特許 5918809 配線基板の製造方法および配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5918809

(24)【登録日】2016年4月15日

(45)【発行日】2016年5月18日

(54)【発明の名称】配線基板の製造方法および配線基板

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/12 20060101AFI20160428BHJP

   H05K 3/28 20060101ALI20160428BHJP

【ＦＩ】

   H01L23/12 F

   H01L23/12 D

   H05K3/28 B

【請求項の数】7

【全頁数】13

(21)【出願番号】特願2014-138850(P2014-138850)

(22)【出願日】2014年7月4日

(65)【公開番号】特開2016-18815(P2016-18815A)

(43)【公開日】2016年2月1日

【審査請求日】2014年7月7日

(73)【特許権者】

【識別番号】592214450

【氏名又は名称】株式会社イースタン

(74)【代理人】

【識別番号】110001726

【氏名又は名称】特許業務法人綿貫国際特許・商標事務所

(72)【発明者】

【氏名】成沢 良明

【審査官】 多田 幸司

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００９−１９４０７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２００９／１０４５０６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２００１−２６７４５２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−１４１０１８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００１−１３３９７４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２３／１２−２３／１５

Ｈ０５Ｋ １／１８

Ｈ０５Ｋ ３／２８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

（ａ）第１表面領域と、該第１表面領域の周囲の第２表面領域とを有し、配線が形成された基体を準備する工程と、
（ｂ）前記第１表面領域を覆うレジストを形成する工程と、
（ｃ）前記レジストを内包するように、前記第１および第２表面領域を樹脂体で覆う工程と、
（ｄ）前記樹脂体から前記レジストを露出させる工程と、
（ｅ）露出した前記レジストを除去することで、前記第１表面領域における前記基体を露出させる樹脂開口部を前記樹脂体に形成する工程と
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板の製造方法において、
前記（ｄ）工程では、前記樹脂体を半硬化の状態で用い、
前記（ｄ）工程の後、前記（ｅ）工程の前に、前記樹脂体を完全に硬化する。

【請求項3】

請求項１または２記載の配線基板の製造方法において、
前記（ｂ）工程では、前記レジストとして感光性樹脂を用い、
前記（ｃ）工程では、前記樹脂体として感熱性樹脂を用いる。

【請求項4】

請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法において、
前記（ａ）工程では、前記配線と電気的に接続された電極パッドが前記第１表面領域に形成された前記基板を準備し、
前記（ｅ）工程では、前記樹脂開口部から前記電極パッドを露出させる。

【請求項5】

請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法において、
（ｆ）前記（ｃ）工程の後、前記（ｄ）工程の前に、前記第１表面領域の上方に第１開口部を有するマスクを前記樹脂体上に形成する工程を更に含み、
前記（ｄ）工程では、前記レジストを露出させるまで前記第１開口部から前記樹脂体を除去し、
前記（ｄ）工程の後、前記マスクを除去する。

【請求項6】

請求項５記載の配線基板の製造方法において、
前記（ｆ）工程では、前記第１開口部の前記レジストに対する面積が該レジストよりも大きい前記マスクを用い、
前記（ｄ）工程では、前記レジスト上の前記樹脂体の部分と、該部分の周囲部分とを除去し、
前記（ｅ）工程では、前記樹脂開口部において該樹脂開口部の底面側より開口側が大きくなる段差を形成する。

【請求項7】

請求項５または６記載の配線基板の製造方法において、
前記（ａ）工程では、前記第１表面領域とは異なる第３表面領域と、該第３表面領域の周囲の第４表面領域とを更に有する前記基板を準備し、
前記（ｃ）工程では、前記第１および第２表面領域と共に、前記第３および第４表面領域を前記樹脂体で覆い、
前記（ｆ）工程では、前記第３表面領域の上方に第２開口部を更に有する前記マスクを前記樹脂体上に形成し、
前記（ｄ）工程では、前記第２開口部から前記樹脂体を除去し、樹脂凹部を前記樹脂体に形成する。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板の製造技術に適用して有効な技術に関する。

【背景技術】

【0002】

特開２０１０−１９９２４０号公報（以下、「特許文献１」という。）には、配線基板の製造技術が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１０−１９９２４０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

