特許第5940742号(P5940742)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許5940742積層金属酸化物半導体(MOS)トランジスタを用いて伝送路特性を整合させるための方法及びデバイス
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  • 特許5940742-積層金属酸化物半導体(MOS)トランジスタを用いて伝送路特性を整合させるための方法及びデバイス 図000002
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