特許 5925321 電子機器用筐体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5925321

(24)【登録日】2016年4月28日

(45)【発行日】2016年5月25日

(54)【発明の名称】電子機器用筐体

(51)【国際特許分類】

   C08L 67/02 20060101AFI20160516BHJP

   C08L 63/00 20060101ALI20160516BHJP

   C08K 5/49 20060101ALI20160516BHJP

   C08K 7/14 20060101ALI20160516BHJP

   H05K 5/00 20060101ALI20160516BHJP

【ＦＩ】

   C08L67/02

   C08L63/00 A

   C08K5/49

   C08K7/14

   H05K5/00 Z

【請求項の数】7

【全頁数】18

(21)【出願番号】特願2014-528212(P2014-528212)

(86)(22)【出願日】2013年7月31日

(86)【国際出願番号】JP2013070827

(87)【国際公開番号】WO2014021409

(87)【国際公開日】20140206

【審査請求日】2014年11月6日

(31)【優先権主張番号】特願2012-170980(P2012-170980)

(32)【優先日】2012年8月1日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】501183161

【氏名又は名称】ウィンテックポリマー株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100106002

【弁理士】

【氏名又は名称】正林 真之

(74)【代理人】

【識別番号】100120891

【弁理士】

【氏名又は名称】林 一好

(72)【発明者】

【氏名】五島 一也

(72)【発明者】

【氏名】平川 陽一

【審査官】 佐藤 のぞみ

(56)【参考文献】

【文献】 特開平１１−３３５５３４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０００−１７８４２２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−０９１８６５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−２２７７５０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−１５６３９２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｃ０８Ｌ ６７／００−６７／０８

Ｃ０８Ｋ ３／００−１３／０８

Ｃ０８Ｌ ６３／００−６３／１０

Ｃ０８Ｌ ２３／００−２３／３６

Ｃ０８Ｌ ５１／００−５１／１０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）、
変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）、
ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）１００質量部に対して、４０質量部以上かつ１００質量部未満のハロゲン原子を含まない難燃剤（Ｃ）、
ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）１００質量部に対して、３０質量部以上かつ１００質量部以下のエポキシ基含有エチレン共重合体（Ｄ）、及び
繊維長が２．０ｍｍ以上６．０ｍｍ以下のガラス繊維、
を含むポリブチレンテレフタレート樹脂組成物から構成され、
前記ハロゲン原子を含まない難燃剤（Ｃ）は、リン酸エステルアミド、ホスホニトリル化合物、有機ホスホン酸化合物、有機ホスフィン酸化合物、ホスフィンオキシド及び有機リン酸塩から選択される１又は２以上であり、
前記ポリブチレンテレフタレート樹脂組成物における、ＩＳＯ−１７９に準じて測定したシャルピー衝撃値は、１０ｋＪ／ｍ^２以上であり、
前記ポリブチレンテレフタレート樹脂組成物は、ＵＬ９４規格に準じる試験法にて厚さ２ｍｍにおいて５ＶＡ規格に適合する電子機器用筐体。

【請求項2】

前記ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）と、前記変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）との合計を１００質量％とした場合において、ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）が５０質量％より多く７０質量％未満かつ変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）が３０質量％より多く５０質量％未満を満たす請求項１に記載の電子機器用筐体。

【請求項3】

前記ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）１００質量部に対する、前記変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）、前記ハロゲン原子を含まない難燃剤（Ｃ）、前記エポキシ基含有エチレン共重合体（Ｄ）の質量部で表される以下の式（Ｉ）の値が、２／８以上かつ３／７以下の範囲である請求項１又は２に記載の電子機器用筐体。
（Ｃ）／（（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｄ）） ・・・（Ｉ）

【請求項4】

前記ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）１００質量部に対する、前記変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）、前記エポキシ基含有エチレン共重合体（Ｄ）の質量部で表される以下の式（ＩＩ）の値が１／９以上かつ３／７以下の範囲である請求項１から３のいずれか記載の電子機器用筐体。
（Ｄ）／（（Ａ）＋（Ｂ）） ・・・（ＩＩ）

【請求項5】

前記ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）１００質量部に対する、前記変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）、前記ハロゲン原子を含まない難燃剤（Ｃ）、前記エポキシ基含有エチレン共重合体（Ｄ）の質量部で表される以下の式（ＩＩＩ）の値が、０．８以上かつ１．０以下の範囲である請求項１から４のいずれか記載の電子機器用筐体。
（（（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｄ））／（Ｃ））×（（Ｄ）／（（Ａ）＋（Ｂ））） ・・・（ＩＩＩ）

【請求項6】

前記電子機器用筐体は、ＯＡ機器、家電機器又は電気自動車からなる群のいずれかの電子機器の部品を収容する筐体である請求項１から５のいずれか記載の電子機器用筐体。

【請求項7】

前記電子機器の部品が、電源装置部品である請求項６に記載の電子機器用筐体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電子機器用筐体に関する。

【背景技術】

【0002】

ポリブチレンテレフタレート樹脂は、機械的性質、電気的性質、化学的性質等の諸特性に優れるとともに、加工性が良好であることから、エンジニアリングプラスチックとして、電子機器部品、自動車部品等、幅広い用途に使用されている。

【0003】

特に、電子機器部品のうち筐体については、耐衝撃性及び難燃性を両立して備え、さらに、他の部品を収納しケースと蓋を接合するため、優れた低反り性を備えていることも要求される。

【0004】

電子機器部品に使用され得るポリブチレンテレフタレート樹脂組成物として、ポリブチレンテレフタレート樹脂に変性ポリエステル及びホスフィン酸塩等を配合した組成物が開示されている（特許文献１）。しかし、この技術は、得られる成形体において難燃性及び耐衝撃性を両立させることや、筐体等の部品に要求される良好な低反り性等を得ることは難しい。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００７−９１８６５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明は、耐衝撃性及び難燃性を両立して備え、さらに、優れた低反り性を備える電子機器用筐体を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明者らは、ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）に、変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）、ハロゲン原子を含まない難燃剤（Ｃ）、及びエポキシ基含有エチレン共重合体（Ｄ）を配合することで、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。より具体的には本発明は以下のものを提供する。

