特許 5935922 信号線路モジュールおよび通信端末装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5935922

(24)【登録日】2016年5月20日

(45)【発行日】2016年6月15日

(54)【発明の名称】信号線路モジュールおよび通信端末装置

(51)【国際特許分類】

   H01P 3/08 20060101AFI20160602BHJP

   H01P 5/08 20060101ALI20160602BHJP

【ＦＩ】

   H01P3/08 200

   H01P5/08 Z

【請求項の数】4

【全頁数】13

(21)【出願番号】特願2015-86452(P2015-86452)

(22)【出願日】2015年4月21日

(62)【分割の表示】特願2014-93289(P2014-93289)の分割

【原出願日】2013年6月28日

(65)【公開番号】特開2015-167377(P2015-167377A)

(43)【公開日】2015年9月24日

【審査請求日】2015年4月21日

(31)【優先権主張番号】特願2012-215393(P2012-215393)

(32)【優先日】2012年9月28日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】110000970

【氏名又は名称】特許業務法人 楓国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】石塚 健一

(72)【発明者】

【氏名】加藤 登

【審査官】 岸田 伸太郎

(56)【参考文献】

【文献】 国際公開第２０１１／０２１６７７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開平０８−２４２１１７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１２／０７４１０１（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｐ １／００−１１／００

Ｈ０１Ｑ １／００−２５／０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

給電回路に接続される第１接続部と、
放射素子に接続される第２接続部と、
第１端が前記第１接続部に接続される第１高周波線路部と、
第１端が前記第２接続部に接続される第２高周波線路部と、
前記第１高周波線路部の第２端と前記第２高周波線路部の第２端との間に構成され、前記第１高周波線路部と前記第２高周波線路部とをインピーダンス整合させる整合回路の全部または一部を構成する第１整合回路部と、
を備え、
前記第１接続部、前記第１高周波線路部、前記第２高周波線路部、および前記第２接続部は複数の基材層を積層してなる積層体に一体的に設けられていて、
前記第１接続部および前記第１高周波線路部は、前記積層体の積層方向からの平面視で、グランド導体と重なるグランド領域に形成され、前記第２高周波線路部および前記第２接続部は、前記グランド領域外に形成されていて、
前記第２高周波線路部の信号線は、前記積層体の積層方向に対して、前記グランド導体との間に形成される容量が小さくなる位置にオフセット配置され、
前記第２高周波線路部および前記第２接続部は、前記放射素子とともに放射部として作用する、信号線路モジュール。

【請求項2】

前記積層体は、第１主面および前記第１主面に対向する第２主面を有し、
前記グランド導体は、前記第１主面側に形成される第１グランド導体と、前記第２主面側に形成され、開口部を有する第２グランド導体とを有し、
前記第１高周波線路部の信号線および前記第２高周波線路部の信号線は、前記積層体の積層方向に対して、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体との間の層に設けられ、
前記第２高周波線路部の信号線は、前記積層体の積層方向に対して、前記第２主面寄りにオフセット配置される、請求項１に記載の信号線路モジュール。

【請求項3】

前記第１高周波線路部の信号線は、前記積層体の積層方向に対して前記第２グランド導体寄りにオフセット配置される、請求項２に記載の信号線路モジュール。

【請求項4】

給電回路および放射素子を備えた通信端末装置であって、
前記給電回路と前記放射素子とは信号線路モジュールを介して接続されており、
前記信号線路モジュールは、
給電回路に接続される第１接続部と、
放射素子に接続される第２接続部と、
第１端が前記第１接続部に接続される第１高周波線路部と、
第１端が前記第２接続部に接続される第２高周波線路部と、
前記第１高周波線路部の第２端と前記第２高周波線路部の第２端との間に構成され、前記第１高周波線路部と前記第２高周波線路部とをインピーダンス整合させる整合回路の全部または一部を構成する第１整合回路部と、を備え、
前記第１接続部、前記第１高周波線路部、前記第２高周波線路部、および前記第２接続部は複数の基材層を積層してなる積層体に一体的に設けられていて、
前記第１接続部および前記第１高周波線路部は、前記積層体の積層方向からの平面視で、グランド導体と重なるグランド領域に形成され、前記第２高周波線路部および前記第２接続部は、前記グランド領域外に形成されていて、
前記第２高周波線路部の信号線は、前記積層体の積層方向に対して、前記グランド導体との間に形成される容量が小さくなる位置にオフセット配置され、
前記第２高周波線路部および前記第２接続部は、前記放射素子とともに放射部として作用する、ことを特徴とする通信端末装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、機能性を有する信号線路または信号線路に機能性が付与された信号線路モジュール、および、この信号線路モジュールを利用した通信端末装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

