特許 5921333 加熱調理器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5921333

(24)【登録日】2016年4月22日

(45)【発行日】2016年5月24日

(54)【発明の名称】加熱調理器

(51)【国際特許分類】

   H05B 6/12 20060101AFI20160510BHJP

【ＦＩ】

   H05B6/12 317

   H05B6/12 303

   H05B6/12 305

【請求項の数】8

【全頁数】13

(21)【出願番号】特願2012-118341(P2012-118341)

(22)【出願日】2012年5月24日

(65)【公開番号】特開2013-246922(P2013-246922A)

(43)【公開日】2013年12月9日

【審査請求日】2014年12月11日

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】000006013

【氏名又は名称】三菱電機株式会社

(73)【特許権者】

【識別番号】000176866

【氏名又は名称】三菱電機ホーム機器株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001461

【氏名又は名称】特許業務法人きさ特許商標事務所

(72)【発明者】

【氏名】坂田 直也

【審査官】 宮崎 賢司

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１１−１９８５８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−２５８３３８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−２１０４２５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−１１７６４５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｂ ６／１２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

被加熱物が載置可能な天板と、
該天板の下方に配設され、高周波電流が流れることにより前記被加熱物を誘導加熱する加熱手段と、
該加熱手段に高周波電流を供給する、スイッチング素子を用いたインバーター回路を搭載した基板と、
前記加熱手段や前記基板を内包する本体と、を備え、
前記スイッチング素子を前記天板に熱的に結合するように、グリス又は樹脂膜を介して前記スイッチング素子の面積が最大の平面部で取り付けたことを特徴とする加熱調理器。

【請求項2】

複数の前記加熱手段を備え、
複数の前記加熱手段の中で、中心位置が最も本体後方側に位置する前記加熱手段の中心位置よりも後方で、前記スイッチング素子を前記天板に取り付けたことを特徴とする請求項１に記載の加熱調理器。

【請求項3】

少なくとも３つの前記加熱手段を備え、
前記天板に、３つの前記加熱手段に対応した被加熱物載置位置表示が設けられていて、３つの前記加熱手段の略中心を結ぶ線で囲まれた範囲よりも外側の範囲で、前記スイッチング素子を前記天板に取り付けたことを特徴とする請求項１に記載の加熱調理器。

【請求項4】

少なくとも３つの前記加熱手段を備え、
前記天板に、３つの前記加熱手段に対応した円形の被加熱物載置位置表示が設けられていて、３つの前記被加熱物載置位置表示の外径を接線で結んだ範囲よりも外側の範囲で、前記スイッチング素子を前記天板に取り付けたことを特徴とする請求項１に記載の加熱調理器。

【請求項5】

前記天板は、非磁性材からなるトッププレートと該トッププレートの周囲を覆うように設けられた金属材からなる枠体で構成され、前記スイッチング素子を前記枠体に熱的に結合するように取り付けたことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１つに記載の加熱調理器。

【請求項6】

前記天板は、非磁性材からなるトッププレートと、該トッププレートの周囲を覆うように設けられた金属材からなる枠体と、該枠体とは別体の金属材からなる補強板を備え、
前記スイッチング素子を前記補強板に熱的に結合するように取り付けたことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１つに記載の加熱調理器。

【請求項7】

前記本体内に、前記加熱手段や前記基板を冷却するための冷却手段を備え、前記冷却手段により発生した冷却風の一部が、前記天板の前記スイッチング素子を取り付けた位置あるいは前記スイッチング素子を取り付けた位置とその周辺に送風されるようにしたことを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れか１つに記載の加熱調理器。

【請求項8】

前記スイッチング素子はワイドバンドギャップ半導体であり、該ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドからなることを特徴とする請求項１乃至請求項７の何れか１つに記載の加熱調理器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、加熱調理器に関するものであり、詳しくはインバーター回路を構成するスイッチング素子を備えた加熱調理器に関するものである。

