される。そのメタル配線の材料としては、ＡｌやＣｕが挙げられる。また、各絶縁膜の材料としては、シリコン酸化膜やポリイミドが挙げられる。基板４１の材質としては、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＮ等が挙げられる。
【0025】
図５に示されるように、半導体チップ４０は、パッケージ底面１１０に対して“斜め”に搭載されている。これにより、第１温度センサ３０−１と第２温度センサ３０−２との間をつなぐＳ方向も、パッケージ底面１１０に対して“斜め”になる。
【0026】
更に、リードが用いられるパッケージ種の場合を考える。図５に示されるように、半導体チップ４０は、リードアイランド上に搭載され、また、リード１５０と電気的に接続される。そのリード１５０は、半導体パッケージ１００の側面１２０から突出している。ここで、半導体チップ４０が“斜め”に搭載される場合、それは、側面１２０から突出しているリード１５０の外観にも影響を与える。具体的には、図５に示されるように、側面１２０からのリード１５０の突出方向が、パッケージ底面１１０に対して“斜め”になる。逆に言えば、図５に示されるようなリード１５０の外観からは、半導体チップ４０が“斜め”に搭載されていることが推定される。
【0027】
尚、パッケージ種は、リード１５０が用いられるものに限られない。ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）パッケージ等も本実施の形態に適用可能である。
【0028】
図６は、パッケージ構成の他の例を概念的に示している。本例において、半導体チップ４０は、“斜め”には搭載されず、通常通り、パッケージ底面１１０と平行に搭載される。その代わり、スロープ形状の補助絶縁膜４６が、空間４５内の下部絶縁膜４２上に形成されている。そして、ヒータ２０、第１温度センサ３０−１及び第２温度センサ３０−２は、その補助絶縁膜４６上に形成されている。このような構成によっても、本実施の形態に係る斜め配置が実現される。
【0029】
図７は、パッケージ構成の更に他の例を概念的に示している。図６で示された例と比較して、補助絶縁膜４６が、スロープ形状ではなく階段形状を有している。そして、ヒータ２０、第１温度センサ３０−１及び第２温度センサ３０−２が、それぞれ別の段上に形成されている。このような構成によっても、本実施の形態に係る斜め配置が実現される。
【0030】
２．第２の実施の形態第１の実施の形態では、温度変化のパターンが、「−Ｘ方向の加速」の場合（図３Ｂ）と「−Ｚ方向の加速」の場合（図４Ｂ）とで同じであった。第２の実施の形態では、それらを区別することができる技術を提案する。尚、第１の実施の形態と重複する説明は、適宜省略する。
【0031】
２−１．構成図８は、第２の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す概念図である。図８に示されるように、第２の実施の形態に係るガス式加速度センサ１０は、第１ヒータ２０−１、第２ヒータ２０−２、第１温度センサ３０−１、第２温度センサ３０−２、第３温度センサ３０−３及び第４温度センサ３０−４を備えている。
【0032】
第１温度センサ３０−１と第２温度センサ３０−２は、第１ヒータ２０−１の両側に配置されている。言い換えれば、第１温度センサ３０−１と第２温度センサ３０−２は、第１ヒータ２０−１を挟んで対向するように配置されている。典型的には、第１温度センサ３０−１と第１ヒータ２０−１との間隔は、第２温度センサ３０−２と第１ヒータ２０−１との間隔と等しい。また、第１温度センサ３０−１と第２温度センサ３０−２との間をつなぐ方向は、以下、「Ｓ１方向」と参照される。このＳ１方向は、パッケージ底面１１０に対して“斜め”である。つまり、Ｓ１方向は、ＸＺ面内において、Ｘ方向とＺ方向の両方に交差する。
【0033】
第３温度センサ３０−３と第４温度センサ３０−４は、第２ヒータ２０−２の両側に配置されている。言い換えれば、第３温度センサ３０−３と第４温度センサ３０−４は、第２ヒータ２０−２を挟んで対向するように配置されている。典型的には、第３温度センサ３０−３と第２ヒータ２０−２との間隔は、第４温度センサ３０−４と第２ヒータ２０−２との間隔と等しい。また、第３温度センサ３０−３と第４温度センサ３０−４との間をつなぐ方向は、以下、「Ｓ２方向」と参照される。このＳ２方向は、パッケージ底面１１０に対して“斜め”である。つまり、Ｓ２方向は、ＸＺ面内において、Ｘ方向とＺ方向の両方に交差する。
