(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
回転するZIFリングを具備したテストヘッドと、前記テストヘッドに電気的に連結され、ウェーハ内の多数の半導体デバイスをテストするための信号を、前記テストヘッドに伝達するテスト本体とを具備したテスタと、
前記ZIFリングと結合するリング状のコネクタ部と、中央部に配され、前記半導体デバイスをテストするための多数の探針が配されているニードル・ブロックとを具備したプローブカードと、
テストされるウェーハが置かれて支持されるウェーハ支持チャックと、を含み、
前記ZIFリングの回転によって、前記プローブカードが1回のタッチで、前記ウェーハの半導体デバイスを領域別にテストし、
前記テストヘッドは、
本体に該当するテストヘッド・ボードと、
前記テストヘッド・ボードの下部に突出したリング状のベースと、
前記ベースの下面に配される前記ZIFリングと、
前記ベースと前記ZIFリングとを結合させ、前記ZIFリングを回転させる回転結合部と、
前記ZIFリングの回転の間、前記プローブカードを前記ベースから離隔させて維持させるサスペンダと、を含むテスト装置。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明が解決しようとする課題は、回転自在な構造のテスト・インターフェースを具備することによって、ウェーハ・インデキシング(indexing)なしに、ウェーハにワンタッチ・テストを行うことができるテスタ及びそのテスタを含んだテスト装置を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
前記課題を解決するために、本発明は、回転するZIF(zero insertion force)リングを具備したテストヘッドと、前記テストヘッドに電気的に連結され、ウェーハ内の多数の半導体デバイスをテストするための信号を、前記テストヘッドに伝達するテスト本体と、を含み、前記ZIFリングにプローブカードが結合し、前記ZIFリングの回転によって、前記プローブカードが1回のタッチで、前記ウェーハの半導体デバイスを領域別にテストするテスタを提供する。
【0008】
本発明の一実施形態において、前記テストヘッドは、本体に該当するテストヘッド・ボード;前記テストヘッド・ボードの下部に突出したリング状のベース;前記ベースの下面に配される前記ZIFリング;前記ベースと、前記ZIFリングと、を結合させ、前記ZIFリングを回転させる回転結合部;を含む。
【0009】
一方、前記ZIFリングには、円周方向に沿って所定間隔に配される雄コネクタまたは雌コネクタが形成されており、前記プローブカードには、前記ZIFリングに対応して、外郭円周方向に沿って雌コネクタまたは雄コネクタが形成されており、前記ZIFリングとプローブカードは、雌コネクタ及び雄コネクタの結合によって、電気的に連結される。例えば、前記プローブカードの雌コネクタまたは雄コネクタの個数は、前記ZIFリングの雄コネクタまたは雌コネクタの個数のN(Nは、2以上の整数)倍であり、前記ZIFリングは、所定角度ずつN−1回回転することによって、前記ZIFリングの雄コネクタまたは雌コネクタが、前記プローブカードのあらゆる雌コネクタまたは雄コネクタに1回ずつ結合する。
【0010】
もし前記ウェーハがN個のテスト領域に分けられる場合、前記プローブカードの雌コネクタまたは雄コネクタは、Nで割った余りに対応して分類され、最初の前記ZIFリングの雄コネクタまたは雌コネクタが、前記余り0に対応する前記プローブカードの雌コネクタまたは雄コネクタに結合され、前記ウェーハの第1領域内の前記半導体デバイスがテストされ、最初の回転後に、前記ZIFリングの雄コネクタまたは雌コネクタが、前記余り1に対応する前記プローブカードの雌コネクタまたは雄コネクタに結合され、前記ウェーハの第2領域内の前記半導体デバイスがテストされ、N−1回目の回転後に、前記ZIFリングの雄コネクタまたは雌コネクタが、前記余りN−1に対応する前記プローブカードの雌コネクタまたは雄コネクタに結合され、前記ウェーハの第N領域内の前記半導体デバイスがテストされる。
【0011】
本発明はまた、前記課題を解決するために、回転するZIFリングを具備したテストヘッドと、前記テストヘッドに電気的に連結され、ウェーハ内の多数の半導体デバイスをテストするための信号を、前記テストヘッドに伝達するテスト本体と、を具備したテスタ;前記ZIFリングと結合するリング状のコネクタ部と、中央部に配され、前記半導体デバイスをテストするための多数の探針が配されているニードル・ブロックと、を具備したプローブカード;テストされるウェーハが置かれて支持されるウェーハ支持チャック;を含み、前記ZIFリングの回転によって、前記プローブカードが1回のタッチで、前記ウェーハの半導体デバイスを領域別にテストするテスト装置を提供する。
