特許5943947ナノ構造処理のための導電性補助層の形成及び選択的除去

発明の名称　ナノ構造処理のための導電性補助層の形成及び選択的除去

出願人　スモルテック　アーベー　（識別番号 510069593）

　　　　特許公開件数ランキング 31340 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 25341 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-5943947

公報発行日　2016年7月5

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5943947

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