特許第5946771号(P5946771)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許5946771半導体基板上のラージエリアガリウム窒化物又は他の窒化物ベース構造のための応力補償
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  • 特許5946771-半導体基板上のラージエリアガリウム窒化物又は他の窒化物ベース構造のための応力補償 図000007
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