特許 5947360 タッチセンサ一体型表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5947360

(24)【登録日】2016年6月10日

(45)【発行日】2016年7月6日

(54)【発明の名称】タッチセンサ一体型表示装置

(51)【国際特許分類】

   G06F 3/041 20060101AFI20160623BHJP

   G06F 3/044 20060101ALI20160623BHJP

   G02F 1/1368 20060101ALI20160623BHJP

【ＦＩ】

   G06F3/041 412

   G06F3/041 422

   G06F3/044 129

   G02F1/1368

【請求項の数】13

【全頁数】23

(21)【出願番号】特願2014-237504(P2014-237504)

(22)【出願日】2014年11月25日

(65)【公開番号】特開2015-106412(P2015-106412A)

(43)【公開日】2015年6月8日

【審査請求日】2014年11月25日

(31)【優先権主張番号】10-2013-0148525

(32)【優先日】2013年12月2日

(33)【優先権主張国】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】501426046

【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100094112

【弁理士】

【氏名又は名称】岡部 讓

(74)【代理人】

【識別番号】100106183

【弁理士】

【氏名又は名称】吉澤 弘司

(72)【発明者】

【氏名】金 周 漢

(72)【発明者】

【氏名】金 哲 世

(72)【発明者】

【氏名】金 眞 星

(72)【発明者】

【氏名】韓 萬 協

【審査官】 萩島 豪

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１３−２１８６５９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２０１２／０１２７４１４（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２０１１／０２２７８５０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２０１２／０２１８１９９（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０２Ｆ１／１３４３−１／１３４５

Ｇ０２Ｆ１／１３５−１／１３６８

Ｇ０６Ｆ３／０３

Ｇ０６Ｆ３／０４１−３／０４７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

互いに交差するように配置される複数のゲートライン及び複数のデータラインと、
前記複数のゲートラインと前記複数のデータラインとの交差によって定義される領域内にそれぞれ配置される、複数の画素電極と、
前記複数の画素電極の一部と対応して配置され、それぞれ第１サイズを有する、複数の第１−１電極と、
前記第１−１電極と接続され、前記複数の画素電極の他の一部と対応して配置され、前記第１サイズより大きい第２サイズを有する、複数の第１−２電極と、
前記第１−１電極と前記第１−２電極との間に配置され、前記第１−１電極と前記第１−２電極と交差する方向に配列される、複数の第２電極と、
を含み、
前記第１−２電極間には、２つの第１−１電極が並行するように配置されることを特徴とする、タッチセンサ一体型表示装置。

【請求項2】

前記複数の第１−１電極及び前記複数の第１−２電極は、共通電極とタッチ駆動電極の機能を兼ね、前記複数の第２電極は、タッチセンシング電極であることを特徴とする、請求項１記載のタッチセンサ一体型表示装置。

【請求項3】

前記複数の第１−１電極及び前記複数の第１−２電極は、共通電極とタッチセンシング電極の機能を兼ね、前記複数の第２電極は、タッチ駆動電極であることを特徴とする、請求項１記載のタッチセンサ一体型表示装置。

【請求項4】

前記第１−１電極に対応する画素領域には、画素電極が一つのラインをなすように配置され、前記第１−２電極に対応する画素領域には、画素電極が二つのラインをなすように配置されることを特徴とする、請求項１記載のタッチセンサ一体型表示装置。

【請求項5】

前記第１−２電極に対応して配列された２ラインの画素電極の間には、それぞれの画素電極のための２つのゲートラインが隣接して並行するように配置されることを特徴とする、請求項４記載のタッチセンサ一体型表示装置。

【請求項6】

前記複数の第１−１電極及び前記複数の第１−２電極の各々と接触し、前記データラインの方向に沿って配置され、前記第１−１電極及び前記第１−２電極の抵抗を減少させる少なくとも一つの第１電極の抵抗減少配線をさらに含むことを特徴とする、請求項１記載のタッチセンサ一体型表示装置。

【請求項7】

前記第１電極の抵抗減少配線は、前記データラインと重なるように配置されることを特徴とする、請求項６記載のタッチセンサ一体型表示装置。

【請求項8】

前記複数の第２電極のそれぞれに前記第２電極の方向に沿って重なるように配置され、前記第２電極の抵抗を減少させる少なくとも一つの第２電極の抵抗減少配線をさらに含むことを特徴とする、請求項６記載のタッチセンサ一体型表示装置。

【請求項9】

前記第２電極の抵抗減少配線は、前記ゲートラインと重なるように配置されることを特徴とする、請求項８記載のタッチセンサ一体型表示装置。

【請求項10】

前記第１−１電極と、前記第１−２電極は、少なくとも一つの第１ボトルネック部によって互いに接続され、前記第１電極の抵抗減少配線は、前記第１−１及び前記第１−２電極と共に、前記少なくとも一つの第１ボトルネック部を経由することを特徴とする、請求項６記載のタッチセンサ一体型表示装置。

【請求項11】

前記第２電極は、前記第１ボトルネック部と交差する位置に前記第２電極より狭い幅を有する第２ボトルネック部を含むことを特徴とする、請求項１０記載のタッチセンサ一体型表示装置。

【請求項12】

前記画素電極の各々は、前記ゲートラインと前記データラインとの交差部に配置される薄膜トランジスタをカバーする第１保護膜上に形成され、第１保護膜を貫通するコンタクトホールを介して露出される前記薄膜トランジスタと接続され、
前記第１−１電極及び前記第１−２電極は、前記画素電極をカバーする第２保護膜上で、前記画素電極と少なくとも一部が重なるように配置されることを特徴とする、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載のタッチセンサ一体型表示装置。

【請求項13】

前記第１−１電極及び前記第１−２電極は、前記ゲートラインと前記データラインとの交差部に配置された薄膜トランジスタをカバーする第１保護膜上に配置され、
前記画素電極は、前記第１−１電極及び前記第１−２電極をカバーする、第２保護膜上で前記第１−１電極及び前記第１−２電極と少なくとも一部が重なるように配置され、
前記画素電極の各々は、前記第１保護膜及び前記第２保護膜を貫通するコンタクトホールを介して露出される前記薄膜トランジスタと接続されることを特徴とする、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載のタッチセンサ一体型表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ユーザのタッチを認識することができるタッチセンサ一体型表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

最近、キーボード、マウス、トラックボール、ジョイスティック（Joystick）、デジタイザ（digitizer）などの様々な入力装置（input device）がユーザと家電機器または各種情報通信機器との間のインターフェースを構成するために使用されている。しかし、前述のような入力装置を使用するために使い方を学ぶことを要し、また設置のための空間を要する、などの問題点があった。したがって、便利ながらも、簡単で誤作動を減らすことができる入力装置に対する要求が日々増加している。このような要求に応じて、ユーザが指やペンなどで画面に直接接触して情報を入力するタッチセンサ（touch sensor）が提案された。

【0003】

タッチセンサは操作が簡単であり、誤作動が少なく、別の入力機器を使用しなくても入力が可能なだけでなく、ユーザが画面上に表示される内容を迅速かつ容易に操作することができる利便性のために様々な表示装置に適用されている。

【0004】

タッチセンサは、構造に応じて、上板取付型（add-on type：アドオンタイプ）と、上板一体型（on-cell type：オンセルタイプ）とに分けることができる。上板取付型は、表示装置とタッチセンサが形成されたタッチパネルを個別に製造した後に、表示装置の上板にタッチパネルを取り付けする方式である。上板一体型は、表示装置の上部ガラス基板の表面にタッチセンサを直接形成する方式である。

【0005】

上板取付型は、表示装置の上板に完成されたタッチパネルが装着される構造を有するため、厚さが大きくなってしまい、表示装置の明るさが暗くなり視認性が低下する問題がある。

【0006】

一方、上板一体型の場合、表示装置の上面に別のタッチセンサが形成された構造を有するため、上板取付型より厚さを小さくすることができるが、それでもタッチセンサを構成する駆動電極層とセンシング電極層およびこれらを絶縁させるための絶縁層のために全体の厚さが増加し、工程数が増加して製造コストが増加する問題点があった。

【0007】

したがって、このような従来技術による問題点を解消したタッチセンサ一体型表示装置が必要とされており、例えば特許文献１のようなタッチセンサ一体型表示装置が知られている。

【0008】

特許文献１に開示されたタッチセンサ一体型表示装置は、ディスプレイ用の共通電極を分割して、タッチ駆動のためのタッチ駆動電極とタッチセンシングのためのタッチセンシング電極とを兼用にすることで、タッチ時に発生する相互静電容量の変化量を測定して、タッチの有無とタッチ位置を認識している。

【0009】

前記の構成において、タッチ駆動電極とタッチセンシング電極は、同じ層に形成されるため、異なる種類の電極と接触しないように、同じ機能を実行する電極同士が配線によって互いに接続される。すなわち、タッチ駆動電極は、コンタクトホールを介してタッチ駆動電極配線に接続され、タッチセンシング電極は、コンタクトホールを介してタッチセンシング電極配線に接続されることにより、タッチ駆動電極とタッチセンシング電極は、電気的に互いに接触しなくなる。

【0010】

しかし、従来のタッチセンサ一体型表示装置では、タッチ駆動電極配線及びタッチセンシング電極配線が複雑に構成されており、特にタッチ駆動電極とタッチ駆動電極配線との接続、およびタッチセンシング電極とタッチセンシング電極配線との接続のために多くのコンタクトホールが必要となるので、表示装置の開口率が低下する、という問題があった。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0011】

