特許 5935179 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5935179

(24)【登録日】2016年5月20日

(45)【発行日】2016年6月15日

(54)【発明の名称】蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/04 20060101AFI20160602BHJP

【ＦＩ】

   C23C14/04 A

【請求項の数】6

【全頁数】12

(21)【出願番号】特願2011-271856(P2011-271856)

(22)【出願日】2011年12月13日

(65)【公開番号】特開2013-124372(P2013-124372A)

(43)【公開日】2013年6月24日

【審査請求日】2014年11月5日

(73)【特許権者】

【識別番号】500171707

【氏名又は名称】株式会社ブイ・テクノロジー

(74)【代理人】

【識別番号】100129425

【弁理士】

【氏名又は名称】小川 護晃

(74)【代理人】

【識別番号】100087505

【弁理士】

【氏名又は名称】西山 春之

(74)【代理人】

【識別番号】100099623

【弁理士】

【氏名又は名称】奥山 尚一

(74)【代理人】

【識別番号】100154106

【弁理士】

【氏名又は名称】荒木 邦夫

(74)【代理人】

【識別番号】100168608

【弁理士】

【氏名又は名称】梶 大樹

(72)【発明者】

【氏名】杉本 重人

【審査官】 今井 淳一

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００４−１９００５７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−１２１０６０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平１１−１５８６０５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−２３１９６４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｃ２３Ｃ １４／０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板上に複数の薄膜パターンを一定の配列ピッチで並べて成膜形成するための蒸着マスクであって、
前記薄膜パターンの配列ピッチと同じ配列ピッチで並べて該薄膜パターンと同じ寸法形状の複数の開口パターンを形成しており、前記基板上を観察可能に可視光を透過する樹脂製のフィルムと、
前記フィルムの一面に密接され、前記開口パターンに対応して該開口パターンよりも寸法形状の大きい複数の貫通開口を設けた磁性金属板からなる保持部材と、
を備えて構成され、
前記保持部材は、熱膨張係数が６×１０^−６／℃未満であることを特徴とする蒸着マスク。

【請求項2】

前記保持部材は、前記フィルムよりも面積が小さい形状の複数の単位保持部材からなり、
前記貫通開口が前記フィルムの開口パターンと同じ配列ピッチで並ぶようにして、前記複数の単位保持部材が前記フィルムの一面に密接されたことを特徴とする請求項１記載の蒸着マスク。

【請求項3】

前記保持部材は、インバーであることを特徴とする請求項１又は２記載の蒸着マスク。

【請求項4】

基板上に複数の薄膜パターンを一定の配列ピッチで並べて成膜形成するための蒸着マスクの製造方法であって、
熱膨張係数が６×１０^−６／℃未満の磁性金属板に前記薄膜パターンの配列ピッチと同じ配列ピッチで並べて該薄膜パターンよりも形状の大きい複数の貫通開口を設けて保持部材を形成する第１ステップと、
可視光を透過する樹脂製フィルムの一面に前記保持部材を密接させる第２ステップと、
電磁石を内蔵した第１の磁気チャック上に載置され、前記薄膜パターンと同じ形状寸法の基準パターンを該薄膜パターンの配列ピッチと同じ配列ピッチで並べて設けた基準基板に対して、前記保持部材の貫通開口内に前記基準パターンが位置するように前記保持部材を位置合わせした後、前記電磁石の磁力により前記保持部材を吸着して前記フィルムを前記基準基板面に密着させる第３ステップと、
前記保持部材の前記複数の貫通開口内にて、前記基準パターンに対応した前記フィルムの部分にレーザ光を照射して、前記薄膜パターンと形状寸法の同じ複数の貫通する開口パターンを形成する第４ステップと、
前記保持部材上に別の電磁石を内蔵した第２の磁気チャックを設置して該別の電磁石の磁力により前記保持部材を吸着し、前記基準基板上から前記フィルムを剥離する第５ステップと、
を行うことを特徴とする蒸着マスクの製造方法。