【0012】
本発明の一実施形態において、前記テストヘッドは、本体に該当するテストヘッド・ボード;前記テストヘッド・ボードの下部に突出したリング状のベース;前記ベースの下面に配される前記ZIFリング;前記ベースと前記ZIFリングとを結合させ、前記ZIFリングを回転させる回転結合部;前記ZIFリング回転の間、前記プローブカードを前記ベースから離隔させて維持させるサスペンダ;を含む。
【0013】
また、前記プローブカードは、円板状のメイン回路ボード;前記ニードル・ブロックを前記メイン回路ボードに物理的及び電気的に連結するインターポーザ;前記メイン回路ボードの上面の外郭に形成されている前記コネクタ部;前記メイン回路ボードの上面中央部分に結合され、前記メイン回路ボードを支持する補強部材;を含む。
【0014】
一方、前記サスペンダは、前記ZIFリングが結合される部分の外郭の前記ベース下面または前記ベース側面に配されるか、あるいは前記ベースの中央部分に配され、前記プローブカードのメイン回路ボードまたは補強部材には、前記サスペンダに対応するサスペンダ結合部が形成されており、前記サスペンダと前記サスペンダ結合部は、前記半導体デバイスのテスト時に、前記プローブカードを前記ベースに密着させ、前記ZIFリングとコネクタ部とがZIF結合するように密着結合を維持し、前記ZIFリング回転の間、前記プローブカードを前記ベースから離隔させる離隔結合を維持する。
【発明の効果】
【0015】
本発明によるテスタ及びそのテスタを含んだテスト装置は、従来1枚のウェーハをテストするために、何回かのタッチダウンが必要であったが、回転するテスト・インターフェース、すなわち、回転するZIFリングを具備することによって、ショット(shot)移動が不要であり、ワンタッチでもってウェーハ全体をテストすることが可能である。
【0016】
すなわち、従来、ウェーハテスト時に、何回かのショットのために、ウェーハを移動及び回転させて整列させる装置を具備したプローバが必要であったが、本発明によるテスト装置は、かような複雑な構造のプローバが不要であり、単純にウェーハを支持することができる構造の支持台装置だけ存在すればよい。
【0017】
また、本発明によるテスト装置は、テスタ内部に設けられた信号チャネルの個数が不足していてワンショット・テストが不可能であるとき、ZIFリングの回転によって、多数の信号チャネルを利用することができるので、テスト時間短縮及び単位面積当たりのテスト面積縮小を介して生産性向上を極大化させることが可能である。
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下、添付された図面を参照しつつ、本発明の望ましい実施形態について詳細に説明する。以下の説明で、ある構成要素が他の構成要素に連結されると記述されるとき、これは、他の構成要素と直に連結されもするが、その間に第三の構成要素が介在することも可能である。また、図面で、各構成要素の構造やサイズは、説明の便宜性及び明確性のために誇張され、説明と関係ない部分は省略されている。図面上で同一符号は、同じ要素を指す。一方、使われる用語は、単に本発明を説明するための目的で使われたものであり、意味限定や特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を制限するために使われたものではない。
【0020】
図1は、半導体デバイスが形成されたウェーハを示す平面図であり、
図2は、
図1のA部分を拡大して示す平面図である。
【0021】
図1及び
図2を参照すれば、FAB(fabrication)工程を介して、ウェーハW上に複数個の半導体デバイス1が形成され、半導体デバイス1は、スクライブ・ライン3によって分離された後、アセンブリ工程を介して、個別単位チップに製造される。
【0022】
FAB工程とアセンブリ工程との間には、ウェーハWに形成された半導体デバイス1の電気的特性をテストするEDS(electric die sorting)工程が進められる。EDS工程は、ウェーハWに形成された半導体デバイス1の周辺部に沿って提供される電極パッド5に電気的信号を印加し、印加された電気的信号に対応して出力される信号によって、半導体デバイス1の良否を判断する工程である。
【0023】
