特許 5942442 検証方法、検証プログラムおよび検証装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5942442

(24)【登録日】2016年6月3日

(45)【発行日】2016年6月29日

(54)【発明の名称】検証方法、検証プログラムおよび検証装置

(51)【国際特許分類】

   G06F 17/50 20060101AFI20160616BHJP

   H01L 21/82 20060101ALI20160616BHJP

【ＦＩ】

   G06F17/50 666C

   G06F17/50 672Z

   G06F17/50 628A

   H01L21/82 C

   H01L21/82 T

【請求項の数】13

【全頁数】22

(21)【出願番号】特願2012-16468(P2012-16468)

(22)【出願日】2012年1月30日

(65)【公開番号】特開2013-156817(P2013-156817A)

(43)【公開日】2013年8月15日

【審査請求日】2014年9月26日

(73)【特許権者】

【識別番号】308014341

【氏名又は名称】富士通セミコンダクター株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100092152

【弁理士】

【氏名又は名称】服部 毅巖

(72)【発明者】

【氏名】須川 一弥

(72)【発明者】

【氏名】土井 一正

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 浩一

(72)【発明者】

【氏名】宮内 徹

(72)【発明者】

【氏名】峯村 雅彦

【審査官】 合田 幸裕

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００８−１８６０７６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平３−１２７８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開昭６０−１７６２６１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平１−２３０２４８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０６Ｆ １７／５０

Ｈ０１Ｌ ２１／８２

ＩＥＥＥ Ｘｐｌｏｒｅ

ＣｉＮｉｉ

ＪＳＴＰｌｕｓ（ＪＤｒｅａｍＩＩＩ）

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体装置の設計データに基づいて形成する基板露光用のマスクパターンの検証方法において、
コンピュータが、
レイアウト設計規則に違反する箇所を含むマスクパターンの形状に基づき、前記マスクパターンの頂点が１８０°よりも小さい内角を有する第１の角部の近傍において、前記第１の角部から外角方向に第１の距離で第１の評価点を設定し、前記マスクパターンの頂点が１８０°よりも大きい内角を有する第２の角部の近傍において、前記第２の角部から外角方向に前記第１の距離とは異なる第２の距離で第２の評価点を設定し、前記第１の評価点と前記第２の評価点とを繋ぐことにより検証対象となる前記マスクパターンが違反か否かを識別する区画を形成し、
形成した前記区画の干渉の有無を判断し、判断結果を出力する、
ことを特徴とする検証方法。

【請求項2】

半導体装置の設計データに基づいて形成する基板露光用のマスクパターンの検証方法において、
コンピュータが、
レイアウト設計規則に違反する箇所を含むマスクパターンの形状に基づき、前記マスクパターンが第１のパターン、第２のパターン、および、前記第１のパターンと前記第２のパターンとを接続する第３のパターンである場合に、前記マスクパターンの前記第１のパターンと前記第３のパターンとの接続部の頂点が１８０°よりも大きい内角を有する第３の角部の近傍において、前記第３の角部から内角方向に第３の距離で第３の評価点を設定し、前記マスクパターンの前記第１のパターンと前記第２のパターンとの距離が所定の距離以上に離間した場合に、前記第３のパターンの端部上にある前記第１のパターンと前記第２のパターンとの距離の第１の中点の近傍において、前記第１の中点から前記第３のパターンの内部方向に前記第３の距離とは異なる第４の距離で第４の評価点を設定し、前記第３の評価点と前記第４の評価点とを繋ぐことにより検証対象となる前記マスクパターンが違反か否かを識別する区画を形成し、
形成した前記区画の干渉の有無を判断し、判断結果を出力する、
ことを特徴とする検証方法。

【請求項3】

違反種別が複数のマスクパターン間の間隔に関わる違反である場合、
前記レイアウト設計規則に違反する箇所に基づき前記検証対象となる前記マスクパターンを特定する検証領域を設定し、
設定した前記検証領域内に前記第１の評価点と前記第２の評価点とを設定する
ことを特徴とする請求項１記載の検証方法。

【請求項4】

前記区画を形成する際に、
前記検証領域の境界と前記検証対象となる前記マスクパターンとが交差する点の近傍において、前記点からパターン外部方向に第５の距離で第５の評価点を設定し、前記第１の評価点と前記第２の評価点と共に前記第５の評価点を繋ぐことにより前記区画を形成する
ことを特徴とする請求項３記載の検証方法。

【請求項5】

前記区画を形成する際に、
前記第１の角部と前記第２の角部との間の第６の距離が所定値より小さい場合に、前記第１の角部と前記第２の角部との間の第２の中点の近傍において、前記第２の中点からパターン外部方向に第７の距離で第６の評価点を設定し、前記第１の評価点と前記第２の評価点および前記第５の評価点と共に前記第６の評価点を繋ぐことにより前記区画を形成する
ことを特徴とする請求項４記載の検証方法。

【請求項6】

前記第１の距離よりも前記第２の距離が長い
ことを特徴とする請求項１、３ないし５のいずれかに記載の検証方法。

【請求項7】

前記区画を形成する際に、
前記第３のパターンにおいて、頂点が１８０°よりも小さい内角を有する第４の角部を有し、さらに頂点が１８０°よりも大きい内角を有する第５の角部を有し、
前記第４の角部と前記第５の角部との間の第８の距離が所定値よりも小さい場合に前記第４の角部と前記第５の角部との間の第３の中点の近傍において、前記第３の中点からパターン内部方向に第９の距離で第７の評価点を設定し、前記第３の評価点と前記第４の評価点と共に前記第７の評価点を繋ぐことにより前記区画を形成する
ことを特徴とする請求項２記載の検証方法。

【請求項8】

前記第３の距離よりも前記第４の距離が長い
ことを特徴とする請求項２または７に記載の検証方法。

【請求項9】

前記判断結果を出力する際に、形成した前記区画の干渉が有る箇所を出力し、干渉がない箇所を出力しない
ことを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の検証方法。

【請求項10】

半導体装置の設計データに基づいて形成する基板露光用のマスクパターンの検証プログラムにおいて、
コンピュータに、
レイアウト設計規則に違反する箇所を含むマスクパターンの形状に基づき、前記マスクパターンの頂点が１８０°よりも小さい内角を有する第１の角部の近傍において、前記第１の角部から外角方向に第１の距離で第１の評価点を設定し、前記マスクパターンの頂点が１８０°よりも大きい内角を有する第２の角部の近傍において、前記第２の角部から外角方向に前記第１の距離とは異なる第２の距離で第２の評価点を設定し、前記第１の評価点と前記第２の評価点とを繋ぐことにより検証対象となる前記マスクパターンが違反か否かを識別する区画を形成し、
形成した前記区画の干渉の有無を判断し、判断結果を出力する、
処理を実行させることを特徴とする検証プログラム。

【請求項11】

半導体装置の設計データに基づいて形成する基板露光用のマスクパターンの検証プログラムにおいて、
コンピュータに、
レイアウト設計規則に違反する箇所を含むマスクパターンの形状に基づき、前記マスクパターンが第１のパターン、第２のパターン、および、前記第１のパターンと前記第２のパターンとを接続する第３のパターンである場合に、前記マスクパターンの前記第１のパターンと前記第３のパターンとの接続部の頂点が１８０°よりも大きい内角を有する第３の角部の近傍において、前記第３の角部から内角方向に第３の距離で第３の評価点を設定し、前記マスクパターンの前記第１のパターンと前記第２のパターンとの距離が所定の距離以上に離間した場合に、前記第３のパターンの端部上にある前記第１のパターンと前記第２のパターンとの距離の第１の中点の近傍において、前記第１の中点から前記第３のパターンの内部方向に前記第３の距離とは異なる第４の距離で第４の評価点を設定し、前記第３の評価点と前記第４の評価点とを繋ぐことにより検証対象となる前記マスクパターンが違反か否かを識別する区画を形成し、
形成した前記区画の干渉の有無を判断し、判断結果を出力する、
処理を実行させることを特徴とする検証プログラム。