【請求項5】

前記保持部材は、前記フィルムよりも面積の小さい複数の単位保持部材からなり、
前記第２ステップは、前記複数の単位保持部材を前記貫通開口が前記薄膜パターンの配列ピッチと同じ配列ピッチで並ぶようにして前記フィルムの一面に密接することを特徴とする請求項４記載の蒸着マスクの製造方法。

【請求項6】

前記保持部材は、インバーであることを特徴とする請求項４又は５記載の蒸着マスクの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板上に複数の薄膜パターンを一定の配列ピッチで並べて成膜形成するための蒸着マスクに関し、特に大型の基板に対しても１回の蒸着で高精細な薄膜パターンを形成し得る蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法に係るものである。

【背景技術】

【0002】

従来の蒸着マスクは、基板の面積よりも小さく加工形成されており、一方向に基板と相対的に移動しながら蒸着するようになっていた（例えば、特許文献１参照）。

【0003】

他の蒸着マスクは、基板と略同じ面積を有する強磁性体からなるメタルマスクであり、ガラス基板の一面を覆うように該ガラス基板に密着した状態で、ガラス基板の他面側に配された電磁石が発生する磁力によって固定されるようになっていた（例えば、特許文献２参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００３−２９７５６２号公報

【特許文献2】特開２００３−１５７９７３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかし、このような従来の蒸着マスクにおいて、上記特許文献１に記載の蒸着マスクは、基板より小さく加工形成されているので、加工精度の悪化、熱膨張による寸法の狂いが抑制される利点があるものの、一方向に基板と相対移動しながら蒸着するようになっていたので、相対移動に伴う基板との間の位置ずれを常時高精度に調整する必要があり、高精細な薄膜パターンの形成が困難であるという問題がある。

【0006】

さらに、基板と相対移動させるためには、基板との間に１００μｍ程度のギャップを設ける必要があり、蒸着材料がマスクの遮蔽部の裏面側に回り込み易く、これも高精細な薄膜パターンの形成を困難にしていた。

【0007】

また、上記特許文献２に記載の蒸着マスクは、電磁石によって基板面に密着させて使用されるため、小型の基板に対しては高精細な薄膜パターンの形成が可能であるという利点があるものの、例えば一辺が１ｍ以上の大きさを有する大型基板の場合、それに伴って蒸着マスク１も大型化し、熱膨張による寸法の狂いが大きくなり、高精細な薄膜パターンの形成が困難になるという問題がある。

【0008】

この場合、基板よりも面積の小さいマスクを使用して、基板に対するマスクの位置決め−密着−引き剥がし−移動−位置決め−密着を複数回繰り返し行って、基板全面に蒸着を行なうことも考えられるが、作業工数が増して作業能率が低下するという問題がある。

【0009】

そこで、本発明は、このような問題点に対処し、大型の基板に対しても１回の蒸着で高精細な薄膜パターンを形成し得る蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0010】

上記目的を達成するために、本発明による蒸着マスクは、基板上に複数の薄膜パターンを一定の配列ピッチで並べて成膜形成するための蒸着マスクであって、前記薄膜パターンの配列ピッチと同じ配列ピッチで並べて該薄膜パターンと同じ寸法形状の複数の開口パターンを形成しており、前記基板上を観察可能に可視光を透過する樹脂製のフィルムと、前記フィルムの一面に密接され、前記開口パターンに対応して該開口パターンよりも寸法形状の大きい複数の貫通開口を設けた磁性金属板からなる保持部材と、を備えて構成され、前記保持部材は、熱膨張係数が６×１０^−６／℃未満であることを特徴とする。