【特許文献1】米国特許第７，８５９，５２１号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0012】

本発明の目的は、タッチ駆動電極及びタッチセンシング電極のための複雑な配線を簡単かつ効率的に形成することにより、開口率を向上させることができるタッチセンサ一体型表示装置を提供することにある。

【0013】

本発明の他の目的は、タッチ駆動電極とタッチセンシング電極との間の相互静電容量を減少させ、タッチセンサのタッチ電極と表示装置の信号配線との間に形成される寄生容量を減少させることにより、タッチ性能を向上させることができるタッチセンサ一体型表示装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0014】

前記目的を達成するために、本発明に係るタッチセンサ一体型表示装置は、複数のゲートラインと、前記複数のゲートラインと交差するように配置される複数のデータラインと、前記複数のゲートラインと前記データラインとが交差することによって定義される領域内にそれぞれ配置される複数の画素電極と、前記複数の画素電極の一部に対応して配置され、それぞれ第１サイズを有する複数の第１−１電極と、前記第１−１電極と接続され、前記複数の画素電極の他の一部に対応して配置され、前記第１サイズより大きい第２サイズを有する複数の第１−２電極と、前記第１−１電極と前記第１−２電極との間に配置され、前記第１−１電極及び前記第１−２電極と交差する方向に配列される複数の第２電極を含み、前記第１−２電極間には、２つの第１−１電極が並行するように配置されることを特徴とする。

【0015】

前記構成において、複数の第１−１及び１−２の電極は、共通電極及びタッチ駆動電極の機能を兼ね、前記複数の第２電極は、タッチセンシング電極となるように構成されることがあり、またこれとは異なり、前記複数の第１−１及び１−２電極は、共通電極とタッチセンシング電極の機能を兼ね、前記複数の第２電極は、タッチ駆動電極となるように構成することもできる。

【0016】

また、前記第１−１電極に対応する画素領域には、画素電極が一つのラインになるように配置され、前記第１−２電極に対応する画素領域には、画素電極が二つのラインになるように配置することができる。

【0017】

また、前記第１−２電極に対応して配列された二つのラインの画素電極の間には、それぞれの画素電極のための二つのゲートラインが隣接して並行するように配置されることができる。

【0018】

また、前記複数の第１−１及び１−２電極の各々と接触し、前記データラインの方向に沿って配置され、前記第１−１及び１−２電極の抵抗を減少させる少なくとも１つの第１電極の抵抗減少配線をさらに含むことができる。

【0019】

また、前記第１電極の抵抗減少配線は、前記データラインと重なるように配置することができる。

【0020】

また、前記複数の第２電極のそれぞれに前記第２電極の方向に沿って重なるように配置され、前記第２電極の抵抗を減少させる少なくとも一つの第２電極の抵抗減少配線をさらに含むことができる。

【0021】

また、前記第２電極の抵抗減少配線は、前記ゲートラインと重なるように配置することができる。

【0022】

また、前記第１−１電極と前記１−２電極とは、少なくとも一つの第１ボトルネック部（bottleneck部：瓶首部：以下ボトルネック部と称する）によって互に接続され、前記第１電極の抵抗減少配線は、前記第１−１及び第１−２と共に、前記少なくとも一つの第１ボトルネック部を経由するように構成される。

【0023】

また、前記第２電極は、前記第１ボトルネック部と交差する位置に、前記第２電極より狭い幅を有する第２ボトルネック部を含む。

【0024】

また、前記画素電極の各々は、前記ゲートラインと前記データラインとの交差部に配置される薄膜トランジスタをカバーする第１保護膜上に配置され、第１保護膜を貫通するコンタクトホールを介して露出される前記薄膜トランジスタと接続され、前記第１−１電極及び第１−２電極は、前記画素電極をカバーする第２保護膜上で、前記画素と少なくとも一部が重なるように配置されることもできる。

【0025】

これとは異なり、前記第１−１電極及び１−２電極は、前記ゲートラインとデータラインとの交差部に配置される薄膜トランジスタをカバーする第１保護膜上に配置され、前記画素電極は、前記第１−１電極および第１−２電極をカバーする第２保護膜上で、前記第１−１電極及び１−２電極と少なくとも一部が重なるように配置され、前記画素電極の各々は、前記第１保護膜及び第２保護膜を貫通するコンタクトホールを介して露出される前記薄膜トランジスタと接続されることができる。

【発明の効果】

【0026】

本発明に係るタッチセンサ一体型表示装置によれば、タッチ駆動電極とタッチセンシング電極とを接続し、その抵抗を減少させるための配線をデータラインまたはゲートラインと重ねるように形成することができるので、開口率の低下を抑制できる、という技術的に有利な効果を得ることができるとともに、表示装置の画素電極、ゲートラインとデータラインの設計に応じて、タッチセンサを構成するタッチ駆動電極、タッチセンシング電極、および配線関係を容易に設計することができる、という技術的に有利な効果を得ることができる。

【0027】

また、タッチ駆動電極とタッチセンシング電極抵抗減少配線とを接続するためのコンタクトホールが不要であるから、開口率を向上させることができ、高解像度の画像表示製品および大面積の画像表示製品に有利な効果を提供することができる。

【0028】

また、本発明に係るタッチセンサ一体型表示装置によれば、タッチ駆動電極が１ラインの画素電極に対応する第１−１タッチ駆動電極パターンと、２ラインの画素電極に対応する第１−２タッチ駆動電極パターンと、を含むように構成し、タッチセンシング電極を第１−１タッチ駆動電極と第１−２タッチ駆動電極との間に配置し、第１−２タッチ駆動電極パターンに対応して配置される２ラインの画素電極間にゲートラインを配置することにより、ゲートラインと重ねるタッチセンシング電極の数を減らすことができるようになる。したがって、タッチセンシング電極数の減少による相互静電容量と寄生容量の大きさを小さくすることができ、タッチ性能を向上させることができる、という技術的に有利な効果を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0029】

【図1】本発明の実施の形態に係るタッチセンサ一体型表示装置を概略的に示す一部分解斜視図である。

【図2】本発明の第１実施の形態に係るタッチセンサ一体型表示装置を概略的に示す平面図である。

【図3】図２に示された単位タッチ認識領域ＴＵでの共通電極（タッチ駆動電極）、タッチセンシング電極、及び画素電極の関係を概略的に示す平面図である。

【図4A】共通電極が画素電極の上層に形成される場合の図３に示された領域Ｒ１を示す平面図である。

【図4B】図４ＡのＩ−Ｉ’ラインに沿って取った断面図である。

【図5A】画素電極が共通電極の上層に形成される場合の図３に示された領域Ｒ１を示す平面図である。

【図5B】図５ＡのＩＩ−ＩＩ’ラインに沿って取った断面図である。

【図6】本発明の第２実施の形態に係るタッチセンサ一体型表示装置の共通電極兼用タッチ駆動電極とタッチセンシング電極の関係を概略的に示す平面図である。

【図7】図６に示された単位タッチ認識領域ＴＵでの共通電極（タッチ駆動電極）と、タッチセンシング電極および画素電極の関係を概略的に示す平面図である。

【図8A】共通電極が画素電極の上層に形成される場合の図７に示された領域Ｒ２を示す平面図である。

【図8B】図８ＡのＩ−Ｉ’ライン及びＩＩ−ＩＩ’ラインに沿って取った断面図である。

【図9A】画素電極が共通電極の上層に形成される場合の図７に示された領域Ｒ２を示す平面図である。

【図9B】図９ＡのＩＩＩ−ＩＩＩ’ライン及びＩＶ−ＩＶ’ラインに沿って取った断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0030】

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。明細書全体において同一の参照番号は同一の構成要素を示す。

【0031】

まず、図１及び図２を参照して本発明の実施の形態に係るタッチセンサ一体型表示装置について説明する。図１は、本発明の実施の形態に係るタッチセンサ一体型表示装置を概略的に示す一部分解斜視図であり、図２は、本発明の第１実施の形態に係るタッチセンサ一体型表示装置の共通電極兼用タッチ駆動電極とタッチセンシング電極の関係を概略的に示す平面図である。

【0032】

図１を参照すると、本発明の実施の形態に係るタッチセンサ一体型表示装置は、液晶層（図示せず）を挟んで形成される薄膜トランジスタアレイＴＦＴＡと、カラーフィルタアレイＣＦＡを備える液晶表示パネルＬＣＰと、を含む。

【0033】

薄膜トランジスタアレイＴＦＴＡは、第１基板ＳＵＢ１上に第１方向（例えば、ｘ方向）と並行するように形成された複数のゲートラインＧ１、Ｇ２と、前記複数のゲートラインＧ１、Ｇ２と互いに交差するように第２方向（例えば、ｙ方向）と並行するように形成されたデータラインＤ１、Ｄ２と、ゲートラインＧ１、Ｇ２とデータラインＤ１、Ｄ２とが交差によって定義される領域に位置する液晶セルと、ゲートラインＧ１、Ｇ２とデータラインＤ１、Ｄ２とが交差する領域に形成される薄膜トランジスタＴＦＴと、液晶セルにデータ電圧を充電させるための複数の画素電極Ｐｘと、前記複数の画素電極Ｐｘと電界を形成するように配置された共通電極（図示せず）と、を含む。