【請求項12】

半導体装置の設計データに基づいて形成する基板露光用のマスクパターンの検証装置において、
レイアウト設計規則に違反する箇所を含むマスクパターンの形状に基づき、前記マスクパターンの頂点が１８０°よりも小さい内角を有する第１の角部の近傍において、前記第１の角部から外角方向に第１の距離で第１の評価点を設定し、前記マスクパターンの頂点が１８０°よりも大きい内角を有する第２の角部の近傍において、前記第２の角部から外角方向に前記第１の距離とは異なる第２の距離で第２の評価点を設定し、前記第１の評価点と前記第２の評価点とを繋ぐことにより検証対象となる前記マスクパターンが違反か否かを識別する区画を形成する形成部と、
前記形成部が形成した前記区画の干渉の有無を判断し、判断結果を出力する判断部と、
を有することを特徴とする検証装置。

【請求項13】

半導体装置の設計データに基づいて形成する基板露光用のマスクパターンの検証装置において、
レイアウト設計規則に違反する箇所を含むマスクパターンの形状に基づき、前記マスクパターンが第１のパターン、第２のパターン、および、前記第１のパターンと前記第２のパターンとを接続する第３のパターンである場合に、前記マスクパターンの前記第１のパターンと前記第３のパターンとの接続部の頂点が１８０°よりも大きい内角を有する第３の角部の近傍において、前記第３の角部から内角方向に第３の距離で第３の評価点を設定し、前記マスクパターンの前記第１のパターンと前記第２のパターンとの距離が所定の距離以上に離間した場合に、前記第３のパターンの端部上にある前記第１のパターンと前記第２のパターンとの距離の第１の中点の近傍において、前記第１の中点から前記第３のパターンの内部方向に前記第３の距離とは異なる第４の距離で第４の評価点を設定し、前記第３の評価点と前記第４の評価点とを繋ぐことにより検証対象となる前記マスクパターンが違反か否かを識別する区画を形成する形成部と、
前記形成部が形成した前記区画の干渉の有無を判断し、判断結果を出力する判断部と、
を有することを特徴とする検証装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は検証方法、検証プログラムおよび検証装置に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体集積回路を製造する際に、光近接効果補正（ＯＰＣ：Optical Proximity Correction）や、超解像技術（ＲＥＴ：Resolution Enhancement Technology）を施したマスクパターンを用いることが知られている。

【0003】

これらの処理を施したマスクパターンは、設計者がデザインした完成品のパターン形状と異なる形状となっており、ＯＰＣ処理の妥当性やマスクまたはウェハへの転写時の確認として、ＯＰＣ処理を施した後のマスクパターンにデザインルールチェック（ＤＲＣ：Design Rule Check）等を用いてパターンの検証を行っている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００９−１４７９０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

設計者は、設計の都合上、デザインルールチェックに違反するデザインを敢えて行う場合がある。この場合、デザインルールチェックを実行すると、設計者の意図しない設計上問題のあるエラー（真のエラー）に加え、デザインルールチェックに違反するものの設計者の意図により実行したデザインに対するエラーや、ＯＰＣ処理後のマスクパターンにて、過去に問題なしとされているエラーが擬似エラーとして検出される。

【0006】

全てのエラーの発生箇所を設計者の目視により確認し、真のエラーと疑似エラーを区別する処理を行うと、作業工数が増加するという問題がある。
１つの側面では、本発明は、疑似エラーと真のエラーを容易に区別することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記目的を達成するために、開示の検証方法が提供される。この検証方法は、半導体装置の設計データに基づいて形成する基板露光用のマスクパターンの検証方法であり、コンピュータが、レイアウト設計規則に違反する箇所を含むマスクパターンの形状に基づき、マスクパターンの頂点が１８０°よりも小さい内角を有する第１の角部の近傍において、第１の角部から外角方向に第１の距離で第１の評価点を設定し、マスクパターンの頂点が１８０°よりも大きい内角を有する第２の角部の近傍において、第２の角部から外角方向に第１の距離とは異なる第２の距離で第２の評価点を設定し、第１の評価点と第２の評価点とを繋ぐことにより検証対象となるマスクパターンが違反か否かを識別する区画を形成し、形成した区画の干渉の有無を判断し、判断結果を出力する。さらにこの検証方法は、半導体装置の設計データに基づいて形成する基板露光用のマスクパターンの検証方法であり、コンピュータが、レイアウト設計規則に違反する箇所を含むマスクパターンの形状に基づき、マスクパターンが第１のパターン、第２のパターン、および、第１のパターンと第２のパターンとを接続する第３のパターンである場合に、マスクパターンの第１のパターンと第３のパターンとの接続部の頂点が１８０°よりも大きい内角を有する第３の角部の近傍において、第３の角部から内角方向に第３の距離で第３の評価点を設定し、マスクパターンの第１のパターンと第２のパターンとの距離が所定の距離以上に離間した場合に、第３のパターンの端部上にある第１のパターンと第２のパターンとの距離の第１の中点の近傍において、第１の中点から第３のパターンの内部方向に第３の距離とは異なる第４の距離で第４の評価点を設定し、第３の評価点と第４の評価点とを繋ぐことにより検証対象となるマスクパターンが違反か否かを識別する区画を形成し、形成した区画の干渉の有無を判断し、判断結果を出力する。
さらに、上記目的を達成するために、開示の検証プログラムが提供される。この検証プログラムは、半導体装置の設計データに基づいて形成する基板露光用のマスクパターンの検証プログラムであり、コンピュータに、レイアウト設計規則に違反する箇所を含むマスクパターンの形状に基づき、マスクパターンの頂点が１８０°よりも小さい内角を有する第１の角部の近傍において、第１の角部から外角方向に第１の距離で第１の評価点を設定し、マスクパターンの頂点が１８０°よりも大きい内角を有する第２の角部の近傍において、第２の角部から外角方向に第１の距離とは異なる第２の距離で第２の評価点を設定し、第１の評価点と第２の評価点とを繋ぐことにより検証対象となるマスクパターンが違反か否かを識別する区画を形成し、形成した区画の干渉の有無を判断し、判断結果を出力する、処理を実行させる。さらに、この検証プログラムは、半導体装置の設計データに基づいて形成する基板露光用のマスクパターンの検証プログラムであり、コンピュータに、レイアウト設計規則に違反する箇所を含むマスクパターンの形状に基づき、マスクパターンが第１のパターン、第２のパターン、および、第１のパターンと第２のパターンとを接続する第３のパターンである場合に、マスクパターンの第１のパターンと第３のパターンとの接続部の頂点が１８０°よりも大きい内角を有する第３の角部の近傍において、第３の角部から内角方向に第３の距離で第３の評価点を設定し、マスクパターンの第１のパターンと第２のパターンとの距離が所定の距離以上に離間した場合に、第３のパターンの端部上にある第１のパターンと第２のパターンとの距離の第１の中点の近傍において、第１の中点から第３のパターンの内部方向に第３の距離とは異なる第４の距離で第４の評価点を設定し、第３の評価点と第４の評価点とを繋ぐことにより検証対象となるマスクパターンが違反か否かを識別する区画を形成し、形成した区画の干渉の有無を判断し、判断結果を出力する、処理を実行させる。
またさらに、上記目的を達成するために、開示の検証装置が提供される。この検証装置は、半導体装置の設計データに基づいて形成する基板露光用のマスクパターンの検証装置であり、レイアウト設計規則に違反する箇所を含むマスクパターンの形状に基づき、マスクパターンの頂点が１８０°よりも小さい内角を有する第１の角部の近傍において、第１の角部から外角方向に第１の距離で第１の評価点を設定し、マスクパターンの頂点が１８０°よりも大きい内角を有する第２の角部の近傍において、第２の角部から外角方向に第１の距離とは異なる第２の距離で第２の評価点を設定し、第１の評価点と第２の評価点とを繋ぐことにより検証対象となるマスクパターンが違反か否かを識別する区画を形成する形成部と、形成部が形成した区画の干渉の有無を判断し、判断結果を出力する判断部と、を有する。さらに、この検証装置は、半導体装置の設計データに基づいて形成する基板露光用のマスクパターンの検証装置であり、レイアウト設計規則に違反する箇所を含むマスクパターンの形状に基づき、マスクパターンが第１のパターン、第２のパターン、および、第１のパターンと第２のパターンとを接続する第３のパターンである場合に、マスクパターンの第１のパターンと第３のパターンとの接続部の頂点が１８０°よりも大きい内角を有する第３の角部の近傍において、第３の角部から内角方向に第３の距離で第３の評価点を設定し、マスクパターンの第１のパターンと第２のパターンとの距離が所定の距離以上に離間した場合に、第３のパターンの端部上にある第１のパターンと第２のパターンとの距離の第１の中点の近傍において、第１の中点から第３のパターンの内部方向に第３の距離とは異なる第４の距離で第４の評価点を設定し、第３の評価点と第４の評価点とを繋ぐことにより検証対象となるマスクパターンが違反か否かを識別する区画を形成する形成部と、形成部が形成した区画の干渉の有無を判断し、判断結果を出力する判断部と、を有する。