半導体素子（半導体チップ）の高密度化、小型化、薄型化が進むにつれて、半導体素子を保持する配線基板の薄型化、高密度化が要求されるようになり、配線基板の直進性、剛性を確保するのが困難になっている。例えば、特許文献１に記載の技術によれば、配線基板の最表層として絶縁性樹脂を密着させることで、反りを抑制し、剛性のある配線基板を製造することが可能となる。

【0005】

しかしながら、半導体素子用の接続端子開口部など所望形状の樹脂開口部を形成するにあたり、特許文献１に記載の技術のようなレーザ照射による形成では、生産性が悪く、コストを削減するのが困難である。また、レーザ照射では、例えば、最表層の絶縁性樹脂に段差を付けるなどの特異的な形状を形成することが困難である。

【0006】

本発明の目的は、容易に所望形状の樹脂開口部を形成することのできる技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

【0008】

本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法は、（ａ）第１表面領域と、該第１表面領域の周囲の第２表面領域とを有し、配線が形成された基体を準備する工程と、（ｂ）前記第１表面領域を覆うレジストを形成する工程と、（ｃ）前記レジストを内包するように、前記第１および第２表面領域を樹脂体で覆う工程と、（ｄ）前記樹脂体から前記レジストを露出させる工程と、（ｅ）露出した前記レジストを除去することで、前記第１表面領域における前記基体を露出させる樹脂開口部を前記樹脂体に形成する工程とを含むことを特徴とする。これによれば、レジストの形状が型となって、容易に所望形状の樹脂開口部を樹脂体に形成することができる。

【0009】

前記一実施形態に係る配線基板の製造方法において、前記（ｄ）工程では、前記樹脂体を半硬化の状態で用い、前記（ｄ）工程の後、前記（ｅ）工程の前に、前記樹脂体を完全に硬化することがより好ましい。これによれば、（ｄ）工程では、樹脂体が半硬化状態であるため、容易に前記樹脂体の一部を除去してレジストを露出させることができる。また、（ｅ）工程では、樹脂体が完全に硬化した状態であるため、レジストを除去する際の樹脂体が受けるダメージを低減させることができる。

【0010】

また、前記一実施形態に係る配線基板の製造方法において、前記（ｂ）工程では、前記レジストとして感光性樹脂を用い、前記（ｃ）工程では、前記樹脂体として感熱性樹脂を用いることがより好ましい。これによれば、異なる樹脂材料を用いることで選択比を高くし、生産性を向上させることができる。

【0011】

また、前記一実施形態に係る配線基板の製造方法において、前記（ａ）工程では、前記配線と電気的に接続された電極パッドが前記第１表面領域に形成された前記基板を準備し、前記（ｅ）工程では、前記樹脂開口部から前記電極パッドを露出させることがより好ましい。これによれば、容易に電極パッドを露出させることができる。

【0012】

また、前記一実施形態に係る配線基板の製造方法において、（ｆ）前記（ｃ）工程の後、前記（ｄ）工程の前に、前記第１表面領域の上方に第１開口部を有するマスクを前記樹脂体上に形成する工程を更に含み、前記（ｄ）工程では、前記レジストを露出させるまで前記第１開口部から前記樹脂体を除去し、前記（ｄ）工程の後、前記マスクを除去することがより好ましい。これによれば、レジスト自身による形状と、マスクの第１開口部による形状とを組み合わせて特異的な形状の樹脂開口部を樹脂体に形成することができる。

【0013】

ここで、前記（ｆ）工程では、前記第１開口部の前記レジストに対する面積が該レジストよりも大きい前記マスクを用い、前記（ｄ）工程では、前記レジスト上の前記樹脂体の部分と、該部分の周囲部分とを除去し、前記（ｅ）工程では、前記樹脂開口部において該樹脂開口部の底面側より開口側が大きくなる段差を形成する。これによれば、段差のある樹脂開口部を樹脂体に形成することができる。

【0014】

また、前記（ａ）工程では、前記第１表面領域とは異なる第３表面領域と、該第３表面領域の周囲の第４表面領域とを更に有する前記基板を準備し、前記（ｃ）工程では、前記第１および第２表面領域と共に、前記第３および第４表面領域を前記樹脂体で覆い、前記（ｆ）工程では、前記第３表面領域の上方に第２開口部を更に有する前記マスクを前記樹脂体上に形成し、前記（ｄ）工程では、前記第２開口部から前記樹脂体を除去し、樹脂凹部を前記樹脂体に形成することがより好ましい。これによれば、樹脂開口部とは異なる形状の樹脂凹部を樹脂体に形成することができる。