【0008】

（１）
ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）、
変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）、
ハロゲン原子を含まない難燃剤（Ｃ）、及び
エポキシ基含有エチレン共重合体（Ｄ）、
を含むポリブチレンテレフタレート樹脂組成物から構成され、
上記ポリブチレンテレフタレート樹脂組成物における、ＩＳＯ−１７９に準じて測定したシャルピー衝撃値は、１０ｋＪ／ｍ^２以上であり、
上記ポリブチレンテレフタレート樹脂組成物は、ＵＬ９４規格に準じる試験法にて厚さ２ｍｍにおいて５ＶＡ規格に適合する電子機器用筐体。

【0009】

（２） 上記ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）と、上記変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）との合計を１００質量％とした場合において、ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）が５０質量％より多く７０質量％以下かつ変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）が３０質量％以上５０質量％未満を満たす（１）に記載の電子機器用筐体。

【0010】

（３） 上記ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）１００質量部に対する、上記変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）、上記ハロゲン原子を含まない難燃剤（Ｃ）、上記エポキシ基含有エチレン共重合体（Ｄ）の質量部で表される以下の式（Ｉ）の値が、２／８以上かつ３／７以下の範囲である（１）又は（２）に記載の電子機器用筐体。
（Ｃ）／（（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｄ）） ・・・（Ｉ）

【0011】

（４） 上記ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）１００質量部に対する、上記変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）、上記エポキシ基含有エチレン共重合体（Ｄ）の質量部で表される以下の式（ＩＩ）の値が１／９以上かつ３／７以下の範囲である（１）から（３）のいずれか記載の電子機器用筐体。
（Ｄ）／（（Ａ）＋（Ｂ）） ・・・（ＩＩ）

【0012】

（５） 上記ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）１００質量部に対する、上記変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）、上記ハロゲン原子を含まない難燃剤（Ｃ）、上記エポキシ基含有エチレン共重合体（Ｄ）の質量部で表される以下の式（ＩＩＩ）の値が、０．８以上かつ１．０以下の範囲である（１）から（４）のいずれか記載の電子機器用筐体。
（（（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｄ））／（Ｃ））×（（Ｄ）／（（Ａ）＋（Ｂ））） ・・・（ＩＩＩ）

【0013】

（６） 上記電子機器用筐体は、ＯＡ機器、家電機器又は電気自動車からなる群のいずれかの電子機器の部品を収容する筐体である（１）から（５）のいずれか記載の電子機器用筐体。
（７） 上記電子機器の部品が、電源装置部品である（６）に記載の電子機器用筐体。

【発明の効果】

【0014】

本発明によれば、耐衝撃性及び難燃性を両立して備え、さらに、優れた低反り性を備える電子機器用筐体が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】平面度を測定するために用いた、本発明のポリブチレンテレフタレート樹脂組成物からなる試験片を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、本発明の一実施形態について詳細に説明するが、本発明は、以下の実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の目的の範囲内において、適宜変更を加えて実施することができる。

【0017】

＜ポリブチレンテレフタレート樹脂組成物＞
本発明の電子機器用筐体は、ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）、変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）、ハロゲン原子を含まない難燃剤（Ｃ）、及び熱可塑性ポリエステルエラストマー（Ｄ）を含むポリブチレンテレフタレート樹脂組成物から構成され、所定の性質を有する。以下、各成分等について説明する。

【0018】

［ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）］
本発明において用いるポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）は、少なくともテレフタル酸又はそのエステル形成性誘導体（Ｃ_１−６のアルキルエステルや酸ハロゲン化物等）を含むジカルボン酸成分と、少なくとも炭素原子数４のアルキレングリコール（１，４−ブタンジオール）又はそのエステル形成性誘導体（アセチル化物等）を含むグリコール成分とを重縮合して得られるポリブチレンテレフタレート系樹脂である。ポリブチレンテレフタレート樹脂はホモポリブチレンテレフタレート樹脂に限らず、ブチレンテレフタレート単位を９０モル％以上含有する共重合体であってもよい。

【0019】

本発明において用いるポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）において、テレフタル酸及びそのエステル形成性誘導体以外のジカルボン酸成分（コモノマー成分）としては、例えば、イソフタル酸、フタル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、４，４’−ジカルボキシジフェニルエーテル等のＣ_８−１４の芳香族ジカルボン酸；コハク酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸等のＣ_４−１６のアルカンジカルボン酸；シクロヘキサンジカルボン酸等のＣ_５−１０のシクロアルカンジカルボン酸；これらのジカルボン酸成分のエステル形成性誘導体（Ｃ_１−６のアルキルエステル誘導体や酸ハロゲン化物等）が挙げられる。これらのジカルボン酸成分は、単独で又は２種以上を組み合わせて使用できる。

【0020】

これらのジカルボン酸成分の中では、イソフタル酸等のＣ_８−１２の芳香族ジカルボン酸、及び、アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸等のＣ_６−１２のアルカンジカルボン酸がより好ましい。