ウェーハW内の半導体デバイス1の電気的テストのために、テスト装置が利用されるが、該テスト装置は、半導体デバイス1の電極パッド5に電気的信号を印加するために、テストヘッド及びプローブカードなどを具備する。以下、本発明によるテスト装置について詳細に記述する。
【0024】
図3は、本発明の一実施形態によるテスト装置を概略的に示す概略図である。
【0025】
図3を参照すれば、本実施形態のテスト装置1000は、テストヘッド100、テスト室200、プローブカード300、テスト本体400及びローダ室500を含む。ここで、テスト本体400及びテストヘッド100を合わせ、一般的にテスタであると称し、テスト本体400とテストヘッド100は、電線などを介して電気的に連結されている。
【0026】
テストヘッド100は、テストヘッド・ボード110、ベース120及びZIF(zero insertion force)リング130を含む。テストヘッド・ボード110は、テストヘッド100の本体を構成する部分であり、四角の平板状を有し、側面に傾斜を有し、下部面の面積が上部面の面積より狭い。しかし、テストヘッド・ボード110の形態はそれに限定されるものではない。例えば、上部面と下部面とが同じ一般的な四角平板状や円形平板状を有することも可能である。
【0027】
ベース120は、テストヘッド・ボード110の下部面に配され、中央部が空洞であるリング状を有し、このようなベース120の下部面に、プローブカード300がZIFリング130を介して結合する。ベース120の構造は、プローブカード300の形態によって、多様な構造を有することができる。
【0028】
ZIFリング130は、ベース120の下部面に配され、プローブカード300とベース120とをZIF結合させる。本実施形態でZIFリング130は、回転自在であり、このようなZIFリング130の回転によって、プローブカード300は、ウェーハWへの1回のタッチを介して、ウェーハW内の全体の半導体デバイスをテストする。
【0029】
テストヘッド100に係る具体的な内容は、
図4ないし
図6に係る説明部分でさらに詳細に記述する。
【0030】
テスト室200は、半導体デバイスの電気的特性をテストするための空間を提供し、テスト室200には、ウェーハWが置かれて支持されるウェーハ支持チャック220が配される。本実施形態で、ウェーハ支持チャック220は、単にウェーハWを支持しつつ、上下に移動させる機能を行うことができる。すなわち、ウェーハ支持チャック220は、テストされるウェーハWが当該位置に置かれれば、プローブカード300の探針332とのタッチのためにウェーハを上方に移動させ、テストが終了したウェーハを下方に移動させる。
【0031】
具体的には、テスト室200上部のオープンされた部分に、探針332が下方に向かったプローブカード300が置かれ、テスト室200の内側には、プローブカード300と対面するように、ウェーハ支持チャック220上にウェーハWが置かれる。ウェーハWがウェーハ支持チャック220上に置かれるとき、ウェーハWのフラットゾーン(flat zone)を利用し、半導体デバイスの電極パッドを、プローブカード300の探針332の配列方向に整列させることができる。このように、デバイスの電極パッドがプローブカード300の探針332の垂直方向下に整列されれば、ウェーハ支持チャック220が上下方向に直線移動することによって、ウェーハ内の半導体デバイスの電極パッドが、プローブカード300の探針332に、物理的及び電気的に接触する。
【0032】
従来のテスト装置の場合、1回のタッチではなく何回かのタッチを介して、ウェーハをテストした。すなわち、ウェーハをいくつかのテスト領域に分け、1回のタッチで1つのテスト領域をテストし、次回のタッチによって、他のテスト領域をテストする方式で進め、1つのウェーハに対するテストを完成した。また、このような何回かのタッチを介したテストで、プローブカード内のチャネル・ドライバを介して、ウェーハ内の当該半導体デバイスをインデキシングする過程が必要であった。それにより、ウェーハを支持するプローバは、上下移動だけではなく、前後移動または左右移動そして回転移動を行い、またプローブカードとの正確なタッチのための整列テストなどが行われた。
【0033】
しかし、本実施形態のテスト装置の場合は、1回のタッチによって、ウェーハの全領域をテストすることができるので、ウェーハ・インデキシングや、ウェーハ支持チャック220の複雑な移動が不要である。それにより、本実施形態のテスト装置は、非常に簡単な構造のウェーハ支持チャック220を採用でき、また、ウェーハ整列のための時間を大幅に短縮させることができる。もちろん、既存のプローバが本実施形態のテスト装置に利用されもする。