【発明の効果】

【0008】

１態様では、疑似エラーと真のエラーを容易に区別することができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】第１の実施の形態の検証装置を示す図である。

【図2】第２の実施の形態の検証装置のハードウェア構成を示す図である。

【図3】第２の実施の形態の検証装置の機能を示すブロック図である。

【図4】間隔系エラー処理部の処理を説明する図である。

【図5】間隔系エラーに対する評価点の設定方法を示す図である。

【図6】間隔系エラー時の評価線の生成を説明する図である。

【図7】真のエラーと疑似エラーの判定方法を説明する図である。

【図8】線幅系エラー処理部の処理を説明する図である。

【図9】エラーが発生したマスクパターンの辺に基準点を発生させた例を示す図である。

【図10】線幅系エラーに対する評価点の設定方法を示す図である。

【図11】真のエラーと疑似エラーの判定方法を説明する図である。

【図12】検証装置の処理を示すフローチャートである。

【図13】変形例を説明する図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、実施の形態の検証装置を、図面を参照して詳細に説明する。
＜第１の実施の形態＞
図１は、第１の実施の形態の検証装置を示す図である。

【0011】

第１の実施の形態の検証装置（コンピュータ）１は、半導体装置の設計データに基づいて形成する基板露光用のマスクパターンを検証する装置である。
この検証装置１は、形成部１ａと、判断部１ｂと、記憶部１ｃとを有している。なお、形成部１ａ、および判断部１ｂは、検証装置１が有するＣＰＵ（Central Processing Unit）が備える機能により実現することができる。また、記憶部１ｃは、検証装置１が有するＲＡＭ（Random Access Memory）やハードディスクドライブ（ＨＤＤ:Hard Disk Drive）等が備えるデータ記憶領域により実現することができる。

【0012】

形成部１ａは、マスクパターン２のデザインルールチェックにより、レイアウト設計規則に違反すると判断されたエラー箇所３ａ、３ｂに関する情報を図示しない記憶部から受け取る。エラー箇所３ａは、マスクパターン２ｂ、２ｃ間の距離が近すぎるためにデザインルールの基準を満たさないと判断された箇所であり、エラー箇所３ｂは、マスクパターン２ｄ、２ｅ間の距離が近すぎるためにデザインルールの基準を満たさないと判断された箇所である。なお、エラー箇所３ａ、３ｂは、空間を示しておりマスクパターンではない。

【0013】

形成部１ａは、レイアウト設計規則に違反するエラー箇所３ａを含むマスクパターン２ｂ、２ｃについて評価線７ａ、７ｂを形成し、エラー箇所３ｂを含むマスクパターン２ｄ、２ｅについて評価線７ｃ、７ｄを形成する。評価線７ａ〜７ｄは、検証対象のエラーか否か（真のエラーか疑似エラーか）を識別する区画線である。これら評価線７ａ〜７ｄは、マスクパターン２ｂ〜２ｅの角部の組み合わせに基づき形成される。角部の組み合わせは、レイアウト設計規則の違反種別（２つのマスクパターン間の距離が近すぎる（間隔違反）、マスクパターンの幅が小さすぎる（線幅違反）等）に応じて特定される。本実施の形態では、レイアウト設計規則の違反種別が、間隔違反の場合について説明する。

【0014】

形成部１ａは、エラー箇所３ａ、３ｂを含むマスクパターンを含む検証領域４ａ、４ｂを設定する。設定した検証領域４ａ、４ｂは、真のエラーと疑似エラーの判断対象のマスクパターンを特定する領域である。検証領域４ａ、４ｂの設定方法としては、例えば形成部１ａがエラー箇所３ａ、３ｂの中点を中心とする正方形を形成する。そして、形成部１ａは、形成した正方形の内部を検証領域４ａ、４ｂに設定する。

【0015】

そして、形成部１ａは、設定した検証領域４ａ、４ｂ内に少なくとも一部を含むマスクパターン２ａ〜２ｅの角部に基準点５を設定する。ここで、マスクパターン２ａの辺２ａ１は、検証領域４ａ、４ｂをまたいでいる。この場合には形成部１ａは、検証領域４ａと辺２ａ１との交点、および検証領域４ｂと辺２ａ１との交点に基準点５をそれぞれ設定する。また、マスクパターン２ｄの辺２ｄ１、２ｄ２は、検証領域４ｂをまたいでいる。この場合には形成部１ａは、検証領域４ｂと辺２ｄ１、２ｄ２との交点に基準点５を設定する。

【0016】

次に、形成部１ａは、設定した基準点５の近傍の空間に評価点６を設定する。なお、評価点６の設定方法については、第２の実施の形態にて詳述する。また、基準点５を設定せず、直接評価点６を設定するようにしてもよい。

【0017】

次に、形成部１ａは、作成した評価点６を角部の組み合わせ毎に繋ぐことにより領域を画定する区画を形成する。これにより、検証領域４ａ内にマスクパターン２ｂから所定距離だけ離れた位置に、マスクパターン２ｂを包含する評価線７ｂが形成される。マスクパターン２ｃから所定距離だけ離れた位置にマスクパターン２ｃを囲む評価線７ａが形成される。検証領域４ｂ内にマスクパターン２ｅの検証領域４ｂ内の部分から所定距離だけ離れた位置に、マスクパターン２ｅの検証領域４ｂ内の部分を包含する評価線７ｃが形成される。マスクパターン２ｄの辺２ｄ１の検証領域４ｂ内の部分とマスクパターン２ｄから所定距離だけ離れた位置にマスクパターン２ｄの辺２ｄ２の検証領域４ｂ内の部分とマスクパターン２ｄを囲む評価線７ｄが形成される。

【0018】

判断部１ｂは、形成部１ａが形成した評価線７ａ〜７ｄの干渉の有無を判断する。本実施の形態では、評価線７ａ、７ｂは他の領域に干渉しない。他方、評価線７ｃ、７ｄは、互いに干渉する。