【0015】

本発明の一実施形態に係る配線基板は、配線が形成され、該配線と電気的に接続された電極パッドを表面に有する基体と、前記電極パッドを露出する樹脂開口部を有し、前記基体の表面に形成された樹脂体とを備え、前記樹脂開口部は、前記樹脂体の表面から所定深さまでの第１樹脂開口部と、前記所定深さから前記基体の表面までの第２樹脂開口部とを有し、前記樹脂開口部には、前記第２樹脂開口部の開口面積より前記第１樹脂開口部の開口面積が大きくなって段差が形成されることを特徴とする。これによれば、例えば、電極パッドにボンディングワイヤを接続する際に、樹脂開口部の開口縁でボンディングワイヤが接触し、電極パッドとの接続信頼性が低下するのを防止することができる。

【0016】

また、本発明の一実施形態に係る配線基板において、前記樹脂体は、前記樹脂開口部とは異なる位置で前記樹脂体の表面から前記所定深さまでの樹脂凹部を更に有することがより好ましい。これによれば、例えば、配線基板に実装された半導体素子に保護材を塗布したとしても、樹脂凹部がダムとなって、保護材が実装領域以外の樹脂体表面に広がるのを防止することができる。

【発明の効果】

【0017】

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次のとおりである。

【0018】

本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法によれば、レジストの形状が型となって、容易に所望形状の樹脂開口部を樹脂体に形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】本発明の実施形態１に係る製造工程中の配線基板の要部模式的断面図である。

【図2】図１に続く製造工程中の配線基板の要部模式的断面図である。

【図3】図２に続く製造工程中の配線基板の要部模式的断面図である。

【図4】図３に続く製造工程中の配線基板の要部模式的断面図である。

【図5】図４に続く製造工程中の配線基板の要部模式的断面図である。

【図6】図５に続く製造工程中の配線基板の要部模式的断面図である。

【図7】本発明の実施形態２に係る製造工程中の配線基板の要部模式的断面図である。

【図8】図７に続く製造工程中の配線基板の要部模式的断面図である。

【図9】図８に続く製造工程中の配線基板の要部模式的断面図である。

【図10】図９に続く製造工程中の配線基板の要部模式的断面図である。

【図11】図１０に続く製造工程中の配線基板の要部模式的断面図である。

【図12】本発明の実施形態２に係る配線基板を備えた半導体装置の一例の要部模式的断面図である。

【図13】本発明の実施形態２に係る配線基板を備えた半導体装置の他の一例の要部模式的断面図である。

【図14】本発明の実施形態３に係る製造工程中の配線基板の要部模式的断面図である。

【図15】図１４に続く製造工程中の配線基板の要部模式的断面図である。

【図16】図１５に続く製造工程中の配線基板の要部模式的断面図である。

【図17】本発明の実施形態３に係る配線基板の変形例の要部模式的断面図である。

【図18】本発明の実施形態３に係る配線基板の変形例の要部模式的断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0020】

以下の本発明における実施形態では、必要な場合に複数のセクションなどに分けて説明するが、原則、それらはお互いに無関係ではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細などの関係にある。このため、全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、構成要素の数（個数、数値、量、範囲などを含む）については、特に明示した場合や原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。また、構成要素などの形状に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合などを除き、実質的にその形状などに近似または類似するものなどを含むものとする。

【0021】

（実施形態１）
本発明の実施形態１に係る配線基板１０の製造方法について、図１〜図６を参照して説明する。図１〜図６は、本実施形態に係る製造工程中の配線基板１０の要部模式的断面図である。なお、この配線基板１０の表面（実装面）に電子部品（例えば、半導体素子、チップコンデンサなど）が実装されて、半導体装置（半導体パッケージ）が構成される。

【0022】

まず、図１に示すように、第１表面領域１２と、第１表面領域１２の周囲の第２表面領域１４とを有し、配線１６が形成された基体１８を準備する。基体１８は、例えば、ガラスクロスを内包したコア基板を用いずに、絶縁層の間に回路を構成するための複数の配線層がビアを介して電気的に接続（回路形成）された、いわゆるコアレス基板である。本実施形態では、配線層の１層を構成する配線１６（例えば、銅配線）を基体１８の表面で露出する最上層（最外層）として説明する。

