特許5936653IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

半導体装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

そこで、本発明は、SGTを製造するために要する工程数を低減することができるSGTの構造を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の第1の観点に係る半導体装置は、 半導体基板上に形成されたフィン状半導体層と、 前記フィン状半導体層の周囲に形成された第1の絶縁膜と、 前記フィン状半導体層上に形成された柱状半導体層と、 前記柱状半導体層の周囲に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜の周囲に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極に接続され、前記フィン状半導体層が延在する第1の方向に直交す・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本発明によれば、SGTを製造するために要する工程数を低減することができるSGTの構造を提供することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】(a)は本発明の半導体装置の平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図2】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図3】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図4】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図5】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図6】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図7】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図8】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図9】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図10】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図11】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図12】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図13】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図14】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図15】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図16】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図17】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図18】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図19】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図20】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図21】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図22】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図23】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図24】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図25】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図26】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図27】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図28】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図29】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図30】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図31】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図32】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図33】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図34】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図35】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

【図36】(a)は本発明の半導体装置の製造方法に係る平面図であり、(b)は(a)のx−x’線での断面図であり、(c)は(a)のy−y’線での断面図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

101.シリコン基板   102.第1のレジスト   103.フィン状シリコン層   104.第1の絶縁膜   105.第2の絶縁膜   106.第3の絶縁膜   107.ポリシリコン(ダミーゲート)   108.第4の絶縁膜   109.第2のレジスト   110.柱状シリコン層   111.ゲート絶縁膜   112.ゲート導電膜   112a.ゲート電極   112b.ゲート配線   113.第1の窒化膜   114.第1の拡散層   115.第2の拡散層   116.酸化膜   117.酸化膜   118.酸化膜   119.第2のシリサイド   120.第1のシリサイド   121.シリサイド   122.窒化膜   123.層間絶縁膜   124.第3のレジスト   125.コンタクト孔   126.コンタクト孔   127.窒化膜   128.金属材料   129.第1のコンタクト   130.第1のコンタクト   131.第4のレジスト   132.第4のレジスト   133.第4のレジスト   134.金属配線   135.金属配線   136.金属配線

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