近年、携帯電話をはじめとする通信端末装置の高機能化・小型化が進められており、通信端末装置における各種電子部品の配置位置の制約上、ＲＦＩＣチップなどの給電回路素子を放射素子から離れた場所に置かざるを得ない場合がある。この場合の構成例が例えば特許文献１に示されている。

【0003】

図１４は特許文献１に示されている通信端末装置の概略構成図である。ここで、基板グランドが形成された基板２、アンテナ５、無線回路３が筐体１内に収められている。無線回路３は、給電線路４やアンテナ整合回路８を介して、アンテナ５に接続される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００６−３２５０９３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかし、一般に、同軸ケーブル（図１４の例では給電線路４）をＲＦＩＣ（無線回路３）やアンテナ整合回路８に接続する際に、コネクタを用いる必要があるため、線路−コネクタ間でインピーダンス不整合による伝送電力の損失が発生することがある。また、放射素子（アンテナ５）の近傍に整合回路を配置せざるを得ないので、放射素子の近傍に整合回路用の別基板が必要になり、この別基板に形成されているグランド導体の影響で放射素子のアンテナ特性が劣化するおそれがある。

【0006】

そこで、本発明の目的は、伝送電力の損失を低減するとともに、放射素子のアンテナ特性の劣化を抑制した信号線路モジュール、および、この信号線路モジュールを利用した通信端末装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

（１）本発明の信号線路モジュールは、
給電回路に接続される第１接続部と、
放射素子に接続される第２接続部と、
第１端が前記第１接続部に接続される第１高周波線路部と、
第１端が前記第２接続部に接続される第２高周波線路部と、
前記第１高周波線路部の第２端と前記第２高周波線路部の第２端との間に構成され、前記第１高周波線路部と前記第２高周波線路部とをインピーダンス整合させる整合回路の全部または一部を構成する第１整合回路部と、
を備え、
前記第１接続部、前記第１高周波線路部、前記第２高周波線路部、および前記第２接続部は複数の基材層を積層してなる積層体に一体的に設けられていて、
前記第１接続部および前記第１高周波線路部は、前記積層体の積層方向からの平面視で、グランド導体と重なるグランド領域に形成され、前記第２高周波線路部および前記第２接続部は、前記グランド領域外に形成されていて、
前記第２高周波線路部の信号線は、前記積層体の積層方向に対して、前記グランド導体との間に形成される容量が小さくなる位置にオフセット配置され、
前記第２高周波線路部および前記第２接続部は、前記放射素子とともに放射部として作用する、ことを特徴とする。

【0008】

（２）前記積層体は、第１主面および前記第１主面に対向する第２主面を有し、前記グランド導体は、前記第１主面側に形成される第１グランド導体と、前記第２主面側に形成され、開口部を有する第２グランド導体とを有し、前記第１高周波線路部の信号線および前記第２高周波線路部の信号線は、前記積層体の積層方向に対して、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体との間の層に設けられ、前記第２高周波線路部の信号線は、前記積層体の積層方向に対して、前記第２主面寄りにオフセット配置されることが好ましい。

【0009】

（３）前記第１高周波線路部の信号線は、前記積層体の積層方向に対して前記第２グランド導体寄りにオフセット配置されることが好ましい。

【0010】

（４）本発明の通信端末装置は、給電回路および放射素子を備え、
前記給電回路と前記放射素子とは信号線路モジュールを介して接続されており、
前記信号線路モジュールは、
給電回路に接続される第１接続部と、
放射素子に接続される第２接続部と、
第１端が前記第１接続部に接続される第１高周波線路部と、
第１端が前記第２接続部に接続される第２高周波線路部と、
前記第１高周波線路部の第２端と前記第２高周波線路部の第２端との間に構成され、前記第１高周波線路部と前記第２高周波線路部とをインピーダンス整合させる整合回路の全部または一部を構成する第１整合回路部と、を備え、
前記第１接続部、前記第１高周波線路部、前記第２高周波線路部、および前記第２接続部は複数の基材層を積層してなる積層体に一体的に設けられていて、
前記第１接続部および前記第１高周波線路部は、前記積層体の積層方向からの平面視で、グランド導体と重なるグランド領域に形成され、前記第２高周波線路部および前記第２接続部は、前記グランド領域外に形成されていて、
前記第２高周波線路部の信号線は、前記積層体の積層方向に対して、前記グランド導体との間に形成される容量が小さくなる位置にオフセット配置され、
前記第２高周波線路部および前記第２接続部は、前記放射素子とともに放射部として作用する、
ことを特徴とする。