【0034】
プローブカード300は、メイン回路ボード310及び探針322を含む。メイン回路ボード310は、円板状を有し、上面には、円周方向に沿って形成された多数の雄コネクタまたは雌コネクタが形成される。このような雄コネクタまたは雌コネクタが、ZIFリングにZIF結合することによって、プローブカード300をベース120に結合させる。
【0035】
探針332は、ウェーハ内の半導体デバイスの電極パッドに、物理的及び電気的に接触する部分である。プローブカード300に係る内容は、
図8及び
図9に係る説明部分でさらに詳細に記述する。
【0036】
テスト本体400は、半導体デバイスをテストするための電気信号を発し、テストヘッド100及びプローブカード300を介して、ウェーハ内の各半導体デバイスに伝達する。また、テスト本体400には、印加された電気信号からチェックされる信号がプローブカード300及びテストヘッド100を介して伝達され、半導体デバイスの良否を判断する。
【0037】
前述のように、一般的にテスト本体400とテストヘッド100とを合わせてテスタという。一方、テストヘッド100とプローブカード300は、テストを媒介する機能を行うのでテスト・インターフェース(interface)に該当すると見ることができる。
【0038】
ローダ室500は、テストされるウェーハWが保存される空間であり、ローダ室500のウェーハWは、テストのために、移動手段(図示せず)によって、一つずつテスト室200のウェーハ支持チャック220に移される。
【0039】
図4は、
図3のテストヘッド部分をさらに詳細に示す斜視図である。
【0040】
図4を参照すれば、テストヘッド100は、テストヘッド・ボード110、ベース120、ZIFリング130及びサスペンダ(suspender)140を含む。
【0041】
テストヘッド・ボード110の上部部分は、長方形の平板構造を有し、下部部分は、側面が所定傾斜を有することによって、水平断面が順次狭くなる構造を有する。もちろん、テストヘッド・ボード110の構造は、これに限定されるものではない。
【0042】
ベース120は、テストヘッド・ボード110の下部面に配されて結合し、中心が空洞であるリング構造を有する。このようなベース120は、結合されるプローブカード300及びプローブカードに対応するZIFリング130の構造によって、多様な構造を有することは言うまでもない。
【0043】
ZIFリング130は、ベース120の下部面に結合し、リング状を有する。ZIFリング130には、多数の雄コネクタまたは雌コネクタが形成される。本実施形態では、雌コネクタ132がZIFリング130に形成され、雌コネクタ132は、2個ずつ対をなし、一定間隔で円周に沿って配列される。一方、このような雌コネクタ132には、内部に電極端子(図示せず)が形成されており、このような電極端子は、テストヘッド・ボード100及びベース120内部に配される配線を介して、テスト本体400と電気的に連結される。
【0044】
また、ZIFリング130の雌コネクタと、プローブカード300の雄コネクタとがZIF結合するとき、雌コネクタの電極端子と、雄コネクタの電極端子とが電気的に連結される。
【0045】
一方、ZIFリング130は、回転自在であり、このような回転のために、ベース120の下部面には、回転結合部(図示せず)が形成される。回転結合部については、
図5及び
図6で記述する。ZIFリング130が回転しつつ、ZIFリング130の雌コネクタは、プローブカード300の雄コネクタと順次に結合する。例えば、プローブカード300に、ZIFリング130の雌コネクタの3倍に該当する雄コネクタが形成された場合、ZIFリング130が、2回の所定角度で回転することによって、プローブカード300のあらゆる雄コネクタが、ZIFリング130の雌コネクタに1回ずつ結合する。
【0046】
以上、ZIFリング130に雌コネクタが形成されると述べたが、ZIFリング130に雄コネクタが形成され、プローブカード300に雌コネクタを形成することができることは言うまでもない。また、ZIFリング130が回転さえするものであるならば、雌コネクタ及び雄コネクタの構造に限定されるものではなく、電気的な結合が可能な多様な形態のコネクタが、ZIFリング130及びプローブカード300に形成されうることは言うまでもない。
【0047】