【0019】

判断部１ｂは、互いに干渉しないと判断した評価線７ａ、７ｂの近傍に位置するマスクパターン２ｂ、２ｃの識別情報は、記憶部１ｃに記憶せず、互いに干渉すると判断した評価線７ｃ、７ｄの近傍に位置するマスクパターン２ｄ、２ｅの識別情報ｄ１を記憶部１ｃに記憶する。また、判断部１ｂは、マスクパターン２ｄ、２ｅの位置関係を図示しないモニタに表示するようにしてもよい。

【0020】

本実施の形態の検証装置１によれば、評価線７ａ〜７ｄの干渉の有無を判断し、干渉する場合、真のエラーであると判定し、干渉しない場合、疑似エラーであるものと判定した。そして、真のエラーに係るマスクパターン２ｄ、２ｅの識別情報ｄ１のみを記憶部１ｃに記憶するようにした。これにより、出力結果から疑似エラーが排他され、設計者はエラーの確認作業を効率よく行うことができる。

【0021】

なお、本実施の形態では、間隔違反の場合の処理方法を説明した。しかし、評価線を形成し、干渉の有無により疑似エラーと真のエラーを識別する方法は、線幅違反の場合にも適用することができる。

【0022】

以下、第２の実施の形態において、開示の検証装置をより具体的に説明する。
＜第２の実施の形態＞
図２は、第２の実施の形態の検証装置のハードウェア構成を示す図である。

【0023】

検証装置１０は、ＣＰＵ１０１によって装置全体が制御されている。ＣＰＵ１０１には、バス１０８を介してＲＡＭ１０２と複数の周辺機器が接続されている。
ＲＡＭ１０２は、検証装置１０の主記憶装置として使用される。ＲＡＭ１０２には、ＣＰＵ１０１に実行させるＯＳ（Operating System）のプログラムやアプリケーションプログラムの少なくとも一部が一時的に格納される。また、ＲＡＭ１０２には、ＣＰＵ１０１による処理に使用する各種データが格納される。

【0024】

バス１０８には、ハードディスクドライブ１０３、グラフィック処理装置１０４、入力インタフェース１０５、ドライブ装置１０６、および通信インタフェース１０７が接続されている。

【0025】

ハードディスクドライブ１０３は、内蔵したディスクに対して、磁気的にデータの書き込みおよび読み出しを行う。ハードディスクドライブ１０３は、検証装置１０の二次記憶装置として使用される。ハードディスクドライブ１０３には、ＯＳのプログラム、アプリケーションプログラム、および各種データが格納される。なお、二次記憶装置としては、フラッシュメモリ等の半導体記憶装置を使用することもできる。

【0026】

グラフィック処理装置１０４には、モニタ１０４ａが接続されている。グラフィック処理装置１０４は、ＣＰＵ１０１からの命令に従って、画像をモニタ１０４ａの画面に表示させる。モニタ１０４ａとしては、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）を用いた表示装置や、液晶表示装置等が挙げられる。

【0027】

入力インタフェース１０５には、キーボード１０５ａとマウス１０５ｂとが接続されている。入力インタフェース１０５は、キーボード１０５ａやマウス１０５ｂから送られてくる信号をＣＰＵ１０１に送信する。なお、マウス１０５ｂは、ポインティングデバイスの一例であり、他のポインティングデバイスを使用することもできる。他のポインティングデバイスとしては、例えばタッチパネル、タブレット、タッチパッド、トラックボール等が挙げられる。

【0028】

ドライブ装置１０６は、例えば、光の反射によって読み取り可能なようにデータが記録された光ディスクや、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）メモリ等の持ち運び可能な記録媒体に記録されたデータの読み取りを行う。例えば、ドライブ装置１０６が光学ドライブ装置である場合、レーザ光等を利用して、光ディスク２００に記録されたデータの読み取りを行う。光ディスク２００には、Ｂｌｕ−ｒａｙ（登録商標）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disc Read Only Memory）、ＣＤ−Ｒ（Recordable）／ＲＷ（ReWritable）等が挙げられる。

【0029】

通信インタフェース１０７は、ネットワーク５０に接続されている。通信インタフェース１０７は、ネットワーク５０を介して、他のコンピュータまたは通信機器との間でデータを送受信する。

【0030】

以上のようなハードウェア構成によって、本実施の形態の処理機能を実現することができる。
図２に示すようなハードウェア構成の検証装置１０内には、以下のような機能が設けられる。

【0031】

図３は、第２の実施の形態の検証装置の機能を示すブロック図である。
検証装置１０は、設計対象データ記憶部１１と、ＯＰＣ処理部１２と、ＤＲＣ検証部１３と、エラー検証部１４と、評価点ライブラリ記憶部１５と、処理ログ記憶部１６と、エラー情報記憶部１７とを有している。

【0032】

設計対象データ記憶部１１には、設計対象の半導体装置に関する設計データが記憶されている。
ＯＰＣ処理部１２は、設計データにおいて、回路パターンの幅や、隣接する回路パターンまでの距離に応じた補正量を規定した補正テーブルを用いて設計対象の半導体装置を製造する際に用いるフォトマスクのマスクパターンを作成する。

【0033】

ＤＲＣ検証部１３は、作成されたマスクパターンにＤＲＣ検証を実行し、エラーが発生した箇所を、間隔系エラー、線幅系エラー、その他のエラーに分類して出力する。具体的には、ＤＲＣ検証部１３は、マスクパターンのうち、ＤＲＣ検証にて２つのマスクパターンの間隔が近過ぎると判断された結果エラーとなった箇所を間隔系エラーに分類する。また、ＤＲＣ検証部１３は、マスクパターンのうち、ＤＲＣ検証にてマスクパターンの幅が小さすぎると判断された結果エラーとなった箇所を線幅系エラーに分類する。なお、その他のエラーとしては、マスクパターンそのものが何らかの理由により消失してしまったことを示すエラー等が挙げられる。

【0034】

エラー検証部１４は、間隔系エラー、線幅系エラーそれぞれに分類されたマスクパターンのエラー箇所について、真のエラーか疑似エラーかを検証する。
エラー検証部１４は、間隔系エラー処理部１４１と、線幅系エラー処理部１４２とを有している。

【0035】

図４は、間隔系エラー処理部の処理を説明する図である。
図４（ａ）は、ＤＲＣ検証部１３により間隔系エラーに分類されたマスクパターン２１、２２、２３、２４、２５を示している。また、マスクパターン２２、２３間およびマスクパターン２４、２５間に発生した間隔系エラーのエラー箇所を識別する図形Ｅ１、Ｅ２を点線で示している。図形Ｅ１、Ｅ２は、マスクパターンではない。なお、図形の形状は任意である。

【0036】

間隔系エラー処理部１４１は、図４（ｂ）に示すように、エラー箇所Ｅ１、Ｅ２に基づき検証領域Ａ１、Ａ２を設定する。具体的には、間隔系エラー処理部１４１は、図形Ｅ１、Ｅ２の中点からピッチ（片側値）の領域を検証領域Ａ１、Ａ２に設定する。この検証領域Ａ１、Ａ２の大きさは、ユーザーが任意で設定可能とする。例えば設計ルールの最小ピッチ×２等、マスクパターンの線幅と間隔を内包する値が望ましい。