【0034】

カラーフィルタアレイＣＦＡは、第２基板ＳＵＢ２上に形成されるブラックマトリックス及びカラーフィルタ（図示せず）を含む。液晶表示パネルＬＣＰの第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２の外面には、それぞれ偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ２が付着され、液晶と接する第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２の内面には、液晶のプレチルト角を設定するための配向膜（図示せず）がそれぞれ形成される。液晶表示パネルＬＣＰのカラーフィルタアレイＣＦＡと薄膜トランジスタアレイＴＦＴＡとの間には、液晶セルのセルギャップ（cell gap）を維持するためのカラムスペーサー（column spacer）が形成されることができる。

【0035】

一方、共通電極は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードのような垂直電界駆動方式において、第２基板ＳＵＢ２に形成され、ＩＰＳ（In Plane Switching）モードやＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードのような水平電界駆動方式では、画素電極Ｐｘと共に、第１基板ＳＵＢ１上に形成される。以下の本発明の実施の形態においては、水平電界駆動方式を例に挙げて説明する。

【0036】

図２を参照すると、本発明の第１実施の形態に係るタッチセンサ一体型表示装置の共通電極ＣＯＭは、第１方向（ｘ軸方向）または第２方向（ｙ軸方向）に分割される複数の電極Ｔｘ１、Ｔｘ２からなる。図２の実施の形態において、分割された共通電極は、第２方向、すなわち、ｙ軸方向に配列された複数の列（column）を構成する電極として示されており、タッチセンサを構成する複数のタッチ駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２としての機能を兼ねるものと説明される。

【0037】

複数のタッチ駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２のそれぞれは、後述する複数のタッチセンシング電極Ｒｘ１〜Ｒｘ８と交差する領域ごとにｙ軸方向に沿ってｘ軸方向に配列される互いに平行な複数の狭い幅を有するボトルネック部（Ｔｂ）を備える。すなわち、タッチ駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２の内の第１タッチ駆動電極Ｔｘ１は、ｙ軸方向に沿ってｘ軸方向に配列された複数の第１タッチ駆動電極パターン（Ｔｘ１１〜Ｔｘ１８）が第１ボトルネック部Ｔｂ１によって接続される方式で形成される。また、第２タッチ駆動電極Ｔｘ２は、第１タッチ駆動電極Ｔｘ１と同様に、ｙ軸方向に沿ってｘ軸方向に配列された複数のタッチ駆動電極パターンＴｘ２１〜Ｔｘ２８が第２ボトルネック部Ｔｂ２によって接続される方式で形成される。

【0038】

複数のタッチ駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２のそれぞれには、ｙ軸方向に配列された第１及び第２ボトル部Ｔｂ１、Ｔｂ２をそれぞれ経由するように複数のタッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１〜Ｔｃ１３及びＴｃ２１〜Ｔｃ２３が配置される。具体的には、第１タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１〜Ｔｃ１３は、第１タッチ駆動電極パターン（Ｔｘ１１〜Ｔｘ１８）と、これらを接続するｙ軸方向の第１ボトルネック部Ｔｂ１とを経由するように配置される。第２タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ２１〜Ｔｃ２３は、第２タッチ駆動電極パターンＴｘ２１〜Ｔｘ２８と、これらを接続するｙ軸方向の第２ボトル部Ｔｂ２とを経由するように配置される。第１タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１〜Ｔｃ１３は、第１タッチ駆動電極Ｔｘ１と直接接触するように配列されることにより、高抵抗の透明導電性物質で形成された第１タッチ駆動電極Ｔｘ１の抵抗を下げることができる。また第２タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ２１〜Ｔｃ２３は、第２タッチ駆動電極Ｔｘ２と直接接触するように配列されることにより、高抵抗の透明導電性物質で形成された第２タッチ駆動電極Ｔｘ２の抵抗を下げることができる。

【0039】

第１タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１〜Ｔｃ１３は、タッチ駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２およびセンシング電極Ｒｘ１〜Ｒｘ８が形成された領域の外側で一つに接続され、第１タッチ駆動ルーティング配線ＴＷ１を介して第１タッチ駆動ルーティングパッド（ＴＰ１）に接続される。第２タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ２１〜Ｔｃ２３もまた、タッチ駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２とタッチセンシング電極Ｒｘ１〜Ｒｘ８が形成された領域の外側で一つに接続され、第２タッチ駆動ルーティング配線ＴＷ２を介して第２タッチ駆動ルーティングパッド（ＴＰ２）に接続される。

【0040】

図２に示された実施の形態では、タッチ駆動電極が２つのタッチ駆動ラインからなる構成の例、すなわち、第１タッチ駆動電極Ｔｘ１と第１タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１、Ｔｃ１２、Ｔｃ１３とからなる第１タッチ駆動ラインと、第２タッチ駆動電極Ｔｘ２と第２タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ２１、Ｔｃ２２、Ｔｃ２３とからなる第２タッチ駆動ラインの例を示している。

【0041】

また、前述した本発明の第１実施の形態では、第１タッチ駆動ラインを形成するために、３つの第１タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１、Ｔｃ１２、Ｔｃ１３が使用され、第２タッチ駆動ラインを形成するために、３つの第２タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ２１、Ｔｃ２２、Ｔｃ２３が使用される場合を例に挙げたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、それぞれのタッチ駆動ラインを形成するための１つまたは２つのタッチ駆動電極の抵抗減少配線が利用されることもあり、また４つまたはそれ以上のタッチ駆動電極の抵抗減少配線が利用されることもある。

【0042】

一方、タッチセンサを構成するタッチセンシング電極Ｒｘ１〜Ｒｘ８は、ｙ軸方向に互いに隣接するタッチ駆動電極パターンの間（すなわち、Ｔｘ１１、Ｔｘ２１とＴｘ２１、Ｔｘ２２との間、Ｔｘ１２、Ｔｘ２２とＴｘ１３、Ｔｘ２３との間、Ｔｘ１３、Ｔｘ２３とＴｘ１４、Ｔｘ２４との間、Ｔｘ１４、Ｔｘ２４とＴｘ１５、Ｔｘ２５との間、Ｔｘ１５、Ｔｘ２５とＴｘ１６、Ｔｘ２６との間、Ｔｘ１６、Ｔｘ２６とＴｘ１７、Ｔｘ２７との間、Ｔｘ１７、Ｔｘ２７とＴｘ１８、Ｔｘ２８との間）、及び最下側のタッチ駆動電極パターンＴｘ１８、Ｔｘ２８の下部でｘ軸方向に配列され、第１及び第２ボトルネック部Ｔｂ１、Ｔｂ２と第１及び第２タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１〜Ｔｃ１３、Ｔｃ２１〜Ｔｃ２３と交差する。タッチセンシング電極Ｒｘ１〜Ｒｘ８のそれぞれは、第１及び第２ボトルネック部Ｔｂ１、Ｔｂ２と交差する領域に形成されるボトルネック部Ｒｂを備える。

【0043】

タッチセンシング電極Ｒｘ１〜Ｒｘ８にも抵抗減少のための第１乃至第８タッチセンシング電極の抵抗減少配線Ｒｃ１１〜Ｒｃ１４、Ｒｃ２１〜Ｒｃ２４がそれぞれ形成される。タッチセンシング電極Ｒｘ１〜Ｒｘ８は互いに分離されているが、第１乃至第４タッチセンシング電極Ｒｘ１〜Ｒｘ４とそれぞれ接触する第１乃至第４タッチセンシング電極の抵抗減少配線Ｒｃ１１〜Ｒｃ１４と、第５乃至第８タッチセンシング電極Ｒｘ５〜Ｒｘ８とそれぞれ接触する第５乃至第８タッチセンシング電極の抵抗減少配線Ｒｃ２１〜Ｒｃ２４によって２つの単位でグループ化され、第１タッチセンシングラインＲｘ１〜Ｒｘ４、Ｒｃ１１〜Ｒｃ１４と第２タッチセンシングラインＲｘ５〜Ｒｘ８、Ｒｃ２１〜Ｒｃ２４とを構成する。

【0044】

第１タッチセンシングラインＲｘ１〜Ｒｘ４、Ｒｃ１１〜Ｒｃ１４は、タッチ駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２とタッチセンシング電極Ｒｘ１〜Ｒｘ８が形成された領域の外側で一つに接続され、第１タッチセンシングルーティング配線ＲＷ１を介して第１タッチセンシングルーティングパッドＲＰ１に接続される。第２タッチセンシングラインＲｘ５〜Ｒｘ８、Ｒｃ５〜Ｒｃ８もまた、タッチ駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２及びタッチセンシング電極Ｒｘ１〜Ｒｘ８が形成された領域の外側で一つに接続され、第２タッチセンシングルーティング配線（ＲＷ２）を介して第２タッチセンシングルーティングパッドＲＰ２に接続される。

【0045】

本発明の第１実施の形態に係るタッチセンサは、前述のように、第１及び第２タッチ駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２と第１〜第８タッチセンシング電極Ｒｘ１〜Ｒｘ８とからなり、タッチ認識のための単位タッチ認識ブロックＴＵは、図２に示すように、第１及び第２タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１〜Ｔｃ１３、Ｔｃ２１〜Ｔｃ２３と第１〜第８タッチセンシング電極の抵抗減少配線Ｒｃ１１〜Ｒｃ１４、Ｒｃ２１〜Ｒｃ２４とを利用して、複数のタッチ駆動電極と複数のタッチセンシング電極を適切にグループ化することができる。図２に図示された例では、２つのタッチ駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２と８つのタッチセンシング電極Ｒｘ１〜Ｒｘ８とによって４つの単位タッチ認識ブロックＴＵが形成されることができることを示している。