【0023】

第１表面領域１２は、後述するが、樹脂開口部２４（図６参照）が形成される領域（露出領域）で、第２表面領域１４は、樹脂開口部２４が形成されない領域（被覆領域）となる。このため、第１表面領域１２にある配線１６は、例えば、実装される電子部品と接続するための電極パッド（接続端子）や、外部に露出させたい配線パターンとなる。

【0024】

続いて、基体１８に表面処理を施した後、図２に示すように、第１表面領域１２および第２表面領域１４を覆うレジスト２０を形成する。レジスト２０は、例えば、感光性レジスト（ドライフィルム、液状レジストなど）である。ドライフィルムでのレジスト２０は、第１表面領域１２および第２表面領域１４の配線１６を内包する（埋め込む）ように基体１８の表面に張り付けられる（付着される）。

【0025】

続いて、図３に示すように、レジスト２０をパターニングして、第１表面領域１２のみを覆うレジスト２０を形成する。具体的には、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、図２に示す状態のレジスト２０に対して露光および現像を行い、図３に示すパターニングされたレジスト２０を形成する。このパターニングされたレジスト２０の形状（例えば、円柱形状）は、後で形成される樹脂開口部２４の形状を構成するものとなる。なお、露光および現像工程を経たレジスト２０は、完全に硬化されたものとなる。

【0026】

続いて、図４に示すように、レジスト２０を内包する（埋め込む）ように、第１表面領域１２および第２表面領域１４を樹脂体２２で覆う。樹脂体２２は、例えば、感熱性樹脂（例えば、シート状のエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂などの熱硬化性樹脂）である。シート状熱硬化性樹脂での樹脂体２２は、第１表面領域１２のレジスト２０および第２表面領域１４の配線１６を内包する（埋め込む）ように基体１８の表面に張り付けられ（密着される）、半硬化（Ｂステージ）の状態となるように熱が加えられる。

【0027】

続いて、図５に示すように、例えば、物理的研磨や化学的研磨によって樹脂体２２からレジスト２０を露出させる。具体的には、樹脂体２２の表面（上面）側からレジスト２０側へ向かって研削したり、エッチング液（樹脂体２２がエポキシ系樹脂ならば、例えば、過マンガン酸塩エッチング液など）を用いてエッチングしたりして、レジスト２０の表面（上面）を露出させる。ここで、樹脂体２２が半硬化状態であるため、容易に樹脂体２２の一部を除去してレジスト２０を露出させることができる。

【0028】

次いで、レジスト２０が露出した半硬化状態の樹脂体２２を完全に硬化させる。樹脂体２２が熱硬化性樹脂であるならば、熱硬化される。

【0029】

続いて、図６に示すように、例えば、エッチングや剥離によって、露出しているレジスト２０を樹脂体２２に対して選択的に除去することで、第１表面領域１２における基体１８を露出させる樹脂開口部２４を樹脂体２２に形成する。本実施形態では、レジスト２０として感光性樹脂材料を用い、樹脂体２２として感光性樹脂材料とは異なる感熱性樹脂材料を用いているので、選択比を高くすることができ、生産性を向上させることができる。

【0030】

具体的には、レジスト２０の表面（上面）側から基体１８の表面側に向かってエッチング液（レジスト２０がドライフィルムならば、例えば、アンモニア系アルカリエッチング液）を用いてエッチングしたり、物理的にレジスト２０を剥離させたりして、基体１８の第１表面領域１２を露出させる。ここで、樹脂体２２が完全に硬化した状態であるため、レジスト２０を除去する際の樹脂体２２が受けるダメージを低減させることができる。

【0031】

このようにして、配線基板１０が略完成する。第１表面領域１２では、例えば電極パッドとして用いられる配線１６が樹脂体２２の樹脂開口部２４から露出する。また、第２表面領域１４では、外部に露出させずに保護される配線１６が樹脂体２２で内包される。すなわち、本実施形態によれば、配線基板１０において露出させたくない部分が、配線基板１０の表面保護層としての樹脂体２２（例えば、エポキシ系樹脂）により覆われているため、基板剛性が確保され、反りが抑制された配線基板１０を提供することができる。

【0032】

また、本実施形態によれば、レジスト２０の形状が樹脂開口部２４の型となるため、特許文献１に記載のようなレーザ加工技術を用いなくとも、容易に所望形状の樹脂開口部２４を樹脂体２２に形成することができる。そして、この樹脂開口部２４から電極パッドとなる第１表面領域１２の配線１６を容易に露出させることができる。