【発明の効果】

【0011】

本発明によれば、高周波線路部と整合回路部とが一体化しているため、線路−コネクタ間のインピーダンス不整合による、コネクタ間の線路の電気長に対応した定在波の発生を抑えることができ、低損失の伝送電力が可能となる。また、必ずしも整合回路用の別基板を必要としないため、比較的大きなグランド導体が放射素子の近傍に配置されることが無く、アンテナの放射特性の劣化が抑制される。さらに、第２高周波線路部は非グランド領域に形成しているため、この部分を放射素子として利用することができる。しかも、整合回路用の別基板を必要としないため小型化できる。

【0012】

ゆえに、高周波信号の伝送損失が少なく放射利得に優れた信号線路モジュールを構成でき、この信号線路モジュールを備えることで、簡易な構成の通信端末装置を実現し得る。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】図１（Ａ）は第１の実施形態に係る信号線路モジュールを備えた通信端末装置３０１の下部筐体を取り外した状態での上部筐体側の内部の構造を示す図である。図１（Ｂ）は通信端末装置３０１の断面図である。

【図2】図２は信号線路モジュール１０１の断面図である。

【図3】図３（Ａ）は第１高周波線路部２１の部分分解斜視図、図３（Ｂ）は整合回路部３０、第２高周波線路部２２および第２接続部１２を含む領域の分解斜視図である。

【図4】図４は第２の実施形態に係る信号線路モジュール１０２の断面図である。

【図5】図５は第１整合回路部３１および第２整合回路部３２の分解斜視図である。

【図6】図６は図４に示した信号線路モジュール１０２および放射素子５５を含む部分の等価回路図である。

【図7】図７（Ａ）、図７（Ｂ）は図６を更にシンボリックに表した等価回路図である。

【図8】第２の実施形態に係る別の信号線路モジュールおよび放射素子を含む部分の等価回路図である。

【図9】図９（Ａ）、図９（Ｂ）は第２の実施形態に係る別の信号線路モジュールの等価回路図である。

【図10】図１０（Ａ）は第３の実施形態に係る信号線路モジュール１０３を備えた通信端末装置３０３の下部筐体を取り外した状態での上部筐体側の、主要部の内部構造を示す図である。図１０（Ｂ）は通信端末装置３０３の主要部の断面図である。

【図11】図１１は第４の実施形態に係る信号線路モジュールを備えたアンテナ装置の回路図である。

【図12】図１２は第５の実施形態に係る信号線路モジュールを備えたアンテナ装置の回路図である。

【図13】図１３は第６の実施形態に係る信号線路モジュール１０６の主要部の概念断面図である。

【図14】図１４は特許文献１に示されている通信端末装置の概略構成図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

《第１の実施形態》
図１（Ａ）は第１の実施形態に係る信号線路モジュールを備えた通信端末装置３０１の下部筐体（表示パネル側の筐体）を取り外した状態、すなわち上部筐体側の内部の構造を示す図である。この通信端末装置３０１は、ＧＳＭ（登録商標）等のセルラー通信システムを搭載したスマートフォンである。但し、下部筐体の内面に貼付されている放射板５４については下部筐体から分離して一緒に図示している。図１（Ｂ）は通信端末装置３０１の断面図である。

【0015】

筐体８０の内部にはプリント配線板５１，５２、バッテリーパック５３等が収められている。プリント配線板５１には通信回路を備えたＲＦＩＣ５６を含む複数の電子部品が実装されている。また、プリント配線板５２にはカメラモジュールやその他の電子部品が実装されている。

