(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記第1の工程では、前記荷重支持体と前記電極との間に第1の接合材を配設し、該第1の接合材に対して第1の加熱処理を実施することにより前記荷重支持体と前記電極とを固定し、
前記第2の工程では、前記超電導体と前記電極との間に前記第1の接合材よりも溶融温度が低い第2の接合材を配設し、該第2の接合材に対して前記第1の加熱処理よりも低い加熱温度で第2の加熱処理を実施することにより前記電極と前記超電導体とを固定することを特徴とする請求項1又は2記載の超電導電流リードの製造方法。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、超電導体線材は機械的強度が弱く、歪が発生することにより特性が劣化してしまう。特許文献1に開示された超電導電流リードは、超電導体線材が電流リード支持体表面に設けられた構成であったため外力が印加され歪が発生し易い。このため、特許文献1に開示された超電導電流リードでは、超電導電流リードの組み立て時において超電導体線材に機械歪が発生するおそれがあり、組み立て性及び歩留まりが低下してしまうという問題点があった。
【0005】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、低コストで取り扱いが容易な超電導電流リードの製造方法及び超電導電流リード及び超電導マグネット装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明のある態様は、
荷重支持体と、前記荷重支持体の両端に配設される一対の電極と、一対の前記電極の間を電気的に接続する超電導体とを有する超電導電流リードの製造方法であって、
前記荷重支持体の両端に前記電極を固定する第1の工程と、
該第1の工程を実施した後に実施され、前記電極の間に前記超電導体を固定する第2の工程と、
を有
しており、
前記超電導体を前記電極に向け押圧する押圧部材を前記電極に配設する工程を更に有していることを特徴とする超電導電流リードの製造方法である。
【0007】
この態様によれば、荷重支持体に固定された電極に対して超電導体を固定するため、超電導電流リードの組み立て時において電極は固定された状態であるため、超電導体の取り付け時に超電導体に歪が発生することを防止することができる。
【0008】
また本発明の別の態様は、
荷重支持体と、前記荷重支持体の両端に配設される一対の電極と、一対の前記電極の間を電気的に接続する超電導体とを有する超電導電流リードであって、
前記荷重支持体と前記電極は第1の接合材により固定され、
前記超電導体と前記電極は、前記第1の接合材よりも溶融温度が低い第2の接合材で固定され
、且つ前記電極に向けて前記超電導体を押圧する押圧部材を配設されてなることを特徴とする超電導電流リードである。
【0009】
この態様によれば、荷重支持体に固定された電極に対して超電導体を固定するため、超電導電流リードの組み立て時において電極は固定された状態であるため、超電導体の取り付け時に超電導体に歪が発生することを防止することができる。
【0010】
また、荷重支持体と電極とを固定する第1の接合材の溶融温度に対し、超電導体と電極とを接合する第2の接合材の溶融温度は低いため、超電導体と電極との接合時において電極は荷重支持体に固定された状態を維持する。よって、超電導体の固定時において電極が移動することはなく、超電導体に歪が発生することを防止することができる。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、荷重支持体に固定された電極に対して超電導体を固定するため、超電導電流リードの組み立て時において電極は固定された状態であるため、超電導体の取り付け時に超電導体に歪が発生することを防止することができる。
【発明を実施するための形態】
【0013】
次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。
【0014】
図1は、本発明の一実施形態である超電導電流リード8を適用した超電導マグネット装置1を示している。この超電導マグネット装置1は、真空容器2、超電導コイル3、伝熱部材4、ギフォード・マクマホン(Gifford-McMahon:以下、GMと略す)冷凍機5、熱シールド板6、1段電流ライン7、超電導電流リード8、及び2段電流ライン9等を有している。
【0015】
真空容器2は略円筒状の形状を有している。この真空容器2には、GM冷凍機5が固定されている。超電導コイル3は、超電導線材により形成されている。
【0016】