サスペンダ140は、ベース120下面の外郭終端部分に配され、ZIFリング130が回転するとき、プローブカードを所定間隔離隔させる機能を行う。すなわち、1回のテストが進められ、次のテストが進められるとき、プローブカード300は、ZIFリング130とのZIF結合が解除され、サスペンダ140を介して、ベース120の下面から所定間隔離隔されて維持される。このように、プローブカード300が離隔されている間、ZIFリング130が回転し、回転後に、プローブカード300は、またZIFリング130とZIF結合を行い、テストを続けて進める。
【0048】
結局、サスペンダ140は、テスト時には、プローブカード300とZIFリング130とがZIF結合するように密着結合させ、ZIFリング130の回転時には、プローブカード300を、ベース120の下面から所定間隔を維持するように、離隔結合させる機能を行う。このようなサスペンダ140は、本実施形態のように、ベース120の下面に配されるが、それに限定されるものではなく、前述の機能を行いさえするものであるならば、どこにでも配される。例えば、ベース120の側面に形成されもするし、
図6のように、ベース120中央部の空洞であるところにも形成されもする。
【0049】
図5は、
図4のテストヘッドで、ZIFリングを除去した様子を示す斜視図であり、理解の便宜性のために、テストヘッドをひっくり返して示している。
【0050】
図5を参照すれば、ベース120の下面には、ZIFリング130が結合されるガードリング122が形成され、ガードリング122には、ZIFリング130を回転させるための回転結合部124が形成される。
【0051】
回転結合部124は、ガードリング122の上面に突出した構造を有し、ZIFリング130がガードリング122に結合するとき、ZIFリング130の内側内部に形成された溝に挿入固定される。また、回転結合部124は、ZIFリング130に結合した後、回転溝126に沿って回転することによって、ZIFリング130を回転させることができる。このような回転結合部124は、ベース120の内部に配された回転駆動部(図示せず)によって回転される。
【0052】
本実施形態の回転結合部124は、1つの例示に過ぎない。従って、ZIFリング130を回転させることができるさまざまな構造の回転結合部が本実施形態に採用される。例えば、ZIFリング130の側面からZIFリング130に回転力を与え、ZIFリング130を回転させる構造の回転結合部が採用される。
【0053】
図6は、
図5の変形例であって、テストヘッドにサスペンダが、中心部分に形成された様子を示す斜視図である。
【0054】
図6を参照すれば、本実施形態でサスペンダ140aは、ベース120の空洞であるところの中心部分に配される。本実施形態でのサスペンダ140aも、
図4の説明部分で述べた機能を行う。すなわち、ウェーハテスト時には、プローブカード300とZIFリング130とがZIF結合するように密着結合させ、ZIFリング130の回転時には、プローブカード300を、ベース120の下面から、所定間隔を維持するように離隔結合させる機能を行う。サスペンダ140aが、ベース120の中心部分に形成された場合、プローブカード300の対応するサスペンダ結合部も、プローブカードの上面中心部分に形成されることは言うまでもない。
【0055】
図7は、
図4のテストヘッドに結合されるプローブカードの上面を示す平面図であり、
図8は、
図7のプローブカードをI−I’に沿って切り取った断面を示す断面図である。
【0056】
図7及び
図8を参照すれば、プローブカード300は、メイン回路ボード310、ニードル・ブロック320、補強部材330、インターポーザ(interposer)340及びコネクタ部350を含む。
【0057】
メイン回路ボード310は、プローブカードの本体に該当し、内部に多数の配線を含む。メイン回路ボード310内の配線を介して、インターポーザ340とコネクタ部350とが電気的に連結される。一方、メイン回路ボード310上面の外郭終端部分には、サスペンダ140との結合のために、サスペンダ結合部312が形成される。もしサスペンダ140が、ベース120の中心部分に形成された場合、サスペンダ結合部312は、プローブカード300の中心部分に形成される。
【0058】
ニードル・ブロック320には、多数の探針322が配される。このような探針322は、半導体デバイスのテスト時に、各半導体デバイスの電極パッドに、物理的及び電気的に接触する。このようなニードル・ブロック320は、インターポーザ340を介して、メイン回路ボード310に物理的及び電気的に結合する。
【0059】
本実施形態のニードル・ブロック320は、1回のタッチでウェーハ全領域の半導体デバイスをテストするために、ウェーハ全体をカバーするほどのサイズを有する。