【0016】

下部筐体の一つのコーナー部には放射板５４が貼付されている。放射板５４にはＧＳＭ（登録商標）等のセルラー通信用のＵＨＦ帯の放射素子５５が形成されている。

【0017】

プリント配線板５１と放射板５４とは信号線路モジュール１０１を介して接続されている。信号線路モジュール１０１は、その一方の端部に第１接続部であるコネクタ１１Ｃを備えていて、他方の端部には第２接続部である接続ピン１２Ｐを備えている。プリント配線板５１にはレセプタクル５７が設けられていて、このレセプタクル５７にコネクタ１１Ｃが取り付けられる。信号線路モジュール１０１の接続ピン１２Ｐは放射板５４の放射素子５５に対する給電点に当接する。

【0018】

信号線路モジュール１０１はバッテリーパック５３に接着層５８を介して接着固定されている。この信号線路モジュール１０１の整合回路部３０には整合回路素子３０Ｅが搭載されている。後に詳述するように、信号線路モジュール１０１の一部は放射板５４とともに放射部ＲＺとして作用する。

【0019】

図２は信号線路モジュール１０１の断面図である、但し、断面構造を明瞭にするため、厚み方向を誇張して描いている。図３（Ａ）は第１高周波線路部２１の部分分解斜視図、図３（Ｂ）は整合回路部３０、第２高周波線路部２２および第２接続部１２を含む領域の分解斜視図である。

【0020】

図２に示すように、第１接続部１１にコネクタ１１Ｃが設けられていて、第２接続部１２に接続ピン１２Ｐが設けられている。第１接続部１１、第１高周波線路部２１、整合回路部３０は、グランド導体が形成されたグランド領域ＧＺにある。また、第２高周波線路部２２および第２接続部１２は、グランド導体が形成されていない非グランド領域ＮＧＺにある。

【0021】

以下、図２に基づき、信号線路モジュール１０１の構造を詳述する。この信号線路モジュール１０１は、複数の誘電体層を積層してなる積層体を素体とする。

【0022】

コネクタ１１Ｃは、セルラー通信用のＲＦＩＣチップを含む給電回路への接続端子であり、層間接続導体を介して第１高周波線路部２１の信号線ＳＬ１の第１端に接続されている。コネクタ１１Ｃは、積層体の他方主面側に搭載されている。第１高周波線路部２１の信号線ＳＬ１の第２端は第１整合回路３０の一端に接続されている。第１整合回路３０の他端は第２高周波線路部２２の信号線ＳＬ２の第２端に接続されている。第２高周波線路部２２の信号線ＳＬ２の第１端は接続ピン１２Ｐに接続されている。すなわち、給電
回路から供給された出力信号は、コネクタ１１Ｃ、第１高周波線路部２１、第１整合回路３０、第２高周波線路部２２および接続ピン１２Ｐを介して、アンテナ素子に供給され、アンテナ素子から外部に放射される。アンテナ素子にて受信した受信信号は、接続ピン１２Ｐ、第２高周波線路部２２、第１整合回路３０、第１高周波線路部２１およびコネクタ１１Ｃを介して、給電回路に供給される。

【0023】

第１高周波線路２１の信号線ＳＬ１は、グランド導体Ｇ１とグランド導体Ｇ２との間に設けられており、トリプレート型のストリップライン構造を有する。つまり、第１高周波線路２１の信号線ＳＬ１、グランド導体Ｇ１およびグランド導体Ｇ２によって、第１高周波線路部２１が構成されている。なお、後に詳述するように、グランド導体Ｇ１はベタ状の平面導体であるが、グランド導体Ｇ２には、第１高周波線路の信号線ＳＬ１の延設方向に沿って平面導体に複数の開口部とブリッジ部とが交互に周期的に設けられた構造を
有している。第１高周波線路部２１の信号線ＳＬ１は、グランド導体Ｇ２寄りにオフセット配置されている。これにより、第１高周波線路部２１の信号線ＳＬ１に対してグランド導体Ｇ１は基準グランドとして機能し、グランド導体Ｇ２は補助グランドとして機能する。つまり、第１高周波線路部２１の信号線ＳＬ１の線幅や第１高周波線路部２１の信号線ＳＬ１とグランド導体Ｇ１との間隔によって、所定のインピーダンス（たとえば５０Ω）よりも少し高めのインピーダンス（たとえば５５Ω）に設計され、少し高めに設計されていたインピーダンスが所定のインピーダンス（たとえば５０Ω）となるように、グランド導体Ｇ２におけるブリッジ部と第１高周波線路部２１の信号線ＳＬ１との間に形成される容量成分を設計することによって、第１高周波線路部２１の特性インピーダンスが設計されている。