超電導コイル3は、熱シールド板6で囲まれた空間内に設けられている。この超電導コイル3は、伝熱部材4を介して後述する低温側冷却ステージ5dに接続されている。よって、超電導コイル3はGM冷凍機5により例えば4K程度に冷却され、これにより超電導コイル3は超電導状態となる。
【0017】
この超電導コイル3は、後述する超電導電流リード8の低温側に接続されている。そして、超電導コイル3は、真空容器2の外部に設けられた図示しない電源から、後述する1段電流ライン7、超電導電流リード8、及び2段電流ライン9を介して電力が供給される。
【0018】
真空容器2は、支持体10を介して伝熱部材4及びこの伝熱部材4に取り付けられた超電導コイル3等の荷重を支持している。
【0019】
熱シールド板6は、真空容器2の内部に設けられている。熱シールド板6は、超電導コイル3へ侵入する輻射熱を抑制するためのものである。熱シールド板6は、銅、アルミニウム等の熱伝導率の大きい材料により形成されており、例えば略円筒状の形状を有している。
【0020】
GM冷凍機5は、本実施形態では1段目冷却シリンダ5a及び2段目冷却シリンダ5bよりなる多段冷却シリンダ構造のもが適用されている。1段目冷却シリンダ5aは真空容器2の内部に挿入されており、2段目冷却シリンダ5bは熱シールド板6で囲まれた空間に挿入されている。
【0021】
熱シールド板6の天板の上部には、1段目冷却シリンダ5aにより冷却される高温側冷却ステージ5cが接続されている。よって、熱シールド板6は、高温側冷却ステージ5cにより冷却される。
【0022】
2段目冷却シリンダ5bの下側先端には、低温側冷却ステージ5dが接続されている。低温側冷却ステージ5dは、2段目冷却シリンダ5bにより冷却される。
【0023】
この低温側冷却ステージ5dは、伝熱部材4を介して超電導コイル3に熱的に接続されている。これにより超電導コイル3は、例えば4K程度まで冷却される。なお、高温側冷却ステージ5c及び低温側冷却ステージ5dは、銅、アルミニウム等の熱伝導率の大きい材料で形成されている。
【0024】
1段電流ライン7、超電導電流リード8、及び2段電流ライン9は、図示しない電源から超電導コイル3に電流を供給するためのものである。電源は、1段電流ライン7に接続されている。また、1段電流ライン7は超電導電流リード8の高温側電極30Aに接続されており、また超電導電流リード8の低温側電極30Bは2段電流ライン9を介して超電導コイル3に接続されている。よって、電源から供給される電流は、1段電流ライン7、超電導電流リード8、2段電流ライン9を介して超電導コイル3に供給される。
【0025】
1段電流ライン7としては、銅、アルミニウム等の電導率の大きい材料を用いることができる。2段電流ライン9としては、銅、アルミニウム等の電導率の大きい材料を用いることができ、或いは、これらの電導率の大きい材料と併せてBi2223、Bi2212、Y123、MgB2等の超電導材料を用いることができる。
【0026】
なお、本実施形態では冷凍機冷却型の超電導マグネット装置1を例に挙げているが、冷凍機冷却型超電導マグネット装置に代えて、例えば液体ヘリウムを冷媒とする液体冷却型超電導マグネット装置に本実施形態に係る超電導電流リード8を適用してもよく、或いは、例えば液体ヘリウムの蒸発ガスを冷媒とするガス冷却型超電導マグネット装置に適用することも可能である。
【0027】
次に、本実施形態に係る超電導電流リード8について、
図2〜
図4を用いて説明する。
【0028】
図2は本発明の一実施形態である超電導電流リード8の斜視図であり、
図3は超電導電流リード8の要部を拡大して示す斜視図であり、
図3は荷重支持体20及び電極半体32を取り外した状態を示す斜視図である。
【0029】
超電導電流リード8は、荷重支持体20、一対の電極30(高温側電極30A,低温側電極30B)、超電導体40、及び外部荷重吸収部50A,50B等を有した構成とされている。この超電導電流リード8は、超電導コイル3に対して電源からの電流を供給する機能を奏するものである。
【0030】
荷重支持体20は、後述するように内部に固定される超電導体40を保護する機能を奏するものである。この荷重支持体20は、円筒形状を有している。この円筒形状の荷重支持体20の内部に形成された空間部は、電極30及び超電導体40を装着する装着空間22となる。
【0031】
なお、荷重支持体20の形状も必ずしも円筒に限定されるものではなく、内部に電極30及び超電導体40を収納であれば、角筒形状、楕円筒形状等の他の形状とすることも可能である。
【0032】
また、荷重支持体20は金属により形成されている。ここでいう金属は単体金属に限定されるものではなく、合金も含み、金属であれば特に限定されず使用することができる。具体的には、例えばステンレス鋼、真鍮、銅、アルミなどが好ましく使用できる。中でも熱電導率が小さいステンレス鋼が好ましく使用でき、オーステナイト系ステンレス鋼が特に好ましく使用できる。