【0011】

このような構成により、薄膜パターンの配列ピッチと同じ配列ピッチで並べて該薄膜パターンと同じ寸法形状の複数の開口パターンを形成しており、上記基板上を観察可能に可視光を透過する樹脂製のフィルムの一面に、上記開口パターンに対応して該開口パターンよりも寸法形状の大きい複数の貫通開口を設けた熱膨張係数が６×１０^−６／℃未満の磁性金属板からなる保持部材を密接させて、該保持部材で上記フィルムを保持する。

【0012】

好ましくは、前記保持部材は、前記フィルムよりも面積が小さい形状の複数の単位保持部材からなり、前記貫通開口が前記フィルムの開口パターンと同じ配列ピッチで並ぶようにして、前記複数の単位保持部材が前記フィルムの一面に密接されるのが望ましい。
より好ましくは、前記保持部材は、インバーであるのが望ましい。

【0013】

本発明による蒸着マスクの製造方法は、基板上に複数の薄膜パターンを一定の配列ピッチで並べて成膜形成するための蒸着マスクの製造方法であって、熱膨張係数が６×１０^−６／℃未満の磁性金属板に前記薄膜パターンの配列ピッチと同じ配列ピッチで並べて該薄膜パターンよりも形状の大きい複数の貫通開口を設けて保持部材を形成する第１ステップと、可視光を透過する樹脂製フィルムの一面に前記保持部材を密接させる第２ステップと、電磁石を内蔵した第１の磁気チャック上に載置され、前記薄膜パターンと同じ形状寸法の基準パターンを該薄膜パターンの配列ピッチと同じ配列ピッチで並べて設けた基準基板に対して、前記保持部材の貫通開口内に前記基準パターンが位置するように前記保持部材を位置合わせした後、前記電磁石の磁力により前記保持部材を吸着して前記フィルムを前記基準基板面に密着させる第３ステップと、前記保持部材の前記複数の貫通開口内にて、前記基準パターンに対応した前記フィルムの部分にレーザ光を照射して、前記薄膜パターンと形状寸法の同じ複数の貫通する開口パターンを形成する第４ステップと、前記保持部材上に別の電磁石を内蔵した第２の磁気チャックを設置して該別の電磁石の磁力により前記保持部材を吸着し、前記基準基板上から前記フィルムを剥離する第５ステップと、を行うものである。

【0014】

好ましくは、前記保持部材は、前記フィルムよりも面積の小さい複数の単位保持部材からなり、前記第２ステップは、前記複数の単位保持部材を前記貫通開口が前記薄膜パターンの配列ピッチと同じ配列ピッチで並ぶようにして前記フィルムの一面に密接するのが望ましい。
より好ましくは、前記保持部材は、インバーであるのが望ましい。

【発明の効果】

【0015】

本発明の蒸着マスクによれば、形成しようとする薄膜パターンの配列ピッチと同じ配列ピッチで薄膜パターンと同一寸法形状の開口パターンを形成したフィルムに、一般的な金属部材の熱膨張係数よりも熱膨張係数が小さい磁性金属板で形成され、上記開口パターンよりも寸法形状の大きい貫通開口を設けた保持部材を密接しているので、大型の基板に対応して保持部材の形状が大きくなっても保持部材の熱変形を抑制することがでる。したがって、従来技術と違って、大型基板に対しても１回の蒸着で高精細な薄膜パターンを形成することができる。

【0016】

また、本発明の蒸着マスクの製造方法によれば、第１の磁気チャックに保持部材を吸着した状態でフィルムの複数の開口パターンを形成した後、保持部材上に第２の磁気チャックを設置して該第２の磁気チャックで保持部材を吸着して完成した蒸着マスクを第１の磁気チャックから第２の磁気チャックに移し取るようにしているので、開口パターンの形状及び位置を維持することができる。したがって、高精細な薄膜パターンを形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】本発明による蒸着マスクの実施形態を示す図であり（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＯ−Ｏ線断面矢視図である。

