特許5937297金属窒化膜、該金属窒化膜を用いた半導体装置、および半導体装置の製造方法

発明の名称　金属窒化膜、該金属窒化膜を用いた半導体装置、および半導体装置の製造方法

出願人　キヤノンアネルバ株式会社　（識別番号 227294）

　　　　特許公開件数ランキング 7216 位（2件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 1373 位（13件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-5937297

公報発行日　2016年6月22

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5937297

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