【0033】
このように、荷重支持体20として金属を用いた場合、超電導体40との熱収縮率の差が小さいため、内部に超電導体40を固定した際、超電導体40に印加される荷重を軽減でき破損の発生を抑制することができる。
【0034】
更に、荷重支持体20の材質は金属に限定されるものではなく、超電導体40を保護しうる強度を有すれば、他の材質を用いることも可能である。具体的には、繊維強化プラスチック(FRB)等を用いることもできる。
【0035】
電極30は、荷重支持体20の両端近傍の内部に一対配設されている。具体的には、電極30は荷重支持体20の高温側端部(
図1〜
図3における上側)の内部と、低温側端部(
図1〜
図3における下側)の内部に夫々設けられている。この電極30は、電気の良導体である銅、アルミニウム、真鍮等の金属により構成されている。
【0036】
なお、荷重支持体20の両端部に配設される一対の電極30はそれぞれ同一構成とされているが、説明の便宜上、高温側と低温側で電極30を区別して説明する必要がある時には、高温側の電極30を高温側電極30Aといい、低温側の電極30を低温側電極30Bというものとする。
【0037】
高温側電極30Aは、超電導電流リード8の高温側(
図2〜
図4では、図中上方が高温側となる)の端部に設けられた電極端子である。この高温側電極30Aには、超電導体40の高温側端部40Aが固定(接続)される。また、高温側電極30Aの高温側には、高温側外部荷重吸収部50Aが固定(接続)されている。
【0038】
低温側電極30Bは、超電導電流リード8の低温側(
図2〜
図4では、図中下方が高温側となる)の端部に設けられた電極端子である。この低温側電極30Bには、超電導体40の低温側端部40Bが接続される。また、低温側電極30Bの低温側には、低温側外部荷重吸収部50Bが接続されている。
【0039】
上記の高温側及び低温側外部荷重吸収部50A,50Bは、超電導マグネット冷却時に各部材の収縮によって生じる変位の影響や、超電導マグネット運転時に、超電導マグネット由来のローレンツ力による影響等によって超電導電流リードが破損することを防止するものである。
【0040】
この高温側及び低温側外部荷重吸収部50A,50Bには、弾性部材を用いることが好ましく本実施形態では板ばねを用いた例を示している。また本実施形態では、この弾性部材として導電性を有する金属を用いており、1段電流ライン7と高温側電極30Aとの間及び低温側電極30Bと2段電流ライン9との間を接続する配線としても機能させている。しかしながら、高温側及び低温側外部荷重吸収部50A,50Bを絶縁材により形成し、別箇に配線を設ける構成としてもよい。
【0041】
超電導体40には、高温超電導材が用いられている。本実施形態では超電導体40として超電導テープ線材を用いている。この超電導テープ線材としては、例えば、銀等の金属を母材としてBi2223、Bi2212等の多芯線が被覆されてなる高温超電導線材、或いは、ハステロイ等の金属テープ基材上にY123等の薄膜を堆積してなる高温超電導線材等の各種の超電導テープ線材を用いることができる。
【0042】
この超電導体40は、一対の電極30A,30B間に配設される。即ち、超電導体40は、その高温側端部40Aを高温側電極30Aに固定されると共に、低温側端部40Bを低温側電極30Bに固定される。これにより、超電導体40の高温側及び低温側端部40A,40Bは、高温側及び低温側電極30A,30Bに機械的に保持されると共に、電気的に接続された構成となる。
【0043】
この固定状態において、超電導体40は荷重支持体20の内部に固定された状態となっている。この固定状態では、超電導体40は荷重支持体20に覆われた状態となっており、荷重支持体20から露出した部分は存在しない。このように超電導体40は荷重支持体20に保護されるため、外部から力が印加されることはなく、よって超電導体40が外力により損傷することを確実に防止することができる。
【0044】
ここで電極30の構造に注目し、以下説明する。
【0045】
本実施形態に係る電極30は、二分割されることにより電極半体31と電極半体32(請求項に記載の押圧部材に相当する)とにより構成されている。各電極半体31,32はそれぞれ半円柱形状とされており、組み合わされることにより円柱形状となる。
【0046】
また、一方の電極半体31には、超電導体40を装着するための装着部33が形成されている。この装着部33が形成された電極半体31は、荷重支持体20にロウ材60(請求項に記載の第1の接合材に相当する)を用いて固定される(
図5(A),(B)参照)。これに対し、他方の電極半体32は、電極半体31に対して固定ネジ65を用いて固定される(