【背景技術】

【0002】

従来この種の加熱調理器として、「プリント基板上に配設された、加熱コイルを駆動するスイッチング素子、このスイッチング素子を冷却するヒートシンク、並びに上記スイッチング素子及び上記加熱コイル間の電気的な接続経路を構成する導体パターン及び複数のジャンパ線と、上記ヒートシンクに冷却風を通風する冷却ファンとを備え、上記複数のジャンパ線は、上記プリント基板上に上記冷却風の通風部分に互いに等間隔で平行に略逆Ｕ字型を形成するように突出されると共に、隣り合うジャンパ線を流れる電流の向きが逆となるように接続した。」という加熱調理器が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００８−２３５１２４号公報（要約、第１図）

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１の加熱調理器では、インバーター回路を構成するスイッチング素子の自己発熱によるチップ温度上昇を抑制するために高価な冷却フィンを必要としており、冷却フィン容量（大きさ）のために基板面積が大きくなってしまうという問題があった。

【0005】

本発明は、前述の課題を解決するためになされたもので、スイッチング素子の冷却構造を簡略化でき、小型で低コストの加熱調理器を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

課題を解決する本発明に係る加熱調理器は、被加熱物である調理容器が載置可能な天板と、天板の下方に配設され、高周波電流が流れることにより被加熱物を誘導加熱する加熱手段と、加熱手段に高周波電流を供給する、スイッチング素子を用いたインバーター回路を搭載した基板と、加熱手段や基板を内包する本体とを備え、スイッチング素子を天板に熱的に結合するように、グリス又は樹脂膜を介してスイッチング素子の面積が最大の平面部で取り付けたものである。

【発明の効果】

【0007】

本発明によれば、スイッチング素子を天板に熱的に結合するように取り付け、天板を放熱（冷却）部材として使用するようにしたので、スイッチング素子の冷却専用の部品が省略可能となり、基板面積を小さくすることができ加熱調理器の小型化および低コスト化を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明の実施の形態１に係る加熱調理器の構成を示す斜視図である。

【図2】本発明の実施の形態１に係る加熱調理器の構成を示す天板を外した状態の斜視図である。

【図3】本発明の実施の形態１に係る加熱調理器の正面側から見た概略断面図である。

【図4】本発明の実施の形態１に係る加熱調理器の一つの誘導加熱口の回路構成を示す図である。

【図5】（ａ）本発明の実施の形態１に係る加熱調理器のスイッチング素子取付け範囲の一例を示す概略図、（ｂ）本発明の実施の形態１に係る加熱調理器のスイッチング素子取付け範囲の他の一例を示す概略図である。

【図6】本発明の実施の形態２に係る加熱調理器の正面側から見た概略断面図である。

【図7】本発明の実施の形態３に係る加熱調理器の天板から補強板を外した状態の斜視図である。

【図8】本発明の実施の形態３に係る加熱調理器の正面側から見た概略断面図である。

【図9】本発明の実施の形態４に係る加熱調理器の正面側から見た概略断面図である。

【図10】本発明の実施の形態４に係る加熱調理器内部の風路を表す右側面側から見た概略断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

実施の形態１
（構成）
図１は本発明の実施の形態１に係る加熱調理器の構成を示す斜視図、図２は本発明の実施の形態１に係る加熱調理器の構成を示す天板を外した状態の斜視図、図３は本発明の実施の形態１に係る加熱調理器の正面から見た概略断面図である。
以下、図１、図２、図３により本発明の実施の形態１の加熱調理器の構成を説明する。
なお、それぞれの図において、同じ部分または相当する部分には同じ符号を付し、一部の説明を省略する場合がある。

【0010】

図１に示すように、本発明の実施の形態１の加熱調理器１００は、本体１の天面に被調理物を収容した調理容器１０を載置可能な非磁性体、例えば結晶化ガラスのようなガラスからなるトッププレート２と、その外周に図示しないシリコン系接着剤等で固着された金属、例えばステンレスで構成された枠体３を備えてなる天板４を備えている。それから、天板４に各種の操作入力を行う上面操作部５を備え、本体１の前面に各種の操作入力を行う前面操作部６と、加熱調理器の電源を入切する電源スイッチ７を備えている。