【0021】

本発明において用いるポリブチレンテレフタレート樹脂において、１，４−ブタンジオール以外のグリコール成分（コモノマー成分）としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、トリメチレングリコール、１，３−ブチレングリコール、ヘキサメチレングリコール、ネオペンチルグリコール、１，３−オクタンジオール等のＣ_２−１０のアルキレングリコール；ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジプロピレングリコール等のポリオキシアルキレングリコール；シクロヘキサンジメタノール、水素化ビスフェノールＡ等の脂環式ジオール；ビスフェノールＡ、４，４’−ジヒドロキシビフェニル等の芳香族ジオール；ビスフェノールＡのエチレンオキサイド２モル付加体、ビスフェノールＡのプロピレンオキサイド３モル付加体等の、ビスフェノールＡのＣ_２−４のアルキレンオキサイド付加体；又はこれらのグリコールのエステル形成性誘導体（アセチル化物等）が挙げられる。これらのグリコール成分は、単独で又は２種以上を組み合わせて使用できる。

【0022】

これらのグリコール成分の中では、エチレングリコール、トリメチレングリコール等のＣ_２−６のアルキレングリコール、ジエチレングリコール等のポリオキシアルキレングリコール、又は、シクロヘキサンジメタノール等の脂環式ジオール等がより好ましい。

【0023】

ジカルボン酸成分及びグリコール成分の他に使用できるコモノマー成分としては、例えば、４−ヒドロキシ安息香酸、３−ヒドロキシ安息香酸、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、４−カルボキシ−４’−ヒドロキシビフェニル等の芳香族ヒドロキシカルボン酸；グリコール酸、ヒドロキシカプロン酸等の脂肪族ヒドロキシカルボン酸；プロピオラクトン、ブチロラクトン、バレロラクトン、カプロラクトン（ε−カプロラクトン等）等のＣ_３−１２ラクトン；これらのコモノマー成分のエステル形成性誘導体（Ｃ_１−６のアルキルエステル誘導体、酸ハロゲン化物、アセチル化物等）が挙げられる。

【0024】

以上説明したコモノマー成分を共重合したポリブチレンテレフタレート共重合体は、いずれもポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）として好適に使用できる。また、ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）として、ホモポリブチレンテレフタレート重合体とポリブチレンテレフタレート共重合体とを、得られるポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）におけるブチレンテレフタレート単位が９０モル％以上であるように組み合わせて使用してもよい。

【0025】

本発明において用いるポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）の末端カルボキシル基量は、本発明の目的を阻害しない限り特に制限されない。本発明において用いるポリブチレンテレフタレート樹脂の末端カルボキシル基量は、好ましくは３０ｍｅｑ／ｋｇ以下であり、より好ましくは２５ｍｅｑ／ｋｇ以下である。かかる範囲の末端カルボキシル基量のポリブチレンテレフタレート樹脂を用いる場合には、得られるポリブチレンテレフタレート樹脂組成物が湿熱環境下での加水分解による強度低下を受けにくくなる。

【0026】

ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）の末端カルボキシル基量の下限値は特に制限されないが、好ましくは１０ｍｅｑ／ｋｇ以上であり、より好ましくは５ｍｅｑ／ｋｇ以上である。一般的に末端カルボキシル基５ｍｅｑ／ｋｇ未満のポリブチレンテレフタレート樹脂の製造は困難である。

【0027】

また、本発明において用いるポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）の固有粘度は本発明の目的を阻害しない範囲で特に制限されない。ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）の固有粘度（ＩＶ）は、得られるポリブチレンテレフタレート樹脂組成物が特に成形性に優れたものとなるため、０．６０ｄＬ／ｇ以上１．２ｄＬ／ｇ以下であるのが好ましい。さらに好ましくは０．６５ｄＬ／ｇ以上０．９ｄＬ／ｇ以下である。また、異なる固有粘度を有するポリブチレンテレフタレート樹脂をブレンドして、固有粘度を調整することもできる。例えば、固有粘度１．０ｄＬ／ｇのポリブチレンテレフタレート樹脂と固有粘度０．７ｄＬ／ｇのポリブチレンテレフタレート樹脂とをブレンドすることにより、固有粘度０．９ｄＬ／ｇのポリブチレンテレフタレート樹脂を調製することができる。ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）の固有粘度（ＩＶ）は、例えば、ｏ−クロロフェノール中で温度３５℃の条件で測定することができる。

【0028】

［変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）］
従来、ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）との相溶性に優れたアロイ化の相手材として、変性成分を含まないポリエチレンテレフタレート樹脂や、変性成分を１０モル％以上含む変性ポリブチレンテレフタレート樹脂等も使用されてきた。しかし、本発明においては、所定の変性成分を含む変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）を含むポリブチレンテレフタレート樹脂組成物を使用することで、流動性、反り、及び難燃性が特に優れた電子機器筐体を得ることができる。

【0029】

本発明において用いる変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）は、
１）テレフタル酸又はそのエステル形成性誘導体（Ｃ_１−６アルキルエステルや酸ハロゲン化物等）、
２）エチレングリコール又はそのエステル形成性誘導体（アセチル化物等）、及び、
３）テレフタル酸以外の他のジカルボン酸、そのエステル形成性誘導体（Ｃ_１−６アルキルエステルや酸ハロゲン化物等）、エチレングリコール以外の他のグリコール又はそのエステル形成性誘導体（アセチル化物等）である変性成分
を、公知の方法に従って重縮合して得られるポリエステル樹脂である。

【0030】

テレフタル酸以外の他のジカルボン酸、そのエステル形成性誘導体（Ｃ_１−６アルキルエステルや酸ハロゲン化物等）としては、（Ａ）成分で例示したものと同様のものを挙げることができる。本発明においては、イソフタル酸を変性成分として用いることが好ましい。