【0024】

第１整合回路３０は、信号伝搬路に対して直列に挿入されたインダクタンス素子と、信号伝搬路に対してシャント接続されたキャパシタンス素子とによって構成されている。インダクタンス素子はチップインダクタで構成されており、キャパシタンス素子はチップコンデンサで構成されている。これらチップインダクタやチップコンデンサは表面実装部品として、積層体の他方主面側に搭載されている。すなわち、第１整合回路３０の一端は、第１高周波線路部２１の信号線ＳＬ１の第２端に、層間接続導体を介して接続された
チップインダクタおよびチップコンデンサによって構成されている。第１整合回路３０の他端は、層間接続導体を介して、第２高周波線路部２２の信号線ＳＬ２の第２端に接続されている。第１整合回路３０を構成する表面実装部品は、積層体の他方主面側、つまり、グランド導体Ｇ１側に搭載されている。

【0025】

第２高周波線路部２２の信号線ＳＬ２に対してグランド導体は近接配置されていない。すなわち、第２高周波線路部２２の信号線ＳＬ２は、マイクロストリップライン構造やトリプレート型ストリップライン構造を構成しておらず、積層体における非グランド領域ＮＧＺに設けられている。第２高周波線路部２２の信号線ＳＬ２は、第１高周波線路部２１の信号線ＳＬ１が設けられた層と同じ層に設けられている。つまり、各高周波線路は、積層体の一方主面寄りにオフセット配置されている。

【0026】

積層体の一方主面側にはグランド導体Ｇ２を覆うようにレジスト層Ｒ２が設けられており、積層体の他方主面側には、第１整合回路を構成する表面実装部品の実装用ランド以外は、レジスト層Ｒ１によって覆われている。

【0027】

積層体を構成している複数の誘電体層としては、液晶ポリマ等の熱可塑性樹脂シートを利用できる。信号線ＳＬ１、信号線ＳＬ２、グランド導体Ｇ１およびグランド導体Ｇ２には、銅箔等の金属薄板を所定形状にパターニングしたものを用いることができる。層間接続導体には、銀や銅を主成分とする導電性ペーストをビア孔に充填して金属化したものを用いることができる。なお、複数の熱可塑性樹脂シートを積層し、これを加熱しながら加圧することによって、各熱可塑性樹脂シートを一体化させることができ、同時に、ビア孔に充填された導電性ペーストを金属化させることができる。

【0028】

図３（Ａ）に示すように、第１高周波線路部２１は、レジスト層Ｒ１、第１グランド導体Ｇ１、第１基材層Ｂ１、信号線ＳＬ１、第２基材層Ｂ２、第２グランド導体Ｇ２、レジスト層Ｒ２がこの順に積層されている。但し、この順は製造工程の順を表すものではない。第１グランド導体Ｇ１と第２グランド導体Ｇ２とはビア導体ＶＩＡを介して接続されている。これらのうち、第１グランド導体Ｇ１、第１基材層Ｂ１、信号線ＳＬ１、第２基材層Ｂ２、第２グランド導体Ｇ２でストリップラインが構成されている。

【0029】

上記ストリップラインは次のような特徴を備えている。

【0030】

（１）ストリップラインは全体として特性インピーダンスが５０Ωとなるように調整されている。

【0031】

（２）第２グランド導体Ｇ２は梯子形状とすることで全体の柔軟性を高めるとともに、特性インピーダンス調整用グランドとして機能するようにしている。また、第１グランド導体Ｇ２は梯子形状にしない、つまりベタ状にすることにより、第１グランド導体側に近接する外部の回路や金属体との相互干渉を受けないようにするとともに、基準グランドとして機能するようにしている。

【0032】

（３）梯子形状の第２グランド導体Ｇ２によって、高インピーダンスとなる部分と低インピーダンスとなる部分を形成し、信号線の両端間で生じる不要共振を抑えている。すなわち、悪影響のある定在波の発生が抑制されるように、梯子段の段間寸法（周期）が定められている。例えば、梯子段の周期は、ＲＦ信号の基本波および高調波の波長の整数倍の関係とならないように設定されている。