【0060】
補強部材330は、メイン回路ボード310の上面に形成され、メイン回路ボード310を支持し、メイン回路ボード310の反りや撓みのような変形を防止する機能を行う。本実施形態で補強部材330は、図示されたような格子状を有しているが、これに限定されるものではなく、メイン回路ボードを支持することができる多様な形態に形成されることは言うまでもない。
【0061】
多数の雄コネクタ352を具備したコネクタ部350は、メイン回路ボード310の上面に、円周に沿ってリング状に形成される。コネクタ部350の雄コネクタ352は、2個ずつ対をなすが、ZIFリング130の雌コネクタ対の3倍に該当する数の対を有する。これは、ウェーハのテスト領域が3部分に分けられ、それに対応した信号チャネルが3種類に区別されるためである。従って、もし信号チャネルの数が異なり、それによって、ウェーハのテスト領域が異なって分けられる場合、コネクタ部350の雄コネクタ352の対の個数は変わりうる。
【0062】
前述のように、ZIFリングの雌コネクタ対は、コネクタ部350の各対にZIF結合するが、2回の回転を介して、コネクタ部350のあらゆるコネクタ対と1回ずつ結合する。それにより、ニードル・ブロック320のあらゆる探針322が、ZIF結合を介して、ZIFリング130の雌コネクタ132に電気的に連結される。すなわち、ニードル・ブロック320の多数の探針322は、ニードル・ブロック320内部の配線、インターポーザ340及びメイン回路ボード310内部の配線を介して、コネクタ部350の各コネクタ352に電気的に連結されている。
【0063】
一方、ZIFリング130に、雄コネクタが形成される場合、コネクタ部350のコネクタは、雌コネクタとして形成することができることは言うまでもなく、ZIFリング130のコネクタが、雌コネクタ及び雄コネクタと異なる構造のコネクタである場合、それによって、コネクタ部350のコネクタの構造も異なることは言うまでもない。
【0064】
本実施形態のプローブカード300は、1つの例示に過ぎない。それにより、本実施形態のテスト装置に採用されるプローブカードは、多様な構造を有する。すなわち、回転するZIFリングに結合する構造であるならば、いかなる構造のプローブカードも、本実施形態のテスト装置に採用される。
【0065】
図9は、
図4のテストヘッドに、プローブカードが離隔結合されている様子を示す断面図である。
【0066】
図9を参照すれば、プローブカード300は、サスペンダ140を介して、テストヘッド100のベース120に、物理的に結合する。すなわち、サスペンダ140は、プローブカード300のサスペンダ結合部312に結合することによって、プローブカード300を、ベース120に物理的に結合させる。このようなサスペンダ140は、前述のように、ウェーハテスト時には、プローブカード300とZIFリング130とがZIF結合するように密着結合させ、ZIFリング130の回転時には、プローブカード300を、ベース120の下面から所定間隔を維持するように、離隔結合させる機能を行うことができる。
【0067】
本図面は、離隔結合状態を示しているが、回転後に再びテストを行うために、サスペンダ140が上方に移動し、プローブカード300をベース120に密着させ、それにより、コネクタ部の雄コネクタ352が、ZIFリング130の雌コネクタ132とZIF結合する。
【0068】
一方、ウェーハ全体に対するテストが終了すれば、サスペンダ140によるプローブカード300の結合が解除され、プローブカード300がテストヘッド100から分離する。
【0069】
図10は、ZIFリングの回転によってプローブカードが結合する様子を順次に示す概念図である。
【0070】
図10を参照すれば、まず、プローブカード300のコネクタ部350の雄コネクタ352対のうち、第1対のコネクタ352aが、ZIFリング130の雌コネクタ132に結合する。結合した第1対のコネクタ352aが濃厚な色で表示されている(
図10(a))。
【0071】
次に、プローブカード300が、ZIFリング130から離隔され、ZIFリング130が最初に回転した後、さらにコネクタ部350の雄コネクタ352対のうち、第2対のコネクタ352bが、ZIFリング130の雌コネクタ132に結合する。やはり、結合した第2対のコネクタ352bが濃厚な色で表示されている(
図10(b))。
【0072】
さらに、プローブカード300がZIFリング130から離隔され、ZIFリング130が2回目の回転を行った後、さらにコネクタ部350の雄コネクタ352対のうち、第3対のコネクタ352cがZIFリング130の雌コネクタ132に結合する。やはり、結合した第3対のコネクタ352cが濃厚な色で表示されている(