【0031】

エチレングリコール以外の他のグリコール又はそのエステル形成性誘導体（アセチル化物等）としては、プロピレングリコール、トリメチレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，３−ブチレングリコール、ヘキサメチレングリコール、ネオペンチルグリコール、１，３−オクタンジオール等のＣ_２−１０のアルキレングリコール；ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジプロピレングリコール等のポリオキシアルキレングリコール；シクロヘキサンジメタノール、水素化ビスフェノールＡ等の脂環式ジオール；ビスフェノールＡ、４，４’−ジヒドロキシビフェニル等の芳香族ジオール；ビスフェノールＡのエチレンオキサイド２モル付加体、ビスフェノールＡのプロピレンオキサイド３モル付加体等の、ビスフェノールＡのＣ_２−４のアルキレンオキサイド付加体；又はこれらのグリコールのエステル形成性誘導体（アセチル化物等）が挙げられる。これらのグリコール成分は、単独で又は２種以上を組み合わせて使用できる。

【0032】

本発明において用いる変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）の製造に使用される変性成分は、本発明の目的を阻害しない範囲で、ヒドロキシカルボン酸成分、ラクトン成分等を含んでいてもよい。これらの成分に由来する繰り返し単位の量は、（Ｂ）ポリエチレンテレフタレート樹脂中の全繰り返し単位中、５モル％以上３０モル％以下が好ましく、７モル％以上２０モル％以下がより好ましく、１０モル％以上１５モル％以下が特に好ましい。

【0033】

変性成分に含まれるヒドロキシカルボン酸成分としては、４−ヒドロキシ安息香酸、３−ヒドロキシ安息香酸、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、４−カルボキシ−４’−ヒドロキシビフェニル等の芳香族ヒドロキシカルボン酸；グリコール酸、ヒドロキシカプロン酸等の脂肪族ヒドロキシカルボン酸；又はこれらのヒドロキシカルボン酸のエステル形成性誘導体（Ｃ_１−６のアルキルエステル誘導体、酸ハロゲン化物、アセチル化物等）が挙げられる。これらのヒドロキシカルボン酸成分は、単独で又は２種以上を組み合わせて使用できる。

【0034】

変性成分に含まれるラクトン成分としては、プロピオラクトン、ブチロラクトン、バレロラクトン、カプロラクトン（ε−カプロラクトン等）等のＣ_３−１２ラクトンが挙げられる。これらのラクトン成分は、単独で又は２種以上を組み合わせて使用できる。

【0035】

ポリブチレンテレフタレート樹脂組成物の流動性の観点から、変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）の融点は２４５℃以下が好ましく、２４０℃以下が特に好ましい。変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）の融点は、ＪＩＳ Ｋ７１２１に従い、示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用いて測定できる。

【0036】

本発明において用いるポリブチレンテレフタレート樹脂組成物における、変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）は、ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）と、上記変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）との合計を１００質量％とした場合において、ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）が５０質量％より多く７０質量％以下かつ変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）が３０質量％以上５０質量％未満であることが好ましく、ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）が５５質量％以上６５質量％以下かつ変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）が３５質量％以上４５質量％以下であることがより好ましい。ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）と、上記変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）との合計を１００質量％とした場合において、ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）が５０質量％以下であると、ポリブチレンテレフタレート樹脂組成物の成形性が低下する可能性がある。ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）と、上記変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）との合計を１００質量％とした場合において、ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）が７０質量％よりも多量であると、得られる成形品の外観性、反り及び難燃性が好ましくない可能性がある。

【0037】

本発明において用いるポリブチレンテレフタレート樹脂組成物における、変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）の使用量は、ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）１００質量に対して、好ましくは３０質量部以上かつ１００質量部未満であり、より好ましくは４０質量部以上かつ１００質量部未満である。変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）の使用量がポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）１００質量に対して、３０質量部未満であると、得られる電子機器用筐体の外観性、反り及び難燃性が好ましくない可能性がある。変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）の使用量がポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）１００質量に対して、１００質量部以上であると、ポリブチレンテレフタレート樹脂組成物の成形性が低下する可能性がある。

【0038】

［ハロゲン原子を含まない難燃剤（Ｃ）］
本発明において用いるハロゲン原子を含まない難燃剤（Ｃ）としては、特に限定されないが、リン系難燃剤、アンチモン系難燃剤、及び窒素系難燃剤等が挙げられる。

【0039】

リン系難燃剤としては、リン原子を有する化合物である限り、特に制限されないが、例えば、有機リン系難燃剤、無機リン系難燃剤が挙げられる。有機リン系難燃剤としては、リン酸エステル（リン酸トリフェニル等の芳香族リン酸エステル等）、リン酸エステルアミド、ホスホニトリル化合物（（ポリ）フェノキシホスファゼン等）、有機ホスホン酸化合物（メタンホスホン酸ジフェニルやフェニルホスホン酸ジエチル等のホスホン酸エステル等）、有機ホスフィン酸化合物（ホスフィン酸メチル等）、ホスフィンオキシド（トリフェニルホスフィンオキシド、トリクレジルホスフィンオキシド等）が挙げられる。

【0040】

無機リン系難燃剤としては、赤リン、オルトリン酸、亜リン酸、次亜リン酸、ポリリン酸（メタリン酸、ピロリン酸、三リン酸、四リン酸等）、ポリ亜リン酸（メタ亜リン酸、ピロ亜リン酸等）等の非縮合又は縮合（亜）リン酸塩（カルシウム等の金属塩等）等が挙げられる。

【0041】

アンチモン系難燃剤としては、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、アンチモン酸ナトリウム等が挙げられる。窒素系難燃剤としては、トリアジン系化合物とシアヌール酸もしくはイソシアヌール酸との塩、アミノ基を含有する窒素化合物とポリリン酸との複塩等が挙げられる。

【0042】

上記の難燃剤の中では、有毒ガスが発生せず、高い難燃化効果を得られる点で、有機リン系難燃剤を用いるのが好ましい。また、上記の難燃剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用できる。

【0043】

本発明において用いるポリブチレンテレフタレート樹脂組成物における、ハロゲン原子を含まない難燃剤（Ｃ）は、上記ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）１００質量部に対する、上記変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）、ハロゲン原子を含まない難燃剤（Ｃ）、後述するエポキシ基含有エチレン共重合体（Ｄ）の質量部で表される式（Ｉ）の値が、２／８以上かつ３／７以下の範囲となるように使用することが好ましい。
（Ｃ）／（（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｄ）） ・・・（Ｉ）