【0011】

８は魚等の被調理物をその内部に載置してグリル調理やオーブン調理をする調理庫で、図３に示すように輻射式加熱手段１５ａ、１５ｂが内部に配設されている。

【0012】

調理庫８は前面が開口していて、前述した輻射式加熱手段１５ａ、１５ｂが配設された内郭部材８ｂと、その外側を覆うように設けられた外郭部材８ａで構成されている。内郭部材８ｂと外郭部材８ａは金属材で形成されており、被調理物を直接収容する内郭部材８ｂは、さびや腐食を発生し難い例えばステンレスやホーロー鋼板で、外郭部材８ａは例えばメッキ鋼板のような金属材で形成される。また、内郭部材８ｂと外郭部材８ａは所定の空間を隔てて構成されている。

【0013】

調理庫８の前面開口には、調理庫扉９が前方に引き出し自在に設けられている。調理庫扉９の引き出しに連動して、被調理物を載置する載置皿（図示せず）と焼き網（図示せず）が引き出されるようになっており、調理庫扉９を最も押し込んだ状態で調理庫８の前面開口が閉塞され調理が行える。調理の操作入力は、上面操作部５または前面操作部６から行えるようになっている。

【0014】

トッププレート２の下方には、図２に示すように複数の加熱手段が配設されており、それぞれ誘導加熱コイルからなる誘導加熱手段で、１１は左誘導加熱手段、１２は右誘導加熱手段、１３は中央誘導加熱手段である。

【0015】

ここで、誘導加熱手段とは、電磁誘導の原理を利用した加熱手段のことを言い、誘導加熱コイルに高周波交流電流を印加すると回転した磁力線が発生し誘導加熱コイル内部には一様な磁界が発生する。磁界が誘導加熱コイルを貫通すると誘導加熱コイル内部では磁束変化を妨げる磁界が発生し、被加熱物に渦電流が流れ高周波交流電流、例えば２０〜９０ｋＨｚの交流電流を印加することで流れ続ける。それで被加熱物の電気抵抗と渦電流によってジュール熱が発生することにより被加熱物が発熱する加熱方式のことである。

【0016】

なお、前述の説明では３口の誘導加熱手段を備えた例をあげたが、加熱手段を３口供えた加熱調理器では、その内の１口が誘導加熱手段ではない加熱手段、例えばラジエントヒーターのような電熱線からなる輻射式加熱手段で構成してもよく適宜選択可能である。また、加熱手段は３口に限らず２口でもよく、その場合の加熱手段の組合せも誘導加熱手段、輻射式加熱手段から適宜選択可能である。

【0017】

左誘導加熱手段１１、右誘導加熱手段１２、中央誘導加熱手段１３の下方には調理庫８の他に、電子部品から構成される制御手段を内包した制御基板１６ｂと、スイッチング素子１７と整流回路、その他電子部品から構成されるインバーター回路を内包したインバーター基板１６ａが配設されている。スイッチング素子１７はリード線１８を介してインバーター基板１６ａに電気的に接続している。

【0018】

左誘導加熱手段１１、右誘導加熱手段１２、中央誘導加熱手段１３と調理庫８及びインバーター基板１６ａと制御基板１６ｂとは、図３に示すように遮蔽板１４により区分けされている。

【0019】

前述の通り、遮蔽板１４の下方に調理庫８とインバーター基板１６ａ、制御基板１６ｂが配設されている。インバーター基板１６ａは調理庫８の側方の空間に配置され、インバーター基板１６ａにリード線１８を介して電気的に接続しているスイッチング素子１７は、天板４のトッププレート２の左誘導加熱手段１１、右誘導加熱手段１２、中央誘導加熱手段１３と対向する面側に、例えば図示しない保持部品で押し付けるようにして、熱的に結合するように取り付けられている。

【0020】

ここでいう熱的に結合するとは、発熱するスイッチング素子１７の面積が最大の平面部と、表面積が大きく、比較的比熱が大きいガラスからなるトッププレート２とを、直接あるいは熱伝導性のよいグリスや薄い樹脂膜等を介し、スイッチング素子１７の発熱をトッププレート２へ最大限伝熱させるよう面で接触させた結合状態のことである。

【0021】

トッププレート２はガラスで比熱が大きく、さらに面積が大きく厚みがあるので容積も大きく温まり難くため温度が上昇し難い。また表面積が大きいので放熱効果もある。

【0022】

スイッチング素子１７は、例えば炭化珪素、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドからなる半導体である。炭化珪素、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドからなる半導体は、珪素（Ｓｉ）からなる半導体のバンドギャップ（禁制帯）が１．１ｅＶ程度であるのに比べて３〜５倍程度バンドギャップ（禁制帯）が大きいことからワイドバンドギャップ半導体と呼ばれる。