図5(F)参照)。
【0047】
後述するように、超電導体40は電極半体31に形成された装着部33にはんだ61(請求項に記載の第2の接合材に相当する)を用いて固定される(
図5(C)参照)。この際、本実施形態に係る超電導電流リード8は、電極半体32が電極半体31に固定ネジ65を用いて固定される構造となっているため、この固定時に超電導体40を装着部33に向け押圧することができる。これにより、超電導体40と装着部33との間に介在するはんだ61の厚さを薄くすることができ、超電導体40と電極半体31との電気的な接続抵抗を低減することができる。
【0048】
また、超電導体40を電極半体31(電極30)に固定するのに使用するはんだ61は、電極半体31を荷重支持体20に固定するのに使用するロウ材60よりも溶融温度が低いものが選定されている。よって、超電導体40と電極半体31とを接合する際に、電極半体31は荷重支持体20に固定された状態を維持する。これにより、超電導体40の電極半体31への固定時において電極半体31が移動することはなく、超電導体40の取り付け時において超電導体40に歪が発生することを防止することができる。
【0049】
次に、
図5〜
図8を用いて、上記構成とされた超電導電流リード8の製造方法について説明する。
【0050】
なお、本実施形態に係る超電導電流リード8の製造方法は、電極半体31を荷重支持体20に固定する方法、及び超電導体40を電極30に固定する方法に特徴を有し、他の製造方法については従来と略同様である。このため以下の説明においては、本実施形態の特徴となる電極半体31を荷重支持体20に固定する方法、及び超電導体40を電極30に固定する方法について詳述し、他の製造方法の説明については省略するものとする。
【0051】
超電導電流リード8を製造するには、
図5(A)に示すように、荷重支持体20を用意する。この荷重支持体20は、後述する固定ネジ65が挿入される位置に予め挿入孔21が穿設されている。
【0052】
荷重支持体20には、まず電極半体31を固定する処理が実施される(請求項に記載の第1の工程に相当する)。電極半体31は、荷重支持体20の両端部分に固定される。
【0053】
電極半体31を荷重支持体20に固定するには、まず荷重支持体20内にロウ材60を配設する。このロウ材60は、荷重支持体20の内壁で、電極半体31が固定される固定位置に配設される。このロウ材60としては、例えば溶融温度が500℃以上の硬ロウを用いることができる。
【0054】
荷重支持体20にロウ材60が配設されると、続いて装着部33が荷重支持体20の前記固定位置に装着される。その後、荷重支持体20は加熱装置に装着され、ロウ材60を溶融しうる温度で加熱処理が実施される(請求項に記載の第1の加熱処理)。
【0055】
図5(B)は、加熱処理が終了することにより、電極半体31が荷重支持体20に固定された状態を示している。硬ロウよりなるロウ材60は、はんだ61のような溶融温度が低い軟ロウ(例えば、140℃〜300℃)に比べて接合強度が強い。よって、電極半体31は荷重支持体20に強固に固定される。
【0056】
電極半体31が荷重支持体20に固定されると、続いて電極半体31に超電導体40を固定する処理が実施される(請求項に記載の第2の工程に相当する)。
【0057】
電極半体31に超電導体40を固定するには、まず電極半体31に形成されている装着部33にはんだ61を配設する。本実施形態では、ペースト状のはんだ61が装着部33に配設される。前記のように、このはんだ61としては、ロウ材60(硬ロウ)に比べて溶融温度が低い軟ロウ(例えば、140℃〜300℃)が選定されている。
【0058】
装着部33にはんだ61を配設すると、荷重支持体20の装着空間22内に超電導体40を挿入する。具体的には、超電導体40をピンセット等で把持した上で荷重支持体20の装着空間22内に挿入する。
図5(C)は、超電導体40を荷重支持体20の装着空間22内に挿入している状態を示している。
【0059】
そして、電極半体31に形成された装着部33と超電導体40との位置合わせを行った後、超電導体40を装着部33に装着する。これにより、超電導体40はその両端の所定部分が一対の電極半体31に保持された状態となる。
図5(D)及び
図6は、超電導体40が電極半体31の装着部33に装着された状態を示している(
図6では、挿入孔21、ネジ孔34、及びはんだ61等の図示を省略している)。
【0060】
超電導体40が装着部33に装着されると、続いて荷重支持体20に電極半体32が装着される。電極半体32は、
図5(E)に示すように、電極半体31上の装着空間22内に側方からスライドするように挿入装着される。電極半体32が荷重支持体20内に装着された状態において、