【0033】

（実施形態２）
本発明の実施形態２に係る配線基板１０の製造方法について、図７〜図１１を参照して説明する。図７〜図１１は、本実施形態に係る製造工程中の配線基板１０の要部模式的断面図である。

【0034】

まず、図７に示すように、第１表面領域１２と、第１表面領域１２の周囲の第２表面領域１４と、第１表面領域１２とは異なる第３表面領域２６と、第３表面領域２６の周囲の第４表面領域２８を有し、配線１６が形成された基体１８を準備する。ここでの第１表面領域１２と第３表面領域２６との間では、第２表面領域１４と第４表面領域２８とが重複している。そして、前記実施形態１において、図１〜図４を参照して説明した工程を経ることで、レジスト２０を内包するように、第１表面領域１２、第２表面領域１４、第３表面領域２６および第４表面領域２８を覆う樹脂体２２を基体１８の表面に形成する。

【0035】

次いで、図７に示すように、樹脂体２２上にマスク３０を形成する。マスク３０は、例えば、メタルマスク（例えば、銅、アルミニウムなど）である。例えば、銅箔でのマスク３０は、第１表面領域１２、第２表面領域１４、第３表面領域２６および第４表面領域２８を覆うように樹脂体２２の表面に貼り付けられる。

【0036】

続いて、図８に示すように、第１表面領域１２の上方に所望の大きさの第１開口部３２と、第３表面領域２６の上方に所望の大きさの第２開口部３４とを有するマスク３０を樹脂体２２上に形成する。具体的には、フォトリソグラフィ技術（露光）およびエッチング技術（現像）を用いて、ガイドエッチ（ガイドパターン開口）をマスク３０上に形成して、マスク３０を所望の形状にパターニングする。ここで、第１開口部３２は、開口面積（レジスト２０に対する面積）がレジスト２０（すなわち、第１表面領域１２）よりも大きくなるように形成される。

【0037】

続いて、図９に示すように、マスク３０を用いて、例えば、物理的研磨や化学的研磨によって、レジスト２０を露出させるまで第１開口部３２から樹脂体２２の一部を除去する。樹脂体２２の一部としては、レジスト２０上の樹脂体２２の部分およびこの周囲部分が該当する。この際、第２開口部３４からも樹脂体２２の一部を除去し、樹脂凹部３６を樹脂体２２に形成する。

【0038】

例えば、マスク３０の第１開口部３２、第２開口部３４から露出する樹脂体２２の表面（上面）側からレジスト２０側へ向かって、エッチング液（樹脂体２２がエポキシ系樹脂ならば、例えば、過マンガン酸塩エッチング液など）を用いてエッチングする。ここで、樹脂体２２が半硬化状態であるため、容易に樹脂体２２の一部を除去することができる。

【0039】

次いで、レジスト２２が露出した半硬化状態の樹脂体２２を完全に硬化させる。樹脂体２２が熱硬化性樹脂であるならば、熱硬化される。

【0040】

続いて、図１０に示すように、マスク３０を除去する。マスク３０が銅箔ならば、例えば、硫酸過酸化水素系のエッチング液や過硫酸塩素系のエッチング液などを用いたエッチングにより除去することができる。

【0041】

続いて、図１１に示すように、例えば、エッチングや剥離によって、露出しているレジスト２０を樹脂体２２に対して選択的に除去することで、第１表面領域１２における基体１８を露出させる樹脂開口部２４を樹脂体２２に形成する。この工程は、前記実施形態１において図６を参照して説明した工程と同様である。

【0042】

これにより、樹脂開口部２４において樹脂開口部２４の底面側より開口側が大きくなる段差が形成される。具体的には、樹脂開口部２４は、樹脂体２２の表面から所定深さｄ１までの第１樹脂開口部２４ａと、所定深さｄ１から基体１８の表面（所定深さｄ２）までの第２樹脂開口部２４ｂとを有する。そして、樹脂開口部２４には、第２樹脂開口部２４ｂの開口面積より第１樹脂開口部２４ａの開口面積が大きくなって段差が形成される。

【0043】

樹脂開口部２４の段差形状は、図９を参照して説明した工程において、物理的研磨や化学的研磨を行う深さを変えることで制御される。また、レジスト２０の厚み（深さｄ２に相当する）によっても樹脂開口部２４の段差形状を制御することができる。