【0033】

（４）信号線ＳＬ１は第２グランド導体Ｇ２と交差する部分で幅が小さく形成されている。そのことで、第２グランド導体Ｇ２と交差する部分のインピーダンスが小さくなり過ぎないようにしている。その結果、第２グランド導体Ｇ２と交差する部分とそうでない部分とでストリップラインの特性インピーダンスの連続性を確保している。

【0034】

図３（Ｂ）に表れているように、整合回路部３０は、レジスト層Ｒ１、第１グランド導体Ｇ１（および線路電極）、第１基材層Ｂ１、信号線ＳＬ０、第２基材層Ｂ２、第２グランド導体Ｇ２、レジスト層Ｒ２がこの順に積層されている。第１グランド導体Ｇ１および線路電極には整合回路素子３０Ｅが搭載されている。

【0035】

また、図３（Ｂ）に表れているように、第２高周波線路部２２は、レジスト層Ｒ１、第１基材層Ｂ１、信号線ＳＬ２、第２基材層Ｂ２がこの順に積層されている。また、第２接続部１２は、レジスト層Ｒ１、第１基材層Ｂ１、接続ピン用端子Ｐがこの順に積層されている。接続ピン用端子Ｐには接続ピン１２Ｐが接合されるが、図３（Ｂ）では図示を省略している。

【0036】

第２高周波線路部２２は、上下がグランド導体で挟まれていない信号線ＳＬ２で構成されているので、この第２高周波線路部２２の信号線ＳＬ２は放射部ＲＺの一部として機能する。この第２高周波線路部２２の信号線ＳＬ２は接続ピン用端子Ｐのサイズに合わせて、先端広がりのテーパー状に形成されている。

【0037】

前記整合回路素子３０Ｅはチップインダクタ、チップキャパシタ等であり、例えば第１グランド導体Ｇ１に対してシャントに接続されたキャパシタと信号線ＳＬに対してシリーズに接続されたインダクタとでインピーダンス整合回路が構成されている。このようにして、整合回路部３０は、例えば、特性インピーダンスが５０Ωの第１高周波線路部２１とインピーダンスが例えば１０Ωの放射部ＲＺにて接続されるアンテナとのインピーダンス整合を行う。これらの整合回路素子は、グランド領域に形成されている。

【0038】

《第２の実施形態》
図４は第２の実施形態に係る信号線路モジュール１０２の断面図である。第１接続部１１にコネクタ１１Ｃが設けられていて、第２接続部１２に接続ピン１２Ｐが設けられている。第１接続部１１、第１高周波線路部２１、第１整合回路部３１は、グランド導体が形成されたグランド領域ＧＺにある。また、第２高周波線路部２２および第２接続部１２は、グランド導体が形成されていない非グランド領域ＮＧＺにある。図２に示した例と異なる点は、第１整合回路部３１と第２整合回路部３２とを備えていること、およびこれらの整合回路部を導体パターンで構成していることである。

【0039】

図５は前記第１整合回路部３１および第２整合回路部３２の分解斜視図である。積層構造は第１整合回路部３１および第２整合回路部３２について同様である。第１・第２の整合回路部は、図５に示すように、レジスト層Ｒ１、第１グランド導体Ｇ１、第１基材層Ｂ１、信号線ＳＬ、第２基材層Ｂ２、第２グランド導体Ｇ２、レジスト層Ｒ２がこの順に積層されている。信号線ＳＬには容量形成部Ｓｃが形成されていて、第２グランド導体Ｇ２には、容量形成部Ｓｃと対向する容量形成部Ｇ２ｃが形成されている。

【0040】

図６は図４に示した信号線路モジュール１０２および放射素子５５を含む部分の等価回路、図７（Ａ）、図７（Ｂ）はそれを更にシンボリックに表した等価回路図である。図６に示すように、信号線の二箇所に第１整合回路部３１および第２整合回路部３２を設けることによって、図７（Ａ）に示すとおり、キャパシタＣ３１，Ｃ３２および線路Lineによる回路が構成され、この線路Lineをインダクタンスとして作用する電気長にすることで、図７（Ｂ）に示すＣＬＣπ型の整合回路として作用する。

【0041】

このようにして、ほぼ全体が整合回路部として作用する、整合回路付き信号線路モジュール１０２を構成し、用いることができる。

【0042】

図６・図７に示した例では、ＣＬＣπ型の整合回路を構成したが、例えば図８に示すように、信号線とグランドとの間にインダクタをシャントに接続してもよい。この等価回路は図９（Ａ）、図９（Ｂ）に示すように表される。ここで、線路Lineはキャパシタとして作用する電気長に設定される。このようにしてＬＣＬπ型の整合回路を構成することもできる。