図10(c))。
【0073】
このように、ZIFリング130の2回の回転を介して、ZIFリング130の雌コネクタ132は、プローブカード300のコネクタ部350のあらゆる雄コネクタ352対に1回ずつ結合し、それにより、3個の信号チャネルにそれぞれ連結された第1対のコネクタ352a,第2対のコネクタ352b及び第3対のコネクタ352cを介して、ウェーハ全領域の半導体デバイスを、1回のタッチでテストすることができる。すなわち、プローブカード300が、ウェーハにタッチすれば、ウェーハ全領域の半導体デバイスに対するテストが終了するまでタッチは維持され、サスペンダ140を介して密着結合及び離隔結合しつつ、ただZIFリング130のみ回転する。
【0074】
図11は、
図8のプローブカードのコネクタ部のコネクタとニードル・ブロックとの間に連結された信号チャネル関係を概念的に示す概略図である。理解の便宜のために、プローブカード300の下部に位置するニードル・ブロック320を分離して上部に図示し、またニードル・ブロックがカバーするウェーハをニードル・ブロック内に図示した。
【0075】
図11を参照すれば、前述のように、プローブカード300のコネクタ部350の雄コネクタは、2個ずつ対をなして配されるが、3個の信号チャネルに対応し、第1対のコネクタ352a,第2対のコネクタ352b及び第3対のコネクタ352cに区別される。
【0076】
ウェーハは、3個の信号チャネルに対応し、3個のテスト領域に分けられ、分けられた3個のテスト領域によって、ニードル・ブロック320も、第1ブロック領域320a,第2ブロック領域320b及び第3ブロック領域320cに区別される。第1信号チャネルに対応するコネクタ部350の第1対のコネクタ352aは、第1ブロック領域320aの探針に電気的に連結され、第2信号チャネルに対応するコネクタ部350の第2対のコネクタ352bは、第2ブロック領域320bの探針に電気的に連結され、第3信号チャネルに対応するコネクタ部350の第3対のコネクタ352cは、第3ブロック領域320cの探針に電気的に連結される。
【0077】
このような信号チャネル連結関係で、本実施形態のテスト装置は、ZIFリング130の回転を介して、ZIFリング130の雌コネクタ132を、コネクタ部350の第1対のコネクタ352a,第2対のコネクタ352b及び第3対のコネクタ352cと順次に結合させることができる。それにより、第1ブロック領域320a,第2ブロック領域320b及び第3ブロック領域320cに対応したウェーハの3個のテスト領域内の半導体デバイスが順次にいずれもテストされる。
【0078】
本実施形態で、ウェーハとニードル・ブロック320とを水平的に分けたが、それに限定されるものではなく、多様な形態に分けることができ、また信号チャネルの使用個数によって、領域区別個数及びコネクタ部350のコネクタ対の数も変わりうる。
【0079】
図12A及び
図12Bは、本発明の他の実施形態によるテスト装置で、ZIFリング及びプローブカードのコネクタ部の構造を示す平面図である。
【0080】
図12A及び
図12Bを参照すれば、
図12AのZIFリング130aは、
図4に図示されたZIFリング130と異なり、雌コネクタ134が対でもって形成されず、一つずつ個別的に形成されている。また、それに対応し、プローブカードのコネクタ部350の雄コネクタも、一つずつ形成され、単に一つずつの第1コネクタ354a,第2コネクタ354b及び第3コネクタ354cに区別される。
【0081】
本実施形態で、一つずつ形成される雌コネクタ及び雄コネクタの構造を例示したが、これに限定されるものではなく、3つ以上の対でもって形成される雌コネクタ及び雄コネクタの構造も採用されることは言うまでもない。一方、ZIFリング130のコネクタが、ZIFリング130の全体に形成され、コネクタ部350のコネクタが、各チャネルに対応し、互いに隣接する構造に形成されたが、かような構造に限定されるものではなく、他の構造で雌コネクタ及び雄コネクタが形成されもする。
【0082】
例えば、ZIFリング130のコネクタが一定部分にのみ形成され、コネクタ部のコネクタは、チャネル別に区別された領域、すなわち0〜120゜領域、120〜240゜領域及び240〜360゜領域に、第1信号チャネルないし第3信号チャネルに対応するコネクタがそれぞれ形成され、ZIFリング130が1回に120゜ほど回転し、各チャネルのコネクタに結合させる構造を採用することもできる。
【0083】