【0037】

その後、間隔系エラー処理部１４１は、図４（ｃ）に示すように、生成した検証領域Ａ１、Ａ２それぞれの内部に存在するマスクパターン２２〜２５のコーナー部（角部）に評価線作成用の基準点ｐ１を設定する。図４（ｃ）では、基準点ｐ１を黒く塗りつぶした点で表記している。基準点ｐ１は検証領域Ａ１、Ａ２内のマスクパターン２２のコーナー部に置くことを基本とするが、ユーザーが任意で指定した辺の長さを満たす場合は、直線の辺にも基準点ｐ１を置くことが可能である。例えば、マスクパターン２１の辺２１１は、検証領域Ａ１をまたいでいる。この場合、検証領域Ａ１内にはマスクパターン２１のコーナー部が存在しないので、間隔系エラー処理部１４１は、検証領域Ａ１と辺２１１の交点に基準点ｐ１を設定する。また、マスクパターン２４の辺２４１、２４２は、検証領域Ａ２をまたいでいる。この場合、間隔系エラー処理部１４１は、検証領域Ａ２と辺２４１、２４２の交点にそれぞれ基準点ｐ１を設定する。

【0038】

間隔系エラー処理部１４１は、設定した各基準点ｐ１を基準として基準点ｐ１が設定された形状に対応する評価点を評価点ライブラリ記憶部１５に記憶されている評価点ライブラリ１５１より取得し設定する。

【0039】

図５は、間隔系エラーに対する評価点の設定方法を示す図である。
評価点ライブラリ１５１は、間隔系エラーに対応するライブラリであり、各基準点ｐ１を基準に発生させる評価線作成用の位置座標を評価点ｐ２とし、デザインルール等により位置座標を設定しライブラリ化したものである。位置座標は、例えばユーザーにて任意設定可能である。例えば基準点ｐ１の座標が（Ｘ，Ｙ）のとき、評価点ｐ２の座標は（Ｘ＋基本値＋補正値，Ｙ＋基本値＋補正値）で決めることができる。基本値は、デザインルール等によりユーザーが決定する。また、基準点ｐ１に対して評価点ｐ２を複数持つことも可能である。なお、設定する評価点の数は、ユーザーが任意に決定することができる。

【0040】

評価点ライブラリ１５１には、左下ＯＵＴコーナー部、右下ＯＵＴコーナー部、右上ＩＮコーナー部、左上ＩＮコーナー部、左単純ライン、右単純ラインの６種類の評価点ｐ２の設定パターンが登録されている。

【0041】

図５（ａ）は、マスクパターン２６ａの左下ＯＵＴコーナー部、およびマスクパターン２６ｂの右下ＯＵＴコーナー部に基準点ｐ１が設定されている例を示している。
間隔系エラー処理部１４１は、評価点ライブラリ１５１を参照する。そして、間隔系エラー処理部１４１は、左下ＯＵＴコーナー部、および右下ＯＵＴコーナー部に設定された基準点ｐ１を中心とした円弧をマスクパターンの外部に描き、描いた円弧上に評価点ｐ２を設定する。例えば、マスクパターン２６ａの左下ＯＵＴコーナー部に設定した基準点ｐ１の座標を（０，０）とすると、この基準点ｐ１に対応する評価点ｐ２の座標はそれぞれ（０，−１）、（−０．７，−０．７）、（−１，０）とする。また、マスクパターン２６ｂの右下ＯＵＴコーナー部に設定された基準点ｐ１の座標を（０，０）とすると、この基準点ｐ１に対応する評価点ｐ２の座標はそれぞれ（０，−１）、（０．７，−０．７）、（１，０）とする。

【0042】

図５（ｂ）は、マスクパターン２７ａの右上ＩＮコーナー部、およびマスクパターン２７ｂの左上ＩＮコーナー部に基準点ｐ１が設定されている例を示している。
間隔系エラー処理部１４１は、評価点ライブラリ１５１を参照する。そして、間隔系エラー処理部１４１は、マスクパターン２７ａの右上ＩＮコーナー部に設定された基準点ｐ１から内側の辺２７１、２７２に沿って補正値だけ移動させた点から垂線を下ろし、垂線の交わる点に評価点ｐ２を設定する。例えば、基準点ｐ１の座標を（０，０）とすると、この基準点ｐ１に対応する評価点ｐ２の座標は、（−２．７，−２．７）とする。また、間隔系エラー処理部１４１は、マスクパターン２７ｂの左上ＩＮコーナー部に設定された基準点ｐ１から内側の辺２７３、２７４に沿って補正値だけ移動させた点から垂線を下ろし、垂線の交わる点に評価点ｐ２を設定する。例えば、基準点ｐ１の座標を（０，０）とすると、この基準点ｐ１に対応する評価点ｐ２の座標は、（２．７，−２．７）とする。

【0043】

図５（ｃ）は、マスクパターン２８ａの辺２８１、およびマスクパターン２８ｂの辺２８２に基準点ｐ１が設定されている例を示している。
間隔系エラー処理部１４１は、評価点ライブラリ１５１を参照する。そして、間隔系エラー処理部１４１は、マスクパターン２８ａの辺２８１に設定された基準点ｐ１から左側に所定距離だけ垂線を下ろし評価点ｐ２を設定する。例えば、基準点ｐ１の座標を（０，０）とすると、この基準点ｐ１に対応する評価点ｐ２の座標は、（−２，０）とする。また、間隔系エラー処理部１４１は、マスクパターン２８ｂの辺２８２に設定された基準点ｐ１から右側に所定距離だけ垂線を下ろし評価点ｐ２を設定する。例えば、基準点ｐ１の座標を（０，０）とすると、この基準点ｐ１に対応する評価点ｐ２の座標は、（２，０）とする。

【0044】

次に、間隔系エラー処理部１４１は、設定した各評価点ｐ２を線で繋ぎ、評価線を生成する。
図６は、間隔系エラー時の評価線の生成を説明する図である。

【0045】

図６に示すマスクパターン２９の検証領域Ａ３内には、間隔系エラー処理部１４１が、評価点ライブラリ１５１に従い設定した複数の基準点ｐ１が設定されている。座標（Ｘ₁，Ｙ₁）の基準点ｐ１は、右下ＯＵＴコーナー部に設定した基準点の一例であり、座標（Ｘ₂，Ｙ₂）の基準点ｐ１は、左下ＯＵＴコーナー部に設定した基準点の一例であり、座標（Ｘ₃，Ｙ₃）の基準点ｐ１は、右上ＩＮコーナー部に設定した基準点の一例であり、座標（Ｘ₄，Ｙ₄）の基準点ｐ１は、右単純ラインに設定した基準点の一例である。

【0046】

また、マスクパターン２９の検証領域Ａ３内には、間隔系エラー処理部１４１が、評価点ライブラリ１５１に従い設定した複数の評価点ｐ２ａ、ｐ２ｂ、ｐ２ｃ、ｐ２ｄが設定されている。間隔系エラー処理部１４１は、評価点ｐ２ａ、ｐ２ｂ、ｐ２ｃ、ｐ２ｄ間を繋いで評価線Ｂ１を生成する。

【0047】

次に、間隔系エラー処理部１４１は、評価線Ｂ１の干渉有無にてＤＲＣ検証部１３にて検出された間隔系エラーが、真のエラーか擬似エラーかの判定を行う。具体的には、間隔系エラー処理部１４１は、評価線と干渉する場合は確認必須エラーとし、干渉しない場合は擬似エラーと判定し、確認不要エラーとする。

【0048】

図７は、真のエラーと疑似エラーの判定方法を説明する図である。
図７は、図４に示すマスクパターンと同じ部分には同じ符号を付している。
検証領域Ａ１には、生成された評価線Ｂ２、Ｂ３が存在する。間隔系エラー処理部１４１は、評価線Ｂ２と評価線Ｂ３の干渉の有無を判定する。評価線Ｂ２と評価線Ｂ３は干渉しないため、間隔系エラー処理部１４１は、マスクパターン２２、２３間に発生した間隔系エラーは疑似エラーであると判定する。