【0044】

ハロゲン原子を含まない難燃剤（Ｃ）の使用量を上記の範囲とすることにより、得られる電子機器用筐体の難燃性と耐衝撃性を好ましく両立できる。ハロゲン原子を含まない難燃剤（Ｃ）の使用量を表す上記式（Ｉ）の値が２／８未満であると、得られる電子機器用筐体に十分な難燃性を与えられない可能性がある。上記式（Ｉ）の値が３／７超であると、得られる電子機器用筐体の耐衝撃性が不足する可能性がある。

【0045】

また、本発明において用いるポリブチレンテレフタレート樹脂組成物における、ハロゲン原子を含まない難燃剤（Ｃ）の使用量は、ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）１００質量部に対して、４０質量部以上かつ１００質量部以下が好ましく、５０質量部以上かつ６５質量部以下がより好ましい。本発明の電子機器用筐体に、ハロゲン原子を含まない難燃剤（Ｃ）が上記の配合量で含まれていることにより、電子機器用筐体を好ましく難燃化できる。

【0046】

本発明の電子機器用筐体は、ハロゲン原子を含まない難燃剤によって難燃化されるため、有害物質が生成されるおそれが少なく、環境上好ましい。

【0047】

［エポキシ基含有エチレン共重合体（Ｄ）］
本発明において用いるエポキシ基含有エチレン共重合体（Ｄ）は、エチレン単位及びエポキシ基含有モノマー単位を必須成分とし、エチレン系不飽和エステル化合物単位を任意成分とするものであり、その代表例としては、例えばエチレン単位２０〜９９．９質量％、エポキシ基含有モノマー単位０．１〜３０質量％、及びエチレン系不飽和エステル化合物単位０〜５０質量％からなる共重合体等が挙げられる。エポキシ基含有モノマーとしては、例えば不飽和カルボン酸グリシジルエステル単位又は不飽和グリシジルエーテル単位等が挙げられる。

【0048】

上記不飽和カルボン酸グリシジルエステル又は不飽和グリシジルエーテルとしては、式（ＩＶ）
Ｒ−Ｘ−ＣＨ_２−ＣＨ−ＣＨ_２ ・・・（ＩＶ）
＼ ／
Ｏ
（式中、Ｒは炭素数２〜１８のアルケニル基を、Ｘはカルボニルオキシ基、メチレンオキシ基又はフェニレンオキシ基を表す）で示される化合物が挙げられる。かかる不飽和カルボン酸グリシジルエステルとしては、具体的にはグリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、イタコン酸グリシジルエステル等が挙げられる。不飽和グリシジルエーテルとしては、アリルグリシジルエーテル、メタアリルグリシジルエーテル、スチレン−ｐ−グリシジルエーテル等が挙げられる。

【0049】

エチレン系不飽和エステル化合物としては、上記グリシジルエステル以外の、例えば酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル等の飽和カルボン酸のビニルエステル、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブチル等の不飽和カルボン酸のアルキルエステル等が挙げられる。これらのうち、酢酸ビニル、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸メチル等が好ましい。エポキシ基含有エチレン共重合体（Ｄ）中のエチレン系不飽和エステル化合物単位は、通常０〜５０重量％であるが、該エステル化合物単位が存在する場合は、３〜５０重量％程度であることが好ましい。

【0050】

本発明におけるエポキシ基含有エチレン共重合体（Ｄ）は、ブロック共重合体、グラフト共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体のいずれであってもよく、例えばプロピレン−エチレンブロック共重合体にエポキシ基含有モノマーをグラフトさせた共重合体、エチレン−エポキシ基含有モノマー共重合体にエチレン系不飽和エステル化合物をグラフトさせた共重合体等であってもよい。

【0051】

本発明におけるエポキシ基含有エチレン共重合体（Ｄ）は、公知の方法、例えば共重合に供する単量体を、ラジカル発生剤の存在下で、５００〜４０００気圧程度、１００〜３００℃程度の条件で、適当な溶媒や連鎖移動剤の存在下又は不存在下で共重合させる方法で製造できる。また、ポリエチレンにエポキシ基含有モノマーを混合し、必要に応じてさらにエチレン系不飽和エステル化合物、ラジカル発生剤等を混合し、押出機中で溶融グラフト共重合させる方法等により製造できる。

【0052】

また、エポキシ基含有エチレン共重合体（Ｄ）は、エポキシ基含有エチレン共重合体（Ｄ）とゴム成分との混合物の形で使用することもできる。かかるゴム成分としては、例えばエチレン−プロピレンゴム、エチレン−ブテンゴム、エチレン−ブタジエンゴム等のエチレン単位−炭素数３以上のα−オレフィン単位からなるゴム、エチレン−プロピレン−非共役ジエンゴム等のエチレン単位−炭素数３以上のα−オレフィン単位−非共役ジエン単位からなるゴム等のエチレン系ゴム、スチレンブタジエンゴム、ＳＢＳゴム、水添ＳＢＳゴム等のスチレン系ゴム、ポリイソブチレンゴム、ブチルゴム、ブタジエンゴム、イソプレンゴム、アルフィーゴム、ニトリルゴム、フッ素ゴム、ビニルピリジンゴム、シリコンゴム、ブタジエン−メチルメタクリレートゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、エピクロロヒドリンゴム、クロロブチルゴム、ブロモブチルゴム、これらゴムの２種以上の混合物が挙げられる。これらのゴム成分は、無水マレイン酸、ハロゲン化物、ビニル化合物、アクリル化合物等の変性剤で変性されたものでも、エポキシ基含有エチレン共重合体と過度に反応し悪影響を与えない範囲で使用できる。