図7に示すように、超電導体40は電極半体31と電極半体32に挟持された構成となる。
【0061】
一方、前記したように電極半体31は、所定位置にネジ孔34が形成されている(
図4参照)。また、電極半体32のネジ孔34の形成位置に対応する位置には挿入孔36が貫通形成されている(
図8参照)。更に、荷重支持体20のネジ孔34の形成位置に対応する位置には挿入孔21が形成されている。
【0062】
電極半体32を電極半体31に固定するには、
図5(F)及び
図8に示すように、固定ネジ65を挿入孔21及び挿入孔36に挿通した上でネジ孔34に螺着する。これにより、電極半体32は電極半体31に固定され電極30が構成される。
【0063】
固定ネジ65により電極半体32が電極半体31に固定される際、電極半体32は電極半体31に圧着される。よって、電極半体31の装着部33に装着されている超電導体40も電極半体32により装着部33に向けて押圧される。これにより、超電導体40と装着部33との間に配設されているはんだ61は、余剰部分が装着部33から押し出される。よって、超電導体40と装着部33との間に介在するはんだ61の厚さを薄くすることができる(例えば、10μm程度)。
【0064】
ここで、超電導体40が超電導状態となった時にははんだ61も抵抗体となるため、接合に使用するはんだ61の量は少ないほうが電気抵抗を低くでき望ましい。電極半体32による押圧を行うことなく、単に装着部33にはんだ61を配設して超電導体40を装着部33に固定する方法では、はんだ61の厚さが大きくなり電気抵抗が大きくなる虞がある。
【0065】
これに対し、本実施形態のように電極半体32を電極半体31に押圧する構成とすることにより、超電導体40と電極半体31(電極30)との電気的な接続特性を高めることができるため、好ましい。
【0066】
ところで、電極半体32を電極半体31に固定する際、超電導体40に対して押圧力が作用する。しかしながら、この押圧力は超電導体40を電極半体31(装着部33)に垂直に押し付ける力であり、捩じる方向には作用しない。よって、電極半体32の電極半体31への取り付け時において、超電導体40に歪が発生するようなことはない。
【0067】
また前記のように、電極半体31は接合強度の強いロウ材60(硬ロウ)により荷重支持体20に強固に固定されている。よって、固定ネジ65を用いて電極半体32を電極半体31に固定する際も、電極半体31が荷重支持体20から離脱したり、また電極半体31が荷重支持体20に対して移動したりすることはない。よって、これによっても電極半体32を電極半体31に固定処理する際に、超電導体40に歪が発生することを防止することができる。
【0068】
上記のように電極半体32が電極半体31に固定され、またこれに伴い超電導体40と装着部33との間に介在するはんだ61の厚さが適正化されると、超電導体40と電極30のはんだ付け処理が行われる(請求項に記載の第2の加熱手段に相当する)。このはんだ付け処理は、電極半体31に加熱用の治具を当接させることにより行っても、また加熱炉に装着して加熱処理を行っても良い。
【0069】
この加熱処理時における加熱温度は、はんだ61を溶融できる温度であればよい。具体的には、ロウ材60の溶融温度(500℃以上)に比べて低い140℃〜300℃程度の加熱が行われる。よって、はんだ61による超電導体40と電極30との接合時において、電極半体31が荷重支持体20に対して移動することはない。従って、超電導体40と電極30との接合時においても、超電導体40に歪が発生するようなことはない。
【0070】
このように、本実施形態に係る超電導電流リード8の製造方法によれば、超電導体40を荷重支持体20内に装着した後は、超電導体40は荷重支持体20により保護されるため、外力が印加されることはない。また、超電導体40を電極半体31に装着する工程、電極半体32を電極半体31に固定する工程、及び2度の加熱工程等において、超電導体40に対して歪を発生される負荷が印加されることはない。よって、超電導電流リード8の製造構成を容易かつ歩留まりよく行うことができる。
【0071】
以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明は係る特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【0072】
例えば、実施の形態では、超電導電流リード8に1本の超電導体40のみを配設した構成例を示したが、必要とする電流量によっては、その本数及び太さを適宜選択することも可能である。
【0073】
また、本実施形態では電極半体31にのみ装着部33を形成した構成を示したが、電極半体32にも装着部を形成する構成としてもよい。