【0049】

また、検証領域Ａ２には、生成された評価線Ｂ４、Ｂ５が存在する。間隔系エラー処理部１４１は、評価線Ｂ４と評価線Ｂ５の干渉の有無を判定する。評価線Ｂ４と評価線Ｂ５は干渉するため、間隔系エラー処理部１４１は、評価線Ｂ４、Ｂ５の形成に関わった（評価線Ｂ４、Ｂ５の形成の元となった）マスクパターン２４、２５間に発生した間隔系エラーは真のエラーであると判定する。

【0050】

間隔系エラー処理部１４１は、真のエラーであると判定したマスクパターン２４、２５のエラー情報をモニタ１０４ａに表示する。このエラー情報には、干渉部分の座標およびマスクパターン２４、２５の形状情報が含まれる。また、間隔系エラー処理部１４１は、マスクパターン２４、２５のエラー情報をエラー情報記憶部１７に記憶する。

【0051】

他方、間隔系エラー処理部１４１は、疑似エラーであると判定したマスクパターン２２、２３のエラー情報を処理ログ記憶部１６に記憶する。
次に、線幅系エラー処理部１４２の処理を説明する。

【0052】

図８は、線幅系エラー処理部の処理を説明する図である。
図８（ａ）は、ＤＲＣ検証部１３により線幅系エラーに分類されたマスクパターン３２、およびマスクパターン３２の両端部に位置するマスクパターン３１、３３を示している。図８（ａ）にはマスクパターン３２に発生した線幅系エラーのエラー箇所を識別する図形Ｅ３を点線で示している。なお、図形の形状は任意である。

【0053】

線幅系エラー処理部１４２は、基準点ｐ３の設定箇所を検索する。検索方法は、まず、図８（ｂ）に示すように、線幅系エラー処理部１４２は、エラー箇所からエラーが発生したマスクパターン３２の辺に交わるコーナー部３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄを検出する。また、線幅系エラー処理部１４２は、上下コーナー部３２ａ、３２ｃ間の距離ｈ１を測定する。その後、線幅系エラー処理部１４２は、図８（ｃ）に示すように、検出したコーナー部３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄに対し基準点ｐ３を設定する。

【0054】

なお、基準点ｐ３の設定箇所については、コーナー部に置くことが基本である。しかし、エラーが発生したマスクパターンの辺に交わる上下コーナー部間の距離を測定した結果、測定距離が予め設定した距離を超える場合には、エラーが発生したマスクパターンの辺に基準点を発生させることも可能である。

【0055】

図９は、エラーが発生したマスクパターンの辺に基準点を発生させた例を示す図である。
図９は、マスクパターン４１、４２、４３のうち、マスクパターン４２に発生した線幅系エラーのエラー箇所を識別する図形Ｅ４を点線で示している。線幅系エラー処理部１４２は、エラーが発生したマスクパターン４２の辺に交わる上下コーナー部間の距離ｈ２を測定した結果、測定距離が予め設定した距離を超えているため、マスクパターン４２の辺４２１、４２２の中点に基準点ｐ３を設定する。

【0056】

なお、基準点ｐ３を１つの辺に複数個発生することも可能とする。基準点ｐ３を発生させる距離や個数についてもユーザーにて任意設定可能である。
線幅系エラー処理部１４２は、設定した各基準点ｐ３を基準として基準点ｐ３が設定された形状に対応する評価点を評価点ライブラリ記憶部１５に記憶されている評価点ライブラリ１５２より取得し設定する。

【0057】

図１０は、線幅系エラーに対する評価点の設定方法を示す図である。
評価点ライブラリ１５２は、線幅系エラーに対応するライブラリであり、各基準点ｐ３を基準に発生させる評価線生成用の位置座標を評価点ｐ４とし、デザインルール等により位置座標を設定しライブラリ化したものである。位置座標は、例えばユーザーにて任意設定可能である。

【0058】

評価点ライブラリ１５２には、左上ＩＮコーナー部、左下ＩＮコーナー部、右上ＩＮコーナー部、右下ＩＮコーナー部、左単純ライン、右単純ラインの６種類の評価点ｐ４の設定パターンが登録されている。

【0059】

図１０（ａ）に示すマスクパターン３１、３２、３３では、コーナー部３２ａが左上ＩＮコーナー部に該当し、コーナー部３２ｂが右上ＩＮコーナー部に該当し、コーナー部３２ｃが左下ＩＮコーナー部に該当し、コーナー部３２ｄが右下ＩＮコーナー部に該当する。

【0060】

線幅系エラー処理部１４２は、評価点ライブラリ１５２を参照する。そして、線幅系エラー処理部１４２は、左上ＩＮコーナー部、左下ＩＮコーナー部、右上ＩＮコーナー部、右下ＩＮコーナー部に設定された基準点ｐ３それぞれを中心とした円弧をマスクパターンの内部に描き、描いた円弧上に評価点ｐ４を設定する。なお、基準点ｐ３と評価点ｐ４を接続する点線は、設定した評価点ｐ４がどの基準点ｐ３に対応するのかを示している。例えば、コーナー部３２ａに設定した基準点ｐ３の座標を（０，０）とすると、この基準点ｐ３に対応する評価点ｐ４の座標はそれぞれ（０，１）、（０．７，０．７）、（１，０）とする。また、コーナー部３２ｂに設定した基準点ｐ３の座標を（０，０）とすると、この基準点ｐ３に対応する評価点ｐ４の座標はそれぞれ（０，１）、（−０．７，０．７）、（−１，０）とする。また、コーナー部３２ｃに設定した基準点ｐ３の座標を（０，０）とすると、この基準点ｐ３に対応する評価点ｐ４の座標はそれぞれ（０，−１）、（０．７，−０．７）、（１，０）とする。コーナー部３２ｄに設定した基準点ｐ３の座標を（０，０）とすると、この基準点ｐ３に対応する評価点ｐ４の座標はそれぞれ（０，−１）、（−０．７，−０．７）、（−１，０）とする。

【0061】

図１０（ｂ）に示すマスクパターン４１、４２、４３では、コーナー部４２ａが左上ＩＮコーナー部に該当し、コーナー部４２ｂが右上ＩＮコーナー部に該当し、コーナー部４２ｃが左下ＩＮコーナー部に該当し、コーナー部４２ｄが右下ＩＮコーナー部に該当する。また、辺４２１が左単純ラインに該当する。辺４２２が右単純ラインに該当する。コーナー部４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄにそれぞれ設定した基準点ｐ３に対応する評価点ｐ４の設定方法は、コーナー部３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄにそれぞれ設定した基準点ｐ３に対応する評価点ｐ４の設定方法と同様である。

【0062】

線幅系エラー処理部１４２は、評価点ライブラリ１５２を参照する。そして、線幅系エラー処理部１４２は、マスクパターン４２の辺４２１に設定された基準点ｐ３から右側（マスクパターン４２の内側）に所定距離だけ垂線を下ろし評価点ｐ４を設定する。例えば、基準点ｐ３の座標を（０，０）とすると、この基準点ｐ３に対応する評価点ｐ４の座標は、（２，０）とする。また、線幅系エラー処理部１４２は、マスクパターン４２の辺４２２に設定された基準点ｐ３から左側に所定距離だけ垂線を下ろし評価点ｐ４を設定する。例えば、基準点ｐ３の座標を（０，０）とすると、この基準点ｐ３に対応する評価点ｐ４の座標は、（−２，０）とする。

【0063】

次に、線幅系エラー処理部１４２は、設定した各評価点ｐ４を線で繋ぎ、評価線を生成する。
図１１は、真のエラーと疑似エラーの判定方法を説明する図である。

【0064】

図１１では、各基準点ｐ３および各評価点ｐ４を識別するために基準点ｐ３および評価点ｐ４にさらに細かい符号を付している。
まず、図１１（ａ）に示すマスクパターン３２の線幅系エラーの判別方法について説明する。