【0053】

エポキシ基含有エチレン共重合体とゴム成分との混合物は、公知の方法で得ることができる。例えば、エポキシ基含有エチレン共重合体とゴム成分とをドライブレンドした後、一軸もしくは二軸のスクリュー押出機、バンバリーミキサー、ロール、各種ニーダー等で溶融混練することにより製造できる。

【0054】

本発明において用いるポリブチレンテレフタレート樹脂組成物における、エポキシ基含有エチレン共重合体（Ｄ）は、上記ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）１００質量部に対する、上記変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）、上記エポキシ基含有エチレン共重合体（Ｄ）の質量部で表される式（ＩＩ）の値が、１／９以上かつ３／７以下の範囲となるように使用することが好ましい。
（Ｄ）／（（Ａ）＋（Ｂ）） ・・・（ＩＩ）

【0055】

エポキシ基含有エチレン共重合体（Ｄ）の使用量を上記の範囲とすることにより、得られる電子機器用筐体の難燃性と耐衝撃性とを好ましく両立できる。エポキシ基含有エチレン共重合体（Ｄ）の使用量を表す上記式（ＩＩ）の値が１／９未満であると、得られる電子機器用筐体に十分な耐衝撃性を与えられない可能性がある。上記式（ＩＩ）の値が３／７超であると、得られる電子機器用筐体の難燃性が不足する可能性がある。

【0056】

また、本発明において用いるポリブチレンテレフタレート樹脂組成物における、エポキシ基含有エチレン共重合体（Ｄ）の含有量は、得られる成形体の耐衝撃性を良好に改善でき、優れた機械的性質を有する成形体が得られるため、ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは３０質量部以上かつ１００質量部以下であり、より好ましくは４０質量部以上かつ７０質量部以下である。

【0057】

さらに、本発明において用いるポリブチレンテレフタレート樹脂組成物における、上記ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）、上記変性ポリエチレンテレフタレート樹脂（Ｂ）、上記ハロゲン原子を含まない難燃剤（Ｃ）、上記エポキシ基含有エチレン共重合体（Ｄ）の含有量は、ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）１００重量部に対する、各成分の質量部で表される式（ＩＩＩ）の値が、０．８以上かつ１．０以下の範囲となるように使用されることが好ましい。
（（（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｄ））／（Ｃ））×（（Ｄ）／（（Ａ）＋（Ｂ））） ・・・（ＩＩＩ）

【0058】

各成分の使用量を上記の範囲とすることにより、得られる電子機器筐体の難燃性と耐衝撃性を好ましく両立できる。各成分の使用量を表す上記式（ＩＩＩ）の値が０．８未満であると、得られる電子機器用筐体に十分な耐衝撃性を与えられない可能性がある。上記式（ＩＩＩ）の値が１．０超であると、得られる電子機器用筐体の難燃性が不足する可能性がある。

【0059】

［無機充填剤］
本発明に用いるポリブチレンテレフタレート樹脂組成物は、上記必須成分に加えて無機充填剤を含むことが好ましい。無機充填剤としては繊維状充填剤、粉粒状充填剤、板状充填剤等のいずれを用いてもよく、２種類以上を組み合わせて使用してもよい。

【0060】

本発明においては繊維状充填剤を使用することが好ましい。繊維状充填剤を使用することで、成形体に対する補強効果が得られ、成形体の機械的特性を向上できるからである。繊維状充填剤の中でもガラス繊維が特に好ましい。ガラス繊維としては、公知のガラス繊維がいずれも好ましく用いられ、ガラス繊維径や、円筒、繭形断面、長円断面等の形状、あるいはチョップドストランドやロービング等の製造に用いる際の長さやガラスカットの方法にはよらない。本発明では、ガラスの種類にも限定されないが、品質上、Ｅガラスや、組成中にジルコニウム元素を含む耐腐食ガラスが好ましく用いられる。ガラス繊維の繊維長、繊維径も一般的な範囲内にあればよい。例えば、繊維長が２．０ｍｍ以上６．０ｍｍ以下、繊維径が９．０μｍ以上１４．０μｍ以下のものを使用可能である。

【0061】

また、ポリブチレンテレフタレート樹脂組成物中の繊維状充填剤の含有量は特に限定されないが、ポリブチレンテレフタレート樹脂１００質量部に対して１００質量部以上かつ２００質量部以下が好ましく、より好ましくは１００質量部以上かつ１５０質量部以下である。

【0062】

また、本発明においては繊維状充填剤と板状充填剤とを併用することが好ましい。この併用により、成形体に耐衝撃性を与えつつ、反りを大きく低減できる。特に好ましい組み合わせは、ガラス繊維とガラスフレークである。

【0063】

また、繊維状充填剤と板状充填剤とを併用する場合には、繊維状充填材及び板状充填材の使用量の合計は、ポリブチレンテレフタレート樹脂１００質量部に対して１００質量部以上２００質量部以下が好ましい。繊維状充填材と板状充填材との比率は、本願の目的を損なわない範囲で適宜選択することができる。

【0064】

［難燃助剤］
本発明に用いるポリブチレンテレフタレート樹脂組成物は、上記必須成分に加えて難燃助剤を含むことが好ましい。難燃剤と難燃助剤とを併用することで良好な難燃効果を得ることができる。難燃助剤の種類は、本発明の目的を阻害しない範囲で限定されず、ハロゲン原子を含まない難燃剤（Ｃ）の種類に応じて好適な難燃助剤を選択して使用できる。

【0065】

本発明において用いるハロゲン原子を含まない難燃剤（Ｃ）として、有機リン系難燃剤を使用する場合は、難燃助剤として含窒素難燃助剤を用いるのが好ましい。その中でも特にメラミンシアヌレートを用いることが好ましい。