【0044】

このようにして、配線基板１０が略完成する。本実施形態によれば、前記実施形態１と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態によれば、レジスト２０自身による形状と、マスク３０の第１開口部３２による形状とを組み合わせて特異的な形状の樹脂開口部２４を樹脂体２２に形成することができる。

【0045】

また、配線基板１０は、樹脂開口部２４とは異なる位置で樹脂体２２の表面から所定深さｄ１までの樹脂凹部３６を有する。例えば、この樹脂凹部３６は、電極パッドとなる配線１６が露出される樹脂開口部２４とは異なる位置で、電極パッドのない特性箇所に形成される。このように、配線基板１０には、樹脂開口部２４と異なる形状の樹脂凹部３６を樹脂体２２に形成することができる。すなわち、本実施形態によれば、配線基板１０の表面保護層としての樹脂体２２に、特異的な形状の加工を行うことができる。

【0046】

ここで、本実施形態に係る配線基板１０を用いて構成される半導体装置１００について、図１２を参照して説明する。図１２は、配線基板１０を備えた半導体装置１００の一例の要部模式的断面図である。

【0047】

図１２に示す配線基板１０は、実装領域においてチップ状の半導体素子１０１，１０２が積層された状態で実装される。半導体素子１０１は、半導体素子１０２よりもチップサイズが大きく、半導体素子１０２周囲の配線基板１０の表面と、半導体素子１０１との間には空間が形成される。この配線基板１０は、実装領域の周囲を平面視リング状に形成された樹脂凹部３６（周溝部）と、電極パッドとなる配線１６を露出する複数の樹脂開口部２４とを有する。

【0048】

配線基板１０に実装された半導体素子１０１は、その表面に形成された電極パッド（図示せず）と樹脂開口部２４で露出する配線１６（電極パッド）とをボンディングワイヤ１０３を介して、配線基板１０と電気的に接続される。本実施形態では、樹脂開口部２４が、第２樹脂開口部２４ｂの開口面積より第１樹脂開口部２４ａの開口面積が大きくなって段差が形成されている。すなわち、樹脂開口部２４の開口縁が広くなっている。このため、配線１６（電極パッド）にボンディングワイヤ１０３を接続する際に、樹脂開口部２４の開口縁でボンディングワイヤ１０３が接触し、配線１６（電極パッド）との接続信頼性が低下するのを防止することができる。

【0049】

そして、実装された半導体素子１０１，１０２を保護するために、実装領域における配線基板１０の表面と半導体素子１０１との間の空間を埋めるように、保護材１０４が塗布（アンダーフィル）される。本実施形態では、配線基板１０に平面視リング状の樹脂凹部３６が形成されているので、樹脂凹部３６がダムとなって、保護材１０４が配線基板１０（樹脂体２２）の実装領域以外の表面に広がるのを防止することができる。

【0050】

また、本実施形態に係る配線基板１０を用いて構成される半導体装置１０５について、図１３を参照して説明する。図１３は、配線基板１０を備えた半導体装置１０５の一例の要部模式的断面図である。

【0051】

図１３に示す配線基板１０は、実装領域においてチップ状の半導体素子１０６がフリップチップ実装される。この配線基板１０は、実装領域を露出する樹脂開口部２４と、実装領域の周囲を平面視リング状に形成された樹脂凹部３６（周溝部）とを有する。

【0052】

配線基板１０に実装された半導体素子１０６は、その主面（下面）に形成された複数の電極バンプ１０７と樹脂開口部２４で露出する複数の配線１６（電極パッド）とを接合して、配線基板１０と電気的に接続される。そして、実装された半導体素子１０６を保護するために、実装領域における配線基板１０の表面と半導体素子１０６との間の空間を埋めるように、保護材１０４が塗布（アンダーフィル）される。

【0053】

本実施形態では、樹脂開口部２４が、第２樹脂開口部２４ｂの開口面積より第１樹脂開口部２４ａの開口面積が大きくなって段差が形成されている。すなわち、樹脂開口部２４の開口縁が広くなっている。このため、第１樹脂開口部２４ａがダムとなって、保護材１０４が配線基板１０（樹脂体２２）の実装領域以外の表面に広がるのを防止することができる。また、本実施形態では、配線基板１０に平面視リング状の樹脂凹部３６が形成されているので、樹脂凹部３６もダムとなって、保護材１０４が配線基板１０（樹脂体２２）の実装領域以外の表面に広がるのをより防止することができる。