【0046】

以上説明したタッチ駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２はすべて共通電極ＣＯＭとしての機能を兼ねており、水平電界方式の表示装置において、これらは画素電極Ｐｘと共に薄膜トランジスタアレイＴＦＴＡの第１基板ＳＵＢ１に形成され、画素電極Ｐｘは、ゲートラインとデータラインの交差によって定義される領域に形成される。

【0047】

一方、共通電極ＣＯＭとしての機能を兼ねる第１及び第２タッチ駆動電極パターンＴｘ１１〜Ｔｘ１８、Ｔｘ２１〜Ｔｘ２８のそれぞれは、１ライン分の複数の単位画素電極（単位画素電極は、色を表示するために必要な複数のサブ画素からなる）に対応して形成されることができる。

【0048】

前述のように、本発明の第１実施の形態に係るタッチセンサ一体型表示装置において、第１及び第２タッチ駆動電極パターンＴｘ１１〜Ｔｘ１８、Ｔｘ２１〜Ｔｘ２８のそれぞれは、１ライン分の複数の単位画素電極に対応するように形成することができる。また、第１及び第２タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１〜Ｔｃ１３、Ｔｃ２１〜Ｔｃ２３のそれぞれは、１つのデータラインに対応して形成されるか、またはｎ（ｎは２以上の自然数）個のデータラインに対応して形成されることができる。また、タッチセンシング電極Ｒｘ１〜Ｒｘ８は、ゲートラインと１：１に対応して形成されることができ、またゲートラインｎ個ごとに１つの関係に規則性を有するように形成されることもできる。

【0049】

次に、図３を参照して本発明の第１実施の形態に係るタッチセンサ一体型表示装置において、共通電極（タッチ駆動電極）と画素電極との関係をさらに詳細に説明する。図３は、図２に示された単位タッチ認識領域ＴＵでの共通電極（タッチ駆動電極）、タッチセンシング電極、および画素電極の関係を概略的に示す平面図である。以下、３つの他の単位タッチ認識領域も、図３に示された単位タッチ認識領域ＴＵと同じであるから、説明の便宜のために、図３に示された構成要素だけを挙げて説明する。

【0050】

図３を参照すると、第１タッチ駆動電極パターンＴｘ１１〜Ｔｘ１８の各領域に対応して、複数の画素電極Ｐｘは、各駆動電極パターンの配列方向に沿って並行するように配置される。すなわち、第１タッチ駆動電極パターン（Ｔｘ１１〜Ｔｘ１８）の各領域において、複数の単位画素電極がｘ軸方向に１行に配列される。図３の実施の形態では、３つの単位画素電極（それぞれの単位画素電極は、３つのサブ画素電極からなり、以下、サブ画素電極は、画素電極と称する）が、タッチ駆動電極パターンＴｘ１１、Ｔｘ１２、Ｔｘ１３、Ｔｘ１４のそれぞれに対応するように配置されている。

【0051】

次に、図４Ａおよび図４Ｂを参照して、共通電極（タッチ駆動電極）が画素電極の上層に形成される場合の本発明の第１実施の形態に係るタッチセンサ一体型表示装置について説明する。図４Ａは、共通電極が画素電極の上層に形成される場合の図３に示された領域Ｒ１を示す平面図であり、図４Ｂは、図４ＡのＩ−Ｉ’ラインに沿って取った断面図である。

【0052】

以下の説明では、説明の単純化のために、２つのタッチ駆動電極パターンＴｘ１１、Ｔｘ１２の一部領域とそれに隣接する２つのタッチセンシング電極Ｒｘ１、Ｒｘ２の一部領域を含む領域Ｒ１に配置される画素電極Ｐｘ（本実施の形態の図面において、Ｐｘは、色を表示するために必要なサブ画素として、３つのサブ画素が一つの単位画素電極を形成する場合を例に挙げた。以下、各サブ画素を単に画素電極と称する）を中心に説明する。

【0053】

図３、図４Ａ及び図４Ｂを参照すると、本発明の第１実施の形態に係るタッチセンサ一体型表示装置は、薄膜トランジスタアレイＴＦＴＡの基板ＳＵＢ１上に互いに交差するように形成されるゲートラインＧＬ及びデータラインＤＬと、前記ゲートラインＧＬとデータラインＤＬの交差領域に形成される薄膜トランジスタＴＦＴと、ゲートラインＧＬとデータラインＤＬの交差によって定義される領域に形成される画素電極Ｐｘと、前記画素電極Ｐｘと対向する共通電極ＣＯＭと、を含む。本発明の第１実施の形態では、共通電極ＣＯＭがタッチ駆動電極Ｔｘの機能を兼ねるので、以下の説明では、必要に応じて共通電極ＣＯＭは、「タッチ駆動電極Ｔｘ」、「共通電極兼用タッチ駆動電極Ｔｘ」、または「タッチ駆動電極兼用共通電極ＣＯＭ」と称する。

【0054】

前記構成において、基板ＳＵＢ上には、ゲートラインＧＬが形成され、その上部には、ゲート絶縁膜ＧＩが形成される。ゲート絶縁膜ＧＩ上では薄膜トランジスタＴＦＴを構成する活性層Ａ、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄが形成される。

【0055】

すなわち、薄膜トランジスタＴＦＴは、基板ＳＵＢ上に形成されるゲートラインＧＬから延長されるゲート電極Ｇと、ゲートラインＧＬ及びゲート電極Ｇをカバーするゲート絶縁膜ＧＩ上でゲート電極Ｇと対応する領域に形成される活性層Ａと、活性層Ａの一部を露出させるようにゲート絶縁膜ＧＩ上に分離されて形成されるデータラインＤＬから延長されるソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄと、を含む。

【0056】

前記実施の形態において、薄膜トランジスタは、ゲート電極がソース/ドレイン電極の下層に形成されるボトムゲート構造（gate bottom structure）の薄膜トランジスタを例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ゲート電極がソース/ドレイン領域の上部に形成されるトップゲート構造（gate top structure）の薄膜トランジスタも含むものと理解しなければならない。トップゲート構造の薄膜トランジスタは、公知の構成なので、それに対する詳細な説明は省略する。

【0057】

薄膜トランジスタＴＦＴ及びデータラインＤＬが形成されたゲート絶縁膜ＧＩ上には、薄膜トランジスタＴＦＴとデータラインＤＬをカバーする第１保護膜ＰＡＳ１が形成され、第１保護膜ＰＡＳ上には、平坦化のためのフォトアクリルなどの有機絶縁膜ＩＮＳが形成される。有機絶縁膜ＩＮＳ及び第１保護膜ＰＡＳ１には、ドレイン電極Ｄの一部を露出させるコンタクトホールＣＨが形成される。

【0058】

有機絶縁膜ＩＮＳ上には、データラインＤＬとゲートラインＧＬの交差によって定義される画素領域内にそれぞれ画素電極Ｐｘが形成される。画素電極Ｐｘは、有機絶縁膜ＩＮＳ及び第１保護膜ＰＡＳ１を貫通するコンタクトホールＣＨを介して薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極Ｄと接触するように形成される。

【0059】

また、有機絶縁膜ＩＮＳ上には、ｙ軸方向に配列された隣接する画素電極Ｐｘとの間に配置され、ゲートラインＧＬと並行するようにタッチセンシング電極Ｒｘ１、Ｒｘ２が形成される。タッチセンシング電極Ｒｘ１、Ｒｘ２のそれぞれは、タッチ駆動電極のボトルネック部Ｔｂ１と交差する領域の幅が狭く形成されたボトルネック部Ｒｂを含む。タッチセンシング電極Ｒｘ１、Ｒｘ２上には、それぞれゲートラインＧＬと並行するようにタッチセンシング電極の抵抗減少配線Ｒｃ１１、Ｒｃ１２が形成される。

【0060】

画素電極Ｐｘとタッチセンシング電極パターンＴｘ１１、Ｔｘ１２、及びタッチセンシング電極の抵抗減少配線Ｒｃ１１、Ｒｃ１２が形成された有機絶縁膜ＩＮＳ上には第２保護膜ＰＡＳ２が形成される。

【0061】

第２保護膜ＰＡＳ上には、データラインＤＬと重ねるように、タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１が形成される。タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１は、タッチ駆動電極パターンＴｘ１１のボトルネック部Ｔｂ１を経由し、後述するタッチセンシング電極のボトルネック部Ｒｂと交差するように形成される。

【0062】

タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１が形成された第２保護膜ＰＡＳ２上には、共通電極兼用の第１及び第２タッチ駆動電極パターンＴｘ１１、Ｔｘ１２が形成される。第１及び第２タッチ駆動電極パターンＴｘ１１、Ｔｘ１２は、画素電極Ｐｘと重なるように形成される。第１及び第２タッチ駆動電極パターンＴｘ１１、Ｔｘ１２のそれぞれは、画素電極Ｐｘとの間に水平電界が形成されやすいように複数のスリットＳＬを含む。したがって、有機絶縁層ＩＮＳ上に形成される画素電極Ｐｘは、スリットを有しないように形成され、第２保護層ＰＡＳ２上に形成される第１及び第２タッチ駆動電極パターンＴｘ１１、Ｔｘ１２は、スリットＳＬを有するように形成される。