【0023】

ワイドバンドギャップ半導体によって形成されたスイッチング素子１７は耐熱性に優れており、シリコン半導体よりも高温での動作が可能であるので、従来のように大型のヒートシンクのような放熱部材を使わず、放熱効果のある表面積の大きなトッププレート２に取付けることで動作させることが可能である

【0024】

また、ワイドバンドギャップ半導体によって形成されたスイッチング素子１７は、耐電圧性が高く許容電流密度も高いため、シリコン半導体で形成されたスイッチング素子よりも小型化が可能であり、放熱部材を使わないことと併せスイッチング素子１７が接続されるインバーター基板１６ａのスイッチング素子１７が占有する面積を小さくすることができ、基板の小型化が可能となる。

【0025】

（回路構成）
図４は、本発明の実施の形態１に係る加熱調理器の一つの誘導加熱口の回路構成を示す図である。図４により、加熱調理器の一つの誘導加熱口の回路構成を説明する。
なお、図４おいて、図１〜図３と同じ部分または相当する部分には同じ符号を付し、一部の説明を省略する場合がある。

【0026】

図４に示すように商用電源３４から供給される交流電圧は、整流回路（ダイオードブリッジ）３５にて直流電圧に変換され、整流回路（ダイオードブリッジ）３５の出力側に接続されたインバーター回路３０に供給されるようになっている。

【0027】

インバーター回路３０は、スイッチング素子１７と、そのスイッチング素子１７にそれぞれ逆並列に接続されたダイオード３１とから構成される。インバーター回路３０の出力側には負荷回路３３が接続されている。

【0028】

負荷回路３３は、例えば加熱調理器の一つの誘導加熱口である左誘導加熱手段１１と共振コンデンサ３２で構成される。負荷回路３３はインバーター回路３０で変換された高周波電流が左誘導加熱手段１１に流れることにより被加熱物を誘導加熱するようになっている。

【0029】

なお、本実施の形態ではスイッチング素子を使用するインバーター回路の一例としてハーフブリッジ構成の回路で説明しているがこれに限定されるものではなく、フルブリッジ構成の回路、一石共振構成の回路でも良く、回路構成はその回路が搭載される機器に応じて適宜選択可能である。

【0030】

（動作）
前述のように構成された加熱調理器において、図１に示す上面操作部５あるいは前面操作部６の操作入力により、図示しない制御手段によってインバーター回路３０が駆動され例えば左誘導加熱手段１１の加熱が開始される。

【0031】

インバーター回路３０が駆動されると、スイッチング素子１７も通電され、その通電により発熱する。前述のようにスイッチング素子１７は、天板４のトッププレート２に熱的に結合するように取り付けられているので、スイッチング素子１７の発した熱はトッププレート２へ伝達され、トッププレート２の温度を上昇させることに費やされスイッチング素子１７の温度上昇が抑えられる。また、トッププレート２から放熱もされることでスイッチング素子１７の温度上昇が抑えられる。

【0032】

なお、スイッチング素子１７を、天板４のトッププレート２に熱的に結合するように取り付ける場合には、図５（ａ）に示すように左誘導加熱手段用載置位置２ａと右誘導加熱手段用載置位置２ｂと中央誘導加熱手段用載置位置２ｃの中心位置を結ぶ線で囲まれた範囲Ｅ１を除く範囲で取付けることが望ましい。

【0033】

左誘導加熱手段用載置位置２ａと左誘導加熱手段１１、右誘導加熱手段用載置位置２ｂと右誘導加熱手段１２、中央誘導加熱手段用載置位置２ｃと中央誘導加熱手段１３の中心位置はほぼ同じ位置であるので、複数の加熱手段を同時に駆動するような状況ではＥ１の範囲内は高温になることがあり、その高温状況下にスイッチング素子１７を取付けないためである。