【0054】

（実施形態３）
本発明の実施形態３に係る配線基板１０の製造方法について、図１４〜図１６を参照して説明する。図１４〜図１６は、本実施形態に係る製造工程中の配線基板１０の要部模式的断面図である。なお、本実施形態に係る配線基板１０の製造方法は、前記実施形態２において、図７を参照して説明した工程までは同じ工程を経るため、以下では、それ以降の工程について説明する。

【0055】

図１４に示すように、第１表面領域１２の上方に所望の大きさの第１開口部３２と、第３表面領域２６の上方に所望の大きさの第２開口部３４とを有するマスク３０を樹脂体２２上に形成する。ここで、第１開口部３２は、開口面積（レジスト２０に対する面積）がレジスト２０（すなわち、第１表面領域１２）よりも大きくなるように形成するものの、図１４に示すように、第１開口部３２の一内周面（第２開口部３４側の内周面）は、レジスト２０の一側面に面合わせして形成される。

【0056】

続いて、図１５に示すように、マスク３０を用いて、例えば、物理的研磨や化学的研磨によって、レジスト２０を露出させるまで第１開口部３２から樹脂体２２の一部を除去すると共に、第２開口部３４からも樹脂体２２の一部を除去する。例えば、マスク３０の第１開口部３２、第２開口部３４から露出する樹脂体２２の表面（上面）側からレジスト２０側へ向かって、エッチング液を用いてエッチングする。

【0057】

次いで、レジスト２２が露出した半硬化状態の樹脂体２２は完全に硬化させた後、マスク３０を除去する。続いて、図１６に示すように、例えば、エッチングや剥離によって、露出しているレジスト２０を樹脂体２２に対して選択的に除去することで、第１表面領域１２における基体１８を露出させる樹脂開口部２４を樹脂体２２に形成する。これにより、樹脂開口部２４の底面側より開口側が大きくなる段差が、樹脂開口部２４の開口縁の一部（図１６では片側のみ）に形成される。

【0058】

このようにして、配線基板１０が略完成する。本実施形態によれば、前記実施形態１，２と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態によれば、レジスト２０自身による形状と、マスク３０の第１開口部３２による形状とを組み合わせて特異的な形状の樹脂開口部２４を樹脂体２２に形成することができる。

【0059】

さらに、本実施形態によれば、図１７および図１８に示すような配線基板１０を製造することもできる。図１７および図１８は、本実施形態に係る配線基板１０の変形例の要部模式的断面図である。これらのように、特異的な形状の樹脂開口部２４や樹脂凹部３６を組み合わせることができる。

【0060】

以上、本発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【0061】

例えば、前記実施形態１では、基体としてコアレス基板に適用した場合について説明した。これに限らず、一般的なコア基板を用いたビルドアップ基板（ガラスエポキシ基板）にも適用することができる。

【0062】

また、例えば、前記実施形態１では、第１表面領域を覆うレジストとしてドライフィルムのパターニング工程を経るものに適用した場合について説明した。これに限らず、印刷技術を用いて直接的に第１表面領域を覆うレジストにも適用することができる。

【0063】

また、例えば、前記実施形態１では、第１表面領域として、配線よりも広い領域を含むものに適用した場合について説明した。これに限らず、第１表面領域として配線よりも狭い領域にも適用することができ、例えば、配線上に樹脂開口部を形成して、電極パッドとして樹脂開口部から露出させることもできる。

【0064】

また、例えば、前記実施形態１では、レジストを除去して樹脂体に樹脂開口部を形成する前に、半硬化状態の樹脂体を完全に硬化させる場合について説明した。これに限らず、樹脂開口部を形成した後に、樹脂体を完全に硬化させることもできる。

【符号の説明】

【0065】

１０ 配線基板
１２ 第１表面領域
１４ 第２表面領域
１６ 配線
１８ 基体
２０ レジスト
２２ 樹脂体
２４ 樹脂開口部
２４ａ 第１樹脂開口部
２４ｂ 第２樹脂開口部
２６ 第３表面領域
２８ 第４表面領域
３０ マスク
３２ 第１開口部
３４ 第２開口部
３６ 樹脂凹部
１００ 半導体装置
１０１，１０２ 半導体素子
１０３ ボンディングワイヤ
１０４ 保護材
１０５ 半導体装置
１０６ 半導体素子
１０７ 電極バンプ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】