【0063】

次に、図５Ａ及び図５Ｂを参照して、画素電極が共通電極（タッチ駆動電極）の上層に形成される場合の本発明の第１実施の形態の変形例に係るタッチセンサ一体型表示装置について説明する。図５Ａは、画素電極が共通電極の上層に形成される場合の図３に示された領域Ｒ１を示す平面図であり、図５Ｂは、図５ＡのＩＩ−ＩＩ’ラインに沿って取った断面図である。

【0064】

図３、図５Ａ及び図５Ｂを参照すると、本発明の第１実施の形態の変形例に係るタッチセンサ一体型表示装置は、薄膜トランジスタアレイＴＦＴＡの基板ＳＵＢ１上に互いに交差するように形成されるゲートラインＧＬ及びデータラインＤＬと、前記ゲートラインＧＬとデータラインＤＬの交差領域に形成される薄膜トランジスタＴＦＴと、ゲートラインＧＬとデータラインＤＬの交差によって定義される領域に形成される画素電極Ｐｘと、前記画素電極Ｐｘと対向する共通電極ＣＯＭと、を含む。本発明の第１実施の形態の変形例でも、本発明の第１実施の形態と同様に、共通電極ＣＯＭがタッチ駆動電極Ｔｘの機能を兼ねるので、以下の説明では、必要に応じて「共通電極ＣＯＭ」、「タッチ駆動電極Ｔｘ」、「共通電極兼用タッチ駆動電極Ｔｘ」、または「タッチ駆動電極兼用共通電極ＣＯＭ」と称する。

【0065】

前記構成において、基板ＳＵＢ上には、ゲートラインＧＬが形成され、その上部には、ゲート絶縁膜ＧＩが形成される。ゲート絶縁膜ＧＩ上では、薄膜トランジスタＴＦＴを構成する活性層Ａ、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄが形成される。

【0066】

すなわち、薄膜トランジスタＴＦＴは、基板ＳＵＢ上に形成されたゲートラインＧＬから延長されるゲート電極Ｇと、ゲートラインＧＬ及びゲート電極Ｇをカバーするゲート絶縁膜ＧＩ上でゲート電極Ｇと対応する領域に形成される活性層Ａと、活性層Ａの一部を露出させるようにゲート絶縁膜ＧＩ上に分離されて形成されるデータラインＤＬから延長されるソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄと、を含む。

【0067】

前記実施の形態において、薄膜トランジスタは、ゲート電極が、ソース／ドレイン電極の下層に形成されるボトムゲート構造（gate bottom structure）の薄膜トランジスタを例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ゲート電極がソース／ドレイン領域の上部に形成されるトップゲート構造（gate top structure）の薄膜トランジスタも含むものと理解しなければならない。トップゲート構造の薄膜トランジスタは、公知の構成であるから、それに対する詳細な説明は省略する。

【0068】

薄膜トランジスタＴＦＴ及びデータラインＤＬが形成されたゲート絶縁膜ＧＩ上には、薄膜トランジスタＴＦＴとデータラインＤＬとをカバーする第１保護膜ＰＡＳ１が形成され、第１保護膜ＰＡＳ１上には、平坦化のためのフォトアクリルなどの有機絶縁膜ＩＮＳが形成される。有機絶縁膜ＩＮＳには、ドレイン電極Ｄの一部と対応する位置の第１保護膜ＰＡＳ１を露出させる第１コンタクトホールＣＨ１が形成される。

【0069】

第１コンタクトホールＣＨ１が形成された有機絶縁膜ＩＮＳ上には、ボトルネック部Ｔｂによって互いに接続される共通電極ＣＯＭ兼用の第１及び第２タッチ駆動電極パターンＴｘ１１、Ｔｘ１２が形成される。第１及び第２タッチ駆動電極パターンＴｘ１１、Ｔｘ１２上には、タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１がデータラインＤＬに沿ってタッチ駆動電極のボトルネック部Ｔｂを経由するように形成される。

【0070】

第１及び第２タッチ駆動電極パターンＴｘ１１、Ｔｘ１２とタッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１が形成された有機絶縁膜ＩＮＳ上には、第２保護膜ＰＡＳ２が形成される。有機絶縁膜ＩＮＳの第１コンタクトホールＣＨ１を介して露出される第１保護膜ＰＡＳ１と第２保護膜ＰＡＳ２には、薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極Ｄの一部を露出させる第２コンタクトホールＣＨ２が形成される。

【0071】

第２コンタクトホールＣＨ２が形成された第２保護膜ＰＡＳ２上には、ゲートラインＧＬと平行方向（ｘ軸方向）にタッチセンシング電極の抵抗減少配線Ｒｃ１１、Ｒｃ１２が形成される。タッチセンシング電極の抵抗減少配線Ｒｃ１１、Ｒｃ１２が形成された第２保護膜ＰＡＳ２上には、データラインＤＬとゲートラインＧＬの交差によって定義される画素領域内にそれぞれ画素電極Ｐｘが形成され、また、ｙ軸方向に互いに隣接する画素電極Ｐｘとの間には、センシング電極の抵抗減少配線Ｒｃ１１をカバーするように、ゲートラインＧＬと平行にタッチセンシング電極Ｒｘ１、Ｒｘ２が形成される。タッチセンシング電極Ｒｘ１、Ｒｘ２は、タッチ駆動電極パターンＴｘ１１、Ｔｘ１２との間の空間に配置される。また、タッチセンシング電極Ｒｘ１、Ｒｘ２のそれぞれは、隣接するタッチ駆動電極パターンＴｘ１１、Ｔｘ１２を接続するタッチ駆動電極のボトルネック部Ｔｂと交差する領域でボトルネック部Ｒｂを有するように形成される。

【0072】

画素電極Ｐｘは、第１及び第２タッチ駆動電極パターンＴｘ１１、Ｔｘ１２と重なるように形成される。画素電極Ｐｘのそれぞれは、第１及び第２タッチ駆動電極パターンＴｘ１１、Ｔｘ１２との間に水平電界が形成されやすいように複数のスリットＳＬを含む。したがって、有機絶縁層ＩＮＳ上に形成される第１及び第２タッチ駆動電極パターンＴｘ１１、Ｔｘ１２は、スリットを有しないように形成され、第２保護層ＰＡＳ２上に形成される画素電極Ｐｘは、スリットＳＬを有するように形成される。

【0073】

以上の本発明の第１実施の形態とその変形例に係るタッチセンサ一体型表示装置によると、表示装置の単位画素電極、ゲートライン、及びデータラインの設計に応じて、タッチセンサを構成するタッチ駆動電極、タッチセンシング電極、及び配線関係を容易に設計することができる、という技術的に有利な効果を得ることができる。

【0074】

また、タッチ駆動電極とタッチセンシング電極の抵抗減少配線とを接続するためのコンタクトホールが不要なため、開口率を向上させることができ、高解像度の画像表示製品及び大面積の画像表示製品に対して、技術的に有利な効果を提供することができる。

【0075】

次に、図６を参照して本発明の第２実施の形態に係るタッチセンサ一体型表示装置について説明する。図６は、本発明の第２実施の形態に係るタッチセンサ一体型表示装置を概略的に示す平面図である。

【0076】

図６を参照すると、本発明の第２実施の形態に係るタッチセンサ一体型表示装置の共通電極ＣＯＭは、第１方向（ｘ軸方向）または第２方向（ｙ軸方向）に分割される複数の電極Ｔｘ１、Ｔｘ２からなる。図２の実施の形態において、分割された共通電極は、第２方向、すなわち、ｙ軸方向に配列された複数の列（column）を構成する電極で示されており、タッチセンサを構成する複数のタッチ駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２としての機能を兼ねるものと説明される。

【0077】

複数のタッチ駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２のそれぞれは、後述する複数のタッチセンシング電極（Ｒｘ１〜Ｒｘ４）と交差する領域ごとにｙ軸方向に沿ってｘ軸方向に配列される互いに平行な複数の狭い幅を有するボトルネック部Ｔｂを備える。すなわち、タッチ駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２の第１タッチ駆動電極Ｔｘ１は、ｙ軸方向に沿ってｘ軸方向に配列された複数の第１タッチ駆動電極パターンＴｘ１１〜Ｔｘ１６が第１ボトルネック部Ｔｂ１によって接続される方式で形成される。また、第２タッチ駆動電極Ｔｘ２は、第１タッチ駆動電極Ｔｘ１と同様に、ｙ軸方向に沿ってｘ軸方向に配列された複数のタッチ駆動電極パターンＴｘ２１〜Ｔｘ２６が第２ボトルネック部Ｔｂ２によって接続される方式で形成される。

【0078】

第１及び第２タッチ駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２は、大きさが異なる２種類のタッチ駆動電極パターンＴｘ１１〜Ｔｘ１６、Ｔｘ２１〜Ｔｘ２６からなる。