【0034】

さらに、図５（ｂ）に示すように左誘導加熱手段用載置位置２ａと右誘導加熱手段用載置位置２ｂと中央誘導加熱手段用載置位置２ｃの外径を接線で結んで囲まれた範囲Ｅ２を除く範囲で取付けるようにすると、よりスイッチング素子１７を高温状況下となる範囲から遠ざけるようにすることができる。

【0035】

以上のように本発明の実施の形態１の加熱調理器は、スイッチング素子を高温での動作も可能である耐熱性に優れたワイドバンドギャップ半導体によって形成したので、スイッチング素子自体の小型化が可能であり、更にインバーター基板の面積を広く占有する大型のヒートシンクのような放熱部材を使う必要がないので、インバーター基板を小型化することが可能となる。

【0036】

また、スイッチング素子を高温での動作も可能である耐熱性に優れたワイドバンドギャップ半導体によって形成し、ガラスであるトッププレートを放熱部材として使うことで、高価なスイッチング素子専用の冷却部品を使わない構成とすることができ、部品削減によるコストダウンが可能となる。

【0037】

実施の形態２
（構成）
図６は本発明の実施の形態２に係る加熱調理器の正面から見た概略断面図である。
本発明の実施の形態２に係る加熱調理器は本発明の実施の形態１に係る加熱調理器の構成とスイッチング素子の取り付け箇所が異なるだけであるので、異なる部分について説明する。

【0038】

なお、本発明の実施の形態２に係る加熱調理器と本発明の実施の形態１に係る加熱調理器の図１〜図３で説明した部分と同じ部分または相当する部分には同じ符号を付し、同じ符号の付いたものの説明は省略する場合がある。
また、本発明の実施の形態２に係る加熱調理器の回路構成は、本発明の実施の形態１に係る加熱調理器の回路構成と同一であるので回路構成に関する説明は省略する。

【0039】

図６に示すように、本発明の実施の形態２の加熱調理器２００は、本体１の天面に被調理物を収容した調理容器１０を載置可能な非磁性体、例えば結晶化ガラスのようなガラスからなるトッププレート２と、その外周に図示しないシリコン系接着剤等で固着された金属、例えばステンレスで構成された枠体３を備えてなる天板４を備えている。枠体３には、一部分を本体内まで延ばした枠体延長部３ａが設けられている。

【0040】

枠体延長部３ａには、本体内に収容された部分に例えばネジ留め等の固定手段（図示せず）により、ワイドバンドギャップ半導体によって形成されたスイッチング素子１７が熱的に結合するように取り付けられている。

【0041】

（動作）
前述のように構成された加熱調理器において、図１に示す上面操作部５あるいは前面操作部６の操作入力により、図示しない制御手段によってインバーター回路３０が駆動し例えば左誘導加熱手段１１の加熱が開始される。

【0042】

インバーター回路３０が駆動されると、ワイドバンドギャップ半導体によって形成されたスイッチング素子１７も通電され、その通電により発熱する。前述のようにスイッチング素子１７は、枠体３の枠体延長部３ａに熱的に結合するように取り付けられているので、スイッチング素子１７の発した熱は枠体延長部３ａから枠体３へ伝達される。枠体３は放熱効果のある表面積の大きな金属であるので、スイッチング素子１７の発熱は枠体３から放熱されるようになる。枠体３は図１、図２に示すようにトッププレート２の外周を囲むように取付られており表面積が大きくなっている。

【0043】

以上のように本発明の実施の形態２の加熱調理器は、スイッチング素子を高温での動作も可能である耐熱性に優れたワイドバンドギャップ半導体によって形成したので、スイッチング素子自体の小型化が可能であり、更にインバーター基板の面積を広く占有する大型のヒートシンクのような放熱部材を使う必要がないので、インバーター基板を小型化することが可能となる。

【0044】

また、スイッチング素子を高温での動作も可能である耐熱性に優れたワイドバンドギャップ半導体によって形成し、金属で熱容量が大きく、また表面積が広いので放熱効果の大きい天板外周の枠体を放熱部材として使うことで、高価なスイッチング素子専用の冷却部品を使わない構成とすることができ、部品削減によるコストダウンが可能となる。