【図2】本発明による蒸着マスクの製造方法を説明する断面工程図である。

【図3】本発明の蒸着マスクを使用して行う有機ＥＬ表示装置の製造を説明する断面工程図であり、赤色有機ＥＬ層形成工程の前半部を示している。

【図4】本発明の蒸着マスクを使用して行う有機ＥＬ表示装置の製造を説明する断面工程図であり、赤色有機ＥＬ層形成工程の後半部を示している。

【図5】本発明の蒸着マスクを使用して行う有機ＥＬ表示装置の製造を説明する断面工程図であり、緑色有機ＥＬ層形成工程の前半部を示している。

【図6】本発明の蒸着マスクを使用して行う有機ＥＬ表示装置の製造を説明する断面工程図であり、緑色有機ＥＬ層形成工程の後半部を示している。

【図7】本発明の蒸着マスクを使用して行う有機ＥＬ表示装置の製造を説明する断面工程図であり、青色有機ＥＬ層形成工程の前半部を示している。

【図8】本発明の蒸着マスクを使用して行う有機ＥＬ表示装置の製造を説明する断面工程図であり、青色有機ＥＬ層形成工程の後半部を示している。

【発明を実施するための形態】

【0018】

以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明による蒸着マスクの実施形態を示す図であり（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＯ−Ｏ線断面矢視図である。この蒸着マスク１は、基板上に複数の薄膜パターンを一定の配列ピッチで並べて成膜形成するためのものであり、フィルム２と、保持部材３とを備えて構成されている。

【0019】

上記フィルム２は、可視光を透過する例えば１μｍ〜３０μｍ程度の厚みのポリイミドやポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の樹脂製であり、図１（ｂ）に示すように基板上の複数の薄膜パターンの配列ピッチと同じ配列ピッチＰで並べて該薄膜パターンと同じ寸法形状の、例えば同図（ａ）に示すような細長状の複数の開口パターン４が形成されている。なお、フィルム２は、好ましくは、後述の保持部材３の熱膨張係数と略等しい熱膨張係数を有する材料が選択されるのが望ましい。この場合、フィルム２の熱膨張係数に異方性があるときには、保持部材３に形成されるストライプ状の貫通開口５の長手方向にフィルム２の熱膨張係数の大きい方向を合致させるのが望ましい。

【0020】

上記フィルム２の一面に密接して保持部材３が設けられている。この保持部材３は、フィルム２を保持するものであり、補強材としての役目を果たし、図１（ａ）に示すように、上記開口パターン４に対応して該開口パターン４よりも寸法形状の大きい、例えば細長状の複数の貫通開口５を設けた熱膨張係数が一般的な金属の熱膨張係数（６×１０^−６／℃〜２０×１０^−６／℃）よりも小さい６×１０^−６／℃未満の磁性金属板からなっている。好ましくは、保持部材３は、常温付近の熱膨張係数が２×１０^−６／℃以下のインバー又は１×１０^−６／℃以下のスーパーインバーが望ましい。

【0021】

ここで、例えば一辺が１ｍ以上の大型の角型基板に対応して大型の蒸着マスク１が必要である場合、それに適合した大型の保持部材３が準備できないときには、図１に示すように、フィルム２よりも面積が小さい複数枚の単位保持部材を貫通開口５がフィルム２の開口パターン４と同じ配列ピッチＰで並ぶようにフィルム２の一面に密接するとよい。以下の説明においては、保持部材３が第１及び第２の単位保持部材３Ａ，３Ｂからなる場合について述べる。

【0022】

なお、図１において符号６は、蒸着マスク１を基板に対して位置合わせするためのマスク側アライメントマークであり、保持部材３に形成された例えば四角形の貫通窓である。
また、上記実施形態においては、開口パターン４及び貫通開口５が細長状の形状を有する場合について説明したが、本発明はこれに限られず、開口パターン４及び貫通開口５は、細長状のブリッジで複数の小単位に分離されていてもよい。
さらに、保持部材３は、周縁部の厚みを貫通開口５が形成された中央部の厚みよりも厚く形成されてもよい。