【0079】

第１タッチ駆動電極Ｔｘ１は、第１サイズを有する第１−１タッチ駆動電極パターンＴｘ１１、Ｔｘ１３、Ｔｘ１４と、第１−１タッチ駆動電極パターンのサイズより約２倍程度の第２サイズを有する第１−２タッチ駆動電極パターンＴｘ１２、Ｔｘ１５と、からなる。図６の実施の形態において、第１タッチ駆動電極Ｔｘ１は、第１−１タッチ駆動電極パターンＴｘ１１、第１−２タッチ駆動電極パターンＴｘ１２、２つの第１−１タッチ駆動電極パターンＴｘ１３、Ｔｘ１４、第１−２タッチ駆動電極パターンＴｘ１５、及び第１−１タッチ駆動電極パターンＴｘ１６の順に配列されている。

【0080】

また、第２タッチ駆動電極Ｔｘ２は、第１サイズを有する第２−１タッチ駆動電極パターンＴｘ２１、Ｔｘ２３、Ｔｘ２４と、第２−１タッチ駆動電極パターンのサイズより約２倍程度の第２サイズを有する第２−２タッチ駆動電極パターンＴｘ２２、Ｔｘ２５と、からなる。図６の実施の形態において、第２タッチ駆動電極Ｔｘ２は、第２−１タッチ駆動電極パターンＴｘ２１、第２−２タッチ駆動電極パターンＴｘ２２、２つの第２−１タッチ駆動電極パターンＴｘ２３、Ｔｘ２４、第２−２タッチ駆動電極パターンＴｘ２５、および第２−１タッチ駆動電極パターンＴｘ２６の順に配列されている。

【0081】

複数のタッチ駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２のそれぞれには、ｙ軸方向に配列された第１及び第２ボトルネック部Ｔｂ１、Ｔｂ２をそれぞれ経由するように、複数のタッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１〜Ｔｃ１３；Ｔｃ２１〜Ｔｃ２３が配置される。具体的には、第１タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１〜Ｔｃ１３は、第１タッチ駆動電極パターンＴｘ１１〜Ｔｘ１６と、これらを接続するｙ軸方向の第１ボトルネック部Ｔｂ１を経由するように配置される。第２タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ２１〜Ｔｃ２３は、第２タッチ駆動電極パターンＴｘ２１〜Ｔｘ２６と、これらを接続するｙ軸方向の第２ボトルネック部Ｔｂ２を経由するように配置される。第１タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１〜Ｔｃ１３は、第１タッチ駆動電極Ｔｘ１と直接接触するように配列されることにより、高抵抗の透明導電性物質で形成された第１タッチ駆動電極Ｔｘ１の抵抗を下げ、第２タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ２１〜Ｔｃ２３は、第２タッチ駆動電極Ｔｘ２と直接接触するように配列されることにより、高抵抗の透明導電性物質で形成された第２タッチ駆動電極Ｔｘ２の抵抗を下げることができる。

【0082】

第１タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１〜Ｔｃ１３は、タッチ駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２及びセンシング電極Ｒｘ１〜Ｒｘ６が形成された領域の外側で一つに接続され、第１タッチ駆動ルーティング配線ＴＷ１を介して第１タッチ駆動ルーティングパッドＴＰ１に接続される。第２タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ２１〜Ｔｃ２３もまた、タッチ駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２とタッチセンシング電極Ｒｘ１〜Ｒｘ６が形成された領域の外側で一つに接続され、第１タッチ駆動ルーティング配線ＴＷ２を介して第２タッチ駆動ルーティングパッドＴＰ２に接続される。

【0083】

図６に示された実施の形態では、タッチ駆動電極が２つのタッチ駆動ラインからなる構成の例、すなわち、第１タッチ駆動電極Ｔｘ１と第１タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１、Ｔｃ１２、Ｔｃ１３とからなる第１タッチ駆動ラインと、第２タッチ駆動電極Ｔｘ２と第２タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ２１、Ｔｃ２２、Ｔｃ２３からなる第２タッチ駆動ラインの例を示している。

【0084】

また、前述した本発明の第２実施の形態では、第１タッチ駆動ラインを形成するために、３つの第１タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１、Ｔｃ１２、Ｔｃ１３が使用され、第２タッチ駆動ラインを形成するために、３つの第２タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ２１、Ｔｃ２２、Ｔｃ２３が使用される場合を例に挙げたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、それぞれのタッチ駆動ラインを形成するための１つまたは２つのタッチ駆動電極の抵抗減少配線が用いられることもあり、４つまたはそれ以上のタッチ駆動電極の抵抗減少配線が用いられることもある。

【0085】

一方、タッチセンサを構成するタッチセンシング電極Ｒｘ１〜Ｒｘ４は、ｙ軸方向に互いに隣接する第１−１及び第２−１タッチ駆動電極パターンと、第１−２及び第２−２タッチ駆動電極パターンとの間、即ち、Ｔｘ１１、Ｔｘ２１とＴｘ２１、Ｔｘ２２との間、Ｔｘ１２、Ｔｘ２２とＴｘ１３、Ｔｘ２３との間、Ｔｘ１３、Ｔｘ２３とＴｘ１４、Ｔｘ２４との間、Ｔｘ１４、Ｔｘ２４とＴｘ１５、Ｔｘ２５との間、Ｔｘ１５、Ｔｘ２５とＴｘ１６、Ｔｘ２６との間に配置され、第１及び第２ボトルネック部Ｔｂ１、Ｔｂ２と第１及び第２タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１〜Ｔｃ１３、Ｔｃ２１〜Ｔｃ２３と交差するようにｘ軸方向に配列される。タッチセンシング電極Ｒｘ１〜Ｒｘ４のそれぞれは、第１及び第２ボトルネック部Ｔｂ１、Ｔｂ２と交差する領域に形成されるボトルネック部Ｒｂを備える。

【0086】

タッチセンシング電極Ｒｘ１〜Ｒｘ４にも抵抗を減少させるための第１乃至第４タッチセンシング電極の抵抗減少配線Ｒｃ１１〜Ｒｃ１２、Ｒｃ２１〜Ｒｃ２２がそれぞれ形成される。タッチセンシング電極Ｒｘ１〜Ｒｘ４は互いに分離されているが、第１及び第２タッチセンシング電極Ｒｘ１〜Ｒｘ２とそれぞれ接触する第１及び第２タッチセンシング電極の抵抗減少配線Ｒｃ１１〜Ｒｃ１２と、第３及び第４タッチセンシング電極Ｒｘ３〜Ｒｘ４とそれぞれ接触する第３及び第４タッチセンシング電極の抵抗減少配線Ｒｃ２１〜Ｒｃ２２とによって２つの単位としてグループ化され、第１タッチセンシングラインＲｘ１〜Ｒｘ２、Ｒｃ１１〜Ｒｃ１２と第２タッチセンシングラインＲｘ３〜Ｒｘ４、Ｒｃ２１〜Ｒｃ２２を構成する。

【0087】

第１タッチセンシングラインＲｘ１〜Ｒｘ２、Ｒｃ１１〜Ｒｃ１２は、タッチ駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２とタッチセンシング電極Ｒｘ１〜Ｒｘ４が形成された領域の外側で一つに接続され、第１タッチセンシングルーティング配線（ＲＷ１）を介して第１タッチセンシングルーティングパッドＲＰ１に接続される。第２タッチセンシングラインＲｘ３〜Ｒｘ４、Ｒｃ２１〜Ｒｃ２２もまた、タッチ駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２とタッチセンシング電極Ｒｘ１〜Ｒｘ４が形成された領域の外側で一つに接続され、第２タッチセンシングルーティング配線ＲＷ２を介して第２タッチセンシングルーティングパッドＲＰ２に接続される。

【0088】

本発明の第２実施の形態に係るタッチセンサは、前述のように、第１及び第２タッチ駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２と第１〜第８タッチセンシング電極Ｒｘ１〜Ｒｘ８からなり、タッチ認識のための単位タッチ認識ブロックＴＵは、図６に示すように、第１及び第２タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１〜Ｔｃ１３、Ｔｃ２１〜Ｔｃ２３と第１〜第４タッチセンシング電極の抵抗減少配線Ｒｃ１１〜Ｒｃ１２、Ｒｃ２１〜Ｒｃ２２を用いて、複数のタッチ駆動電極と複数のタッチセンシング電極とを適切にグループ化することができる。図６に図示された例では、２つのタッチ駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２と４つのタッチセンシング電極Ｒｘ１〜Ｒｘ４によって４つの単位タッチ認識ブロックＴＵが形成されることができることを示している。

【0089】

以上説明したタッチ駆動電極Ｔｘ１、Ｔｘ２はすべて共通電極ＣＯＭとしての機能を兼ねており、水平電界方式の表示装置において、これらは画素電極Ｐｘと共に薄膜トランジスタアレイＴＦＴＡの第１基板ＳＵＢ１に形成され、画素電極Ｐｘは、ゲートラインとデータラインの交差によって定義される領域に形成される。

【0090】

一方、共通電極ＣＯＭとしての機能を兼ねる第１サイズの第１−１及び第２−１タッチ駆動電極パターンＴｘ１１、Ｔｘ１３、Ｔｘ１４、Ｔｘ１６と、Ｔｘ２１、Ｔｘ２３、Ｔｘ２４、Ｔｘ２６のそれぞれは１ライン分の複数の単位画素電極（単位画素電極は、色を表示するために必要な複数のサブ画素を含む）に対応するように形成される。共通電極ＣＯＭとしての機能を兼ねる第２サイズの第１−２及び第２−２タッチ駆動電極パターンＴｘ１２、Ｔｘ１５と、Ｔｘ２２、Ｔｘ２５の各々は、２ライン分の複数の単位画素電極に対応するように形成される。