【0043】

《第３の実施形態》
図１０（Ａ）は第３の実施形態に係る信号線路モジュール１０３を備えた通信端末装置３０３の下部筐体（表示パネル側の筐体）を取り外した状態、すなわち上部筐体側の、主要部の内部構造を示す図である。但し、下部筐体の内面に貼付されている放射板５４については下部筐体から分離して一緒に図示している。図１０（Ｂ）は通信端末装置３０３の主要部の断面図である。

【0044】

放射板５４には放射素子５５が形成されている。接続ピン１２Ｐおよびショートピン１２ＰＳは放射素子５５の所定位置に当接して電気的に接続される。信号線ＳＬの終端は接続ピン１２Ｐを介して放射素子５５の給電点に接続され、これにより給電される。また、放射素子５５の接地点にショートピン１２ＰＳが当接することで、この接地点がグランド線ＧＬを介し、第３接続部１３で金属シャーシ５９に接地される。

【0045】

このようにして、接地点を有する放射素子５５に対して信号線路モジュール１０３は適応する。

【0046】

《第４の実施形態》
図１１は第４の実施形態に係る信号線路モジュールを備えたアンテナ装置の回路図である。この例では、放射板に放射素子（給電放射素子）５５および無給電放射素子６０を備えている。信号線路モジュールには、放射素子５５の給電点に対して給電する接続ピン、放射素子５５の接地点に接するショートピン、さらには無給電放射素子６０の接地点に接するショートピンを備えている。

【0047】

《第５の実施形態》
図１２は第５の実施形態に係る信号線路モジュールを備えたアンテナ装置の回路図である。この例では、信号線路モジュールに、放射素子５５の給電点に対して給電する接続ピンおよび放射素子５５の接地点に接するショートピンを備えている。また、信号線路モジュールには、放射素子５５の給電点付近に、シャント接続のキャパシタおよびシリーズ接続のインダクタによる整合回路部が構成されている。

【0048】

このように、放射素子５５に信号線路モジュールを２つのピンで接続することで、逆Ｆ型アンテナを構成するとともに給電する回路を構成できる。

【0049】

《第６の実施形態》
図１３は第６の実施形態に係る信号線路モジュール１０６の主要部の概念断面図である。この信号線路モジュール１０６の第１グランド導体Ｇ１、第２グランド導体Ｇ２および信号線ＳＬでストリップライン構造の第１高周波線路部２１が構成されている。整合回路部３０にはキャパシタおよびインダクタによるインピーダンス整合回路が構成されている。第２接続部１２には接続ピン１２Ｐが設けられている。その他の基本構成はこれまでに示した実施形態と同じである。

【0050】

第２高周波線路部２２は非グランド領域ＮＧＺにある位相調整ラインであり、このラインと整合回路部３０の回路とで一つの整合回路が構成されている。

【符号の説明】

【0051】

Ｂ１…第１基材層
Ｂ２…第２基材層
Ｇ１…第１グランド導体
Ｇ２…第２グランド導体
Ｇ２ｃ…容量形成部
ＧＬ…グランド線
ＧＺ…グランド領域
ＮＧＺ…非グランド領域
Ｐ…接続ピン用端子
Ｒ１，Ｒ２…レジスト層
ＲＺ…放射部
Ｓｃ…容量形成部
ＳＬ…信号線
ＶＩＡ…ビア導体
Ｇ１…１グランド導体
１１…第１接続部
１１Ｃ…コネクタ
１２…第２接続部
１２Ｐ…接続ピン
１２ＰＳ…ショートピン
１３…第３接続部
２１…第１高周波線路部
２２…第２高周波線路部
３０…整合回路部
３０Ｅ…整合回路素子
３１…第１整合回路部
３２…第２整合回路部
５１，５２…プリント配線板
５３…バッテリーパック
５４…放射板
５５…放射素子
５６…ＲＦＩＣ
５７…レセプタクル
５８…接着層
５９…金属シャーシ
６０…無給電放射素子
８０…筐体
１０１〜１０３，１０６…信号線路モジュール
３０１，３０３…通信端末装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】