図13は、本発明のさらに他の実施形態による半導体デバイスをテストする方法を示すフローチャートである。理解の便宜のために、
図3を共に参照して説明する。
【0084】
図13を参照すれば、まず、ローダ室500から、検査するウェーハWを、テスト室200のウェーハ支持チャック220に配する(S110)。ここで、ウェーハ支持チャック220は、単にウェーハを上下移動させる機能を行い、また上面には、ウェーハが正確に配されるように、ウェーハ・フラットゾーンに対応する整列部(図示せず)が形成されている。
【0085】
次に、プローブカード300の探針332がウェーハW内のあらゆる半導体デバイスにタッチする(S120)。半導体デバイスに対するタッチは、ウェーハ支持チャック220の上方移動によってなされる。一方、半導体デバイスに対するタッチ前に、プローブカード300は、テストヘッド100のZIFリング130にZIF結合され、テスト室200の上部オープン領域に配される。
【0086】
半導体デバイスに対するタッチ後、第1信号チャネルを介して、ウェーハの第1領域上の半導体デバイスをテストする(S130)。前述のように、テストのための電気信号は、テスト本体400で生成され、テストヘッド100及びプローブカード300を経て、ウェーハ上の半導体デバイスに印加される。
【0087】
ウェーハの第1領域上の半導体デバイスに対するテストが終われば、ZIFリング130が最初の回転を行う(S140)。ZIFリング130の最初の回転は、サスペンダ140によるプローブカード300の離隔結合状態で行われ、ZIFリング130の回転後、プローブカード300は、サスペンダ140による密着結合を介して、ZIFリング130とZIF結合する。
【0088】
ZIFリング130の最初の回転後、第2信号チャネルを介して、ウェーハの第2領域上の半導体デバイスをテストする(S150)。
【0089】
ウェーハの第2領域上の半導体デバイスに対するテストが終われば、ZIFリング130が2回目の回転を行う(S160)。ZIFリング130の2回目の回転過程は、先のZIFリング130の最初の回転過程と同一である。
【0090】
ZIFリング130の2回目の回転後、第3信号チャネルを介して、ウェーハの第3領域上の半導体デバイスをテストする(S170)。第3領域上の半導体デバイスまでのテストが終われば、1つのウェーハ内のあらゆる半導体デバイスに対するテストが終了する。
【0091】
すなわち、本実施形態の半導体デバイス・テスト方法は、
図10で説明した通り、信号チャネルが3種に分類され、ウェーハが3個の領域に分けられてテストされる場合に係るものである。従って、もし信号チャネルが異なって分類され、ウェーハのテスト領域が異なって分類される場合には、それによってテスト過程が変わりうることは言うまでもない。しかし、基本的に、ZIFリングの回転を介して、ウェーハのあらゆる領域に対するテストが行われるということは同一である。
【0092】
一方、ウェーハの第1領域上の半導体デバイスのテスト時から、ウェーハの第3領域上の半導体デバイス・テストまで、ウェーハに対するプローブカード300のタッチは持続される。すなわち、従来のような何回かのタッチではない1回のタッチを介して、ウェーハのあらゆる領域の半導体デバイスに対するテストが完了される。
【0093】
1つのウェーハに対するテストが終了すれば、検査する他のウェーハが存在するか否かを判断する(S180)。もし検査するウェーハが存在すれば、ZIFリング130を反対に回転させる(S190)。すなわち、ZIFリング130を、最初の位置に復元させる。ZIFリング130の反対回転後、ウェーハ配置段階(S110)に移行し、他のウェーハに対するテストを続けて行う。
【0094】
なお、ZIFリング130の反対回転段階(S190)を経ずに、ウェーハ配置段階(S110)に移行してウェーハをテストし、反対に1回ずつ回転しつつテストする方法を利用することもできる。
【0095】
ウェーハ存在判断段階(S180)で、検査するウェーハがそれ以上ない場合、すなわち、あらゆるウェーハに対する検査を終了した場合には、テストを終了する。テスト終了時には、プローブカード300がテストヘッド100から分離される。
【0096】
以上、本発明について図面に表示された実施形態を参考にして説明したが、それらは例示的なものに過ぎず、本技術分野の当業者であるならば、それらから多様な変形及び均等な他実施形態が可能であるという点を理解するであろう。よって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決まるものである。