【0091】

また、第１及び第２タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１〜Ｔｃ１３、Ｔｃ２１〜Ｔｃ２３のそれぞれは、１つのデータラインに対応して形成されるか、またはｎ（ｎは２以上の自然数）個のデータラインに対応して形成することができる。また、タッチセンシング電極Ｒｘ１〜Ｒｘ４は、ゲートラインと１：１に対応して形成されることができ、またゲートラインｎ個ごとに１つの関係に規則性を有するように形成されることもできる。

【0092】

次に、図７を参照して本発明の第２実施の形態に係るタッチセンサ一体型表示装置において、共通電極（タッチ駆動電極）と画素電極との関係をさらに詳細に説明する。図７は、図６に示された単位タッチ認識領域ＴＵでの共通電極（タッチ駆動電極）、タッチセンシング電極、及び画素電極の関係を概略的に示す平面図である。以下、３つの異なるタッチ認識領域も、図６に示された単位タッチ認識領域ＴＵと同じなので、説明の便宜のために、図７に示された構成要素だけを挙げて説明する。

【0093】

図７を参照すると、第１サイズを有する第１−１タッチ駆動電極パターンＴｘ１１、Ｔｘ１３の各領域に対応して１ライン分の複数の画素電極Ｐｘが配置される。また、第２サイズを有する第１−２タッチ駆動電極パターンＴｘ１２の領域に対応して、２ライン分の複数の画素電極Ｐｘが配置される。更に、第１−１及び第１−２タッチ駆動電極パターンＴｘ１１とＴｘ１２との間、並びに、第１−２及び第１−１タッチ駆動電極パターンＴｘ１２とＴｘ１３との間には、それぞれ一つのタッチセンシング電極Ｒｘ１、Ｒｘ２が配置される。

【0094】

本発明の第２実施の形態に係るタッチセンサ一体型表示装置は、図６および図７に示すように、タッチ駆動電極が第１サイズを有する第１−１タッチ駆動電極パターンＴｘ１１、Ｔｘ１３、Ｔｘ１４、Ｔｘ１６と、第２サイズを有する第１−２タッチ駆動電極パターンＴｘ１２、Ｔｘ１５と、を含み、第２サイズを有する第１−２タッチ駆動電極パターンＴｘ１２、Ｔｘ１５のそれぞれに対応して２ラインの画素電極が配置され、２ラインの画素電極の間に、各ラインの画素電極のための２つのゲートラインが互いに隣接して並行するように形成される、という点で、本発明の第１実施の形態に係るタッチセンサ一体型表示装置と異なる。

【0095】

次に、図８Ａ及び図８Ｂを参照して、共通電極（タッチ駆動電極）が画素電極の上層に形成される場合の本発明の第２実施の形態に係るタッチセンサ一体型表示装置について説明する。図８Ａは、共通電極が画素電極の上層に形成される場合の図７に示された領域Ｒ２を示す平面図であり、図８Ｂは、図８ＡのＩ−Ｉ’ライン及びＩＩ−ＩＩ’ラインに沿って取った断面図である。

【0096】

以下の説明では、説明の単純化のために、第２サイズを有する第１−２タッチ駆動電極パターンＴｘ１２の一部の領域と、それに隣接する１つのタッチセンシング電極Ｒｘ２の一部領域を含む領域Ｒ２と、に配置される画素電極Ｐｘ（本実施の形態の図面においてＰｘは、色を表示するために必要なサブ画素として、３つのサブ画素が一つの単位画素電極を形成する場合を例に挙げた。以下、各サブ画素を単純に画素電極と称する）を中心に説明する。

【0097】

図７、図８Ａ及び図８Ｂを参照すると、本発明の第２実施の形態に係るタッチセンサ一体型表示装置は、薄膜トランジスタアレイＴＦＴＡの基板ＳＵＢ１上に互いに交差するように形成されるゲートラインＧＬ及びデータラインＤＬと、前記ゲートラインＧＬとデータラインＤＬの交差領域に形成される薄膜トランジスタＴＦＴと、ゲートラインＧＬとデータラインＤＬの交差によって定義される領域に形成される画素電極Ｐｘと、前記画素電極Ｐｘと対向する共通電極ＣＯＭと、を含む。

【0098】

本発明の第２実施の形態では、共通電極ＣＯＭがタッチ駆動電極Ｔｘの機能を兼ねるので、以下の説明では、必要に応じて「共通電極ＣＯＭ」、「タッチ駆動電極Ｔｘ」、「共通電極兼用タッチ駆動電極Ｔｘ」、または「タッチ駆動電極兼用共通電極ＣＯＭ」と称する。

【0099】

前記構成において、基板ＳＵＢ上には、ゲートラインＧＬが形成され、その上部には、ゲート絶縁膜ＧＩが形成される。ゲート絶縁膜ＧＩ上では、薄膜トランジスタＴＦＴを構成する活性層Ａ、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄが形成される。

【0100】

すなわち、薄膜トランジスタＴＦＴは、基板ＳＵＢ上に形成されるゲートラインＧＬから延長されるゲート電極Ｇと、ゲートラインＧＬ及びゲート電極Ｇをカバーするゲート絶縁膜ＧＩ上でゲート電極Ｇと対応する領域に形成される活性層Ａと、活性層Ａの一部を露出させるようにゲート絶縁膜ＧＩ上に分離されて形成されるデータラインＤＬから延長されるソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄと、を含む。

【0101】

前記実施の形態において、たとえ薄膜トランジスタは、ゲート電極がソース／ドレイン電極の下層に形成されるボトムゲート構造（gate bottom structure）の薄膜トランジスタを例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ゲート電極がソース／ドレイン領域の上部に形成されるトップゲート構造（gate top structure）の薄膜トランジスタも含むものと理解しなければならない。トップゲート構造の薄膜トランジスタは、公知の構成であるから、それに対する詳細な説明は省略する。

【0102】

薄膜トランジスタＴＦＴとデータラインＤＬが形成されたゲート絶縁膜ＧＩ上には、薄膜トランジスタＴＦＴとデータラインＤＬをカバーする第１保護膜ＰＡＳ１が形成され、第１保護膜ＰＡＳ１上には、平坦化のためのフォトアクリルなどの有機絶縁膜ＩＮＳが形成される。有機絶縁膜ＩＮＳ及び第１保護膜ＰＡＳ１には、ドレイン電極Ｄの一部を露出させるコンタクトホールＣＨが形成される。

【0103】

有機絶縁膜ＩＮＳ上には、データラインＤＬとゲートラインＧＬの交差によって定義される画素領域内に、それぞれ画素電極Ｐｘが形成される。画素電極Ｐｘは、有機絶縁膜ＩＮＳ及び第１保護膜ＰＡＳ１を貫通するコンタクトホールＣＨを介し、薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極Ｄと接触するように形成される。

【0104】

また、有機絶縁膜ＩＮＳ上には、後述する第１サイズより大きい第２大きさを有する第１−２タッチ駆動電極パターンＴｘ１２と第１サイズを有する第１−１タッチ駆動電極パターンＴｘ１２との間に配置され、ゲートラインＧＬと並行するタッチセンシング電極Ｒｘ２が形成される（図８Ａ参照）。タッチセンシング電極Ｒｘ２は、タッチ駆動電極のボトルネック部Ｔｂと交差する領域の幅が狭く形成されたボトルネック部Ｒｂを含む。タッチセンシング電極Ｒｘ２上には、それぞれゲートラインＧＬと並行するようにタッチセンシング電極の抵抗減少配線Ｒｃ１２が形成される。タッチセンシング電極Ｒｘ２及びタッチセンシング電極の抵抗減少配線Ｒｃ１２は、ゲートラインＧＬと重なるように形成することができ、このように形成する場合、タッチセンシング電極の抵抗減少配線Ｒｃ１２によって開口率の低下を抑制できる、という効果を得ることができる。

【0105】

画素電極Ｐｘ、タッチセンシング電極Ｒｘ２、及びタッチセンシング電極の抵抗減少配線Ｒｃ１１、Ｒｃ１２が形成された有機絶縁膜ＩＮＳ上には、第２保護膜ＰＡＳ２が形成される。

【0106】

第２保護膜ＰＡＳ２上には、データラインＤＬと重ねるように、タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１が形成される。タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１は、タッチセンシング電極のボトルネック部Ｒｂを経由するように形成される。

【0107】

タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１が形成された第２保護膜ＰＡＳ２上には、共通電極兼用の第１−１及び第１−２タッチ駆動電極パターンＴｘ１３、Ｔｘ１２が、ボトルネック部Ｔｃによって接続するように形成される。第１−１及び第１−２タッチ駆動電極パターンＴｘ１３、Ｔｘ１２は、タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１をカバーするように形成される。第１−１及び第１−２タッチ駆動電極パターンＴｘ１３、Ｔｘ１２は、少なくとも一部が画素電極Ｐｘと重なるように形成される。第１−１及び第１−２タッチ駆動電極パターンＴｘ１３、Ｔｘ１２のそれぞれは、画素電極Ｐｘとの間に水平電界が形成されやすいように複数のスリットＳＬを含む。したがって、有機絶縁層ＩＮＳ上に形成される画素電極Ｐｘは、スリットを有しないように形成され、第２保護層ＰＡＳ２上に形成される第１−１及び第１−２タッチ駆動電極パターンＴｘ１３、Ｔｘ１２は、スリットＳＬを有するように形成される。