【0066】

また、ポリブチレンテレフタレート樹脂組成物中の難燃助剤の含有量は特に限定されないが、ポリブチレンテレフタレート樹脂１００質量部に対して２０質量部以上かつ４０質量部以下であることが好ましく、２５質量部以上かつ３５質量部以下であることがより好ましい。

【0067】

［その他の成分］
本発明において用いるポリブチレンテレフタレート樹脂組成物には、本発明の効果を害さない範囲で、上記以外のその他の成分がさらに含まれていてもよい。その他の成分としては、例えば、核剤、顔料、酸化防止剤、安定剤、可塑剤、滑剤、離型剤及び滴下防止剤等の添加剤、その他の樹脂等を挙げることができる。

【0068】

ポリブチレンテレフタレート樹脂組成物中の、その他の成分の含有量は特に限定されないが、その他の成分の含有量は、ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）１００質量に対して、総量で通常３０質量部以下が好ましく、より好ましくは２０質量部以下である。

【0069】

［ポリブチレンテレフタレート樹脂組成物の製造方法］
ポリブチレンテレフタレート樹脂組成物の調製法の具体的態様は特に限定されるものではない。例えば、一般に樹脂組成物又はその成形体の調製法として公知の設備と方法により、樹脂組成物を調製することができる。具体的には、必要な成分を混合し、１軸又は２軸の押出機又はその他の溶融混練装置を使用して混練し、成形用ペレットとして調製することができる。また、押出機又はその他の溶融混練装置は複数使用してもよい。また、全ての成分をホッパーから同時に投入してもよいし、一部の成分はサイドフィード口から投入してもよい。

【0070】

＜電子機器用筐体＞
本発明の電子機器用筐体は、上述のポリブチレンテレフタレート樹脂組成物から構成される。「本発明の電子機器用筐体は、上述のポリブチレンテレフタレート樹脂組成物から構成される」とは、本発明の電子機器用筐体が、当該樹脂組成物を成形することで得られたものであり、電子機器用筐体の構成成分の一部又は全てが上述のポリブチレンテレフタレート樹脂組成物に由来することを言う。

【0071】

例えば、本発明の電子機器用筐体は、常用の成形機を用いて、上述のポリブチレンテレフタレート樹脂組成物を成形することによって製造することができる。このような成形機としては、電子機器用筐体の成形に通常使用できるものであれば特に限定されず、射出成形機、圧縮成形機等を使用できる。金属部品の金型への設置の容易さや装置の簡便さ、生産性に優れる点で射出成形機を用いるのが好ましい。

【0072】

本発明の電子機器用筐体を適用する電子機器としては、特に限定されないが、ＯＡ機器、家電機器又は電気自動車からなる群のいずれかが好ましい。本発明の電子機器用筐体は、難燃性及び耐衝撃性を備えるため、これらの電子機器の部品を収容する筐体として好ましく使用できる。本発明の電子機器用筐体は、耐衝撃性及び難燃性を両立して備え、さらに、優れた低反り性を備えるため、内部に収納される部品との接合や、ケースと蓋の接合等にも適しており、安全性や良好な低反り性が求められる電子機器に好ましく適用できる。

【0073】

［ポリブチレンテレフタレート樹脂組成物及び電子機器用筐体の特性］
本発明において用いるポリブチレンテレフタレート樹脂組成物は、優れた耐衝撃性、難燃性、及び低反り性等を成形品に与える。
具体的には、本発明において用いるポリブチレンテレフタレート樹脂組成物は、ＩＳＯ−１７９に準じて測定したシャルピー衝撃値が、１０ｋＪ／ｍ^２以上であるため、当該ポリブチレンテレフタレート樹脂組成物から構成される本発明の電子機器用筐体は耐衝撃性に優れる。また、本発明において用いるポリブチレンテレフタレート樹脂組成物は、ＵＬ９４規格に準じる試験法にて厚さ２ｍｍにおいて５ＶＡ規格に適合するため、当該ポリブチレンテレフタレート樹脂組成物から構成される本発明の電子機器用筐体は難燃性に優れる。また、本発明の電子機器用筐体は、反りが抑制されているため、内部に収納される部品との接合や、ケースと蓋の接合といった加工性に優れる。

【0074】

また、本発明の電子機器用筐体は、良好な比較トラッキング指数を有するため、電子機器（特に、電源装置部品）に求められる安全性も備える。

【実施例】

【0075】

以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。

【0076】

＜材料＞
実施例及び比較例において使用した各成分の詳細は下記の通りである。
ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）；ＩＶ＝０．８のポリブチレンテレフタレートを使用、ウィンテックポリマー株式会社製「ジュラネックス」（登録商標）
変性ポリエチレンテレフタレート（変性ＰＥＴ）；１２．５モル％イソフタル酸変性ポリエチレンテレフタレートを使用、帝人ファイバー株式会社製
ポリエチレンテレフタレート（未変性ＰＥＴ）；帝人ファイバー株式会社製、製品名 ＴＲＦ
変性ポリブチレンテレフタレート（変性ＰＢＴ）；２５モル％イソフタル酸変性ポリブチレンテレフタレートを使用、ウィンテックポリマー株式会社製
難燃剤；有機リン酸塩を使用、クラリアントジャパン株式会社製、製品名 エクソリットＯＰ１２４０
難燃助剤；メラミンシアヌレートを使用、ＢＡＳＦジャパン株式会社製、製品名 ＭＥＬＡＰＵＲ ＭＣ５０
安定剤；リン酸二水素ナトリウムを使用、米山化学工業株式会社製、製品名 リン酸一ナトリウム
滴下防止剤；ＰＴＦＥを使用、三菱レイヨン株式会社製、製品名 メタブレンＡ３８００
ガラス繊維；Ｅガラスチョップドストランドを使用、日本電気硝子株式会社製、製品名 ＥＣＳ ０３ Ｔ−１８７
エラストマー１；エポキシ基含有エチレン共重合体を使用、住友化学株式会社製、製品名 ボンドファースト７Ｌ
エラストマー２；ポリエステル型ポリエステルエラストマーを使用、東洋紡績株式会社製、製品名 ペルプレンＳ２００１、硬度５５
エラストマー３；ポリエーテル型ポリエステルエラストマーを使用、東レ・デュポン株式会社製、製品名 ハイトレル５５５７、硬度５５
エラストマー４；コアシェルを使用、ローム・ハース・ジャパン株式会社製、製品名 パラロイド ＥＸＬ２３１４
エラストマー５；ＭＢＳ樹脂を使用、ローム・ハース・ジャパン株式会社製、製品名 パラロイド ＥＸＬ２６０２
エラストマー６；オレフィンを使用、三井化学株式会社製、製品名 ＮタフマーＭＰ０６２０