【0045】

実施の形態３
図７は本発明の実施の形態３に係る加熱調理器の天板から補強板を外した状態の斜視図、図８は本発明の実施の形態３に係る加熱調理器の正面側から見た概略断面図である。
本発明の実施の形態３に係る加熱調理器は本発明の実施の形態１に係る加熱調理器の天板の構成と一部異なるだけであるので、異なる部分について説明する。

【0046】

なお、本発明の実施の形態１に係る加熱調理器の各図で説明した部分と同じ部分または相当する部分には同じ符号を付し、同じ符号の付いたものの説明は省略する場合がある。
また、本発明の実施の形態２に係る加熱調理器の回路構成は、本発明の実施の形態１に係る加熱調理器の回路構成と同一であるので回路構成に関する説明は省略する。

【0047】

（構成）
図７及び図８に示すように、本発明の実施の形態１の加熱調理器３００は、本体１の天面に被調理物を収容した調理容器１０（図１参照）を載置可能な非磁性体、例えば結晶化ガラスのようなガラスからなるトッププレート２と、その外周に図示しないシリコン系接着剤等で固着された金属、例えばステンレスで構成された枠体３と、さらにトッププレート２の下、調理容器１０を載置する面の裏側に金属たとえばメッキ鋼板で構成された補強板２１を備えてなる天板２２を備えている。

【0048】

補強板２１には、例えばネジ留め等の固定手段（図示せず）により、ワイドバンドギャップ半導体によって形成されたスイッチング素子１７が熱的に結合するように取り付けられている。

【0049】

（動作）
前述のように構成された加熱調理器において、図１に示す上面操作部５あるいは前面操作部６の操作入力により、図示しない制御手段によってインバーター回路３０が駆動し例えば誘導加熱手段１１の加熱が開始される。

【0050】

インバーター回路３０が駆動されると、ワイドバンドギャップ半導体によって形成されたスイッチング素子１７も通電され、その通電により発熱する。前述のようにスイッチング素子１７は、天板２２の補強板２１に熱的に結合するように取り付けられているので、スイッチング素子１７の発した熱は補強板２１へ伝達され補強板２１から放熱されるようになる。

【0051】

以上のように本発明の実施の形態３の加熱調理器は、スイッチング素子を高温での動作も可能である耐熱性に優れたワイドバンドギャップ半導体によって形成したので、スイッチング素子自体の小型化が可能であり、更にインバーター基板の面積を広く占有する大型のヒートシンクのような放熱部材を使う必要がないので、インバーター基板を小型化することが可能となる。

【0052】

また、スイッチング素子を高温での動作も可能である耐熱性に優れたワイドバンドギャップ半導体によって形成し、金属で熱容量が大きく、また表面積が広いので放熱効果の大きい天板裏側の補強板を放熱部材として使うことで、高価なスイッチング素子専用の冷却部品を使わない構成とすることができ、部品削減によるコストダウンが可能となる。

【0053】

実施の形態４
図９は本発明の実施の形態４に係る加熱調理器の正面から見た概略断面図、図１０は本発明の実施の形態４に係る加熱調理器内部の風路を表す右側面側から見た概略断面図である。
本発明の実施の形態４に係る加熱調理器は本発明の実施の形態１に係る加熱調理器の構成と冷却手段を備える点が異なり、異なる部分について説明する。

【0054】

なお、本発明の実施の形態４に係る加熱調理器と本発明の実施の形態１に係る加熱調理器の各図で説明した部分と同じ部分または相当する部分には同じ符号を付し、同じ符号の付いたものの説明は省略する場合がある。
また、本発明の実施の形態４に係る加熱調理器の回路構成は、本発明の実施の形態１に係る加熱調理器の回路構成と同一であるので回路構成に関する説明は省略する。

【0055】

図９、図１０に示すように、本発明の実施の形態４の加熱調理器４００は、誘導加熱手段等を冷却するための冷却手段である冷却ファン２０が冷却ファンケース１９に収容されて本体１後方に配設されている。冷却ファン２０は誘導加熱手段１１、誘導加熱手段１２、誘導加熱手段１３（図２参照）何れかの通電が開始されると図示しない制御手段によって駆動し、図示しない吸気口から外気を吸気し本体１内へ冷却風の送風を行う。