【0108】

次に、図９Ａ及び図９Ｂを参照して、画素電極が共通電極（タッチ駆動電極）の上層に形成される場合の本発明の第２実施の形態の変形例に係るタッチセンサ一体型表示装置について説明する。図９Ａは、画素電極が共通電極の上層に形成される場合の図７に示された領域Ｒ２を示す平面図であり、図９Ｂは、図９ＡのＩＩＩ−ＩＩＩ’ライン及びＩＶ−ＩＶ’ラインに沿って取った断面図である。

【0109】

図７、図９Ａ及び図９Ｂを参照すると、本発明の第２実施の形態の変形例に係るタッチセンサ一体型表示装置は、薄膜トランジスタアレイＴＦＴＡの基板ＳＵＢ１上に互いに交差するように形成されるゲートラインＧＬ及びデータラインＤＬと、前記ゲートラインＧＬとデータラインＤＬの交差領域に形成される薄膜トランジスタＴＦＴと、ゲートラインＧＬとデータラインＤＬの交差によって定義される領域に形成される画素電極Ｐｘと、前記画素電極Ｐｘと対向する共通電極ＣＯＭと、を含む。本発明の第２実施の形態の変形例でも、本発明の第１実施の形態と同様に、共通電極ＣＯＭがタッチ駆動電極Ｔｘの機能を兼ねるので、以下の説明では、必要に応じて「共通電極ＣＯＭ」、「タッチ駆動電極Ｔｘ」、「共通電極兼用タッチ駆動電極Ｔｘ」、または「タッチ駆動電極兼用共通電極ＣＯＭ」と称する。

【0110】

前記の構成において、基板ＳＵＢ上には、ゲートラインＧＬが形成され、その上部には、ゲート絶縁膜ＧＩが形成される。ゲート絶縁膜ＧＩ上では、薄膜トランジスタＴＦＴを構成する活性層Ａ、ソース電極Ｓ、及びドレイン電極Ｄが形成される。

【0111】

すなわち、薄膜トランジスタＴＦＴは、基板ＳＵＢ上に形成されたゲートラインＧＬから延長されるゲート電極Ｇと、ゲートラインＧＬ及びゲート電極Ｇをカバーするゲート絶縁膜ＧＩ上でゲート電極Ｇと対応する領域に形成される活性層Ａと、活性層Ａの一部を露出させるようにゲート絶縁膜ＧＩ上に分離されて形成されるデータラインＤＬから延長されるソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄと、を含む。

【0112】

前記実施の形態において、薄膜トランジスタは、ゲート電極が、ソース／ドレイン電極の下層に形成されるボトムゲート構造（gate bottom structure）の薄膜トランジスタを例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ゲート電極がソース／ドレイン領域の上部に形成されるトップゲート構造（gate top structure）の薄膜トランジスタも含むものと理解しなければならない。トップゲート構造の薄膜トランジスタは、公知の構成であるから、それに対する詳細な説明は省略する。

【0113】

薄膜トランジスタＴＦＴとデータラインＤＬが形成されたゲート絶縁膜ＧＩ上には、薄膜トランジスタＴＦＴとデータラインＤＬをカバーする第１保護膜ＰＡＳ１が形成され、第１保護膜ＰＡＳ１上には、平坦化のためのフォトアクリルなどの有機絶縁膜ＩＮＳが形成される。有機絶縁膜ＩＮＳには、ドレイン電極Ｄの一部と対応する位置の第１保護膜ＰＡＳを露出させる第１コンタクトホールＣＨ１が形成される。

【0114】

第１コンタクトホールＣＨ１が形成された有機絶縁膜ＩＮＳ上には、第１ボトルネック部Ｔｂによって互いに接続される共通電極ＣＯＭ兼用の第１−１及び第１−２タッチ駆動電極パターンＴｘ１３、Ｔｘ１２が形成される。第１−１及び第１−２タッチ駆動電極パターンＴｘ１３、Ｔｘ１２上には、タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１が、データラインＤＬに沿ってタッチ駆動電極のボトルネック部Ｔｂ１を経由するように形成される。タッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１がデータラインＤＬと重なるように形成されると、開口率の低下を抑制することができる、という効果を得ることができる。

【0115】

第１−１及び第１−２タッチ駆動電極パターンＴｘ１３、Ｔｘ１２とタッチ駆動電極の抵抗減少配線Ｔｃ１１が形成された有機絶縁膜ＩＮＳ上には、第２保護膜ＰＡＳ２が形成される。有機絶縁膜ＩＮＳの第１コンタクトホールＣＨ１を介して露出される第１保護膜ＰＡＳ１及び第２保護膜ＰＡＳ２には、薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極Ｄの一部を露出させる第２コンタクトホール（ＣＨ２）が形成される。

【0116】

第２コンタクトホールＣＨ２が形成された第２保護膜ＰＡＳ２上には、第１−１及び第１−２タッチ駆動電極パターンＴｘ１３、Ｔｘ１２の間において、ゲートラインＧＬと平行方向（ｘ軸方向）にタッチセンシング電極の抵抗減少配線Ｒｃ１２が形成される。タッチセンシング電極の抵抗減少配線Ｒｃ１２が形成された第２保護膜ＰＡＳ２上には、データラインＤＬとゲートラインＧＬの交差によって定義される画素領域内にそれぞれ画素電極Ｐｘが形成される。また、ｙ軸方向に互いに隣接するタッチ駆動電極パターンＴｘ１２、Ｔｘ１３との間には、センシング電極の抵抗減少配線Ｒｃ１２をカバーするように、ゲートラインＧＬと平行にタッチセンシング電極Ｒｘ２が形成される。すなわち、タッチセンシング電極Ｒｘ２は、第１−２タッチ駆動電極パターンＴｘ１２と第１−１タッチ駆動電極パターンＴｘ１３との間の領域に対応して配置される。また、タッチセンシング電極Ｒｘ２は、隣接する第１−１タッチ駆動電極パターンＴｘ１３と第１−２タッチ駆動電極パターンＴｘ１２とを接続するボトルネック部Ｔｂ１と交差する領域に、ボトルネック部Ｒｂを有するように形成される。

【0117】

画素電極Ｐｘは、第１−１及び第１−２タッチ駆動電極パターンＴｘ１３、Ｔｘ１２と重なるように形成される。画素電極Ｐｘのそれぞれは、第１−１及び第１−２タッチ駆動電極パターンＴｘ１３、Ｔｘ１２との間に水平電界が形成されやすいように複数のスリットＳＬを含む。したがって、有機絶縁層ＩＮＳ上に形成される第１−１及び第１−２タッチ駆動電極パターンＴｘ１３、Ｔｘ１２は、スリットを有しないように形成され、第２保護層ＰＡＳ２上に形成される画素電極Ｐｘは、スリットＳＬを有するように形成される。

【0118】

前述したような本発明の第２実施の形態及びその変形例に係るタッチセンサ一体型表示装置によると、本発明の第１実施の形態とその変形例に係るタッチセンサに比べて次に示すような効果を得ることができる。

【0119】

即ち、本発明の第１実施の形態に係るタッチセンサ一体型表示装置によると、それぞれのタッチ駆動電極パターンが１ライン分の複数の単位画素電極に対応するように配置され、単位画素電極単位で形成されるタッチセンシング電極とタッチ駆動電極パターンとによって相互静電容量の大きさが増加して、タッチ感度に影響を与え、また、タッチセンシング電極及び駆動電極の抵抗減少配線と表示装置の信号配線の間に発生する寄生静電容量により、タッチ性能が低下する可能性がある。

【0120】

しかし、本発明の第２実施の形態及びその変形例に係るタッチセンサ一体型表示装置によると、タッチ駆動電極が、１ラインの画素電極に対応する第１−１タッチ駆動電極パターンと、２ラインの画素電極に対応する第１−２タッチ駆動電極パターンとを含むように構成され、タッチセンシング電極を第１−１タッチ駆動電極と、第１−２タッチ駆動電極との間に配置し、第１−２タッチ駆動電極パターンに対応して配置される２ラインの画素電極間にゲートラインを配置することにより、ゲートラインと重ねるタッチセンシング電極の数を減少させることができるようになる。したがって、第１実施の形態に係るタッチセンサ一体型表示装置によって得られる効果のほか、タッチセンシング電極数の減少による相互静電容量と寄生静電容量の大きさを減らすことができ、タッチ性能を向上させることができる、という効果を得ることができる。

【0121】

以上説明した内容を通じて、当業者であれば本発明の技術思想を逸脱しない範囲で様々な変更および修正が可能であることが分かる。例えば、前述した本発明の実施の形態で説明したタッチ駆動電極は、タッチセンシング電極に、またタッチセンシング電極は、タッチ駆動電極に置き換えることによって変形実施することもできる。また、本発明の第１乃至第４の実施の形態の説明では、薄膜トランジスタの保護のための第１保護膜と、平坦化のための有機絶縁膜とを別々に形成するものとして説明したが、第１保護膜または有機絶縁膜のいずれか一つの膜で二つの機能を実現することもできる。したがって、本発明の技術的範囲は、発明の詳細な説明に記載された内容に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって定まるべきである。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図5A】

【図5B】

【図6】

【図7】

【図8A】

【図8B】

【図9A】

【図9B】