【0034】
ここで、本実施の形態によれば、Ｓ１方向とＳ２方向は、“山”あるいは“谷”を形成するような関係にある。より正確に言えば、次の通りである。Ｘ方向において、第１温度センサ３０−１、第２温度センサ３０−２、第３温度センサ３０−３及び第４温度センサ３０−４は、この順番で配置されている。Ｚ方向において、第１温度センサ３０−１から第２温度センサ３０−２へ向かう方向（図８の例では−Ｚ方向）は、第３温度センサ３０−３から第４温度センサ３０−４へ向かう方向（図８の例では＋Ｚ方向）の逆である。これによる作用、効果を以下に説明する。
【0035】
２−２．作用、効果図９は、半導体装置に加速がかかっていない状態（例：静止状態）での温度分布を示している。縦軸が温度を表し、横軸がＳ１方向あるいはＳ２方向における位置を表している。この状態では、Ｓ１方向に関して第１ヒータ２０−１の位置を中心とした対称的な温度分布が形成され、Ｓ２方向に関して第２ヒータ２０−２の位置を中心とした対称的な温度分布が形成される。
【0036】
図１０Ａは、半導体装置に「−Ｘ方向の加速」がかかった状態を概念的に示している。図１０Ｂは、図１０Ａで示された状態での温度分布を示している。この場合、空間内のガスは、半導体装置の動きに追従できない。そのため、空間内においては、加速方向Ａ（−Ｘ方向）とは逆方向（＋Ｘ方向）にガスの流れ（相対的な動き）が発生する。その結果、Ｓ１方向の温度分布に関して、第２温度センサ３０−２の位置では温度が上昇し、その一方で、第１温度センサ３０−１の位置では温度が低下する。また、Ｓ２方向の温度分布に関して、第４温度センサ３０−４の位置では温度が上昇し、その一方で、第３温度センサ３０−３の位置では温度が低下する。第１温度センサ３０−１、第２温度センサ３０−２、第３温度センサ３０−３及び第４温度センサ３０−４を用いることにより、このような温度変化のパターンを検出することができる。逆に言えば、このような温度変化のパターンの検出から、「−Ｘ方向の加速」を検知することができる。
【0037】
半導体装置に「＋Ｘ方向の加速」がかかった場合、検出される温度変化のパターンは、図１０Ｂで示されたものと逆になる。従って、「−Ｘ方向の加速」と「＋Ｘ方向の加速」とを区別することができる。
【0038】
図１１Ａは、半導体装置に「−Ｚ方向の加速」がかかった状態を概念的に示している。図１１Ｂは、図１１Ａで示された状態での温度分布を示している。この場合、空間内のガスは、半導体装置の動きに追従できない。そのため、空間内においては、加速方向Ａ（−Ｚ方向）とは逆方向（＋Ｚ方向）にガスの流れ（相対的な動き）が発生する。その結果、Ｓ１方向の温度分布に関して、第１温度センサ３０−１の位置では温度が上昇し、その一方で、第２温度センサ３０−２の位置では温度が低下する。また、Ｓ２方向の温度分布に関して、第４温度センサ３０−４の位置では温度が上昇し、その一方で、第３温度センサ３０−３の位置では温度が低下する。第１温度センサ３０−１、第２温度センサ３０−２、第３温度センサ３０−３及び第４温度センサ３０−４を用いることにより、このような温度変化のパターンを検出することができる。逆に言えば、このような温度変化のパターンの検出から、「−Ｚ方向の加速」を検知することができる。
【0039】
半導体装置に「＋Ｚ方向の加速」がかかった場合、検出される温度変化のパターンは、図１１Ｂで示されたものと逆になる。従って、「−Ｚ方向の加速」と「＋Ｚ方向の加速」とを区別することができる。
【0040】
このように本実施の形態によれば、検出される温度変化のパターンが、「−Ｘ方向の加速」の場合（図１０Ｂ）と「−Ｚ方向の加速」の場合（図１１Ｂ）とで異なる。従って、それらをも区別することができる。すなわち、第１の実施の形態と比較して、検出精度が更に向上する。
【0041】
２−３．パッケージ構成例図１２は、パッケージ構成の一例を概念的に示している。図１２において、半導体パッケージ１００には２個の半導体チップ４０（第１半導体チップ４０−１、第２半導体チップ４０−２）が搭載されている。
【0042】