【0023】

次に、本発明の蒸着マスク１の製造方法について図２を参照して説明する。
先ず、第１ステップは、図２（ａ）に示すように、少なくとも基板の面積と同じ面積を有する樹脂製のフィルム２に対して面積が小さく、厚みが３０μｍ〜５０μｍで、熱膨張係数が６×１０^−６／℃未満の磁性金属板（例えば、インバー）からなる第１及び第２の単位保持部材３Ａ，３Ｂを準備する。このとき、第１及び第２の単位保持部材３Ａ，３Ｂには、フィルム２に形成しようとする開口パターン４よりも寸法形状の大きい複数の貫通開口５を、例えばレーザ加工やエッチング等により開口パターン４の配列ピッチＰと同じ配列ピッチＰで並べて予め形成されている。なお、第１及び第２の単位保持部材３Ａ，３Ｂは、図１（ａ）に示すように、その一方端３ａ，３ｂが該一方端３ａ，３ｂ側に位置する貫通開口５の中心線と許容範囲内で合致するように加工され、且つ該一方端３ａ，３ｂを中心に互いに線対称に形成されている。さらに、第１及び第２の単位保持部材３Ａ，３Ｂには、後述の基準基板８に形成された図示省略の基板側アライメントマークに対して位置合わせするためのマスク側アライメントマーク６が形成されている。

【0024】

第２ステップにおいては、図２（ｂ）に示すように、少なくとも基板の面積と同じ面積を有する厚みが１μｍ〜３０μｍ程度の可視光を透過する、例えばポリイミド等の樹脂製フィルム２の一面に第１及び第２の単位保持部材３Ａ，３Ｂを上記一方端３ａ，３ｂが接するようにして密接する。より詳細には、上記第１及び第２の単位保持部材３Ａ，３Ｂは、各貫通開口５が第１の単位保持部材３Ａから第２の単位保持部材３Ｂに亘って配列ピッチＰで並ぶように調整してフィルム２の一面に密接される（図１（ｂ）参照）。

【0025】

ここで、上記密接には、フィルム状の樹脂に保持部材３を圧着させる方法、フィルム状の樹脂に保持部材３を接着させる方法、半乾燥状態の樹脂溶液に保持部材３を圧着する方法、又は保持部材３に溶液状の樹脂をコーティングする方法等が含まれる。

【0026】

詳細には、上記フィルム状の樹脂に保持部材３を圧着させる方法には、熱可塑性のフィルムや表面に融着性処理が施されたフィルム２に保持部材３を熱圧着する方法や、フィルム２の表面を改質処理して保持部材３を熱圧着する方法がある。この場合、フィルム２の表面にカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）やカルボニル基（−ＣＯＯ）等を形成して表面の改質を行えば、金属製の保持部材３との界面における化学結合により接着が可能となる。又は、フィルム２の表面を大気圧プラズマ又は減圧プラズマ中でプラズマ処理したり、アルカリ溶液でフィルム２の表面をウェットエッチングしたりしてフィルム２の表面を改質してもよい。

【0027】

また、フィルム状の樹脂に保持部材３を接着させる方法には、溶剤を含まない、又は溶剤を極めて少ない量だけ含む硬化性樹脂により接着する方法がある。例えば、周縁領域に金属膜をコーティングしたフィルム２を使用して、該金属膜上に塗布されたノンフラックス半田によりフィルム２と保持部材３とをノンフラックス半田付けする方法もこれに含まれる。

