特許5940355ｐ型窒化物半導体層の製造方法

発明の名称　ｐ型窒化物半導体層の製造方法

出願人　ソウル　セミコンダクター　カンパニー　リミテッド　（識別番号 507194969）

　　　　特許公開件数ランキング 4781 位（1件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 2289 位（2件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-5940355

公報発行日　2016年6月29

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5940355

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