【0056】

冷却風は本体１の下部から、図示しない通風路を通り本体１の上部へ送られ誘導加熱手段１１、誘導加熱手段１２、誘導加熱手段１３等を冷却し図示しない排気口から外へ排出されるようになっている。

【0057】

また、図９、図１０に示すようにワイドバンドギャップ半導体によって形成されたスイッチング素子１７は、天板４のトッププレート２の左誘導加熱手段１１、右誘導加熱手段１２、中央誘導加熱手段１３と対向する面側に、例えば図示しない保持部品で押し付けるようにして、熱的に結合するように取り付けられている。

【0058】

（動作）
前述のように構成された加熱調理器において、図１に示す上面操作部５あるいは前面操作部６の操作入力により、図示しない制御手段によってインバーター回路３０が駆動し例えば誘導加熱手段１１の加熱が開始されると同時に冷却ファン２０も駆動する。

【0059】

インバーター回路３０が駆動されると、スイッチング素子１７も通電され、その通電により発熱する。前述のようにスイッチング素子１７は、天板４のトッププレート２に熱的に結合するように取り付けられているので、スイッチング素子１７の発した熱はトッププレート２へ伝達され、トッププレート２の温度を上昇させることに費やされスイッチング素子１７の温度上昇が抑えられる。また、トッププレート２から放熱もされることでスイッチング素子１７の温度上昇が抑えられる。

【0060】

さらに、図１０に示すように冷却ファン２０が発生する冷却のための風の流れＡが、インバーター基板１６ａ、に沿って通過し、図示しない風路によって風の流れＢのように上方、天板４の方向へ上昇し天板４（トッププレート２）に沿って風の流れＣのように送られ、風の流れＤのようにスイッチング素子１７が取付けられた周辺のトッププレート２及びスイッチング素子１７を直接冷却できる。

【0061】

以上のように本発明の実施の形態４の加熱調理器は、スイッチング素子を高温での動作も可能である耐熱性に優れたワイドバンドギャップ半導体によって形成したので、スイッチング素子自体の小型化が可能であり、更にインバーター基板の面積を広く占有する大型のヒートシンクのような放熱部材を使う必要がないので、インバーター基板を小型化することが可能となる。

【0062】

また、スイッチング素子を高温での動作も可能である耐熱性に優れたワイドバンドギャップ半導体によって形成し、ガラスであるトッププレートを放熱部材として使うことでスイッチング素子専用の冷却部品を使わない構成とすることができ、部品削減によるコストダウンが可能となる。

【0063】

さらに、スイッチング素子とトッププレートのスイッチング素子が取付けられた面を冷却風が通過するようにしたので、冷却風によりスイッチング素子の冷却とトッププレートの放熱の効果を向上させることが可能となる。

【0064】

それから、実施の形態１から実施の形態４の全てで、発熱するスイッチング素子をインバーター基板上に直接載置していないため、インバーター基板自体の温度上昇を抑制することができ安全性、品質の向上が可能となる。

【符号の説明】

【0065】

１ 本体、２ トッププレート、２ａ 左誘導加熱手段用載置位置、２ｂ 右誘導加熱手段用載置位置、２ｃ 中央誘導加熱手段用載置位置、左３ 枠体、３ａ 枠体延長部、４ 天板、５ 上面操作部、６ 前面操作部、７ 電源スイッチ、８ 調理庫、８ａ 外郭部材、８ｂ 内郭部材、９ 調理庫扉、１０ 調理容器、１１ 左誘導加熱手段、１２ 右誘導加熱手段、１３ 中央誘導加熱手段、１４ 遮蔽板、１５ａ 輻射式加熱手段、１５ｂ 輻射式加熱手段、１６ａ インバーター基板、１６ｂ 制御基板、１７ スイッチング素子、１８ リード線、１９ 冷却ファンケース、２０ 冷却ファン、２１ 補強板、２２ 天板、３０ インバーター回路、３１ ダイオード、３２ 共振コンデンサ、３３ 負荷回路、３４ 商用電源、３５ 整流回路（ダイオードブリッジ）、１００ 加熱調理器、２００ 加熱調理器、３００ 加熱調理器、４００ 加熱調理器、Ａ 風の流れ、Ｂ 風の流れ、Ｃ 風の流れ、Ｄ 風の流れ。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】