【0028】

第３ステップにおいては、図２（ｃ）に示すように、形成しようとする薄膜パターンと同じ寸法形状を有し、該薄膜パターンと同じ配列ピッチＰで並べて設けた成膜の基準となる複数の基準パターン７を形成した基準基板８を第１の磁気チャック９上に載置し、顕微鏡により保持部材３に予め形成されたマスク側アライメントマーク６と、フィルム２を透過して基準基板８に予め形成された図示省略の基板側アライメントマークを観察しながら、両マークが一定の位置関係を成すように（例えば両マークの中心位置が合致するように）調整して保持部材３を基準基板８に位置合わせした後、基準基板８上に設置し、第１の磁気チャック９の電磁石１３をオンし、電磁石１３の磁力により保持部材３を吸着してフィルム２を基準基板８の上面に密着させる。

【0029】

第４ステップにおいては、図２（ｄ）に示すように、保持部材３の貫通開口５内の基準パターン７に対応したフィルム２の部分に、波長が４００ｎｍ以下の、例えばＫｒＦ２４８ｎｍのエキシマレーザを使用して、エネルギー密度が０．１Ｊ／ｃｍ^２〜２０Ｊ／ｃｍ^２のレーザ光Ｌを照射し、これによりフィルム２をアブレーションして薄膜パターンと同じ寸法形状の貫通する開口パターン４を形成する。

【0030】

この場合、フィルム２に照射されるレーザ光Ｌは、光源から放射されたレーザビームの径をビームエキスパンダで拡張し、照明光学系により均一光にした後、シリンドリカルレンズで線状のビームに変換される。このとき、シリンドリカルレンズの光入射側の面に細長状の開口を設けたフォトマスクを配置し、シリンドリカルレンズによりフォトマスクの開口を基準基板８の基準パターン７に合わせてフィルム２上に縮小投影するとよい。

【0031】

また、レーザ光Ｌによるフィルム２の開口パターン４の形成は、次のようにして行うことができる。即ち、基準基板８を基準パターン７の並び方向に一定速度で搬送しながら、レーザ光Ｌの照射位置に対して基板搬送方向の手前側に一定距離はなれた位置を撮影可能に配置された撮像手段により基準基板８の基準パターン７を撮影し、該基準パターン７が検出されてから基準基板８が予め定められた一定距離移動する毎にレーザ光Ｌをフィルム２に対して照射させて行う。

【0032】

第５ステップにおいては、図２（ｅ）に示すように、吸着面が平坦に形成された第２の磁気チャック１０を保持部材３の上面に設置し、第２の磁気チャック１０の電磁石１３をオンすると共に第１の磁気チャック９の電磁石１３をオフし、第２の磁気チャック１０の磁力により保持部材３を吸着して該保持部材３及びフィルム２を一体的に基準基板８上から剥離し、第２の磁気チャック１０側に受け取る。これにより、本発明の蒸着マスクの製造工程が終了し、図１に示すような蒸着マスク１が完成する。以後、この第２の磁気チャック１０に保持部材３を吸着した状態で蒸着マスク１のハンドリングを行えば、蒸着マスク１の開口パターン４の形状及び位置が維持され、その後の高精細な薄膜パターンの形成を容易に行うことができる。

【0033】

次に、本発明による蒸着マスク１を使用して、ＴＦＴ基板上に一定形状の複数種の薄膜パターンとしてのＲ（赤色）有機ＥＬ層、Ｇ（緑色）有機ＥＬ層及びＢ（青色）有機ＥＬ層を形成して有機ＥＬ表示装置を製造する方法について説明する。なお、以下の説明において、第１及び第２の磁気チャック９，１０の電磁石１３のオン状態は図中黒く塗りつぶして示し、オフ状態は白抜きで示す。
最初に、図３及び図４を参照してＴＦＴ基板上に正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ発光層、電子輸送層等の積層構造となるように順次成膜してＲ有機ＥＬ層１４を形成する場合について説明する。この場合、先ず、図３（ａ）に示すように、第２の磁気チャック１０に吸着して保持された蒸着マスク１を第１の磁気チャック９上に載置されたＴＦＴ基板１１の上方に位置付け、同図（ｂ）に示すように、マスク側アライメントマークとＲ用基板側アライメントマークとを顕微鏡により観察しながら、両マークが一定の位置関係となるように調整して蒸着マスク１とＴＦＴ基板１１とを位置合わせした後、ＴＦＴ基板１１上にフィルム２を密着させる。これにより、蒸着マスク１の開口パターン４がＴＦＴ基板１１のＲ対応アノード電極１２Ｒ上に位置付けられることになる。