第１半導体チップ４０−１は、既出の図５で示された半導体チップ４０と同様の構造を有している。この第１半導体チップ４０−１には、第１ヒータ２０−１、第１温度センサ３０−１及び第２温度センサ３０−２が形成されている。また、第１半導体チップ４０−１は、パッケージ底面１１０に対して“斜め”に搭載されている。これにより、第１温度センサ３０−１と第２温度センサ３０−２との間をつなぐＳ１方向も、パッケージ底面１１０に対して“斜め”になる。
【0043】
第２半導体チップ４０−２は、既出の図５で示された半導体チップ４０と同様の構造を有している。この第２半導体チップ４０−２には、第２ヒータ２０−２、第３温度センサ３０−３及び第４温度センサ３０−４が形成されている。また、第２半導体チップ４０−２は、パッケージ底面１１０に対して“斜め”に搭載されている。これにより、第３温度センサ３０−３と第４温度センサ３０−４との間をつなぐＳ２方向も、パッケージ底面１１０に対して“斜め”になる。
【0044】
リードが用いられるパッケージ種の場合、既出の図５の場合と同様に、半導体パッケージ１００の側面１２０からのリード１５０の突出方向が、パッケージ底面１１０に対して“斜め”になる。但し、パッケージ種は、リード１５０が用いられるものに限られない。ＢＧＡパッケージ等も本実施の形態に適用可能である。
【0045】
図１３は、パッケージ構成の他の例を概念的に示している。本例では、半導体パッケージ１００には１個の半導体チップ４０が搭載されている。その半導体チップ４０は、“斜め”には搭載されず、通常通り、パッケージ底面１１０と平行に搭載される。その代わり、スロープ形状の補助絶縁膜４６が、空間４５内の下部絶縁膜４２上に形成されている。Ｓ１方向の傾きを有する補助絶縁膜４６上には、第１ヒータ２０−１、第１温度センサ３０−１及び第２温度センサ３０−２が形成されている。一方、Ｓ２方向の傾きを有する補助絶縁膜４６上には、第２ヒータ２０−２、第３温度センサ３０−３及び第４温度センサ３０−４が形成されている。このような構成によっても、本実施の形態に係る斜め配置が実現される。
【0046】
図１４は、パッケージ構成の更に他の例を概念的に示している。図１３で示された例と比較して、補助絶縁膜４６が、スロープ形状ではなく階段形状を有している。そして、第１ヒータ２０−１、第１温度センサ３０−１及び第２温度センサ３０−２が、それぞれ別の段上に形成されている。また、第２ヒータ２０−２、第３温度センサ３０−３及び第４温度センサ３０−４が、それぞれ別の段上に形成されている。このような構成によっても、本実施の形態に係る斜め配置が実現される。
【0047】
図１５は、パッケージ構成の更に他の例を概念的に示している。既出の図１２で示された例と比較して、第１半導体チップ４０−１と第２半導体チップ４０−２とで上部絶縁膜４４が共通化されている。より詳細には、Ｓ１方向の傾きを有する第１半導体チップ４０−１の第１基板４１−１上に、第１下部絶縁膜４２−１が形成されている。また、Ｓ２方向の傾きを有する第２半導体チップ４０−２の第２基板４１−２上に、第２下部絶縁膜４２−２が形成されている。そして、第１下部絶縁膜４２−１、第２下部絶縁膜４２−２及び共通の上部絶縁膜４４で囲まれるように空間４５が形成されている。第１ヒータ２０−１、第１温度センサ３０−１及び第２温度センサ３０−２は、Ｓ１方向の傾きを有する第１下部絶縁膜４２−１上に形成されている。一方、第２ヒータ２０−２、第３温度センサ３０−３及び第４温度センサ３０−４は、Ｓ２方向の傾きを有する第２下部絶縁膜４２−２上に形成されている。このような構成によっても、本実施の形態に係る斜め配置が実現される。
【0048】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【0049】
１０ ガス式加速度センサ２０ ヒータ
２０−１ 第１ヒータ
２０−２ 第２ヒータ
３０−１ 第１温度センサ
３０−２ 第２温度センサ
３０−３ 第３温度センサ
３０−４ 第４温度センサ
４０ 半導体チップ
４０−１ 第１半導体チップ
４０−２ 第２半導体チップ
４１ 基板
４１−１ 第１基板
４１−２ 第２基板
４２ 下部絶縁膜
４２−１ 第１下部絶縁膜
４２−２ 第２下部絶縁膜
４３ 側壁絶縁膜
４４ 上部絶縁膜
４５ 空間
４６ 補助絶縁膜
１００ 半導体パッケージ
１１０ パッケージ底面
１２０ パッケージ側面
１５０ リード