【0077】

「ボンドファースト７Ｌ」は、エチレンとグリシジルメタクリレートとアクリル酸メチルの共重合体である。
「ペルプレンＳ」は、ハードセグメントとしてポリブチレンテレフタレートを有し、ソフトセグメントとして軟質ポリエステルを有するブロック共重合体である。
「ハイトレル」は、ハードセグメントとしてポリブチレンテレフタレートを有し、ソフトセグメントとしてポリエーテルを有するブロック共重合体である。
「パラロイド ＥＸＬ２３１４」は、アクリル酸アルキル及びメタクリル酸アルキルの共重合体である。
「パラロイド ＥＸＬ２６０２」は、ブタジエン、アクリル酸アルキル及びメタクリル酸アルキルの共重合体である。
「Ｎタフマー ＭＰ０６２０」は、無水マレイン酸変性ポリオレフィンである。
また、「硬度」とは、ＪＩＳ Ｋ７２１５におけるデュロメータ硬さ（Ｄスケール）を示す。

【0078】

＜実施例及び比較例＞
表１及び２に示す原料を２軸押出機（（株）日本製鋼所製ＴＥＸ−３０α）に供給し、溶融混練してペレット状のポリブチレンテレフタレート樹脂組成物を製造した。溶融混練条件は下記の通りである。なお、表１及び２中の各成分の使用量を表す数字の単位は質量部である。
（溶融混練条件）
シリンダ温度：２６０℃
スクリュー回転数：１７０ｒｐｍ
吐出量：２０ｋｇ／ｈｒ

【0079】

（評価用試験片の成形条件）
得られたペレット状の樹脂組成物を１４０℃で３時間乾燥後、以下の条件で試験片を射出成形した。
成形機：ファナック（株）製 ＲＯＢＯＳＨＯＴ Ｓ２０００ｉ１００Ｂ
シリンダ温度：２６０℃
金型温度：８０℃（水温調）
射出速度：１７ｍｍ／ｓ
保圧：６０ＭＰａ×２０ｓ

【0080】

得られた各評価用試験片について、下記の条件に従って各種特性を評価した。その結果を表１及び２に示す。

【0081】

（引張試験）
ＩＳＯ５２７−１，２に定められている評価基準に従い、評価用試験片の引張強さ、引張伸びを評価した。

【0082】

（曲げ試験）
ＩＳＯ１７８に準拠して、評価用試験片の曲げ強度、曲げ弾性率を評価した。

【0083】

（シャルピー衝撃値）
ＩＳＯ−１７９（試験片厚み４ｍｍ）に定められている評価基準に従い、評価用試験片のシャルピー衝撃値を評価した。

【0084】

（溶融粘度）
ＩＳＯ１１４４３に準拠し、評価用試験片において使用した樹脂の溶融粘度を測定した。

【0085】

（難燃性）
評価用試験片（０．８ｍｍ厚み、２ｍｍ厚み）について、アンダーライターズ・ラボラトリーズのＵＬ９４規格垂直燃焼試験を実施した。各試験片についてのＵＬ９４ Ｖ−０，Ｖ−１，Ｖ−２規格についての判定結果を表１及び２中の「ＵＬ９４難燃性」に示した。また、各試験片についてのＵＬ９４ ５ＶＡ，５ＶＢ規格のうち５ＶＡに適合しているかどうかの判定結果を表１及び２中の「５ＶＡ難燃性」に示した。

【0086】

（反り）
縦１２０ｍｍ、横１２０ｍｍ、厚み２ｍｍの平板形状の試験片の平面度を測定した。試験片の平面度は、図１に示す試験片上の９点を、ＣＮＣ画像測定機（製品名；ＱＶＢＨＵ４０４−ＰＲＯ１Ｆ、株式会社ミツトヨ製）を用いて測定した。評価基準は下記の通りである。
２ｍｍ以下；◎
２〜５ｍｍ；○
５〜８ｍｍ；△
８ｍｍ以上；×

【0087】

（比較トラッキング指数（ＣＴＩ））
ＩＥＣ１１２第３版に準拠して、０．１％塩化アンモニウム水溶液及び白金電極を用いて評価用試験片の比較トラッキング指数（ＣＴＩ）を測定した。また、下記の評価基準に基づき、比較トラッキング指数をランク付けした。
２５０〜４００Ｖ；２
４００〜６００Ｖ；１
６００Ｖ超；０

【0088】

【表1】

【0089】

【表2】

【0090】

実施例において、ポリブチレンテレフタレート樹脂（Ａ）に、（Ｂ）変性ポリエチレンテレフタレート、ハロゲン原子を含まない難燃剤（Ｃ）、及びエポキシ基含有エチレン共重合体（Ｄ）が配合されることで、耐衝撃性、耐トラッキング性、及び難燃性を備え、反りが抑制された成形体が得られることが確認された。

【図1】