【0034】

その後、図３（ｃ）に示すように、第１の磁気チャック９の電磁石１３をオンすると共に第２の磁気チャック１０の電磁石１３をオフし、第１の磁気チャック９により蒸着マスク１の保持部材３を吸着して蒸着マスク１を第２の磁気チャック１０からＴＦＴ基板１１上に移す。

【0035】

次に、図４（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１１と蒸着マスク１とを一体的に第１の磁気チャック９に保持した状態で図示省略の真空蒸着装置の真空槽内に設置し、蒸着マスク１の開口パターン４を介してＴＦＴ基板１１のＲ対応アノード電極１２Ｒ上のＲ有機ＥＬ層形成領域にＲ有機ＥＬ層１４Ｒを真空蒸着する。

【0036】

次いで、真空槽内から第１の磁気チャック９を取り出し、図４（ｂ）に示すように、蒸着マスク１上に第１の磁気チャック９を置き、同図（ｃ）に示すように第２の磁気チャック１０の電磁石１３をオンすると共に第１の磁気チャック９の電磁石１３をオフし、蒸着マスク１の保持部材３を第２の磁気チャック１０により吸着して蒸着マスク１をＴＦＴ基板１１側から第２の磁気チャック１０側に移す。これにより、ＴＦＴ基板１１のＲ対応アノード電極１２Ｒ上にＲ有機ＥＬ層１４Ｒが形成される。

【0037】

次に、図５及び図６を参照してＴＦＴ基板１１上にＧ有機ＥＬ層１４を形成する場合について説明する。この場合、先ず、図５（ａ）に示すように、第２の磁気チャック１０に吸着して保持された蒸着マスク１を第１の磁気チャック９上に載置されたＴＦＴ基板１１の上方に位置付け、同図（ｂ）に示すように、マスク側アライメントマークとＧ用基板側アライメントマークとを顕微鏡により観察しながら、両マークが一定の位置関係となるように調整して蒸着マスク１とＴＦＴ基板１１とを位置合わせした後、ＴＦＴ基板１１上にフィルム２を密着させる。これにより、蒸着マスク１の開口パターン４がＴＦＴ基板１１のＧ対応アノード電極１２Ｇ上に位置付けられることになる。

【0038】

その後、図５（ｃ）に示すように、第２の磁気チャック１０の電磁石１３をオンすると共に第２の磁気チャック１０の電磁石１３をオフし、第１の磁気チャック９により蒸着マスク１の保持部材３を吸着して蒸着マスク１を第２の磁気チャック１０からＴＦＴ基板１１上に移す。

【0039】

次に、図６（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１１と蒸着マスク１とを一体的に第１の磁気チャック９に保持した状態で真空蒸着装置の真空槽内に設置し、蒸着マスク１の開口パターン４を介してＴＦＴ基板１１のＧ対応アノード電極１２Ｇ上のＧ有機ＥＬ層形成領域にＧ有機ＥＬ層１４Ｇを真空蒸着する。

【0040】

次いで、真空槽内から第１の磁気チャック９を取り出し、図６（ｂ）に示すように蒸着マスク１上に第２の磁気チャック１０を置き、同図（ｃ）に示すように第２の磁気チャック１０の電磁石１３をオンすると共に第１の磁気チャック９の電磁石１３をオフし、蒸着マスク１の保持部材３を第２の磁気チャック１０により吸着して蒸着マスク１をＴＦＴ基板１１側から第２の磁気チャック１０側に移す。これにより、ＴＦＴ基板１１のＧ対応アノード電極１２Ｇ上にＧ有機ＥＬ層１４Ｇが形成される。