【0065】

線幅系エラー処理部１４２は、基準点ｐ３ａに基づき生成した評価点ｐ４ａ、ｐ４ｂ、ｐ４ｃと、基準点ｐ３ｂに基づき生成した評価点ｐ４ｄ、ｐ４ｅ、ｐ４ｆとを繋いで評価線Ｃ１を生成する。また、線幅系エラー処理部１４２は、基準点ｐ３ｃに基づき生成した評価点ｐ４ｇ、ｐ４ｈ、ｐ４ｉと、基準点ｐ３ｄに基づき生成した評価点ｐ４ｊ、ｐ４ｋ、ｐ４Ｌとを繋いで評価線Ｃ２を生成する。

【0066】

次に、線幅系エラー処理部１４２は、評価線Ｃ１、Ｃ２の干渉有無にてＤＲＣ検証部１３にて検出された線幅系エラーが、真のエラーか擬似エラーかの判定を行う。具体的には、線幅系エラー処理部１４２は、評価線と干渉する場合は確認必須エラーとし、干渉しない場合は擬似エラーと判定され、確認不要エラーとなる。評価線Ｃ１と評価線Ｃ２は干渉しないため、線幅系エラー処理部１４２は、マスクパターン３２に発生した線幅系エラーは疑似エラーであると判定する。

【0067】

次に、図１１（ｂ）に示すマスクパターン４２の線幅系エラーの判別方法について説明する。
線幅系エラー処理部１４２は、基準点ｐ３ｅに基づき生成した評価点ｐ４ｍ、ｐ４ｎ、ｐ４ｏと、基準点ｐ３ｆに基づき生成した評価点ｐ４ｐと、基準点ｐ３ｇに基づき生成した評価点ｐ４ｑ、ｐ４ｒ、ｐ４ｓとを繋いで評価線Ｃ３を生成する。また、線幅系エラー処理部１４２は、基準点ｐ３ｈに基づき生成した評価点ｐ４ｔ、ｐ４ｕ、ｐ４ｖと、基準点ｐ３ｉに基づき生成した評価点ｐ４ｗと、基準点ｐ３ｊに基づき生成した評価点ｐ４ｘ、ｐ４ｙ、ｐ４ｚとを繋いで評価線Ｃ４を生成する。

【0068】

次に、線幅系エラー処理部１４２は、評価線Ｃ３、Ｃ４の干渉有無にてＤＲＣ検証部１３にて検出された線幅系エラーが、真のエラーか擬似エラーかの判定を行う。評価線Ｃ３と評価線Ｃ４は干渉するため、線幅系エラー処理部１４２は、マスクパターン４２に発生した線幅系エラーは真のエラーであると判定する。

【0069】

線幅系エラー処理部１４２は、真のエラーであると判定したマスクパターン４２のエラー情報をモニタ１０４ａに表示する。このエラー情報には、マスクパターン４２の形状情報が含まれる。また、線幅系エラー処理部１４２は、マスクパターン４２のエラー情報をエラー情報記憶部１７に記憶する。

【0070】

他方、線幅系エラー処理部１４２は、疑似エラーであると判定したマスクパターン３２のエラー情報を処理ログ記憶部１６に記憶する。
次に、検証装置１０の処理を、フローチャートを用いて説明する。

【0071】

図１２は、検証装置の処理を示すフローチャートである。
［ステップＳ１］ エラー検証部１４は、検証エラーのエラー種別に間隔系エラーが存在するか否かを判断する。間隔系エラーが存在する場合（ステップＳ１のＹｅｓ）、ステップＳ２に遷移する。間隔系エラーが存在しない場合（ステップＳ１のＮｏ）、ステップＳ９に遷移する。

【0072】

［ステップＳ２］ 間隔系エラー処理部１４１は、間隔系エラーのエラー箇所に検証領域を設定する。その後、ステップＳ３に遷移する。
［ステップＳ３］ 間隔系エラー処理部１４１は、ステップＳ２にて設定した検証領域に基づき基準点を設定する。その後、ステップＳ４に遷移する。

【0073】

［ステップＳ４］ 間隔系エラー処理部１４１は、ステップＳ３にて設定した基準点と、評価点ライブラリとを用いて評価点を設定する。その後、ステップＳ５に遷移する。
［ステップＳ５］ 間隔系エラー処理部１４１は、ステップＳ４にて設定した評価点を線で繋いで評価線を生成する。その後、ステップＳ６に遷移する。

【0074】

［ステップＳ６］ 間隔系エラー処理部１４１は、干渉する評価線が存在するか否かを判断する。干渉する評価線が存在する場合（ステップＳ６のＹｅｓ）、ステップＳ７に遷移する。干渉する評価線が存在しない場合（ステップＳ６のＮｏ）、ステップＳ８に遷移する。

【0075】

［ステップＳ７］ 間隔系エラー処理部１４１は、干渉する評価線の形成に関わったマスクパターンのエラー情報をエラー情報記憶部１７に記憶する。その後、ステップＳ９に遷移する。

【0076】

［ステップＳ８］ 間隔系エラー処理部１４１は、干渉しない評価線の形成に関わったマスクパターンのエラー情報を処理ログ記憶部１６に記憶する。その後、ステップＳ９に遷移する。

【0077】

［ステップＳ９］ エラー検証部１４は、検証エラーのエラー種別に線幅系エラーが存在するか否かを判断する。線幅系エラーが存在する場合（ステップＳ９のＹｅｓ）、ステップＳ１０に遷移する。線幅系エラーが存在しない場合（ステップＳ９のＮｏ）、図１２の処理を終了する。

【0078】

［ステップＳ１０］ 線幅系エラー処理部１４２は、エラーが発生した辺に交わるコーナー部を検出する。その後、ステップＳ１１に遷移する。
［ステップＳ１１］ 線幅系エラー処理部１４２は、上下コーナー部までの距離を測定する。その後、ステップＳ１２に遷移する。

【0079】

［ステップＳ１２］ 線幅系エラー処理部１４２は、エラー箇所に交わるコーナー部に基準点を設定する。また、上下コーナー部までの距離に応じて中点に基準点を設定する。その後、ステップＳ１３に遷移する。

【0080】

［ステップＳ１３］ 線幅系エラー処理部１４２は、ステップＳ１２にて設定した基準点と、評価点ライブラリとを用いて評価点を設定する。その後、ステップＳ１４に遷移する。

【0081】

［ステップＳ１４］ 線幅系エラー処理部１４２は、ステップＳ１３にて設定した評価点を線で繋いで評価線を生成する。その後、ステップＳ１５に遷移する。
［ステップＳ１５］ 線幅系エラー処理部１４２は、干渉する評価線が存在するか否かを判断する。干渉する評価線が存在する場合（ステップＳ１５のＹｅｓ）、ステップＳ１６に遷移する。干渉する評価線が存在しない場合（ステップＳ１５のＮｏ）、ステップＳ１７に遷移する。

【0082】

［ステップＳ１６］ 線幅系エラー処理部１４２は、干渉する評価線の形成に関わったマスクパターンのエラー情報をエラー情報記憶部１７に記憶する。その後、図１２の処理を終了する。

【0083】

［ステップＳ１７］ 線幅系エラー処理部１４２は、干渉しない評価線の形成に関わったマスクパターンのエラー情報を処理ログ記憶部１６に記憶する。その後、図１２の処理を終了する。

【0084】

以上述べたように、検証装置１０によれば、評価線を生成し、評価線の干渉結果に応じて疑似エラーか真のエラーかを判定することにより、擬似エラーの排他が可能となる。このため、設計者は、真のエラーだけを確認すればよく、エラー確認作業を効率よく行うことが可能となる。