【0041】

次に、図７及び図８を参照してＴＦＴ基板１１上にＢ有機ＥＬ層１４を形成する場合について説明する。この場合、先ず、図７（ａ）に示すように、第２の磁気チャック１０に吸着して保持された蒸着マスク１を第１の磁気チャック９上に載置されたＴＦＴ基板１１の上方に位置付け、同図（ｂ）に示すように、マスク側アライメントマークとＢ用基板側アライメントマークとを顕微鏡により観察しながら、両マークが一定の位置関係となるように調整して蒸着マスク１とＴＦＴ基板１１とを位置合わせした後、ＴＦＴ基板１１上にフィルム２を密着させる。これにより、蒸着マスク１の開口パターン４がＴＦＴ基板１１のＢ対応アノード電極１２Ｂ上に位置付けられることになる。

【0042】

その後、図７（ｃ）に示すように、第１の磁気チャック９の電磁石１３をオンすると共に第２の磁気チャック１０の電磁石１３をオフし、第１の磁気チャック９により蒸着マスク１の保持部材３を吸着して蒸着マスク１を第２の磁気チャック１０からＴＦＴ基板１１上に移す。

【0043】

次に、図８（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１１と蒸着マスク１とを一体的に第１の磁気チャック９に保持した状態で真空蒸着装置の真空槽内に設置し、蒸着マスク１の開口パターン４を介してＴＦＴ基板１１のＢ対応アノード電極１２Ｂ上のＢ有機ＥＬ層形成領域にＢ有機ＥＬ層１４Ｂを真空蒸着する。

【0044】

次いで、真空槽内から第１の磁気チャック９を取り出し、図８（ｂ）に示すように、蒸着マスク１上に第２の磁気チャック１０を置き、同図（ｃ）に示すように第２の磁気チャック１０の電磁石１３をオンすると共に第１の磁気チャック９の電磁石１３をオフし、蒸着マスク１の保持部材３を第２の磁気チャック１０により吸着して蒸着マスク１をＴＦＴ基板１１上から第２の磁気チャック１０側に移す。これにより、ＴＦＴ基板１１のＢ対応アノード電極１２Ｂ上にＢ有機ＥＬ層１４Ｂが形成される。

【0045】

その後、ＴＦＴ基板１１の各有機ＥＬ層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂ上には、公知の技術を使用してＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の透明導電膜が形成され、さらにその上に透明な保護基板が接着されて有機ＥＬ表示装置が製造される。

【0046】

一方、蒸着マスク１は、上述と同様にして第２の磁気チャック１０側から第１の磁気チャック９側に移され、プラズマ処理装置内でプラズマ処理して蒸着マスク１上に付着した有機ＥＬ蒸着材料が除去される。そして、このようにして洗浄された蒸着マスク１は、再び第２の磁気チャック１０に移されて第２の磁気チャック１０に保持された状態で、又は第１の磁気チャック９に保持されたままで保管される。したがって、蒸着マスク１がよじれたり撓んだりして開口パターン４の形状が崩れたり位置がずれたりするおそれがない。

【0047】

なお、上記Ｒ有機ＥＬ層１４Ｒ、Ｇ有機ＥＬ層１４Ｇ及びＢ有機ＥＬ層１４Ｂの形成工程は、同一の蒸着マスク１を使用して一連の工程として実行することができる。

【符号の説明】

【0048】

１…蒸着マスク
２…フィルム
３…保持部材
３Ａ…第１の単位保持部材
３Ｂ…第２の単位保持部材
４…開口パターン
５…貫通開口
７…基準パターン
８…基準基板
９…第１の単位保持部材
１０…第２の単位保持部材
１３…電磁石
Ｌ…レーザ光

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】