【0085】

＜変形例＞
図１３は、変形例を説明する図である。
図１３には、エラー箇所に関わるマスクパターン５１を図示している。このマスクパターン５１には、所定値よりも小さな段差（以下、微小段差という）５１１が存在する。以下、この場合の基準点の設定方法を説明する。

【0086】

マスクパターン５１が、ＤＲＣ検証部１３により間隔系エラーに分類された場合は、間隔系エラー処理部１４１は、ＯＵＴコーナー部５１１ａに基準点ｐ１を設定する。また、マスクパターン５１が、ＤＲＣ検証部１３により線幅系エラーに分類された場合は、線幅系エラー処理部１４２は、ＩＮコーナー部５１１ｂに基準点ｐ３を設定する。

【0087】

あるいは、エラーの種別にかかわらず、ＯＵＴコーナー部５１１ａとＩＮコーナー部５１１ｂの中点に間隔系エラーおよび線幅系エラーのいずれにも使用可能な基準点ｐ５を設定するようにしてもよい。

【0088】

なお、検証装置１０が行った処理が、複数の装置によって分散処理されるようにしてもよい。例えば、１つの装置が、ＤＲＣ検証までを行って間隔系エラーおよび線幅系エラーを検出しておき、他の装置が、検出されたエラー情報を用いて疑似エラーと真のエラーを判定するようにしてもよい。

【0089】

以上、本発明の検証方法、検証プログラムおよび検証装置を、図示の実施の形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物や工程が付加されていてもよい。

【0090】

また、本発明は、前述した各実施の形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
なお、上記の処理機能は、コンピュータによって実現することができる。その場合、検証装置１、１０が有する機能の処理内容を記述したプログラムが提供される。そのプログラムをコンピュータで実行することにより、上記処理機能がコンピュータ上で実現される。処理内容を記述したプログラムは、コンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録しておくことができる。コンピュータで読み取り可能な記録媒体としては、磁気記憶装置、光ディスク、光磁気記録媒体、半導体メモリ等が挙げられる。磁気記憶装置には、ハードディスクドライブ、フレキシブルディスク（ＦＤ）、磁気テープ等が挙げられる。光ディスクには、ＤＶＤ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＣＤ−ＲＯＭ／ＲＷ等が挙げられる。光磁気記録媒体には、ＭＯ（Magneto-Optical disk）等が挙げられる。

【0091】

プログラムを流通させる場合には、例えば、そのプログラムが記録されたＤＶＤ、ＣＤ−ＲＯＭ等の可搬型記録媒体が販売される。また、プログラムをサーバコンピュータの記憶装置に格納しておき、ネットワークを介して、サーバコンピュータから他のコンピュータにそのプログラムを転送することもできる。

【0092】

プログラムを実行するコンピュータは、例えば、可搬型記録媒体に記録されたプログラムもしくはサーバコンピュータから転送されたプログラムを、自己の記憶装置に格納する。そして、コンピュータは、自己の記憶装置からプログラムを読み取り、プログラムに従った処理を実行する。なお、コンピュータは、可搬型記録媒体から直接プログラムを読み取り、そのプログラムに従った処理を実行することもできる。また、コンピュータは、ネットワークを介して接続されたサーバコンピュータからプログラムが転送される毎に、逐次、受け取ったプログラムに従った処理を実行することもできる。

【0093】

また、上記の処理機能の少なくとも一部を、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＰＬＤ（Programmable Logic Device）等の電子回路で実現することもできる。

【0094】

以上の第１〜第２の実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１） 半導体装置の設計データに基づいて形成する基板露光用のマスクパターンの検証方法において、
コンピュータが、
レイアウト設計規則に違反する箇所を含むマスクパターンの形状に基づき検証対象の違反か否かを識別する区画を形成し、
形成した区画の干渉の有無を判断し、判断結果を出力する、
ことを特徴とする検証方法。

【0095】

（付記２） 前記区画を前記マスクパターンの所定の組み合わせの角部を含むように形成することを特徴とする付記１記載の検証方法。
（付記３） 前記所定の組み合わせは、前記レイアウト設計規則の違反種別に応じて特定されることを特徴とする付記２記載の検証方法。

【0096】

（付記４） 前記角部の近傍の所定位置に点を作成し、
作成した前記点を繋ぐことにより前記区画を形成することを特徴とする付記２記載の検証方法。

【0097】

（付記５） 前記違反種別が複数のマスクパターン間の間隔に関わる違反である場合、
前記レイアウト設計規則に違反する箇所に基づき検証対象のマスクパターンを特定する検証領域を設定し、
設定した前記検証領域の前記マスクパターンの角部近傍の空間に前記点を設定することを特徴とする付記４記載の検証方法。

【0098】

（付記６） 前記レイアウト設計規則に違反する前記マスクパターンの辺が前記検証領域をまたぐ場合には前記検証領域と前記辺との交点の近傍の空間に前記点を設定することを特徴とする付記５記載の検証方法。

【0099】

（付記７） 前記違反種別が１つのマスクパターンの線幅に関わる違反である場合、
前記レイアウト設計規則に違反する箇所を含むマスクパターンの角部近傍のマスクパターン内部に前記点を設定することを特徴とする付記４記載の検証方法。

【0100】

（付記８） 前記点の作成位置が、角部の形状に応じて異なることを特徴とする付記４ないし７のいずれかに記載の検証方法。
（付記９） 前記角部の形状に応じて設定する点の位置を記憶する記憶部を参照することにより前記点を設定することを特徴とする付記４ないし８のいずれかに記載の検証装置。

【0101】

（付記１０） 前記判断結果を出力する際に、形成した区画の干渉が有る箇所を出力し、干渉がない箇所を出力しないことを特徴とする付記１ないし９のいずれかに記載の検証装置。

【0102】

（付記１１） 半導体装置の設計データに基づいて形成する基板露光用のマスクパターンの検証プログラムにおいて、
コンピュータに、
レイアウト設計規則に違反する箇所を含むマスクパターンの形状に基づき検証対象の違反か否かを識別する区画を形成し、
形成した区画の干渉の有無を判断し、判断結果を出力する、
処理を実行させることを特徴とする検証プログラム。

【0103】

（付記１２） 半導体装置の設計データに基づいて形成する基板露光用のマスクパターンの検証装置において、
レイアウト設計規則に違反する箇所を含むマスクパターンの形状に基づき検証対象の違反か否かを識別する区画を形成する形成部と、
前記形成部が形成した区画の干渉の有無を判断し、判断結果を出力する判断部と、
を有することを特徴とする検証装置。

【符号の説明】

【0104】

１、１０ 検証装置
１ａ 形成部
１ｂ 判断部
１ｃ 記憶部
ｄ１ 識別情報
２、２ａ〜２ｅ、２６ａ、２６ｂ、２７ａ、２７ｂ、２８ａ、２８ｂ、２１〜２９、３１〜３３、４１〜４３、５１ マスクパターン
３ａ、３ｂ、Ｅ１〜Ｅ４ エラー箇所
４ａ、４ｂ、Ａ１〜Ａ３ 検証領域
５、ｐ１、ｐ３ 基準点
６、ｐ２、ｐ４ 評価点
７ａ〜７ｄ、Ｂ１〜Ｂ５、Ｃ１〜Ｃ４ 評価線
１１ 設計対象データ記憶部
１２ ＯＰＣ処理部
１３ ＤＲＣ検証部
１４ エラー検証部
１４１ 間隔系エラー処理部
１４２ 線幅系エラー処理部
１５ 評価点ライブラリ記憶部
１５１、１５２ 評価点ライブラリ
１６ 処理ログ記憶部
１７ エラー情報記憶部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】